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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SK3703-1E 2SK3703-1E ONSEMI 2371188.pdf Description: ONSEMI - 2SK3703-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 25
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2073H2TU KSC2073H2TU ONSEMI FAIRS30498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC2073H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2073
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
144+1.62 EUR
179+1.2 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2073TU KSC2073TU ONSEMI 1863476.pdf Description: ONSEMI - KSC2073TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 25
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7471BDQ5R2G NCV7471BDQ5R2G ONSEMI ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.7 EUR
25+9.53 EUR
26+8.4 EUR
50+7.84 EUR
100+7.28 EUR
250+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7471BDQ5R2G NCV7471BDQ5R2G ONSEMI ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.28 EUR
250+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NL17SZ17DFT2G NL17SZ17DFT2G ONSEMI 2160691.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ17DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
758+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
1755+0.12 EUR
2193+0.098 EUR
2428+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLV17SZ17DFT2G NLV17SZ17DFT2G ONSEMI 2160691.pdf Description: ONSEMI - NLV17SZ17DFT2G - Logik, Puffer, Schmitt-Trigger, Baureihe NL17SZ17, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SOT-553-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NL17SZ17
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+1.05 EUR
326+0.71 EUR
544+0.39 EUR
658+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJL4215OTU FJL4215OTU ONSEMI FJL4215-D.pdf Description: ONSEMI - FJL4215OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJL4215
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.52 EUR
27+8.7 EUR
100+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60A4 HGTP7N60A4 ONSEMI 2284605.pdf Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3D.. HGTG30N60B3D.. ONSEMI ONSM-S-A0013297138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A ONSEMI ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
117+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A ONSEMI ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.97 EUR
95+2.46 EUR
133+1.62 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG18N120BND HGTG18N120BND ONSEMI 2303946.pdf Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.95 EUR
22+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3 HGTG40N60B3 ONSEMI 2286043.pdf Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG5N120BND HGTG5N120BND ONSEMI 2298743.pdf Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D ONSEMI 2286242.pdf Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3 HGTG30N60B3 ONSEMI FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.84 EUR
48+4.89 EUR
100+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N120BN HGTG27N120BN ONSEMI 2286338.pdf Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60A4-F102 HGTP7N60A4-F102 ONSEMI HGTP7N60A4-D.PDF Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L FDD8447L ONSEMI 2284191.pdf description Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 13185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
130+1.8 EUR
193+1.11 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L-F085 FDD8447L-F085 ONSEMI 2724464.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L-F085 FDD8447L-F085 ONSEMI 2724464.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP126TU TIP126TU ONSEMI 2284309.pdf Description: ONSEMI - TIP126TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 80 V, 5 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SECO-RSL10-TAG-GEVB SECO-RSL10-TAG-GEVB ONSEMI 3764911.pdf Description: ONSEMI - SECO-RSL10-TAG-GEVB - Evaluationsboard, FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG, Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M3
Unterart Anwendung: Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FPF1005, NCH-RSL10-101Q48-ABG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH023N65S3L4 ONSEMI 2859339.pdf Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+32.53 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH043N60 ONSEMI 2907349.pdf Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.86 EUR
7+37.43 EUR
10+32.37 EUR
50+30.46 EUR
100+28.54 EUR
250+25.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH029N65S3-F155 FCH029N65S3-F155 ONSEMI 3168453.pdf Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.71 EUR
9+28.56 EUR
11+20.41 EUR
50+19.43 EUR
100+18.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH023N65S3-F155 FCH023N65S3-F155 ONSEMI FCH023N65S3-D.PDF Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.03 EUR
8+31.19 EUR
10+25.83 EUR
50+24.4 EUR
100+22.98 EUR
250+21.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DR2G NCV20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
146+1.59 EUR
162+1.33 EUR
199+1.08 EUR
250+1.01 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DR2G NCS20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
188+1.24 EUR
208+1.04 EUR
236+0.9 EUR
252+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DTBR2G NCV20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
134+1.74 EUR
148+1.45 EUR
167+1.29 EUR
250+1.21 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DTBR2G NCS20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+1.36 EUR
228+1.02 EUR
233+0.92 EUR
238+0.9 EUR
250+0.88 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DR2G NCV20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
146+1.59 EUR
162+1.33 EUR
199+1.08 EUR
250+1.01 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DTBR2G NCV20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
134+1.74 EUR
148+1.45 EUR
167+1.29 EUR
250+1.21 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DR2G NCS20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
188+1.24 EUR
208+1.04 EUR
236+0.9 EUR
252+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATP114-TL-H ATP114-TL-H ONSEMI 2371191.pdf Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATP114-TL-H ATP114-TL-H ONSEMI 2371191.pdf Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9535EDWR2G ONSEMI 2907258.pdf Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
104+2.25 EUR
130+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9535EDWR2G ONSEMI 2907258.pdf Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
104+2.25 EUR
130+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9535EDTR2G PCA9535EDTR2G ONSEMI 2255425.pdf Description: ONSEMI - PCA9535EDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, SMBus, 1.6 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.65 EUR
43+5.5 EUR
49+4.39 EUR
54+4.01 EUR
100+3.62 EUR
250+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9535ECDTR2G PCA9535ECDTR2G ONSEMI pca9535e-d.pdf Description: ONSEMI - PCA9535ECDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
39+6.03 EUR
42+5.12 EUR
50+4.97 EUR
100+4.5 EUR
250+4.26 EUR
500+4.13 EUR
1000+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342P FDN342P ONSEMI 2304117.pdf Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
auf Bestellung 3181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
192+1.21 EUR
