Produkte > TPW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| TPW-150 | Eaton Bussmann | Description: FUSE RECTANGULR 150A 80VDC BLADE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW-150 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TPW 150 AMP FUSE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW-175 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TPW 175 AMP FUSE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW-175 | Eaton Bussmann | Description: FUSE RECTANGULR 175A 80VDC BLADE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW-200 | Eaton Bussmann | Description: FUSE RECTANGULR 200A 80VDC BLADE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW-200 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TPW 200 AMP FUSE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW-225 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TPW 225 AMP FUSE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW-225 | Eaton Bussmann | Description: FUSE RECTANGULR 225A 80VDC BLADE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW-250 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TPW 250 AMP FUSE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW-250 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE RECT 250A 80VDC BLADE Features: Indicating Packaging: Bulk Package / Case: Blade Type, Module Size / Dimension: 2.495" L x 1.459" W x 3.681" H (63.37mm x 37.06mm x 93.50mm) Fuse Type: Rectangular Current Rating (Amps): 250A Mounting Type: Requires Holder Applications: Telecom Approval Agency: UR Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA Voltage Rating - DC: 80 VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW-250 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TPW-400DT-12/24 | Tycon Systems | Description: WIND TURBINE, HORIZ, 400W 12/24V | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1221-QF2AR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C On-State Resistance (Max): 700mOhm -3db Bandwidth: 80MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -120dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 120ns, 80ns Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA Number of Circuits: 2 | auf Bestellung 3895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW1221-QF2AR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C On-State Resistance (Max): 700mOhm -3db Bandwidth: 80MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -120dB @ 100kHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 120ns, 80ns Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA Number of Circuits: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1500CNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V | auf Bestellung 6246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW1500CNH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP EP Advance T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1500CNH,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | auf Bestellung 17415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW1500CNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW1500CNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP Advance T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPW1500CNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1500CNH,L1Q(M | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; Idm: 220A; 142W; DSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 50A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 142W Case: DSOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1500CNH,L1Q(M | Toshiba | Silicon N-channel MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1500CNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 5363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1500CNHL1Q(M | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R005PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 45V 300A 8-Pin DSOP Advance T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R005PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW1R005PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W | auf Bestellung 6952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW1R005PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R005PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.00075 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R005PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.00075 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R005PLL1Q(M | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R104PB,L1Q(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R104PB,L1Q(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW1R104PB,L1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 950 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R104PB,L1XHQ | Toshiba | MOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | auf Bestellung 20220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW1R104PB,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW1R104PB,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V | auf Bestellung 24500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW1R104PB,L1XHQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 8-Pin DSOP Advance(WF)M T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R104PB,L1XHQ(O | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R306PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R306PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W | auf Bestellung 10779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW1R306PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V | auf Bestellung 2086 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW1R306PL,L1Q(M | Toshiba | Silicon N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R306PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 6057 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW1R306PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 6057 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW2900ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V | auf Bestellung 9976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW2900ENH,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | auf Bestellung 4001 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW2900ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW2900ENH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW2900ENH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW2R508NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V | auf Bestellung 11530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW2R508NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW2R508NH,L1Q | Toshiba | MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW2R508NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW2R508NH,L1Q(M | Toshiba | Silicon N Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW2R508NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW3115-S5TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 4.8Ohm -3db Bandwidth: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-5 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Switch Circuit: SPST - NO Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max) Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 2840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW3115-S5TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 4.8Ohm -3db Bandwidth: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-5 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Switch Circuit: SPST - NO Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max) Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW3115-SC5R | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 4.8Ohm -3db Bandwidth: 250MHz Supplier Device Package: SOT-353 (SC-70-5) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Switch Circuit: SPST - NO Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max) Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW3115-SC5R | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 4.8Ohm -3db Bandwidth: 250MHz Supplier Device Package: SOT-353 (SC-70-5) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Switch Circuit: SPST - NO Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max) Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW3125L1-SC6R-S | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 4.8Ohm -3db Bandwidth: 250MHz Supplier Device Package: SC-70-6 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -65dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm (Max) Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW3125L1-SC6R-S | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 4.8Ohm -3db Bandwidth: 250MHz Supplier Device Package: SC-70-6 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -65dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm (Max) Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 