Produkte > NSF

Wählen Sie Seite:   1 2 3  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NSF017120T1A0-QHPNexperia USA Inc.Description: NSF017120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF017120T1A0-QHPNexperiaSiC MOSFETs NSF080120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF017120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 17 M, N-CHANNEL SIC MOSF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF017120T1A0HPNexperiaSiC MOSFETs NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF017120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 17 M, N-CHANNEL SIC MOSF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF017120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.63 EUR
10+24.31 EUR
100+23.1 EUR
800+21.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF017120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF017120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.51 EUR
10+25.87 EUR
25+24.2 EUR
100+22.38 EUR
250+21.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.48 EUR
12+19.25 EUR
50+17.89 EUR
100+16.49 EUR
250+16.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0-QJNexperia USA Inc.Description: NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-236-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.93 EUR
10+15.18 EUR
100+11.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.39 EUR
10+25.48 EUR
12+19.25 EUR
50+17.89 EUR
100+16.49 EUR
250+16.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.53 EUR
10+14.91 EUR
100+11.16 EUR
800+11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.54 EUR
10+21.17 EUR
100+18.68 EUR
800+10.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.91 EUR
50+23.93 EUR
100+22.92 EUR
250+22.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.45 EUR
10+29.81 EUR
100+27.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+39.33 EUR
8+31.77 EUR
10+24.91 EUR
50+23.93 EUR
100+22.92 EUR
250+22.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.45 EUR
10+29.81 EUR
450+22.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+30.29 EUR
50+27.36 EUR
100+24.4 EUR
250+23.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.48 EUR
10+22.85 EUR
100+17.83 EUR
500+16.81 EUR
1000+15.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+38.69 EUR
10+30.29 EUR
50+27.36 EUR
100+24.4 EUR
250+23.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 195090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+17.29 EUR
97560+15.87 EUR
146340+14.67 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.03 EUR
6+41.98 EUR
10+32.9 EUR
50+30.93 EUR
100+28.98 EUR
250+27.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.92 EUR
10+23.18 EUR
120+18.14 EUR
510+16.46 EUR
1020+15.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+32.9 EUR
50+30.93 EUR
100+28.98 EUR
250+27.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L4A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 67A TO247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.41 EUR
10+30.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 67A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120T1A0-QHPNexperia USA Inc.Description: NSF030120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120T1A0-QHPNexperiaSiC MOSFETs NSF080120T1A1/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120T1A0HPNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF030120T1A0HP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.87 EUR
11+20.43 EUR
50+18.79 EUR
100+17.05 EUR
250+16.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120T1A0HPNexperiaSiC MOSFETs NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 30 M, N-CHANNEL SIC MOSF
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120T1A0HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 30 M, N-CHANNEL SIC MOSF
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+14.15 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120T2A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.3 EUR
10+18.02 EUR
100+14.8 EUR
500+13.91 EUR
800+13.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: X.PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF030120T2A0JNexperia USA Inc.Description: NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 2mA
Supplier Device Package: X.PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.63 EUR
10+17.93 EUR
100+14.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A20
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A20KYOCERA AVXDescription: DIODE STANDARD 200V 3A NSMC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A20-TE16L
auf Bestellung 5660 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A20G-TE16L
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A40KYOCERA AVXDescription: DIODE STANDARD 400V 3A NSMC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A40-TE16LNIHON06+
auf Bestellung 6374 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A40G-TE16L
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A60SHINDENGEN
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A60-TE16LNIHON08+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A60-TE16L-R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A60-TE16L3
auf Bestellung 3906 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03A60G-TE16L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF03B60KYOCERA AVXDescription: DIODE STANDARD 600V 3A NSMC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A0Nexperia NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Supplier Device Package: TO-236-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.31 EUR
10+18.55 EUR
100+16.06 EUR
800+9.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.69 EUR
50+23.24 EUR
100+20.97 EUR
250+20.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A0JNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-236-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.51 EUR
10+26.06 EUR
100+23.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 65A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+39.69 EUR
8+31.81 EUR
10+24.69 EUR
50+23.24 EUR
100+20.97 EUR
250+20.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A1-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A1-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.39 EUR
11+23.13 EUR
