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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
TPW-150Eaton BussmannDescription: FUSE RECTANGULR 150A 80VDC BLADE
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TPW-150Bussmann / EatonSpecialty Fuses TPW 150 AMP FUSE
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TPW-175Eaton BussmannDescription: FUSE RECTANGULR 175A 80VDC BLADE
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TPW-175Bussmann / EatonSpecialty Fuses TPW 175 AMP FUSE
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TPW-200Eaton BussmannDescription: FUSE RECTANGULR 200A 80VDC BLADE
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TPW-200Bussmann / EatonSpecialty Fuses TPW 200 AMP FUSE
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TPW-225Eaton BussmannDescription: FUSE RECTANGULR 225A 80VDC BLADE
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TPW-225Bussmann / EatonSpecialty Fuses TPW 225 AMP FUSE
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TPW-250
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPW-250Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE RECT 250A 80VDC BLADE
Packaging: Bulk
Features: Indicating
Package / Case: Blade Type, Module
Size / Dimension: 2.495" L x 1.459" W x 3.681" H (63.37mm x 37.06mm x 93.50mm)
Fuse Type: Rectangular
Current Rating (Amps): 250A
Mounting Type: Requires Holder
Applications: Telecom
Approval Agency: UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Voltage Rating - DC: 80 VDC
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TPW-250Bussmann / EatonSpecialty Fuses TPW 250 AMP FUSE
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TPW-400DT-12/24Tycon SystemsDescription: WIND TURBINE, HORIZ, 400W 12/24V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPW-ALPU 160KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 160mm; W: 50mm; H: 200mm; rigid; 600kg; ALPU
Manufacturer series: ALPU
Material: polyurethane
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball bearing
Body material: steel sheet
Height: 200mm
Shore hardness: 94
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Force: 600kg
Wheel diameter: 160mm
Wheel width: 50mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+ 37.52 EUR
TPW-ALPU 160KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 160mm; W: 50mm; H: 200mm; rigid; 600kg; ALPU
Manufacturer series: ALPU
Material: polyurethane
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball bearing
Body material: steel sheet
Height: 200mm
Shore hardness: 94
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Force: 600kg
Wheel diameter: 160mm
Wheel width: 50mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
TPW-ALPU 200KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 200mm; W: 50mm; H: 240mm; rigid; 800kg; ALPU
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 200mm
Wheel width: 50mm
Height: 240mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 800kg
Material: polyurethane
Body material: steel sheet
Shore hardness: 94
Manufacturer series: ALPU
Kind of Bearing: ball bearing
Base dimensions: 135x110mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+44.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TPW-ALPU 200KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 200mm; W: 50mm; H: 240mm; rigid; 800kg; ALPU
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 200mm
Wheel width: 50mm
Height: 240mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 800kg
Material: polyurethane
Body material: steel sheet
Shore hardness: 94
Manufacturer series: ALPU
Kind of Bearing: ball bearing
Base dimensions: 135x110mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+44.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TPW-ZPU 160KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 160mm; W: 50mm; H: 200mm; rigid; 850kg; ZPU
Manufacturer series: ZPU
Material: polyurethane
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball bearing
Body material: steel sheet
Height: 200mm
Shore hardness: 92
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Force: 850kg
Wheel diameter: 160mm
Wheel width: 50mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPW-ZPU 160KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 160mm; W: 50mm; H: 200mm; rigid; 850kg; ZPU
Manufacturer series: ZPU
Material: polyurethane
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball bearing
Body material: steel sheet
Height: 200mm
Shore hardness: 92
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Force: 850kg
Wheel diameter: 160mm
Wheel width: 50mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
Produkt ist nicht verfügbar
TPW-ZPU 200KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 200mm; W: 50mm; H: 240mm; rigid; 100kg; ZPU
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 200mm
Wheel width: 50mm
Height: 240mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 100kg
Material: polyurethane
Body material: steel sheet
Shore hardness: 92
Manufacturer series: ZPU
Kind of Bearing: ball bearing
Base dimensions: 135x110mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
Produkt ist nicht verfügbar
TPW-ZPU 200KRADERCategory: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 200mm; W: 50mm; H: 240mm; rigid; 100kg; ZPU
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 200mm
Wheel width: 50mm
Height: 240mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 100kg
Material: polyurethane
Body material: steel sheet
Shore hardness: 92
Manufacturer series: ZPU
Kind of Bearing: ball bearing
Base dimensions: 135x110mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPW1500CNH,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 18843 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.11 EUR
11+ 5.1 EUR
100+ 4.06 EUR
250+ 3.74 EUR
500+ 3.46 EUR
5000+ 2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TPW1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
auf Bestellung 7771 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.08 EUR
10+ 5.05 EUR
100+ 4.02 EUR
500+ 3.4 EUR
1000+ 2.89 EUR
2000+ 2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TPW1500CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP EP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPW1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPW1500CNH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; Idm: 220A; 142W; DSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 142W