2335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW3157A-CR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 2Ohm -3db Bandwidth: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-6 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -65dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 20ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW3157A-CR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 2Ohm -3db Bandwidth: 300MHz Supplier Device Package: SC-70-6 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -65dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 20ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW3223-FR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 1.2Ohm -3db Bandwidth: 100MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -65dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max) Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 2 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW3223-FR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-UFQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 1.2Ohm -3db Bandwidth: 100MHz Supplier Device Package: 10-QFN (1.8x1.4) Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -65dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max) Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 2 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW33-EE5 | Осердя EE5,25/2,65/1,95 Ui=3300 AL=290nH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| TPW33-T10/6/4-C | Осердя T10,0/6,0/4,0 Ui=3300 AL=1400nH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| TPW3R70APL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V | auf Bestellung 3799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW3R70APL,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | auf Bestellung 5299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW3R70APL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW3R70APL,L1Q(M | Toshiba | Silicon N-channel MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW3R70APL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW3R70APL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4051-QF4R | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP8T - Open Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4051-QF4R | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP8T - Open Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4051-SOBR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP8T 16-WSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-SOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP8T - Open Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max) Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4051-SOBR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP8T 16-WSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-SOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP8T - Open Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max) Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4051-SR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-SOIC Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP8T - Open Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4051-SR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-SOIC Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP8T - Open Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4051-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-TSSOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP8T - Open Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4051-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-TSSOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP8T - Open Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4052-SR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-SOIC Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP4T - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 2 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4052-SR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-SOIC Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP4T - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 2 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4052-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-TSSOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP4T - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 2 | auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4052-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-TSSOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP4T - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4053-SR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-SOIC Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 3 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4053-SR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-SOIC Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 3 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4053-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-TSSOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4053-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 16-TSSOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 3 | auf Bestellung 2994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4054-VR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH 4X SPDT (SINGLEPOL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 150Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 10-MSOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP4T - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 35Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2µA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 2742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4054-VR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH 4X SPDT (SINGLEPOL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 150Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 10-MSOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SP4T - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 35Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2µA Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4066-SR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH 4X SPDT (SINGLEPOL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 14-SOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SPST - NO Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 4 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4066-SR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH 4X SPDT (SINGLEPOL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 14-SOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SPST - NO Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 4 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4066-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH 4X SPDT (SINGLEPOL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 14-TSSOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SPST - NO Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 4 | auf Bestellung 24310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4066-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH 4X SPDT (SINGLEPOL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 80Ohm -3db Bandwidth: 200MHz Supplier Device Package: 14-TSSOP Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SPST - NO Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA Number of Circuits: 4 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4157-CR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 1.15Ohm -3db Bandwidth: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-6 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -65dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4157-CR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 1.15Ohm -3db Bandwidth: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-6 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -65dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 2666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4157-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 1.15Ohm -3db Bandwidth: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -65dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4157-TR | 3PEAK | Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C On-State Resistance (Max): 1.15Ohm -3db Bandwidth: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V Charge Injection: 20pC Crosstalk: -65dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT - Open/Closed Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 15ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA Number of Circuits: 1 | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP | auf Bestellung 953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4R008NH,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-CH Mosfet 80V 116A 8DSOP | auf Bestellung 28319 