296+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP47G TIP47G ONSEMI tip47-d.pdf Description: ONSEMI - TIP47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
161+1.44 EUR
181+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AX8052F131-3-TX30 AX8052F131-3-TX30 ONSEMI AX8052F131.pdf Description: ONSEMI - AX8052F131-3-TX30 - RF MICROCONTROLLER, ULTRA-LOW POWER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP803SN308T1G NCP803SN308T1G ONSEMI 2236958.pdf Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 11076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
163+1.43 EUR
264+0.81 EUR
500+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
9000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP803SN308T1G NCP803SN308T1G ONSEMI 2236958.pdf Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 11076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
163+1.43 EUR
264+0.81 EUR
500+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
9000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA431AZTA KA431AZTA ONSEMI 2299876.pdf Description: ONSEMI - KA431AZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431A, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431A
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA431LZTA KA431LZTA ONSEMI 2297968.pdf Description: ONSEMI - KA431LZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431L, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
468+0.5 EUR
841+0.25 EUR
1031+0.2 EUR
1334+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA431AZBU KA431AZBU ONSEMI KA431-D.PDF Description: ONSEMI - KA431AZBU - VOLTAGE REFERENCES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J111 J111 ONSEMI ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - J111 - JFET-Transistor, 35 V, 20 mA, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
336+0.69 EUR
646+0.33 EUR
893+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A FDP036N10A ONSEMI 2907385.pdf Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.15 EUR
32+7.43 EUR
100+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 ONSEMI 2907386.pdf Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 263W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
auf Bestellung 3741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.9 EUR
35+6.64 EUR
100+5.2 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTA4153NT1G NTA4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf description Description: ONSEMI - NTA4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 9041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
407+0.62 EUR
672+0.35 EUR
1076+0.2 EUR
1462+0.14 EUR
1653+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 407 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP067N65S3H NTP067N65S3H ONSEMI ntp067n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTP067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 266W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.81 EUR
16+14.58 EUR
20+10.77 EUR
50+9.15 EUR
100+8.35 EUR
250+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBL4001-1E BBL4001-1E ONSEMI ENA1356-D.PDF Description: ONSEMI - BBL4001-1E - N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, 74A, 6.1M
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS003N04CTAG NTTFS003N04CTAG ONSEMI NTTFS003N04C-D.PDF Description: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4621R-TR EFC4621R-TR ONSEMI ENA2180-D.PDF Description: ONSEMI - EFC4621R-TR - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET, 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAG NVTFS024N06CTAG ONSEMI NVTFS024N06C-D.PDF Description: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFWS024N06CTAG NVTFWS024N06CTAG ONSEMI NVTFS024N06C-D.PDF Description: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS4D9N03HTAG NTLJS4D9N03HTAG ONSEMI NTLJS4D9N03H-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3703-1E 2371188.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3703-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 25
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2073H2TU FAIRS30498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2073H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC2073
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.88 EUR
144+1.62 EUR
179+1.2 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSC2073TU 1863476.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2073TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1.5 A, 25 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 25
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7471BDQ5R2G ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.7 EUR
25+9.53 EUR
26+8.4 EUR
50+7.84 EUR
100+7.28 EUR
250+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV7471BDQ5R2G ONSM-S-A0013749958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7471BDQ5R2G - System-Basis-Chip, CAN, ISO 11898-2/17987-4, LIN 2.X, SAE J2602, 2.5V-28V Versorgung, SSOP-36
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Unterstützte Protokolle: CAN, LIN
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SSOP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Unterstützte Standards: ISO 11898-2, ISO 17987-4, LIN 2.X, SAE J2602
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.28 EUR
250+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NL17SZ17DFT2G 2160691.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ17DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
758+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
1755+0.12 EUR
2193+0.098 EUR
2428+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NLV17SZ17DFT2G 2160691.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV17SZ17DFT2G - Logik, Puffer, Schmitt-Trigger, Baureihe NL17SZ17, 1.65V-5.5V Versorgungsspannung, SOT-553-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NL17SZ17
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
238+1.05 EUR
326+0.71 EUR
544+0.39 EUR
658+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FJL4215OTU FJL4215-D.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJL4215OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJL4215
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.52 EUR
27+8.7 EUR
100+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60A4 2284605.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3D.. ONSM-S-A0013297138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9A ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.64 EUR
117+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9A ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+4.97 EUR
95+2.46 EUR
133+1.62 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG18N120BND 2303946.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+11.95 EUR
22+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG40N60B3 2286043.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG5N120BND 2298743.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60C3D 2286242.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.84 EUR
48+4.89 EUR
100+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG27N120BN 2286338.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP7N60A4-F102 HGTP7N60A4-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L description 2284191.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 13185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.9 EUR
130+1.8 EUR