Case: DSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TPW1500CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP Advance T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.12 EUR
50+ 3.23 EUR
100+ 2.9 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.22 EUR
2000+ 2.06 EUR
5000+ 1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 38
TPW1500CNH,L1Q(MToshibaSilicon N-channel MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
TPW1500CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW1500CNH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; Idm: 220A; 142W; DSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 142W
Case: DSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPW1500CNHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPW1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPW1R005PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
auf Bestellung 8960 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.99 EUR
10+ 6.11 EUR
25+ 5.95 EUR
100+ 4.97 EUR
250+ 4.84 EUR
500+ 4.32 EUR
1000+ 3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPW1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
auf Bestellung 12903 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.86 EUR
10+ 5.76 EUR
100+ 4.66 EUR
500+ 4.14 EUR
1000+ 3.54 EUR
2000+ 3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TPW1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 300A 8-Pin DSOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPW1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.00075 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 11864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.00075 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 11864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW1R104PB,L1XHQToshibaMOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.97 EUR
13+ 4.19 EUR
100+ 3.35 EUR
250+ 3.3 EUR
500+ 2.89 EUR
1000+ 2.36 EUR
2500+ 2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TPW1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPW1R104PB,L1XHQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 120A 8-Pin DSOP Advance(WF)M T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPW1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
auf Bestellung 14226 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPW1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
auf Bestellung 13604 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.86 EUR
10+ 5.7 EUR
100+ 4.54 EUR
500+ 3.84 EUR
1000+ 3.26 EUR
2000+ 3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TPW1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPW1R306PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
auf Bestellung 14196 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.4 EUR
10+ 5.36 EUR
100+ 4.32 EUR
250+ 4.13 EUR
500+ 3.67 EUR
1000+ 3.07 EUR
2500+ 3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TPW1R306PL,L1Q(MToshibaSilicon N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPW1R306PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260A; Idm: 500A; 170W; DSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 260A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 170W
Case: DSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPW1R306PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 14837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW1R306PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260A; Idm: 500A; 170W; DSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 260A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 170W
Case: DSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TPW1R306PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 14837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.89 EUR
10+ 5.72 EUR
100+ 4.55 EUR
500+ 3.85 EUR
1000+ 3.27 EUR
2000+ 3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TPW2900ENH,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 5103 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.94 EUR
10+ 5.77 EUR
100+ 4.6 EUR
250+ 4.26 EUR
500+ 3.85 EUR
1000+ 3.67 EUR
5000+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPW2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPW2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW2R508NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.72 EUR
10+ 4.75 EUR
100+ 3.78 EUR
500+ 3.2 EUR
1000+ 2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TPW2R508NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPW2R508NH,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.75 EUR
11+ 4.78 EUR
100+ 3.82 EUR
250+ 3.54 EUR
500+ 3.2 EUR
1000+ 3.12 EUR
5000+ 2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TPW2R508NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW2R508NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW2R508NH,L1Q(MToshibaSilicon N Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPW3115-S5TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW3115-S5TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW3115-SC5R3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-353 (SC-70-5)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW3115-SC5R3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-353 (SC-70-5)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW3125L1-SC6R-S3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW3125L1-SC6R-S3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW33-EE5Сердечник EE5,25/2,65/1,95 Ui=3300 AL=290nH
Produkt ist nicht verfügbar
TPW33-T10/6/4-CСердечник T10,0/6,0/4,0 Ui=3300 AL=1400nH
Produkt ist nicht verfügbar
TPW3R70APL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 2331 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.73 EUR
10+ 5.59 EUR
100+ 4.45 EUR
250+ 4.08 EUR
500+ 3.72 EUR
1000+ 3.69 EUR
5000+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPW3R70APL,L1Q(MToshibaSilicon N-channel MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
TPW3R70APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW3R70APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW4051-QF4R3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW4051-QF4R3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW4051-SOBR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T 16-WSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW4051-SOBR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T 16-WSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW4051-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW4051-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW4051-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW4051-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1