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4R008NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: DSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 14620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4R008NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 116A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 14620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4R008NH,L1Q(M | Toshiba | MOSFETs Silicon N-channel MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4R50ANH | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4R50ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V | auf Bestellung 11854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4R50ANH,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V | auf Bestellung 6685 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4R50ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW4R50ANH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4R50ANH,L1Q(M | Toshiba | TPW4R50ANH,L1Q(M | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPW4R50ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 142W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: DSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4R50ANH,L1Q(M | Toshiba | TPW4R50ANH,L1Q(M | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4R50ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW4R50ANHL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW5200FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V | auf Bestellung 4826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPW5200FNH,L1Q | Toshiba | MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW5200FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW5200FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPW5200FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWA02B-TF21 | auf Bestellung 3925 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TPWA10B-TF21 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TPWBOOM1 | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO PORTABLE RECHARGEA Packaging: Tape & Box (TB) Accessory Type: Bluetooth Speaker | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWBOOM8 | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO 8 INCH PORTABLE 10 Packaging: Tape & Box (TB) Accessory Type: Bluetooth Speaker | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWCC16B-TC10 | MURATA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| TPWDS-BBE-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BBE-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BBE-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BBE-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BBE-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BBE-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BBM-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSE-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-BSM-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSE-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-1 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-1 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-2 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-2 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-3 | Bussmann / Eaton | Control Switches TPWDS DISCON SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWDS-SSM-3 | Eaton Bussmann | Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWE066DKHN-T6 | Sullins Connector Solutions | Description: CONN EDGE AGP DUAL 1MM 132 POS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWE066DKHN-TUGP | Sullins Connector Solutions | Description: CONN EDGE U-AGP DUAL 1MM 132 POS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWE090DKHN-TAGP | Sullins Connector Solutions | Description: CONN EDGE U-AGP DUAL 1MM 180 POS | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWE121DKRN-T621 | Sullins Connector Solutions | Description: CONN CPU SLOT 1 FEMALE 242POS Features: Card Extender Packaging: Tray Gender: Female Contact Finish: Gold Color: Brown Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 242 Pitch: 0.039" (1.00mm) Operating Temperature: -55°C ~ 85°C Read Out: Dual Contact Type: Cantilever Card Type: CPU - Slot 1 Card Thickness: 0.063" (1.60mm) Termination: Solder Contact Finish Thickness: 5.00µin (0.127µm) Contact Material: Phosphor Bronze Number of Positions/Bay/Row: 73; 48 Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWF18L | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO 1000 WATTS 18 INCH | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWF18L-2 | Technical Pro | Description: (QTY 2) TECHNICAL PRO 18" 1000 W | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWJB12PKG | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO RECHARGEABLE 12 IN Packaging: Tape & Box (TB) Accessory Type: Bluetooth Speaker | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWM1352 | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO PROFESSIONAL UHF D | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWM1641 | Technical Pro | Description: MIC ANLG CARDIOID 19"LX9.500"W Packaging: Tape & Box (TB) Output Type: Analog Size / Dimension: 19.000" L x 9.500" W (482.60mm x 241.30mm) Termination: Solder Pads Direction: Cardioid Port Location: Bottom Height (Max): 1.750" (44.45mm) Frequency Range: 40 Hz ~ 20 kHz | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWM241 | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO DUAL WIRELESS MICR | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWPH15 | Technical Pro | Description: TECHNICAL PRO 15 WATTS LIGHTWEIG | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR001 | Microchip Technology | Energy Harvesting Development Kit For Wireless Sensors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR001 | Microchip Technology | Description: KIT DEV FOR WIRELESS SENSORS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR6003PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR6003PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 412A 8-Pin DSOP EP Advance T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR6003PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V | auf Bestellung 13345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR6003PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS | auf Bestellung 34688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR6003PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 412A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR6003PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 412A 8-Pin DSOP Advance Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR6003PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPWR6003PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 412 A, 360 µohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 412A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 360µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR6003PLL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR7904PB | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR7904PB,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR7904PB,L1XHQ | Toshiba | MOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | auf Bestellung 9354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR7904PB,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR8004PL | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP | auf Bestellung 22789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPWR8004PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V | auf Bestellung 8824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR8004PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR8004PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR8004PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R | auf Bestellung 4808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPWR8004PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 170W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR8004PLL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR8503NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V | auf Bestellung 4914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR8503NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-DSOP Advance Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR8503NL,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP | auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TPWR8503NL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 0.00072 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR8503NL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 0.00072 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWR8503NL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 300A 8-Pin DSOP Advance T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TPWRD5M50B02-A0 | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |