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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
HUF75345G3 ONSEMI huf75345s3s-d.pdf HUF75345G3 THT N channel transistors
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HUF75345P3 HUF75345P3 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819839B1FBBC2259&compId=HUF75345.pdf?ci_sign=b8113035ae49657f47b5926ecb9d1ecb426f21bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 325W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 275nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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HUF75345S3ST ONSEMI huf75345s3s-d.pdf HUF75345S3ST SMD N channel transistors
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HUF75542P3 ONSEMI huf75542p3-d.pdf HUF75542P3 THT N channel transistors
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HUF75545P3 HUF75545P3 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78198ED21EE6EC259&compId=HUF75545P3.pdf?ci_sign=112d05981c38f64d61232fba072bf8f4629642c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
Power dissipation: 270W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.75 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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HUF75631S3ST ONSEMI FAIRS45735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw huf75631s3s-d.pdf HUF75631S3ST SMD N channel transistors
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HUF75639G3 ONSEMI huf75639g3-d.pdf HUF75639G3 THT N channel transistors
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HUF75639P3 HUF75639P3 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E878CD29235EA&compId=HUF75639P3.pdf?ci_sign=7e9ce06467832523d29c425b382a9e3100f1f202 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
35+2.04 EUR
37+1.96 EUR
50+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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HUF75639S3 ONSEMI huf75639g3-d.pdf HRISS01168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75639S3 THT N channel transistors
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HUF75639S3ST ONSEMI huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75639S3ST SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3 HUF75645P3 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197F021A27B0259&compId=HUF75645.pdf?ci_sign=6d0a9a8288dc870bac75df89934bd8fd512b48a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.22 EUR
24+3.02 EUR
25+2.86 EUR
50+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75652G3 HUF75652G3 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781992560768B6259&compId=HUF75652G3.pdf?ci_sign=5017b694544853b637191e77d860af1c2470a6d0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247
Kind of package: tube
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 475nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 515W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75852G3 ONSEMI FAIRS45740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75852G3 THT N channel transistors
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HUF76407D3ST ONSEMI huf76407d3s-d.pdf HUF76407D3ST SMD N channel transistors
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HUF76423P3 ONSEMI HUF76423P3-D.pdf ONSM-S-A0003589933-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF76423P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.06 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
250+1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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HUF76429S3ST ONSEMI HUF76429S3S-D.pdf HUF76429S3ST SMD N channel transistors
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HUF76439S3ST ONSEMI huf76439s3s-d.pdf HUF76439S3ST SMD N channel transistors
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HUF76629D3ST ONSEMI huf76629d3s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 52mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 150W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3ST ONSEMI huf76639s3s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 180W; TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 180W
Case: TO263AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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HUFA75645S3S ONSEMI FAIRS45983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw hufa75645s3s-d.pdf HUFA75645S3S SMD N channel transistors
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HUFA76407DK8T-F085 ONSEMI huf76407dk_f085-d.pdf HUFA76407DK8T-F085 SMD N channel transistors
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IRFM120ATF ONSEMI irfm120a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; Idm: 18A; 2.4W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.2Ω
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 2.4W
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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ISL9V3040D3ST ONSEMI ISL9V3040P3-D.PDF Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISL9V3040S3ST ONSEMI ISL9V3040P3-D.PDF Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISL9V5036S3ST ISL9V5036S3ST ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8A628DE10078BF&compId=ISL9V5036.pdf?ci_sign=d1b52639b2905370316754d5c7fc793965174146 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 31A; 250W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 31A
Collector-emitter voltage: 390V
Version: ESD
Application: ignition systems
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.55 EUR
19+3.83 EUR
20+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J109-D26Z ONSEMI j109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 40mA; 0.625W; TO92; Igt: 10mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 12Ω
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J109 ONSEMI j109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 40mA; 0.625W; TO92; Igt: 10mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 12Ω
