Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NCV2931AD-5.0R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV2931AD-5.0R2G - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 5Vout und 100mAout, SOIC-8 Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 5 Ausgangsstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 40 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 160 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1V5KE160CA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1V5KE160CA - TVS-Diode, TVS, 1.5KE, Bidirektional, 136 V, 219 V, DO-201AE, 2 Pin(s) Bauform - Diode: DO-201AE Durchbruchspannung, min.: 152 Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 168 Sperrspannung: 136 Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5 TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 1.5KE Betriebstemperatur, max.: 175 Klemmspannung, max.: 219 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1V5KE150CA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1V5KE150CA - TVS-Diode, TVS, 1.5KE, Bidirektional, 128 V, 207 V, DO-201AE, 2 Pin(s) Bauform - Diode: DO-201AE Durchbruchspannung, min.: 143 Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 158 Sperrspannung: 128 Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5 TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 1.5KE Betriebstemperatur, max.: 175 Klemmspannung, max.: 207 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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NCP1360AABCYSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1360AABCYSNT1G - PWM CONTROLLERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP1360BABCYSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1360BABCYSNT1G - PWM CONTROLLERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCP1360BCCCYSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1360BCCCYSNT1G - PWM CONTROLLERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCP1360BACCYSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1360BACCYSNT1G - PWM CONTROLLERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCP1360BBCCYSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1360BBCCYSNT1G - PWM CONTROLLERS MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCP1365BABCYDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1365BABCYDR2G - PWM CONTROLLERS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCP1365ACBAXDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1365ACBAXDR2G - PWM CONTROLLERS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP1365AABCYDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1365AABCYDR2G - PWM CONTROLLERS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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DTC114EET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 27659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FAN48685UC08X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN48685UC08X - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.5V-5.5Vin, 5.45V/800mAout, 2.5MHz, WLCSP-9 Schaltfrequenz: 2.5 Bauform - DC/DC-Wandler-IC: WLCSP Ausgangsstrom: 800 Nennausgangsspannung: 5.45 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Eingangsspannung, max.: 5.5 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 2.5 Topologie: Boost (Aufwärts) Anzahl der Pins: 9 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FAN48610UC50X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAN48610UC50X - Synchroner Aufwärts-Schaltregler (Boost) feste Ausgangsspannung, 2.5-4.5V, 5V/1Aout, 2.5MHz, WLCSP-9 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1A IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Eingangsspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.5V Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts) Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5038G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5038G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 20 A, 140 W, TO-204, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 20 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20 Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-204 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FSA4485UCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSA4485UCX - USB-Schnittstelle, Audio-Switch USB Typ C, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s) tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Ports: - Anzahl der Anschlüsse: - euEccn: NLR USB-IC: Audio-Switch USB Typ C Anzahl der Pins: 25Pin(s) Übertragungsrate: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Bauform - Schnittstellenbaustein: WLCSP Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSA4485UCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSA4485UCX - USB-Schnittstelle, Audio-Switch USB Typ C, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s) tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Anschlüsse: - euEccn: NLR USB-IC: Audio-Switch USB Typ C Anzahl der Pins: 25Pin(s) Übertragungsrate: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX85C16 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85C16 - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C Zener-Spannung, nom.: 16 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FDPF5N50NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPF5N50T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF5N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.15 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 28 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 28 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDPF5N50NZF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF5N50NZF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.2 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 4.2 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FPF2498BUCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FPF2498BUCX - LASTSCHALTER EINST OVP, -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.09ohm rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Strombegrenzung: 1.7A usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Eingangsspannung: 12V Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 3340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP27N25 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 25.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 180 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 180 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP27N25.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP27N25.. - N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 25.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 180 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 180 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11 SVHC: Lead |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF10N20C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 9.5 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF70N10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 35 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 62 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 62 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF7P20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF8N80C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 8 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 59 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 59 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.29 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF9N50CF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 9 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 44 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 44 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF8N90C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF8N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.3 A, 1.6 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 6.3 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF5P20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF5N40 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF5N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.27 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF13N06L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.088 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 10 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 24 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 24 