| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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J175-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5059 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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J109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 13966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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J112 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 15622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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J113 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 51895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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J113-D74Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVJ5908DSG5T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: MCPH Anzahl der Pins: 5 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVJ3910SB3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK2394-6-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CPH6904-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCS20166SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 6V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz Eingangsoffsetspannung: 50µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D45VH10G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX79-C6V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 6.2V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 7982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SB160 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mVBauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassspannung Vf max.: 700 Diodenkonfiguration: Einfach Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: SB Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30 Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NLV74VHC139DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BZX84C18LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 18V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 42436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV21872DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2667 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCV21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCS21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCS21874DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NCV21872DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Driftfrei rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz Eingangsoffsetspannung: 6µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 60pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2667 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FNB81060T3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8tariffCode: 85044090 productTraceability: No IPM-Baureihe: SPM8 rohsCompliant: Y-EX Isolationsspannung: 1.5kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): - rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): - usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPM25-FAA Produktpalette: Motion SPM 8 Series SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAT54CXV3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-89 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 800mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FOD817A300 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 80% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX84C6V8LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 12505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5349BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N53 Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 32336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TIP42G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TIP42BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TIP42AG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZX79-C5V1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 25080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3442G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 7.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 117 Übergangsfrequenz ft: 80 Bauform - Transistor: TO-204AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCP56-10T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 14182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP56-16T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCP56T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SBCP56T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4002G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4002G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4002 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 12275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N4002RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4002RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 36278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP4N90C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 140 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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BF256B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BF256B - JFET-Transistor, JFET, -30 V, 13 mA, -8 V, TO-92, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 13mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 28849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SB5100 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB5100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 850 mVBauform - Diode: DO-201AD Durchlassspannung Vf max.: 850 Diodenkonfiguration: Einfach Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 5 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: SB Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 150 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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2SC5707-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5707-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5707-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Verlustleistung Pd: 15 Übergangsfrequenz ft: 330 Bauform - Transistor: TO-251 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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BAR43. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAR43. - DIODE, FULL REELBauform - Diode: SOT-23 Durchlassspannung Vf max.: 800 Diodenkonfiguration: Single Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 750 Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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2N3906TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3906TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 999mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3906BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3906BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3906TFR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3906TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3906TF - TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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POE-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - POE-GEVB - Evaluationsboard, Power-over-Ethernet (PoE)-Shield, robuste, flexible und hochintegrierte LösungtariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCP1083 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: NA Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1083 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Power-Over-Ethernet (POE) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: IOT SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FSA3357K8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSA3357K8X - Analogschalter, 1 Kanäle, SP3T, 50 ohm, 1.65V bis 5.5V, VSSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Bauform - Analogschalter: VSSOP rohsCompliant: YES Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Analogschalter: SP3T MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Durchlasswiderstand, max.: 50ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 7798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSA2258L10X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSA2258L10X - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 1.5 ohm, 1.65V bis 4.3V, UQFN, 10 Pin(s)Bauform - Analogschalter: UQFN Versorgungsspannung: 1.65V bis 4.3V Analogschalter: SPDT MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 3007 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSA832L10X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSA832L10X - USB-Schnittstelle, Controller für USB-Ladeanschluss, USB 2.0, 4 V, 6 V, UQFN, 10 Pin(s)tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: UQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4V Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse euEccn: NLR USB-IC: Controller für USB-Ladeanschluss Anzahl der Pins: 10Pin(s) Übertragungsrate: 480Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 11504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSA515UCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSA515UCX - ANALOGSCHALTER, SPST, -40 BIS 85°CtariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analogschalter rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 0V bis 5.5V Einschaltwiderstand, max.: 1.1ohm Einschaltwiderstand, typ.: 0.7ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPST euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 1.1ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 12751 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSA1153UCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSA1153UCX - USB-Schnittstelle, Audio-Switch USB Typ C, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 12 Pin(s)tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 2.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse euEccn: NLR USB-IC: Audio-Switch USB Typ C Anzahl der Pins: 12Pin(s) Übertragungsrate: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSA1256L8X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSA1256L8X - Analogschalter, 2 Kanäle, SPST, 9.5 ohm, 1.65V bis 5.5V, µPAK, 8 Pin(s)Bauform - Analogschalter: µPAK Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V Analogschalter: SPST MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Durchlasswiderstand, max.: 9.5 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 1712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UC2842BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UC2842BDR2G - PWM-Controller, 12V bis 30V Versorgungsspannung, 52kHz, 200mAout, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: - Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 52kHz Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -25°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig) Topologie: Boost, Flyback Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 30V Tastverhältnis, min.: 0% Betriebstemperatur, max.: 85°C Tastverhältnis, max.: 96% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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UC2842BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UC2842BDR2G - PWM-Controller, 12V bis 30V Versorgungsspannung, 52kHz, 200mAout, SOIC-14tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: - Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Schaltfrequenz, min.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 52kHz Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -25°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig) Topologie: Boost, Flyback Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 30V Tastverhältnis, min.: 0% Betriebstemperatur, max.: 85°C Tastverhältnis, max.: 96% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2SK4177-DL-1E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK4177-DL-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5 Dauer-Drainstrom Id: 2 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 80 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: - SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ATP304-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 11227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BC847CWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 11178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| J175-D26Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J175-D26Z - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -60 mA, 6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -60mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| J109 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J109 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 40 mA, -6 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 13966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| J112 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J112 - JFET-Transistor, -35 V, -5 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| J113 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J113 - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 51895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| J113-D74Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - J113-D74Z - JFET-Transistor, -35 V, -3 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSVJ5908DSG5T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSVJ3910SB3T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2SK2394-6-TB-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SK2394-6-TB-E - JFET-Transistor, 15 V, 20 mA, 1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CPH6904-TL-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCS20166SN2T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCS20166SN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 10 MHz, 6 V/µs, 3V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 10MHz
Eingangsoffsetspannung: 50µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| D45VH10G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - D45VH10G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 83 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX79-C6V2 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 7982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SB160 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassspannung Vf max.: 700
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SB160 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 700 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassspannung Vf max.: 700
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 60
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NLV74VHC139DTR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLV74VHC139DTR2G - DUAL 2-TO-4 DECODER/DEMULTIPLEXER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BZX84C18LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 42436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV21872DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV21874DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV21874DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCS21874DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCS21874DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCS21874DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV21872DR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV21872DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 2 Kanäle, 270 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 270kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FNB81060T3 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8
tariffCode: 85044090
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM8
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): -
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM25-FAA
Produktpalette: Motion SPM 8 Series
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FNB81060T3 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.5 kV, SPM25-FAA, SPM8
tariffCode: 85044090
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM8
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): -
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM25-FAA
Produktpalette: Motion SPM 8 Series
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAT54CXV3T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-89
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAT54CXV3T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Barriere, 30 V, 200 mA, Zweifach, gemeinsame Kathode, SC-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-89
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FOD817A300 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD817A300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84C6V8LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C6V8LT1G - Zener-Diode, 6.8 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N5349BG | ![]() |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5349BG - Zener-Diode, 12 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TIP42G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - TIP42G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 6 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TIP42BG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - TIP42BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| TIP42AG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TIP42AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX79-C5V1 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C5V1 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 25080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N3442G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 7.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 117
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-204AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 7.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 117
Übergangsfrequenz ft: 80
Bauform - Transistor: TO-204AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BCP56-10T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCP56-16T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BCP56T3G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SBCP56T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SBCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4002G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4002G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4002
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4002G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4002
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4002RLG |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4002RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4002RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 36278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FQP4N90C |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQP4N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BF256B |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BF256B - JFET-Transistor, JFET, -30 V, 13 mA, -8 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 13mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BF256B - JFET-Transistor, JFET, -30 V, 13 mA, -8 V, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 13mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 28849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SB5100 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB5100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 850 mV
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassspannung Vf max.: 850
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 5
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SB5100 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 5 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 850 mV
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassspannung Vf max.: 850
Diodenkonfiguration: Einfach
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 5
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 100
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2SC5707-TL-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2SC5707-TL-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2SC5707-E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 330
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 330
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAR43. |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAR43. - DIODE, FULL REEL
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassspannung Vf max.: 800
Diodenkonfiguration: Single
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 750
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - BAR43. - DIODE, FULL REEL
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassspannung Vf max.: 800
Diodenkonfiguration: Single
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 750
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N3906TA |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3906TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 999mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N3906TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 999mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N3906BU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3906BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N3906BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N3906TFR |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N3906TF |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3906TF - TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2N3906TF - TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| POE-GEVB |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - POE-GEVB - Evaluationsboard, Power-over-Ethernet (PoE)-Shield, robuste, flexible und hochintegrierte Lösung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP1083
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1083
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Power-Over-Ethernet (POE)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - POE-GEVB - Evaluationsboard, Power-over-Ethernet (PoE)-Shield, robuste, flexible und hochintegrierte Lösung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP1083
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1083
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Power-Over-Ethernet (POE)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: IOT
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FSA3357K8X |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA3357K8X - Analogschalter, 1 Kanäle, SP3T, 50 ohm, 1.65V bis 5.5V, VSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bauform - Analogschalter: VSSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Analogschalter: SP3T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSA3357K8X - Analogschalter, 1 Kanäle, SP3T, 50 ohm, 1.65V bis 5.5V, VSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bauform - Analogschalter: VSSOP
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Analogschalter: SP3T
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlasswiderstand, max.: 50ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FSA2258L10X |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA2258L10X - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 1.5 ohm, 1.65V bis 4.3V, UQFN, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: UQFN
Versorgungsspannung: 1.65V bis 4.3V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSA2258L10X - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 1.5 ohm, 1.65V bis 4.3V, UQFN, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: UQFN
Versorgungsspannung: 1.65V bis 4.3V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FSA832L10X |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA832L10X - USB-Schnittstelle, Controller für USB-Ladeanschluss, USB 2.0, 4 V, 6 V, UQFN, 10 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: Controller für USB-Ladeanschluss
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSA832L10X - USB-Schnittstelle, Controller für USB-Ladeanschluss, USB 2.0, 4 V, 6 V, UQFN, 10 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: Controller für USB-Ladeanschluss
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FSA515UCX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA515UCX - ANALOGSCHALTER, SPST, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 0V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 1.1ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 0.7ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 1.1ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FSA515UCX - ANALOGSCHALTER, SPST, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 0V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 1.1ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 0.7ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 1.1ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FSA1153UCX |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA1153UCX - USB-Schnittstelle, Audio-Switch USB Typ C, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 12 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: Audio-Switch USB Typ C
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSA1153UCX - USB-Schnittstelle, Audio-Switch USB Typ C, USB 2.0, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 12 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: Audio-Switch USB Typ C
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FSA1256L8X |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA1256L8X - Analogschalter, 2 Kanäle, SPST, 9.5 ohm, 1.65V bis 5.5V, µPAK, 8 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: µPAK
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 9.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FSA1256L8X - Analogschalter, 2 Kanäle, SPST, 9.5 ohm, 1.65V bis 5.5V, µPAK, 8 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: µPAK
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Analogschalter: SPST
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 9.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| UC2842BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC2842BDR2G - PWM-Controller, 12V bis 30V Versorgungsspannung, 52kHz, 200mAout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 96%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - UC2842BDR2G - PWM-Controller, 12V bis 30V Versorgungsspannung, 52kHz, 200mAout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 96%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| UC2842BDR2G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC2842BDR2G - PWM-Controller, 12V bis 30V Versorgungsspannung, 52kHz, 200mAout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 96%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - UC2842BDR2G - PWM-Controller, 12V bis 30V Versorgungsspannung, 52kHz, 200mAout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 96%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2SK4177-DL-1E |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK4177-DL-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 80
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SK4177-DL-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 80
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ATP304-TL-H |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BC847CWT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC847CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH









