Kind of package: tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J111 J111 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
188+0.38 EUR
227+0.32 EUR
368+0.19 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J111-D26Z ONSEMI MMBFJ113-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J111-D74Z ONSEMI MMBFJ113-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112 J112 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 50Ω
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
154+0.47 EUR
177+0.4 EUR
275+0.26 EUR
410+0.17 EUR
435+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112-D26Z ONSEMI MMBFJ113-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Kind of package: tape
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 50Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112-D27Z ONSEMI MMBFJ113-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Kind of package: tape
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 50Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112-D74Z ONSEMI MMBFJ113-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 50Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J113 ONSEMI mmbfj113-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-JFET
Mounting: THT
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 100Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J175-D26Z ONSEMI ONSM-S-A0003429552-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 j175-d.pdf J175-D26Z THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J176-D74Z J176-D74Z ONSEMI j175-d.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J211-D74Z ONSEMI J210-12%2CMMBFJ210-12.pdf J211-D74Z THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA1H0165RTU ONSEMI ONSM-S-A0003590352-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw KA1H0165R%28N%29.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 700mA; 650V; 100kHz; Ch: 1; TO220F-4; 10Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Number of channels: 1
Operating voltage: 10...25V DC
Case: TO220F-4
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Kind of package: tube
On-state resistance: 10Ω
Topology: flyback; forward
Output current: 0.7A
Duty cycle factor: 64...70%
Output voltage: 650V
Frequency: 0.1MHz
Power: 40W
Kind of integrated circuit: PWM controller
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA1M0565RYDTU ONSEMI ka1m0565r-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 3.5A
Output voltage: 650V
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 2.2Ω
Duty cycle factor: 74...80%
Kind of package: tube
Power: 140W
Operating voltage: 10...25V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA431AZTA ONSEMI ka431-d.pdf KA431AZTA Reference voltage sources - circuits
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
625+0.11 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA5H0365RTU ONSEMI ka5h0380r-d.pdf KA5H0365RTU Voltage regulators - PWM circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA5H0380RYDTU ONSEMI ka5h0380r-d.pdf KA5H0380RYDTU Voltage regulators - PWM circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA5L0565RYDTU ONSEMI KA5L0565R.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 50kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 3.5A
Output voltage: 650V
Frequency: 50kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 2.2Ω
Duty cycle factor: 72...82%
Kind of package: tube
Power: 38W
Operating voltage: 9...27V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA5M0365RYDTU ONSEMI ka5h0380r-d.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.4A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 4.5Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 2.4A
Output voltage: 650V
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 4.5Ω
Duty cycle factor: 72...82%
Kind of package: tube
Power: 75W
Operating voltage: 9...27V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA7552A KA7552A ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABBFB9AFC4FA31CC&compId=KA7552A-DTE.pdf?ci_sign=92349ce2ef59462f2d7bc1e4680c65061a8128eb Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Uout: 1.3÷18VDC; DIP8; tube
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output voltage: 1.3...18V DC
Output current: 1.5A
Frequency: 0.6MHz
Mounting: THT
Case: DIP8
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Operating voltage: 8.7...30V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
157+0.46 EUR
164+0.44 EUR
171+0.42 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KDT00030TR KDT00030TR ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BDF669B9089EE143&compId=KDT00030TR.PDF?ci_sign=26978d3b8ec27c682c1d44d51bde1e9dfddbcd55 Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; SMD; 630nm; 6V
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: SMD
Wavelength of peak sensitivity: 630nm
Collector-emitter voltage: 6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
99+0.73 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1010YTU ONSEMI ksa1010-d.pdf KSA1010YTU PNP THT transistors
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KSA1013YBU KSA1013YBU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE2C85C958BC0D6&compId=KSA1013.pdf?ci_sign=968b2ce82f54e8c3a38bd69a93b11daee181d8e6 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO92
Power dissipation: 0.9W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 160...320
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
127+0.56 EUR
286+0.25 EUR
302+0.24 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1013YTA KSA1013YTA ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE2C85C958BC0D6&compId=KSA1013.pdf?ci_sign=968b2ce82f54e8c3a38bd69a93b11daee181d8e6 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO92 Formed
Power dissipation: 0.9W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 160...320
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
156+0.46 EUR
327+0.22 EUR