Produkt ist nicht verfügbar
TPW4052-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2
Produkt ist nicht verfügbar
TPW4052-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2
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TPW4052-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2
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TPW4052-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2
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TPW4053-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3
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TPW4053-SR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3
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TPW4053-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3
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TPW4053-TR3PEAKDescription: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3
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TPW4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
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TPW4R008NH,L1QToshibaMOSFET N-CH Mosfet 80V 116A 8DSOP
auf Bestellung 8810 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.53 EUR
10+ 5.43 EUR
100+ 4.32 EUR
500+ 3.67 EUR
1000+ 2.96 EUR
2500+ 2.94 EUR
5000+ 2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPW4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPW4R008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 19956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW4R008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 19956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW4R008NH,L1Q(MToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
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TPW4R50ANHToshibaToshiba
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TPW4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPW4R50ANH,L1QToshibaMOSFET N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V
auf Bestellung 9305 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.5 EUR
10+ 5.41 EUR
100+ 4.32 EUR
500+ 3.64 EUR
1000+ 2.94 EUR
10000+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPW4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
auf Bestellung 4365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.45 EUR
10+ 5.36 EUR
100+ 4.27 EUR
500+ 3.61 EUR
1000+ 3.06 EUR
2000+ 2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TPW4R50ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A
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TPW4R50ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
auf Bestellung 2728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW4R50ANH,L1Q(MToshibaTPW4R50ANH,L1Q(M
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.89 EUR
67+ 2.26 EUR
100+ 2.03 EUR
200+ 1.94 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 55
TPW4R50ANH,L1Q(MToshibaTPW4R50ANH,L1Q(M
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW4R50ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
auf Bestellung 2728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPW4R50ANHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPW5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
auf Bestellung 4826 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.81 EUR
10+ 5.65 EUR
100+ 4.5 EUR
500+ 3.8 EUR
1000+ 3.23 EUR
2000+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TPW5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
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TPW5200FNH,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
TPW5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPWA02B-TF21
auf Bestellung 3925 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPWA10B-TF21
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPWBOOM1Technical ProDescription: TECHNICAL PRO PORTABLE RECHARGEA
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+51.97 EUR
TPWBOOM8Technical ProDescription: TECHNICAL PRO 8 INCH PORTABLE 10
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+129.97 EUR
TPWCC16B-TC10MURATA
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPWDS-BBE-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BBE-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BBE-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BBE-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BBE-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BBE-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-BBM-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BBM-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BBM-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BBM-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BBM-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BBM-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BSE-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BSE-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BSE-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BSE-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BSE-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BSE-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BSM-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BSM-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BSM-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-BSM-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BSM-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-BSM-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSE-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSE-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-SSE-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
Produkt ist nicht verfügbar
TPWDS-SSE-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSE-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-SSE-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSM-1Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-SSM-1Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSM-2Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWDS-SSM-2Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSM-3Bussmann / EatonControl Switches TPWDS DISCON SWITCH