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF22P10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF22P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.096 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 13.2 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF33N10L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF33N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.039 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 41 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 41 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF47P06YDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF47P06YDTU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 30 Verlustleistung Pd: 62 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 62 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF16N25C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 15.6 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 43 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 43 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FSQ0365RLX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSQ0365RLX - Leistungsschalter für Wandler, Valley Switching, 1 Ausgang, 20V, 1.5A, SOP-8 tariffCode: 85423190 Durchlasswiderstand: 3.5ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Strombegrenzung: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: - euEccn: NLR Eingangsspannung: 20V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOP Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSQ0365RLX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSQ0365RLX - Leistungsschalter für Wandler, Valley Switching, 1 Ausgang, 20V, 1.5A, SOP-8 tariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESD7C5.0DT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD7C5.0DT5G - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 240 mW, ESD7CxxD tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-723 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ESD7CxxD productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTK3134NT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTK3134NT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 890 mA, 0.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 890 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 450 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 450 Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 7870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDSH50120C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 246nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV305N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV305N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDV305N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 10440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5501DT33RKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3 Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 3.3 Ausgangsstrom: 500 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 18 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 230 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP5501DT33RKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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S3KB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S3KB - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 1.5 µs, 80 A Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 80 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15 Sperrverzögerungszeit: 1.5 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCX17LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCX17LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 23924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LC78615E-01US-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LC78615E-01US-H - Audiosteuerung, Digitaler Audio-Signalprozessor, 3V bis 3.6V, Seriell, PQFP, 64 Pin(s), -40 °C Audiosteuerung: Digitaler Audio-Signalprozessor Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40 Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 64 Produktpalette: - Bauform - Audio-IC: PQFP Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BB-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BB-GEVK - Evaluationsboard, Basisplatine IoT-Entwicklung (WiFi & LCD), Hardware-Implementierung IoT-Anwendung Prozessorkern: NCS36510 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCS36510 Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT) Produktpalette: IOT SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF6N90C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF6N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 56 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 56 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVE4153NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 26V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP68 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP68 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.5W euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 1A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 125750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCID9210R2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCID9210R2 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps tariffCode: 85414090 rohsCompliant: YES Isolation: Galvanisch Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangspegel: - Eingangspegel: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Isolationsspannung: 5kV Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Ausbreitungsverzögerung: 20ns Anzahl der Pins: 16Pin(s) Übertragungsrate: 50Mbps Produktpalette: - Isolations-IC: Digitaler Isolator productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCID9210 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCID9210 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 20 ns, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s) Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.5 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Ausbreitungsverzögerung: 20 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCID9210R2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCID9210R2 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps tariffCode: 85414090 rohsCompliant: YES Isolation: Galvanisch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangspegel: - Eingangspegel: - Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Isolationsspannung: 5kV Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Übertragungsrate: 50Mbps Produktpalette: - Isolations-IC: Digitaler Isolator productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 726 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BTT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 40435 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NGTB25N120FL2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 385 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Kollektorstrom: 50 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NGTB15N120FL2WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 294 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Kollektorstrom: 30 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
NCV2931AD-5.0R2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2931AD-5.0R2G - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 5Vout und 100mAout, SOIC-8
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 40
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 160
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV2931AD-5.0R2G - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 5Vout und 100mAout, SOIC-8
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 40
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 5V 100mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 160
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1V5KE160CA |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1V5KE160CA - TVS-Diode, TVS, 1.5KE, Bidirektional, 136 V, 219 V, DO-201AE, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-201AE
Durchbruchspannung, min.: 152
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 168
Sperrspannung: 136
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1.5KE
Betriebstemperatur, max.: 175
Klemmspannung, max.: 219
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - 1V5KE160CA - TVS-Diode, TVS, 1.5KE, Bidirektional, 136 V, 219 V, DO-201AE, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-201AE
Durchbruchspannung, min.: 152
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 168
Sperrspannung: 136
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1.5KE
Betriebstemperatur, max.: 175
Klemmspannung, max.: 219
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)1V5KE150CA |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1V5KE150CA - TVS-Diode, TVS, 1.5KE, Bidirektional, 128 V, 207 V, DO-201AE, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-201AE
Durchbruchspannung, min.: 143
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 158
Sperrspannung: 128
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1.5KE
Betriebstemperatur, max.: 175
Klemmspannung, max.: 207
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - 1V5KE150CA - TVS-Diode, TVS, 1.5KE, Bidirektional, 128 V, 207 V, DO-201AE, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-201AE
Durchbruchspannung, min.: 143
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 158
Sperrspannung: 128
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1.5KE
Betriebstemperatur, max.: 175
Klemmspannung, max.: 207
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1360AABCYSNT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1360AABCYSNT1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1360AABCYSNT1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1360BABCYSNT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1360BABCYSNT1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1360BABCYSNT1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1360BCCCYSNT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1360BCCCYSNT1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1360BCCCYSNT1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1360BACCYSNT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1360BACCYSNT1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1360BACCYSNT1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1360BBCCYSNT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1360BBCCYSNT1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1360BBCCYSNT1G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1365BABCYDR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1365BABCYDR2G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1365BABCYDR2G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1365ACBAXDR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1365ACBAXDR2G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1365ACBAXDR2G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1365AABCYDR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1365AABCYDR2G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1365AABCYDR2G - PWM CONTROLLERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
DTC114EET1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 27659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FAN48685UC08X |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN48685UC08X - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.5V-5.5Vin, 5.45V/800mAout, 2.5MHz, WLCSP-9
Schaltfrequenz: 2.5
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: WLCSP
Ausgangsstrom: 800
Nennausgangsspannung: 5.45
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 5.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.5
Topologie: Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FAN48685UC08X - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.5V-5.5Vin, 5.45V/800mAout, 2.5MHz, WLCSP-9
Schaltfrequenz: 2.5
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: WLCSP
Ausgangsstrom: 800
Nennausgangsspannung: 5.45
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 5.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.5
Topologie: Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FAN48610UC50X |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN48610UC50X - Synchroner Aufwärts-Schaltregler (Boost) feste Ausgangsspannung, 2.5-4.5V, 5V/1Aout, 2.5MHz, WLCSP-9
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FAN48610UC50X - Synchroner Aufwärts-Schaltregler (Boost) feste Ausgangsspannung, 2.5-4.5V, 5V/1Aout, 2.5MHz, WLCSP-9
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Eingangsspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Synchroner Boost (Aufwärts)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2N5038G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5038G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 20 A, 140 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 20
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2N5038G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 20 A, 140 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 20
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FSA4485UCX |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA4485UCX - USB-Schnittstelle, Audio-Switch USB Typ C, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Ports: -
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Audio-Switch USB Typ C
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: WLCSP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FSA4485UCX - USB-Schnittstelle, Audio-Switch USB Typ C, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Ports: -
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Audio-Switch USB Typ C
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: WLCSP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FSA4485UCX |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA4485UCX - USB-Schnittstelle, Audio-Switch USB Typ C, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Audio-Switch USB Typ C
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FSA4485UCX - USB-Schnittstelle, Audio-Switch USB Typ C, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 25 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Audio-Switch USB Typ C
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BZX85C16 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85C16 - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 16
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BZX85C16 - Zener-Diode, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 16
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDPF5N50NZ |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDPF5N50T |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.15 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF5N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.15 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDPF5N50NZF |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50NZF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.2 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF5N50NZF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.2 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FPF2498BUCX |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF2498BUCX - LASTSCHALTER EINST OVP, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 1.7A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - FPF2498BUCX - LASTSCHALTER EINST OVP, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 1.7A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FQP27N25 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FQP27N25.. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP27N25.. - N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - FQP27N25.. - N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
FQPF10N20C |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF10N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.5 A, 0.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 9.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FQPF70N10 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FQPF70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FQPF7P20 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FQPF8N80C |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 59
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 59
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FQPF9N50CF |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 44
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 44
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 44
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 44
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FQPF8N90C |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF8N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.3 A, 1.6 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF8N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.3 A, 1.6 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FQPF5P20 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FQPF5N40 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF5N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.27 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF5N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.27 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.27ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FQPF13N06L |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.088 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 24