348+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1015YTA ONSEMI ksa1015-d.pdf KSA1015YTA PNP THT transistors
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
196+0.37 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 196
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KSA1156YS ONSEMI ksa1156-d.pdf KSA1156YS PNP THT transistors
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KSA1281YTA KSA1281YTA ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE2D621F02380D6&compId=KSA1281.PDF?ci_sign=c6f8eeeaaac2d340ad4b1358569c27a6f3f5d7eb Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...240
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
127+0.56 EUR
183+0.39 EUR
329+0.22 EUR
348+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1298YMTF KSA1298YMTF ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE2DE4E506540D6&compId=KSA1298.PDF?ci_sign=3f00d0a44fadb11b5c53cb7c184226605f0235aa Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.8A; 0.2W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 100...320
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
443+0.16 EUR
782+0.092 EUR
1667+0.043 EUR
1767+0.04 EUR
9000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA708YBU KSA708YBU ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE2F3493E0C80D6&compId=KSA708.PDF?ci_sign=c4ad6431c894a55924c5cdd04bf98c7929040b67 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Current gain: 120...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
295+0.24 EUR
343+0.21 EUR
417+0.17 EUR
544+0.13 EUR
834+0.086 EUR
878+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA916YTA ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE301EBA3D1E0D6&compId=KSA916.PDF?ci_sign=f2374f658c01272a470babecb619aee0174e216c Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.9W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92L
Current gain: 120...240
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA928AYTA KSA928AYTA ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE30A131AC300D6&compId=KSA928A.PDF?ci_sign=23220499c41c3c7681a657e40cf16bd7df36a9f4 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 1W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 160...320
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA940TU ONSEMI ksa940-d.pdf KSA940TU PNP THT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA992FATA KSA992FATA ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCB3D8143C48C0D6&compId=KSA992.PDF?ci_sign=3276c0a5a1ff6195670402abc8fa0c831f3c1549 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 300...470
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1891 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
278+0.26 EUR
335+0.21 EUR
471+0.15 EUR
892+0.08 EUR
942+0.076 EUR
4000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA992FBTA ONSEMI ONSM-S-A0003585100-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ksa992-d.pdf KSA992FBTA PNP THT transistors
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
192+0.37 EUR
538+0.13 EUR
619+0.12 EUR
10000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75345G3 huf75345s3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
HUF75345G3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75345P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819839B1FBBC2259&compId=HUF75345.pdf?ci_sign=b8113035ae49657f47b5926ecb9d1ecb426f21bd
HUF75345P3
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 325W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 275nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75345S3ST huf75345s3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
HUF75345S3ST SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75542P3 huf75542p3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
HUF75542P3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78198ED21EE6EC259&compId=HUF75545P3.pdf?ci_sign=112d05981c38f64d61232fba072bf8f4629642c0
HUF75545P3
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
Power dissipation: 270W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.75 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3ST FAIRS45735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw huf75631s3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
HUF75631S3ST SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3 huf75639g3-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
HUF75639G3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E878CD29235EA&compId=HUF75639P3.pdf?ci_sign=7e9ce06467832523d29c425b382a9e3100f1f202
HUF75639P3
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
35+2.04 EUR
37+1.96 EUR
50+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3 huf75639g3-d.pdf HRISS01168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
HUF75639S3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3ST huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
HUF75639S3ST SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75645P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197F021A27B0259&compId=HUF75645.pdf?ci_sign=6d0a9a8288dc870bac75df89934bd8fd512b48a3
HUF75645P3
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 238nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.22 EUR
24+3.02 EUR
25+2.86 EUR
50+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75652G3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781992560768B6259&compId=HUF75652G3.pdf?ci_sign=5017b694544853b637191e77d860af1c2470a6d0
HUF75652G3
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247
Kind of package: tube
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 475nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 515W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75852G3 FAIRS45740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
HUF75852G3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76407D3ST huf76407d3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
