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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SSM6N15FU/DPTOSHIBA09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N15FULF(TToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N15FUSOT363-DPTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N15FUTE85L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N15FU\DPTOSHIBASOT-363
auf Bestellung 6100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FETOSHIBA09+
auf Bestellung 340018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FE(TE85L
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FE(TE85L,F)
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FE,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
39+0.55 EUR
100+0.31 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FE,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FE,L3FToshibaMOSFETs Sm-signal/HiSpeed2n1 ES6 (SOT-563)
auf Bestellung 18765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FE,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FE,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FETE85L.F
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FETE85LF
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FUTOSHIBASOT363
auf Bestellung 38645 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
auf Bestellung 5370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FUTE85LFToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
auf Bestellung 8510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.65 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N17FU
auf Bestellung 16910 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N17FU(TE85L,F)ToshibaMOSFETs 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
auf Bestellung 7808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N17FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 6-Pin US T/R
auf Bestellung 2509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
485+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N17FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N17FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: US6
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 40ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N17FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 50V 0.1A 6-Pin US T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N17FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N17FU(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85L,F) - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 100 mA, 40 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N20SSS07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N24TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
32+0.67 EUR
100+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N24TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N24TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm at 4.5V
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N24TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N24TU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.145 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.145ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N25TUTOSHIBA09+
auf Bestellung 90018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N25TU(TE85,F)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N357R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.8 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N357R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
auf Bestellung 8883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+0.95 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive 6-Pin TSOP-F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N357R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N357R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive 6-Pin TSOP-F T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N357R,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N357R,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A 6-Pin TSOP-F T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
458+0.38 EUR
564+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 458 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N357R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N357R,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 650 mA, 1.8 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-26F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N357RLF(TToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFE,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 6-Pin ES T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
auf Bestellung 35041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
157+0.13 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFE,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
auf Bestellung 97294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFE,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 6-Pin ES T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.1 EUR
8000+0.087 EUR
12000+0.084 EUR
20000+0.083 EUR
28000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFE,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N35AFE,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
auf Bestellung 5440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 285mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35FE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 6-Pin ES T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35FE,LMToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35FE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N35FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N35FE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N36FE,LMToshibaMOSFET 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.57 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.14 EUR
8000+0.12 EUR
48000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N36FE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin ES T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
37+0.57 EUR
100+0.29 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N36FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
39+0.54 EUR
100+0.32 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A UF6
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N36TU,LFToshibaMOSFET Sm-signal/HiSpeed2n1 UF6 (SOT-363F)
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.55 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37CTD(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37CTD(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FE(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-Ch FET MOS 1.5V Drive 20V 500mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FE,LMToshibaMOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V
auf Bestellung 15939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.71 EUR
10+0.65 EUR
4000+0.14 EUR
8000+0.1 EUR
24000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FE,LM(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FE,LM(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FE,LM(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 229185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
58+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FU,LFToshibaMOSFET Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V
auf Bestellung 14408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.49 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
24000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.096 EUR
21000+0.093 EUR
30000+0.088 EUR
75000+0.08 EUR
150000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N37FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N37FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N39TU(TE85LF)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N39TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N39TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N39TU,LFToshibaMOSFET LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N39TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 1.6A 6-Pin UF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N39TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N39TU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N39TU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N39TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N39TU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N39TU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N39TULF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N39TULXGF(TToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N40TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N40TU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 1.6A 6-Pin UF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N40TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm @ 4V, in UF6 package
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.12 EUR
10+0.69 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N40TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
auf Bestellung 13431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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