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TPWDS-SSM-3Eaton BussmannDescription: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC
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TPWE066DKHN-T6Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGE AGP DUAL 1MM 132 POS
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TPWE066DKHN-TUGPSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGE U-AGP DUAL 1MM 132 POS
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TPWE090DKHN-TAGPSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGE U-AGP DUAL 1MM 180 POS
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPWE121DKRN-T621Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGE SLOT 1 DUAL 1MM 242POS
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPWF18LTechnical ProDescription: TECHNICAL PRO 1000 WATTS 18 INCH
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+270.95 EUR
TPWF18L-2Technical ProDescription: (QTY 2) TECHNICAL PRO 18" 1000 W
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+527.41 EUR
TPWJB12PKGTechnical ProDescription: TECHNICAL PRO RECHARGEABLE 12 IN
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+259.97 EUR
TPWM1352Technical ProDescription: TECHNICAL PRO PROFESSIONAL UHF D
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPWM1641Technical ProDescription: MIC ANLG CARDIOID 19"LX9.500"W
Packaging: Tape & Box (TB)
Output Type: Analog
Size / Dimension: 19.000" L x 9.500" W (482.60mm x 241.30mm)
Termination: Solder Pads
Direction: Cardioid
Port Location: Bottom
Height (Max): 1.750" (44.45mm)
Frequency Range: 40 Hz ~ 20 kHz
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+649.97 EUR
TPWM241Technical ProDescription: TECHNICAL PRO DUAL WIRELESS MICR
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+150.44 EUR
TPWPH15Technical ProDescription: TECHNICAL PRO 15 WATTS LIGHTWEIG
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+52.81 EUR
TPWR001Microchip TechnologyDescription: KIT DEV FOR WIRELESS SENSORS
Produkt ist nicht verfügbar
TPWR001Microchip TechnologyEnergy Harvesting Development Kit For Wireless Sensors
Produkt ist nicht verfügbar
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
auf Bestellung 14886 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.05 EUR
10+ 5.94 EUR
100+ 4.8 EUR
500+ 4.27 EUR
1000+ 3.65 EUR
2000+ 3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
auf Bestellung 14886 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPWR6003PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 412A 8-Pin DSOP EP Advance T/R
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TPWR6003PL,L1QToshibaMOSFET DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 51706 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+7.1 EUR
10+ 6.01 EUR
25+ 5.8 EUR
100+ 4.84 EUR
250+ 4.68 EUR
500+ 4.32 EUR
1000+ 3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPWR6003PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 412A 8-Pin DSOP Advance Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TPWR7904PB,L1XHQToshibaMOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.89 EUR
10+ 5.72 EUR
100+ 4.58 EUR
250+ 4.21 EUR
500+ 3.82 EUR
1000+ 3.28 EUR
2500+ 3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPWR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPWR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPWR8004PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPWR8004PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
auf Bestellung 4229 Stücke:
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38+4.17 EUR
45+ 3.25 EUR
100+ 2.55 EUR
250+ 2.42 EUR
500+ 2.07 EUR
1000+ 1.83 EUR
3000+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 38
TPWR8004PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
auf Bestellung 4229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.17 EUR
45+ 3.25 EUR
100+ 2.55 EUR
250+ 2.42 EUR
500+ 2.07 EUR
1000+ 1.83 EUR
3000+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 38
TPWR8004PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
auf Bestellung 8172 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.79 EUR
10+ 5.7 EUR
100+ 4.61 EUR
500+ 4.1 EUR
1000+ 3.51 EUR
2000+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TPWR8004PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPWR8004PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPWR8004PL,L1QToshibaMOSFET N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
auf Bestellung 20544 Stücke:
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9+5.88 EUR
11+ 5.1 EUR
25+ 5.07 EUR
100+ 4.29 EUR
250+ 4.26 EUR
500+ 3.85 EUR
1000+ 3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TPWR8004PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPWR8004PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00065ohm
auf Bestellung 6824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPWR8004PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R
auf Bestellung 4727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.51 EUR
33+ 4.61 EUR
50+ 3.61 EUR
100+ 3.24 EUR
200+ 3.09 EUR
500+ 2.63 EUR
1000+ 2.35 EUR
2000+ 2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 21
TPWR8004PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00065ohm
auf Bestellung 6824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPWR8004PLL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPWR8503NL,L1QToshibaMOSFET N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.4 EUR
10+ 5.36 EUR
100+ 4.26 EUR
250+ 3.93 EUR
500+ 3.59 EUR
1000+ 2.91 EUR
5000+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TPWR8503NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPWR8503NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.18 EUR
10+ 6.45 EUR
100+ 5.18 EUR
500+ 4.26 EUR
1000+ 3.53 EUR
2000+ 3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TPWR8503NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 300A 8-Pin DSOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPWR8503NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 0.00072 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPWR8503NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 0.00072 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPWRD5M50B02-A0
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)