193+1.11 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L-F085 2724464.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD8447L-F085 2724464.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP126TU 2284309.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP126TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 80 V, 5 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SECO-RSL10-TAG-GEVB 3764911.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-RSL10-TAG-GEVB - Evaluationsboard, FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG, Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M3
Unterart Anwendung: Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FPF1005, NCH-RSL10-101Q48-ABG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH023N65S3L4 2859339.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+32.53 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH043N60 2907349.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+42.86 EUR
7+37.43 EUR
10+32.37 EUR
50+30.46 EUR
100+28.54 EUR
250+25.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH029N65S3-F155 3168453.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+37.71 EUR
9+28.56 EUR
11+20.41 EUR
50+19.43 EUR
100+18.44 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH023N65S3-F155 FCH023N65S3-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+37.03 EUR
8+31.19 EUR
10+25.83 EUR
50+24.4 EUR
100+22.98 EUR
250+21.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DR2G 3213427.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.38 EUR
146+1.59 EUR
162+1.33 EUR
199+1.08 EUR
250+1.01 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DR2G 3213427.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.86 EUR
188+1.24 EUR
208+1.04 EUR
236+0.9 EUR
252+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DTBR2G 3213427.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+2.57 EUR
134+1.74 EUR
148+1.45 EUR
167+1.29 EUR
250+1.21 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DTBR2G 3213427.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
184+1.36 EUR
228+1.02 EUR
233+0.92 EUR
238+0.9 EUR
250+0.88 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DR2G 3213427.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.38 EUR
146+1.59 EUR
162+1.33 EUR
199+1.08 EUR
250+1.01 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV20084DTBR2G 3213427.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
134+1.74 EUR
148+1.45 EUR
167+1.29 EUR
250+1.21 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCS20084DR2G 3213427.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.86 EUR
188+1.24 EUR
208+1.04 EUR
236+0.9 EUR
252+0.84 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATP114-TL-H 2371191.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATP114-TL-H 2371191.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9535EDWR2G 2907258.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.84 EUR
104+2.25 EUR
130+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9535EDWR2G 2907258.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.84 EUR
104+2.25 EUR
130+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9535EDTR2G 2255425.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535EDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, SMBus, 1.6 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.65 EUR
43+5.5 EUR
49+4.39 EUR
54+4.01 EUR
100+3.62 EUR
250+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PCA9535ECDTR2G pca9535e-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535ECDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.59 EUR
39+6.03 EUR
42+5.12 EUR
50+4.97 EUR
100+4.5 EUR
250+4.26 EUR
500+4.13 EUR
1000+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDN342P 2304117.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
auf Bestellung 3181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
192+1.21 EUR
296+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TIP47G tip47-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.27 EUR
161+1.44 EUR
181+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AX8052F131-3-TX30 AX8052F131.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AX8052F131-3-TX30 - RF MICROCONTROLLER, ULTRA-LOW POWER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP803SN308T1G 2236958.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 11076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.89 EUR
163+1.43 EUR
264+0.81 EUR
500+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
9000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP803SN308T1G 2236958.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 11076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.89 EUR
163+1.43 EUR
264+0.81 EUR
500+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
9000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA431AZTA 2299876.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA431AZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431A, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431A
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA431LZTA 2297968.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA431LZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431L, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
223+1.12 EUR
468+0.5 EUR
841+0.25 EUR
1031+0.2 EUR
1334+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KA431AZBU KA431-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA431AZBU - VOLTAGE REFERENCES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
J111 ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - J111 - JFET-Transistor, 35 V, 20 mA, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
208+1.2 EUR
336+0.69 EUR
646+0.33 EUR
893+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP036N10A 2907385.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.15 EUR
32+7.43 EUR
100+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDP045N10A-F102 2907386.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 263W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
auf Bestellung 3741 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.9 EUR
35+6.64 EUR
100+5.2 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTA4153NT1G description 1900865.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 9041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
407+0.62 EUR
672+0.35 EUR
1076+0.2 EUR
1462+0.14 EUR
1653+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 407 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 266W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.81 EUR
16+14.58 EUR
20+10.77 EUR
50+9.15 EUR
100+8.35 EUR
250+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBL4001-1E ENA1356-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BBL4001-1E - N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, 74A, 6.1M
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTTFS003N04CTAG NTTFS003N04C-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EFC4621R-TR ENA2180-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC4621R-TR - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET, 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAG NVTFS024N06C-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFWS024N06CTAG NVTFS024N06C-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLJS4D9N03HTAG NTLJS4D9N03H-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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