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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| NSF017120T2A0J | Nexperia | SiC MOSFETs NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF030120D7A0J | NEXPERIA | NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120D7A0J | Nexperia | SiC MOSFETs NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF030120D7A0J | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120D7A0J | NEXPERIA | NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF030120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF030120D7A0J | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120D7A0J | NEXPERIA | NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120L3A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120L3A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF030120L3A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120L3A0Q | Nexperia | MOSFETs 1200 V, 30 mohm, N-channel SiC MOSFET | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF030120L4A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L Packaging: Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF030120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120L4A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120L4A0Q | Nexperia | MOSFETs 1200 V, 40 mohm, N-channel SiC MOSFET | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF030120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 67A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF030120L4A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF03A20 | auf Bestellung 2263 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF03A20-TE16L | auf Bestellung 5660 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF03A20G-TE16L | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF03A40-TE16L | NIHON | 06+ | auf Bestellung 6374 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF03A40-TE16L | NIHON | 06+ | auf Bestellung 1547 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF03A40-TE16L | NIHON | 09+ | auf Bestellung 1565 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF03A40-TE16L | NIEC | DO214AB | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF03A40G-TE16L | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF03A60 | SHINDENGEN | auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NSF03A60-TE16L | NIHON | 08+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF03A60-TE16L-R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF03A60-TE16L3 | auf Bestellung 3906 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF03A60G-TE16L | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF040120D7A0 | NEXPERIA | SiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120D7A0J | Nexperia | SiC MOSFETs NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L | auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF040120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF040120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120D7A0J | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF040120D7A0J | NEXPERIA | SiC MOSFET / TO263-7L - not released yet, April 2024 | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF040120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 65A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120D7A0J | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120L3A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 319W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120L3A0Q | NEXPERIA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NSF040120L3A0Q | Nexperia | SiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF040120L3A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF040120L3A0Q | NEXPERIA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF040120L4A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120L4A0Q | NEXPERIA | N-channel MOSFET | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120L4A0Q | Nexperia | SiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L | auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF040120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF040120L4A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 306W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF040120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF040120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF040120L4A1Q | Nexperia | NSF040120L4A1Q | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 38A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120D7A0J | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120D7A0J | NEXPERIA | NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF060120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 38A | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF060120D7A0J | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120D7A0J | NEXPERIA | NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 38A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120D7A0J | Nexperia | SiC MOSFETs NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF060120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF060120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120L3A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF060120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120L3A0Q | Nexperia | MOSFETs 1200 V, 60 mohm, N-channel SiC MOSFET | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF060120L3A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120L3A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF060120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120L4A0Q | Nexperia | MOSFETs 1200 V, 80 mΩ, N-channel SiC MOSFET | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF060120L4A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 37A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120L4A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF060120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF060120L4A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L Packaging: Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF0610 | auf Bestellung 1610 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF080120D7A0J | NEXPERIA | NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 33A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120D7A0J | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 33A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120D7A0J | NEXPERIA | NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120D7A0J | Nexperia | SiC MOSFETs NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF080120D7A0J | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 33A | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF080120D7A0J | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF080120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120D7A0J | Nexperia USA Inc. | Description: NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF080120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120L3A0Q | Nexperia | SiC MOSFETs TO247 1.2KV 36A N-CH SIC | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF080120L3A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF080120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120L3A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF080120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF080120L3A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF080120L3A0Q | NEXPERIA | NSF080120L3A0Q THT N channel transistors | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NSF080120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF080120L4A0Q | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - NSF080120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1.2 kV, 0.12 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 183W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120L4A0Q | Nexperia USA Inc. | Description: NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 800 V | auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF080120L4A0Q | NEXPERIA | N-channel MOSFET | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NSF080120L4A0Q | Nexperia | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 35A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF080120L4A0Q | Nexperia | SiC MOSFETs NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L | auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NSF150 | auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF2250WT1 | auf Bestellung 5495 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF2250WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSF2250WT1G - NSF2250WT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 32950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF2250WT1G | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF25 YEAR 2002 25HP 4-STROKE ST | Interlight | Description: Replacement for Nissan NSF25 Yea Packaging: Retail Package Type: Starter Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF25 YEAR 2003 25HP 4-STROKE ST | Interlight | Description: Replacement for Nissan NSF25 Yea Packaging: Retail Package Type: Starter Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF25 YEAR 2004 25HP 4-STROKE ST | Interlight | Description: Replacement for Nissan NSF25 Yea Packaging: Retail Package Type: Starter Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF25 YEAR 2005 25HP 4-STROKE ST | Interlight | Description: Replacement for Nissan NSF25 Yea Packaging: Retail Package Type: Starter Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF250 | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF350 | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF360 | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF460 | auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSF8BT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8BT-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8BTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8BTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8BTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8DT-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8DT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8DTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8DTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8DTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8GT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8GT-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8GTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8GTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8GTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8JT-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | auf Bestellung 754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8JT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8JTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8JTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8JTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8KT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8KT-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8.0 Amp 800 Volt | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8KTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8KTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8KTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8MT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8MT-E3/45 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8MTHE3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8MTHE3_A/P | Vishay Semiconductors | Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSF8MTHE3_A/P | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NSFC102J100TRB2F | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSFC103J100TRC3F | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSFC104J16TRC3 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSFC104J16TRC3F | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSFC104J50TRD2 | NIC | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NSFC123J100TRD1F | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSFC123J16TRB2F | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSFC124J16TRD1F | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSFC224J16TRD2 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSFC224J16TRD3 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| NSFC224J50TRE4F | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |