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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NCP1399APDR2G NCP1399APDR2G ONSEMI ONSM-S-A0013299324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1399APDR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: NSOIC
Versorgungsspannung, min.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
104+2.07 EUR
115+1.88 EUR
250+1.77 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399APDR2G NCP1399APDR2G ONSEMI ONSM-S-A0013299324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1399APDR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: NSOIC
Versorgungsspannung, min.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
93+2.51 EUR
104+2.07 EUR
115+1.88 EUR
250+1.77 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399AIDR2G NCP1399AIDR2G ONSEMI ncp1399-d.pdf Description: ONSEMI - NCP1399AIDR2G - PFC-Controller, 20V Versorgungsspannung, 8.9V Lockout, 5.4mA Betriebsstrom, 750kHz, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
250+1.98 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP13992AFDR2G NCP13992AFDR2G ONSEMI NCP13992-D.PDF Description: ONSEMI - NCP13992AFDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP13992AHDR2G NCP13992AHDR2G ONSEMI NCP13992-D.PDF Description: ONSEMI - NCP13992AHDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399AGDR2G NCP1399AGDR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399AGDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399AHDR2G NCP1399AHDR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399AHDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399ATDR2G NCP1399ATDR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399ATDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399AFDR2G NCP1399AFDR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399AFDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399ANDR2G NCP1399ANDR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399ANDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399BADR2G NCP1399BADR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399BADR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSB50550AS FSB50550AS ONSEMI 2859372.pdf Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
usEccn: EAR99
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.24 EUR
14+16.66 EUR
18+12.55 EUR
50+10.92 EUR
100+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSB50550AS FSB50550AS ONSEMI 2859372.pdf Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
usEccn: EAR99
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.24 EUR
14+16.66 EUR
18+12.55 EUR
50+10.92 EUR
100+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DVK-SFAZ-1-GEVK DVK-SFAZ-1-GEVK ONSEMI 2339414.pdf Description: ONSEMI - DVK-SFAZ-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFAZ, Sigfox™ RCZ4, äußerst energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: RF Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland
Leiterplatte: Development Kit
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: AX-SFAZ-1-01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP121G TIP121G ONSEMI tip120-d.pdf Description: ONSEMI - TIP121G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
159+1.46 EUR
180+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP125G TIP125G ONSEMI 1916291.pdf Description: ONSEMI - TIP125G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAN222T1G DAN222T1G ONSEMI dan222-d.pdf Description: ONSEMI - DAN222T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DAN22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 28017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.3 EUR
1384+0.17 EUR
1905+0.11 EUR
2646+0.081 EUR
2986+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD7351HT1G ESD7351HT1G ONSEMI 2578333.pdf Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD7351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 23335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.07 EUR
371+0.63 EUR
596+0.36 EUR
794+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD7351HT1G ESD7351HT1G ONSEMI 2578333.pdf Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD7351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 27570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.69 EUR
524+0.44 EUR
935+0.23 EUR
1075+0.2 EUR
1154+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1013AP133G NCP1013AP133G ONSEMI 2236898.pdf Description: ONSEMI - NCP1013AP133G - AC/DC-Flyback-Schaltnetzteil, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 100V AC-250V AC, 19W, DIP-7
AC-Eingangsspannung, max.: 250
Nennleistung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S310 S310 ONSEMI 2303855.pdf Description: ONSEMI - S310 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S310
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
191+1.23 EUR
234+0.92 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S310FA ONSEMI 2552647.pdf Description: ONSEMI - S310FA - 3 A, 100 V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers/ REEL 01AC9762
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC3503DS KSC3503DS ONSEMI FAIRS26222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3703-1E 2SK3703-1E ONSEMI 2371188.pdf Description: ONSEMI - 2SK3703-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 25
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2073H2TU KSC2073H2TU ONSEMI FAIRS30498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC2073H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2073
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
144+1.62 EUR
179+1.2 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2073TU KSC2073TU ONSEMI 1863476.pdf Description: ONSEMI - KSC2073TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 25
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7471BDQ5R2G NCV7471BDQ5R2G ONSEMI ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.7 EUR
25+9.53 EUR
26+8.4 EUR
50+7.84 EUR
100+7.28 EUR
250+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7471BDQ5R2G NCV7471BDQ5R2G ONSEMI ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.28 EUR
250+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NL17SZ17DFT2G NL17SZ17DFT2G ONSEMI 2160691.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ17DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
758+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
1755+0.12 EUR
2193+0.098 EUR