13+17.52 EUR
50+16.81 EUR
100+16.11 EUR
250+15.79 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A1-QJNexperia USA Inc.Description: NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.04 EUR
10+13.82 EUR
100+10.29 EUR
800+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A1-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.67 EUR
10+13.57 EUR
100+11.58 EUR
800+9.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A1JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.93 EUR
10+13.04 EUR
100+10.5 EUR
800+9.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A1JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120D7A1J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.46 EUR
11+22.35 EUR
13+16.84 EUR
50+14.83 EUR
100+12.8 EUR
250+12.55 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120D7A1JNexperia USA Inc.Description: NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.31 EUR
10+13.28 EUR
100+9.87 EUR
800+8.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L3A0QNexperiaSiC MOSFETs TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.4 EUR
10+25.41 EUR
510+13.04 EUR
1020+12.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L3A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L3A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 319W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.5 EUR
6+43.07 EUR
10+35.37 EUR
50+34.65 EUR
100+33.95 EUR
250+33.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L3A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+22.31 EUR
100+20.9 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L3A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.45 EUR
10+29.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L3A0QNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
On-state resistance: 60mΩ
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 313W
Gate charge: 95nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+31.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L4A0QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.91 EUR
10+22.46 EUR
120+19.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L4A0QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 800 V
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.41 EUR
10+30.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L4A0QNexperiaSiC MOSFETs NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.82 EUR
10+26.57 EUR
510+16.37 EUR
1020+15.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L4A0QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A0Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+40.16 EUR
10+32.99 EUR
50+32.37 EUR
100+31.76 EUR
250+31.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L4A1QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 234W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.82 EUR
10+25 EUR
50+24.34 EUR
100+23.65 EUR
250+22.97 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L4A1QNexperiaSiC MOSFETs NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.18 EUR
10+13.26 EUR
100+10.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L4A1QNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120L4A1Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25 EUR
50+24.34 EUR
100+23.65 EUR
250+22.97 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L4A1QNexperiaTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120L4A1QNexperia USA Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 53A TO247-4
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.1 EUR
10+13.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120T1A1-QHPNexperia USA Inc.Description: NSF040120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120T1A1-QHPNexperiaSiC MOSFETs PSC2065T2A0-Q/SOT8107/X.PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120T1A1HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 40 M, N-CHANNEL SIC MOSF
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120T1A1HPNexperiaSiC MOSFETs NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120T1A1HPNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF040120T1A1HP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 217W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+19.47 EUR
13+17.59 EUR
50+16.15 EUR
100+14.67 EUR
250+14.38 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120T1A1HPNexperia USA Inc.Description: 1200 V, 40 M, N-CHANNEL SIC MOSF
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+12.16 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120T2A1JNexperia USA Inc.Description: NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120T2A1JNexperiaSiC MOSFETs NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.07 EUR
10+15.33 EUR
100+12.15 EUR
500+11.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF040120T2A1JNexperia USA Inc.Description: NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.99 EUR
10+15.26 EUR
100+12.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120D7A0-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.19 EUR
12+20.49 EUR
14+15.37 EUR
50+13.41 EUR
100+11.41 EUR
250+11.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120D7A0-QJNexperia USA Inc.Description: NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.72 EUR
10+12.13 EUR
100+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120D7A0-QJNexperiaSiC MOSFETs NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.39 EUR
10+11.9 EUR
100+8.88 EUR
800+8.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120D7A0-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0-QJ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.19 EUR
12+20.49 EUR
14+15.37 EUR
50+13.41 EUR
100+11.41 EUR
250+11.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120D7A0JNEXPERIADescription: NEXPERIA - NSF060120D7A0J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.39 EUR
10+23.32 EUR
13+17.84 EUR
50+16.68 EUR
100+15.53 EUR
250+15.23 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120D7A0JNexperiaTrans MOSFET N-CH 1.2KV 38A 8-Pin(7+Tab) TO-263
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSF060120D7A0JNexperiaSiC MOSFETs NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.93 EUR
10+15.12 EUR
100+12.59 EUR
800+7.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2 3  [ Nächste Seite >> ]