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 24
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.088 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 24
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 24
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FQPF22P10 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF22P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.096 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF22P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.096 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FQPF33N10L |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF33N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.039 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF33N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.039 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FQPF47P06YDTU |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF47P06YDTU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF47P06YDTU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FQPF16N25C |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 15.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 15.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FSQ0365RLX |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0365RLX - Leistungsschalter für Wandler, Valley Switching, 1 Ausgang, 20V, 1.5A, SOP-8
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 3.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 20V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - FSQ0365RLX - Leistungsschalter für Wandler, Valley Switching, 1 Ausgang, 20V, 1.5A, SOP-8
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 3.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 20V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FSQ0365RLX |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0365RLX - Leistungsschalter für Wandler, Valley Switching, 1 Ausgang, 20V, 1.5A, SOP-8
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - FSQ0365RLX - Leistungsschalter für Wandler, Valley Switching, 1 Ausgang, 20V, 1.5A, SOP-8
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)ESD7C5.0DT5G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7C5.0DT5G - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 240 mW, ESD7CxxD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD7CxxD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - ESD7C5.0DT5G - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 240 mW, ESD7CxxD
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD7CxxD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NTK3134NT5G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTK3134NT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 890 mA, 0.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 890
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTK3134NT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 890 mA, 0.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 890
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NDSH50120C |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 246nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 246nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDV305N |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDV305N |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FDV305N |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCP5501DT33RKG |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 3.3
Ausgangsstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 230
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 3.3
Ausgangsstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 230
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP5501DT33RKG |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
S3KB |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S3KB - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 1.5 µs, 80 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15
Sperrverzögerungszeit: 1.5
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - S3KB - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 1.5 µs, 80 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15
Sperrverzögerungszeit: 1.5
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BCX17LT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCX17LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCX17LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)LC78615E-01US-H |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC78615E-01US-H - Audiosteuerung, Digitaler Audio-Signalprozessor, 3V bis 3.6V, Seriell, PQFP, 64 Pin(s), -40 °C
Audiosteuerung: Digitaler Audio-Signalprozessor
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 64
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: PQFP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - LC78615E-01US-H - Audiosteuerung, Digitaler Audio-Signalprozessor, 3V bis 3.6V, Seriell, PQFP, 64 Pin(s), -40 °C
Audiosteuerung: Digitaler Audio-Signalprozessor
Versorgungsspannung: 3V bis 3.6V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 64
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: PQFP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
BB-GEVK |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BB-GEVK - Evaluationsboard, Basisplatine IoT-Entwicklung (WiFi & LCD), Hardware-Implementierung IoT-Anwendung
Prozessorkern: NCS36510
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCS36510
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BB-GEVK - Evaluationsboard, Basisplatine IoT-Entwicklung (WiFi & LCD), Hardware-Implementierung IoT-Anwendung
Prozessorkern: NCS36510
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCS36510
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)FQPF6N90C |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF6N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF6N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVE4153NT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BCP68 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP68 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.5W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - BCP68 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.5W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 125750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCID9210R2 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCID9210R2 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 20ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 50Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCID9210R2 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 20ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 50Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NCID9210 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCID9210 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 20 ns, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 20
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCID9210 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 20 ns, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 20
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCID9210R2 |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCID9210R2 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 50Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCID9210R2 - Digitaler Isolator, 2 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 50 Mbps
tariffCode: 85414090
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 50Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)BC847BTT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)NGTB25N120FL2WG |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NGTB15N120FL2WG |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 294
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NGTB15N120FL2WG - IGBT, 30 A, 2 V, 294 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 294
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
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SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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