HUF76407D3ST SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76423P3 HUF76423P3-D.pdf ONSM-S-A0003589933-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
HUF76423P3 THT N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.06 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
250+1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76429S3ST HUF76429S3S-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
HUF76429S3ST SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76439S3ST huf76439s3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
HUF76439S3ST SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76629D3ST huf76629d3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 52mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 150W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF76639S3ST huf76639s3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 180W; TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 180W
Case: TO263AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA75645S3S FAIRS45983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw hufa75645s3s-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
HUFA75645S3S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUFA76407DK8T-F085 huf76407dk_f085-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
HUFA76407DK8T-F085 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFM120ATF irfm120a-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; Idm: 18A; 2.4W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.2Ω
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 2.4W
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISL9V3040D3ST ISL9V3040P3-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISL9V3040S3ST ISL9V3040P3-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISL9V5036S3ST pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98D8A628DE10078BF&compId=ISL9V5036.pdf?ci_sign=d1b52639b2905370316754d5c7fc793965174146
ISL9V5036S3ST
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 31A; 250W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 31A
Collector-emitter voltage: 390V
Version: ESD
Application: ignition systems
Gate charge: 32nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.55 EUR
19+3.83 EUR
20+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J109-D26Z j109-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 40mA; 0.625W; TO92; Igt: 10mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 12Ω
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J109 j109-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 40mA; 0.625W; TO92; Igt: 10mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 12Ω
Kind of package: tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J111 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b
J111
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5529 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
188+0.38 EUR
227+0.32 EUR
368+0.19 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J111-D26Z MMBFJ113-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J111-D74Z MMBFJ113-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b
J112
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 50Ω
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
154+0.47 EUR
177+0.4 EUR
275+0.26 EUR
410+0.17 EUR
435+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112-D26Z MMBFJ113-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Kind of package: tape
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 50Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112-D27Z MMBFJ113-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Kind of package: tape
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 50Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J112-D74Z MMBFJ113-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 50Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J113 mmbfj113-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-JFET
Mounting: THT
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 100Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J175-D26Z ONSM-S-A0003429552-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 j175-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
J175-D26Z THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J176-D74Z j175-d.pdf
J176-D74Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 50mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J211-D74Z J210-12%2CMMBFJ210-12.pdf
Hersteller: ONSEMI
J211-D74Z THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA1H0165RTU ONSM-S-A0003590352-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw KA1H0165R%28N%29.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 700mA; 650V; 100kHz; Ch: 1; TO220F-4; 10Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Number of channels: 1
Operating voltage: 10...25V DC
Case: TO220F-4
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Kind of package: tube
On-state resistance: 10Ω
Topology: flyback; forward
Output current: 0.7A
Duty cycle factor: 64...70%
Output voltage: 650V
Frequency: 0.1MHz
Power: 40W
Kind of integrated circuit: PWM controller
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA1M0565RYDTU ka1m0565r-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 3.5A
Output voltage: 650V
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 2.2Ω
Duty cycle factor: 74...80%
Kind of package: tube
Power: 140W
Operating voltage: 10...25V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA431AZTA ka431-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
KA431AZTA Reference voltage sources - circuits
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
625+0.11 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA5H0365RTU ka5h0380r-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
KA5H0365RTU Voltage regulators - PWM circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA5H0380RYDTU ka5h0380r-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