2428+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLV17SZ17DFT2G NLV17SZ17DFT2G ONSEMI 2160691.pdf Description: ONSEMI - NLV17SZ17DFT2G - Logik, Puffer, Schmitt-Trigger, Baureihe NL17SZ17, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SOT-553-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NL17SZ17
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+1.05 EUR
326+0.71 EUR
544+0.39 EUR
658+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJL4215OTU FJL4215OTU ONSEMI FJL4215-D.pdf Description: ONSEMI - FJL4215OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJL4215
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.52 EUR
27+8.7 EUR
100+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60A4 HGTP7N60A4 ONSEMI 2284605.pdf Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3D.. HGTG30N60B3D.. ONSEMI ONSM-S-A0013297138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A ONSEMI ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
117+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A ONSEMI ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4.02 EUR
88+2.64 EUR
117+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG18N120BND HGTG18N120BND ONSEMI 2303946.pdf Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.95 EUR
22+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3 HGTG40N60B3 ONSEMI 2286043.pdf Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG5N120BND HGTG5N120BND ONSEMI 2298743.pdf Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D ONSEMI 2286242.pdf Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3 HGTG30N60B3 ONSEMI FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.84 EUR
48+4.89 EUR
100+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N120BN HGTG27N120BN ONSEMI 2286338.pdf Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60A4-F102 HGTP7N60A4-F102 ONSEMI HGTP7N60A4-D.PDF Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L FDD8447L ONSEMI 2284191.pdf description Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 13395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+2.65 EUR
157+1.49 EUR
201+1.07 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L-F085 FDD8447L-F085 ONSEMI 2724464.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L-F085 FDD8447L-F085 ONSEMI 2724464.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP126TU TIP126TU ONSEMI 2284309.pdf Description: ONSEMI - TIP126TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 80 V, 5 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SECO-RSL10-TAG-GEVB SECO-RSL10-TAG-GEVB ONSEMI 3764911.pdf Description: ONSEMI - SECO-RSL10-TAG-GEVB - Evaluationsboard, FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG, Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M3
Unterart Anwendung: Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FPF1005, NCH-RSL10-101Q48-ABG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH023N65S3L4 ONSEMI 2859339.pdf Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.53 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH043N60 ONSEMI 2907349.pdf Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.86 EUR
7+37.43 EUR
10+32.37 EUR
50+30.46 EUR
100+28.54 EUR
250+25.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH029N65S3-F155 FCH029N65S3-F155 ONSEMI 3168453.pdf Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.71 EUR
9+28.56 EUR
11+20.41 EUR
50+19.43 EUR
100+18.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH023N65S3-F155 FCH023N65S3-F155 ONSEMI FCH023N65S3-D.PDF Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.03 EUR
8+31.19 EUR
10+25.83 EUR
50+24.4 EUR
100+22.98 EUR
250+21.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DR2G NCV20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
146+1.59 EUR
162+1.33 EUR
199+1.08 EUR
250+1.01 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DR2G NCS20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
188+1.24 EUR
208+1.04 EUR
236+0.9 EUR
252+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DTBR2G NCV20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
134+1.74 EUR
148+1.45 EUR
167+1.29 EUR
250+1.21 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DTBR2G NCS20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+1.36 EUR
228+1.02 EUR
233+0.92 EUR
238+0.9 EUR
250+0.88 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DR2G NCV20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
146+1.59 EUR
162+1.33 EUR
199+1.08 EUR
250+1.01 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DTBR2G NCV20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
134+1.74 EUR
148+1.45 EUR
167+1.29 EUR
250+1.21 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DR2G NCS20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
188+1.24 EUR
208+1.04 EUR
236+0.9 EUR
252+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATP114-TL-H ATP114-TL-H ONSEMI 2371191.pdf Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATP114-TL-H ATP114-TL-H ONSEMI 2371191.pdf Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399APDR2G ONSM-S-A0013299324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1399APDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399APDR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: NSOIC
Versorgungsspannung, min.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
104+2.07 EUR
115+1.88 EUR
250+1.77 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399APDR2G ONSM-S-A0013299324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1399APDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399APDR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: NSOIC
Versorgungsspannung, min.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.65 EUR
93+2.51 EUR
104+2.07 EUR
115+1.88 EUR
250+1.77 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
2500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399AIDR2G ncp1399-d.pdf
NCP1399AIDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399AIDR2G - PFC-Controller, 20V Versorgungsspannung, 8.9V Lockout, 5.4mA Betriebsstrom, 750kHz, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.25 EUR
250+1.98 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP13992AFDR2G NCP13992-D.PDF
NCP13992AFDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992AFDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP13992AHDR2G NCP13992-D.PDF
NCP13992AHDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992AHDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399AGDR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399AGDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399AGDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399AHDR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399AHDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399AHDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399ATDR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399ATDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399ATDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399AFDR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399AFDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399AFDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399ANDR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399ANDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399ANDR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1399BADR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399BADR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399BADR2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSB50550AS 2859372.pdf
FSB50550AS
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
usEccn: EAR99
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.24 EUR
14+16.66 EUR
18+12.55 EUR
50+10.92 EUR
100+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FSB50550AS 2859372.pdf
FSB50550AS
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550AS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM5
usEccn: EAR99
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.24 EUR
14+16.66 EUR
18+12.55 EUR
50+10.92 EUR
100+9.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DVK-SFAZ-1-GEVK 2339414.pdf
DVK-SFAZ-1-GEVK
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SFAZ-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFAZ, Sigfox™ RCZ4, äußerst energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: RF Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Australien/Neuseeland
Leiterplatte: Development Kit
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: AX-SFAZ-1-01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP121G tip120-d.pdf
TIP121G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP121G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+3.32 EUR
159+1.46 EUR
180+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP125G 1916291.pdf
TIP125G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP125G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAN222T1G dan222-d.pdf
DAN222T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAN222T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DAN22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 28017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
834+0.3 EUR
1384+0.17 EUR
1905+0.11 EUR
2646+0.081 EUR
2986+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD7351HT1G 2578333.pdf
ESD7351HT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD7351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 23335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+1.07 EUR
371+0.63 EUR
596+0.36 EUR
794+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD7351HT1G 2578333.pdf
ESD7351HT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 150 mW, ESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD7351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 27570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
360+0.69 EUR
524+0.44 EUR
935+0.23 EUR
1075+0.2 EUR
1154+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1013AP133G 2236898.pdf
NCP1013AP133G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1013AP133G - AC/DC-Flyback-Schaltnetzteil, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 100V AC-250V AC, 19W, DIP-7
AC-Eingangsspannung, max.: 250
Nennleistung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S310 2303855.pdf
S310
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S310 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S310
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.49 EUR
191+1.23 EUR
234+0.92 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S310FA 2552647.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - S310FA - 3 A, 100 V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers/ REEL 01AC9762
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC3503DS FAIRS26222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSC3503DS
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3703-1E 2371188.pdf
2SK3703-1E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3703-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 25
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2073H2TU FAIRS30498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSC2073H2TU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2073H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2073
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.88 EUR
144+1.62 EUR
179+1.2 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2073TU 1863476.pdf
KSC2073TU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2073TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 25
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7471BDQ5R2G ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV7471BDQ5R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.7 EUR
25+9.53 EUR
26+8.4 EUR
50+7.84 EUR
100+7.28 EUR
250+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7471BDQ5R2G ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV7471BDQ5R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.28 EUR
250+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NL17SZ17DFT2G 2160691.pdf
NL17SZ17DFT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ17DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
758+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
1755+0.12 EUR
2193+0.098 EUR
2428+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLV17SZ17DFT2G 2160691.pdf
NLV17SZ17DFT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV17SZ17DFT2G - Logik, Puffer, Schmitt-Trigger, Baureihe NL17SZ17, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SOT-553-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NL17SZ17
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
238+1.05 EUR
326+0.71 EUR
544+0.39 EUR
658+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJL4215OTU FJL4215-D.pdf
FJL4215OTU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJL4215OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJL4215
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.52 EUR
27+8.7 EUR
100+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60A4 2284605.pdf
HGTP7N60A4
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3D.. ONSM-S-A0013297138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGTG30N60B3D..
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9A ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGTD1N120BNS9A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.64 EUR
117+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9A ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGTD1N120BNS9A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+4.02 EUR
88+2.64 EUR
117+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG18N120BND 2303946.pdf
HGTG18N120BND
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+11.95 EUR
22+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3 2286043.pdf
HGTG40N60B3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG5N120BND 2298743.pdf
HGTG5N120BND
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3D 2286242.pdf
HGTG30N60C3D
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60B3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.84 EUR
48+4.89 EUR
100+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N120BN 2286338.pdf
HGTG27N120BN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60A4-F102 HGTP7N60A4-D.PDF
HGTP7N60A4-F102
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L description 2284191.pdf
FDD8447L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 13395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+2.65 EUR
157+1.49 EUR
201+1.07 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L-F085 2724464.pdf
FDD8447L-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L-F085 2724464.pdf
FDD8447L-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP126TU 2284309.pdf
TIP126TU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP126TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 80 V, 5 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SECO-RSL10-TAG-GEVB 3764911.pdf
SECO-RSL10-TAG-GEVB
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-RSL10-TAG-GEVB - Evaluationsboard, FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG, Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M3
Unterart Anwendung: Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FPF1005, NCH-RSL10-101Q48-ABG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH023N65S3L4 2859339.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+32.53 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH043N60 2907349.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+42.86 EUR
7+37.43 EUR
10+32.37 EUR
50+30.46 EUR
100+28.54 EUR
250+25.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH029N65S3-F155 3168453.pdf
FCH029N65S3-F155
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+37.71 EUR
9+28.56 EUR
11+20.41 EUR
50+19.43 EUR
100+18.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH023N65S3-F155 FCH023N65S3-D.PDF
FCH023N65S3-F155
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+37.03 EUR
8+31.19 EUR
10+25.83 EUR
50+24.4 EUR
100+22.98 EUR
250+21.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DR2G 3213427.pdf
NCV20084DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.38 EUR
146+1.59 EUR
162+1.33 EUR
199+1.08 EUR
250+1.01 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DR2G 3213427.pdf
NCS20084DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.86 EUR
188+1.24 EUR
208+1.04 EUR
236+0.9 EUR
252+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DTBR2G 3213427.pdf
NCV20084DTBR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+2.57 EUR
134+1.74 EUR
148+1.45 EUR
167+1.29 EUR
250+1.21 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DTBR2G 3213427.pdf
NCS20084DTBR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
184+1.36 EUR
228+1.02 EUR
233+0.92 EUR
238+0.9 EUR
250+0.88 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DR2G 3213427.pdf
NCV20084DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.38 EUR
146+1.59 EUR
162+1.33 EUR
199+1.08 EUR
250+1.01 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DTBR2G 3213427.pdf
NCV20084DTBR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
134+1.74 EUR
148+1.45 EUR
167+1.29 EUR
250+1.21 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DR2G 3213427.pdf
NCS20084DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.86 EUR
188+1.24 EUR
208+1.04 EUR
236+0.9 EUR
252+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATP114-TL-H 2371191.pdf
ATP114-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATP114-TL-H 2371191.pdf
ATP114-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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