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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 30A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
10+3.09 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZT4STMIGBT 400V 30A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 30A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB18N40LZT4 - IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
66+3.55 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsIGBTs EAS 180 mJ-400 V
auf Bestellung 1213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.74 EUR
10+3.03 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19N40LZSTMicroelectronicsIGBT Transistors PTD IGBT & IPM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 600V 19A
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.45 EUR
10+4.24 EUR
100+2.95 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.43 EUR
10+4.2 EUR
100+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/97ns
Switching Energy: 85µJ (on), 189µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 130 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.36 EUR
48+1.78 EUR
52+1.65 EUR
55+1.57 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.42 EUR
10+7.79 EUR
100+5.68 EUR
1000+4.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A D2PAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Active
Gate Charge: 55 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.64 EUR
10+9.2 EUR
100+6.69 EUR
500+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+10.02 EUR
50+6.74 EUR
100+6.01 EUR
200+4.84 EUR
500+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Active
Gate Charge: 55 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 35A 125W D2PAK
Power - Max: 125 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 55 nC
Test Condition: 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 165µJ (on), 255µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/105ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB19NC60WT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 130W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/90ns
Switching Energy: 81µJ (on), 125µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 130 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB2012-360PT
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H60DFSTMicroelectronicsIGBTs 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
500+4.32 EUR
1000+1.62 EUR
2000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65DFB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65DFB2STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65DFB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65DFB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20H65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.12 EUR
100+2.14 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/108ns
Switching Energy: 140µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 166 W
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20M65DF2STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N40LZSTMicroelectronicsIGBT Transistors 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 94-98 Tag (e)
1+4.9 EUR
1000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N40LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 390V 25A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.3µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N40LZSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 390V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 150 W, 450 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.65 EUR
59+3.99 EUR
100+2.55 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 638000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.02 EUR
2000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20N45LZAG - IGBT, 25 A, 1.1 V, 150 W, 450 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 450V 25A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
10+3.67 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAG
Produktcode: 169666
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 450V 25A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 638000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.02 EUR
2000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20N45LZAGSTMicroelectronicsDescription: IGBT 450V 25A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB32LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 375V 40A 150W I2PAK
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Switching Energy: 11.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/11.5µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB32LZ
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB32LZ-1
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB32LZT4
Produktcode: 27025
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB32LZT4
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB37LZ
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB37LZSTMicroelectronicsIGBT Transistors N-Channel 20 Amp IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB37LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Switching Energy: 11.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/2µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB37LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB37LZT4STMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch Clamped 20 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB37LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Switching Energy: 11.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/2µs
Supplier Device Package: D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB37LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 375V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB37LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Switching Energy: 11.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 2.3µs/2µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 442V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs
Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off)
Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+4.56 EUR
100+3.19 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 442V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs
Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off)
Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+4.86 EUR
100+3.42 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.32 EUR
46+5.06 EUR
100+3.3 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41LZT4STMIGBT N-CHAN 40A CLAMP D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NB41ZT4
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NC60VSTMicroelectronicsIGBT Transistors 30 A 600V FAST IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NC60VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20NC60V - IGBT, 60 A, 1.8 V, 200 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 200W
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 60A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NC60VSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A 200W D2PAK
Power - Max: 200 W
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 100 nC
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NC60VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB20NC60V - IGBT, 60 A, 1.8 V, 200 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6 EUR
69+3.39 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NC60V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NC60VT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns
Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20NC60VT4STMicroelectronicsIGBT Transistors 30 A 600V FAST IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+4.5 EUR
25+4.24 EUR
100+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 116 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 167 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 116 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60FSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+3.86 EUR
25+3.64 EUR
100+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB20V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns
Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15V
Gate Charge: 116 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB25N36LZAGSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB25N36LZAGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs
Gate Charge: 25.7 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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