KA5H0380RYDTU Voltage regulators - PWM circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA5L0565RYDTU KA5L0565R.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 50kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 3.5A
Output voltage: 650V
Frequency: 50kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 2.2Ω
Duty cycle factor: 72...82%
Kind of package: tube
Power: 38W
Operating voltage: 9...27V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA5M0365RYDTU ka5h0380r-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.4A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 4.5Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 2.4A
Output voltage: 650V
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 4.5Ω
Duty cycle factor: 72...82%
Kind of package: tube
Power: 75W
Operating voltage: 9...27V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA7552A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABBFB9AFC4FA31CC&compId=KA7552A-DTE.pdf?ci_sign=92349ce2ef59462f2d7bc1e4680c65061a8128eb
KA7552A
Hersteller: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Uout: 1.3÷18VDC; DIP8; tube
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output voltage: 1.3...18V DC
Output current: 1.5A
Frequency: 0.6MHz
Mounting: THT
Case: DIP8
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Operating voltage: 8.7...30V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
157+0.46 EUR
164+0.44 EUR
171+0.42 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KDT00030TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BDF669B9089EE143&compId=KDT00030TR.PDF?ci_sign=26978d3b8ec27c682c1d44d51bde1e9dfddbcd55
KDT00030TR
Hersteller: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; SMD; 630nm; 6V
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: SMD
Wavelength of peak sensitivity: 630nm
Collector-emitter voltage: 6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
99+0.73 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1010YTU ksa1010-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
KSA1010YTU PNP THT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1013YBU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE2C85C958BC0D6&compId=KSA1013.pdf?ci_sign=968b2ce82f54e8c3a38bd69a93b11daee181d8e6
KSA1013YBU
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO92
Power dissipation: 0.9W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 160...320
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
127+0.56 EUR
286+0.25 EUR
302+0.24 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1013YTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE2C85C958BC0D6&compId=KSA1013.pdf?ci_sign=968b2ce82f54e8c3a38bd69a93b11daee181d8e6
KSA1013YTA
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Mounting: THT
Type of transistor: PNP
Case: TO92 Formed
Power dissipation: 0.9W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 160...320
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
156+0.46 EUR
327+0.22 EUR
348+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1015YTA ksa1015-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
KSA1015YTA PNP THT transistors
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
196+0.37 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 196
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1156YS ksa1156-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
KSA1156YS PNP THT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1281YTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE2D621F02380D6&compId=KSA1281.PDF?ci_sign=c6f8eeeaaac2d340ad4b1358569c27a6f3f5d7eb
KSA1281YTA
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...240
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
127+0.56 EUR
183+0.39 EUR
329+0.22 EUR
348+0.21 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA1298YMTF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE2DE4E506540D6&compId=KSA1298.PDF?ci_sign=3f00d0a44fadb11b5c53cb7c184226605f0235aa
KSA1298YMTF
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.8A; 0.2W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 100...320
Frequency: 120MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
443+0.16 EUR
782+0.092 EUR
1667+0.043 EUR
1767+0.04 EUR
9000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA708YBU pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE2F3493E0C80D6&compId=KSA708.PDF?ci_sign=c4ad6431c894a55924c5cdd04bf98c7929040b67
KSA708YBU
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO92
Current gain: 120...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
295+0.24 EUR
343+0.21 EUR
417+0.17 EUR
544+0.13 EUR
834+0.086 EUR
878+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.8A; 0.9W; TO92L
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.9W
Case: TO92L
Current gain: 120...240
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA928AYTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE30A131AC300D6&compId=KSA928A.PDF?ci_sign=23220499c41c3c7681a657e40cf16bd7df36a9f4
KSA928AYTA
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 1W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 160...320
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA940TU ksa940-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
KSA940TU PNP THT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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KSA992FATA
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 300...470
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1891 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
278+0.26 EUR
335+0.21 EUR
471+0.15 EUR
892+0.08 EUR
942+0.076 EUR
4000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSA992FBTA ONSM-S-A0003585100-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ksa992-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
KSA992FBTA PNP THT transistors
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
192+0.37 EUR
538+0.13 EUR
619+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 192
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