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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
QH8-0093QFP208
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-0221-030
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-0925/M66417-0011FP
auf Bestellung 21 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-1253-04
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QH8-80409/1111F024
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QH8-8331DIP32
auf Bestellung 89 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-8350PQ100
auf Bestellung 89 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-8409TOSHQFP100
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-8516QFP144
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-8548
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-8648-01FUJ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-8796
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-8911
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-9002-03
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-900203CANON
auf Bestellung 34 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8-9016-01CANON
auf Bestellung 247 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH800
auf Bestellung 2765 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH81257
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JA1TCRROHM SemiconductorMOSFET 20V Pch+Pch Si MOSFET
auf Bestellung 2743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.37 EUR
100+1.07 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.74 EUR
3000+0.69 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JA1TCRROHMDescription: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
13+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JA1TCRROHMDescription: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JA1TCRRohmMOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JB5TCRROHMDescription: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
127+1.83 EUR
175+1.23 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JB5TCRROHMDescription: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
127+1.83 EUR
175+1.23 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 2668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JB5TCRRohmMOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JB5TCRROHM SemiconductorMOSFETs -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.33 EUR
500+1.14 EUR
1000+1 EUR
3000+0.9 EUR
6000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.96 EUR
6000+0.9 EUR
9000+0.87 EUR
15000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
auf Bestellung 21785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.23 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
3000+0.95 EUR
6000+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 57658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.25 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JE5TCRROHMDescription: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JE5TCRROHMDescription: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8JE5TCRROHM SemiconductorMOSFETs 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.68 EUR
6000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8K22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8K22TCRROHM SemiconductorMOSFET QH8K22 is low on - resistance MOSFET for Switching. 40V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+1.15 EUR
100+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8K22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 13071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
17+1.25 EUR
100+0.83 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8K26TRROHM SemiconductorMOSFET QH8K26 is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching and motor drive.
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.52 EUR
100+1.18 EUR
500+1 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.76 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8K26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
14+1.55 EUR
100+1.2 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8K26TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.83 EUR
6000+0.8 EUR
9000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8K51TRROHM SemiconductorMOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
auf Bestellung 5864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.99 EUR
10+1.62 EUR
100+1.15 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8K51TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
13+1.65 EUR
100+1.29 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8K51TRROHMDescription: ROHM - QH8K51TR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
126+1.84 EUR
177+1.21 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA1TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+1.02 EUR
100+0.71 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.4W
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA1TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.99 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA2TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
auf Bestellung 3349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+1.24 EUR
100+0.86 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
147+1.58 EUR
207+1.04 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA3TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 2NCH 30V 9A
auf Bestellung 3514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.36 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.62 EUR
6000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.7 EUR
100+1.21 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
147+1.58 EUR
207+1.04 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA4TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.84 EUR
118+1.96 EUR
165+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA4TCRROHMDescription: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
118+1.96 EUR
165+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA4TCRROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.59 EUR
100+1.14 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.76 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 3344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
11+1.95 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KB5TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 N CHAN 40V
auf Bestellung 3741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.25 EUR
25+1.24 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KB5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 3028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KB6TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 2NCH 40V 8A
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KB6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KB6TCRROHMDescription: ROHM - QH8KB6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.0177 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0177ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
112+2.09 EUR
167+1.29 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KB6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
13+1.73 EUR
100+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KC5TCRROHMDescription: ROHM - QH8KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
135+1.73 EUR
176+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KC5TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KC5TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 2NCH 60V 3A
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KC6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.2 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KC6TCRROHM SemiconductorMOSFETs TSMT8 2NCH 60V 5.5A
auf Bestellung 4130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.99 EUR
3000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KC6TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KC6TCRROHMDescription: ROHM - QH8KC6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
97+2.42 EUR
155+1.38 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KE5TCRROHMDescription: ROHM - QH8KE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.202 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
180+1.3 EUR
274+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KE5TCRROHMDescription: ROHM - QH8KE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.202 ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
180+1.3 EUR
274+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8KE5TCRROHM SemiconductorMOSFET 100V 2.0A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET: The Power MOSFET QH8KE5 is suitable for switching power supply and motor drive.
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+1.09 EUR
100+0.75 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8M22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 9928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
11+1.94 EUR
100+1.36 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8M22TCRROHM SemiconductorMOSFETs 40V Nch+Pch Middle Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8M22TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.95 EUR
6000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA2TCRRohmТранзистор польовий N+P, Id, A = 4.5, 3, Udss, В = 30, Ciss, пФ @ Uds, В = 365 @ 10, Qg, нКл = 8,4 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 4.5 А, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 1 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55...+150, ton = 7,2, toff = 12,... Транзистори Корпус: TSMT-8 Од. ви
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA2TCRROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Pch Power MOSFET
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.11 EUR
10+0.92 EUR
100+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA2TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.88 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.67 EUR
173+1.34 EUR
225+0.95 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA3TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA3TCRROHM SemiconductorMOSFETs 30V N+P Ch MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.61 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA3TCRROHMDescription: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.67 EUR
173+1.34 EUR
225+0.95 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA3TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA4TCRROHM SemiconductorMOSFETs Zener Diode, 100mW, 2 Pin.
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA4TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QH8MA4TCRROHMDescription: ROHM - QH8MA4TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
127+1.83 EUR
184+1.17 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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