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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF9952TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9952TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
138+1.69 EUR
250+1.02 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Case: SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Power dissipation: 2W
Drain current: 3.5/-2.3A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 30/-30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBFInternational RectifierMOSFET, +-30V, 3,5A -2,3A,SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.51 EUR
8000+0.43 EUR
12000+0.42 EUR
20000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.48 EUR
12000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.54 EUR
167+1.02 EUR
231+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.45 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9952TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesIRF9952TRPBFXTMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953PBFInfineonТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953PBF (SO8)
Produktcode: 72546
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 2,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 190/6,1
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 5 St.
  • 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.55 EUR
10+0.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953TRInternational RectifierTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953TRIR09+
auf Bestellung 5021 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 2.3A
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.84 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9953TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
133+1.75 EUR
190+1.13 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953TRPBFInternational RectifierHEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9953TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9953TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: HEXFET Series
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
133+1.75 EUR
190+1.13 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956IRSO-8
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956
Produktcode: 26009
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9956PBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956PBFInternational RectifierDual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9956; IRF9956TR; SP001565670; SP001565688; IRF9956TR UMW TIRF9956 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9956; IRF9956TR; SP001565670; SP001565688; IRF9956TR UMW TIRF9956 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
17+1.3 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956TRPBFInternational Rectifier/InfineonСдвоенный N-канальный ПТ (Vds=30V, Id=3.5A@t=25C, 2.8A@t=70C, Rds=0.1Ohm, P=2W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF9956TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF9956TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9956TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF9956TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9956TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: HEXFET Series
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9956TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.52 EUR
10+1.32 EUR
100+0.92 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.75 EUR
4000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF9956TRPBFInternational RectifierDual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори
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IRF9956TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF9956TRPBF Transistor
Produktcode: 126786
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 2,8 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 190/6,9
Montage: SMD
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.12 EUR
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IRF9956TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF9956TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
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IRF9956TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF9956TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8DSO-902
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9956TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF9Z10Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z10IR2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9Z10Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z10PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z10PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z10PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.89 EUR
100+1.52 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.23 EUR
5000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z10PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
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IRF9Z10PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z10PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z10PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.71 EUR
50+2.06 EUR
100+1.84 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z10PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9Z10PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A
auf Bestellung 1643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+2.4 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z10PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z10PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14
Produktcode: 40267
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 6,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/12
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.68 EUR
10+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z14PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14L
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14LPBFVishay / SiliconixMOSFETs P-Chan 60V 6.7 Amp
auf Bestellung 983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.2 EUR
100+2.18 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.56 EUR
2000+1.51 EUR
5000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14LPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; 43W; I2PAK,TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 43W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z14PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
118+1.98 EUR
159+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14PBFTO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.71 EUR
50+2.06 EUR
100+1.84 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+1.96 EUR
100+1.59 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
10000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14PBF-BE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12, Rds = 500 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 43, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Очікується: 1000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF9Z14PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.71 EUR
50+2.06 EUR
100+1.84 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF9Z14PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 60V 6.7A
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.82 EUR
100+1.26 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF9Z14PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z14PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
112+2.08 EUR
162+1.32 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRF9Z14SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9Z14SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF9Z14SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.41 EUR
10+2.37 EUR
100+1.93 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.33 EUR
5000+1.32 EUR
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IRF9Z14SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.6 EUR
286+0.57 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
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IRF9Z14SPBFD2PAK Транзистори
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IRF9Z14SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
10+3.14 EUR
50+2.39 EUR
100+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z14SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.61 EUR
285+0.58 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
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IRF9Z14STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9Z14STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 6.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF9Z14STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
10+3.14 EUR
50+2.39 EUR
100+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF9Z14STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 P-CH 60V 6.7A
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.41 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.5 EUR
800+1.34 EUR
4800+1.29 EUR
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