| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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R6515KNJTL | ROHM |
Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 15 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 184 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 184 Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC914TUBTL | ROHM |
Description: ROHM - DTC914TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohmDauer-Kollektorstrom Ic: 400 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: - Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC943TUBTL | ROHM |
Description: ROHM - DTC943TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Dauerkollektorstrom: 400mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTC923TUBTL | ROHM |
Description: ROHM - DTC923TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 2.2 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 400mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA144EE3HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DTA144EE3HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SCT2160KEGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247NtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LTR18EZPJ200 | ROHM |
Description: ROHM - LTR18EZPJ200 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 20 ohm, ± 5%, 750 mW, 1206 Breit, DickschichtwiderstandtariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 Breit Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Widerstandstyp: Hochleistung Nennleistung: 750mW Widerstand: 20ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: LTR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.2mm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BU7411SG-TR | ROHM |
Description: ROHM - BU7411SG-TR - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 4 kHz, 2.4 V/ms, 1.6V bis 5.5V, SSOP, 5 Pin(s)SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA2088U3T106 | ROHM |
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2088U3T106 | ROHM |
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RPI-222 | ROHM |
Description: ROHM - RPI-222 - FOTO-UNTERBRECHER, 2MMtariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Messabstand / Gabelweite: 2mm IP-Schutzart: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -25°C Durchlassstrom If: 50mA Sensormontage: Durchsteckmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: Modul Sensorausgang: Fototransistor euEccn: NLR Durchlassspannung: 1.3V Messmethode: - Öffnungsweite: 0.2mm Kollektorstrom Ic, max.: 30mA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrspannung, Vr: 5V Versorgungsspannung, max.: - Sender/Empfänger-Abstand: 2mm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1077 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KTR10EZPJ681 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 680 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RGW00TS65EHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 96A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGTH00TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGTH80TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RGW80TS65DHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGWX5TS65EHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RGTV60TK65GVC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 76 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33 Bauform - Transistor: TO-3PFM Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGTH80TS65GC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 70A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RGW00TS65HRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 96A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RGWX5TS65DHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 132A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGWX5TS65HRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 132A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RGW00TS65DHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 96A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RGW80TS65EHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RGW80TS65HRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ESD18VHYFHT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 16V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ESD27VHYT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mWtariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 26.41V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 29.19V isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW Sperrspannung: 24V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 100W Begrenzungsspannung Vc, max.: - TVS-Polarität: Bidirektional Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 24V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Klemmspannung, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ESD18VHYFHT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 17.86V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 19.74V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW Sperrspannung: 16V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 100W Begrenzungsspannung Vc, max.: - TVS-Polarität: Bidirektional Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 16V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Klemmspannung, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESD16VHYT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mWtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOT-23 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: - Betriebsspannung: 12V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 225mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ESR10EZPJ114 | ROHM |
Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 400 Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 110 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: ESR Series Nennspannung: 150 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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R6030KNZC17 | ROHM |
Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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R6030JNZC8 | ROHM |
Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 30 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 93 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6 Verlustleistung: 93 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ESR10EZPJ305 | ROHM |
Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 400 Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 3 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: ESR Series Nennspannung: 150 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KTR10EZPJ305 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 3 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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KTR10EZPJ392 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 3.9 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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ESR10EZPJ184 | ROHM |
Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 400 Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 180 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: ESR Series Nennspannung: 150 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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KTR10EZPJ184 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 180 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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RSF015N06TL | ROHM |
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 26585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5658T2LQ | ROHM |
Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VT6K1T2CR | ROHM |
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VT6X2T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VT6Z1T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMTTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN, PNP DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VT6Z2T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VT6K1T2CR | ROHM |
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VT6Z1T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMTTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN, PNP DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VT6X2T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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VT6X12T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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VT6X12T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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VT6Z2T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZX84B36VLFHT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84BFH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 36V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZX84B36VLT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageBauform - Diode: SOT-23 Diodenmontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 250 Verlustleistung: 250 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BZX84B Betriebstemperatur, max.: 150 Zener-Spannung, nom.: 36 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZX84B36VLYFHT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLYFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84B Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 36V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZX84B36VLT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageDiodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZX84B36VLYT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageDiodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BZX84B36VLYT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontageBauform - Diode: SOT-23 Diodenmontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 250 Verlustleistung: 250 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BZX84B Betriebstemperatur, max.: 150 Zener-Spannung, nom.: 36 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ESR18EZPJ2R0 | ROHM |
Description: ROHM - ESR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 500 Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 2 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 3.2 Produktpalette: ESR Series Nennspannung: 200 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.6 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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KTR18EZPJ2R0 | ROHM |
Description: ROHM - KTR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 2 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 3.2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 500 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.6 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ESR18EZPF5R60 | ROHM |
Description: ROHM - ESR18EZPF5R60 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.6 ohm, ± 1%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 500mW Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 5.6ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/C Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: ESR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RB068L100DDTE25 | ROHM |
Description: ROHM - RB068L100DDTE25 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 790 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 790mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| R6515KNJTL |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DTC914TUBTL |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC914TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 400
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - DTC914TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 400
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DTC943TUBTL |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC943TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 400mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - DTC943TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 400mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DTC923TUBTL |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC923TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - DTC923TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DTA144EE3HZGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DTA144EE3HZGTL |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SCT2160KEGC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| LTR18EZPJ200 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - LTR18EZPJ200 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 20 ohm, ± 5%, 750 mW, 1206 Breit, Dickschichtwiderstand
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 Breit
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 750mW
Widerstand: 20ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - LTR18EZPJ200 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 20 ohm, ± 5%, 750 mW, 1206 Breit, Dickschichtwiderstand
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 Breit
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 750mW
Widerstand: 20ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BU7411SG-TR |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BU7411SG-TR - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 4 kHz, 2.4 V/ms, 1.6V bis 5.5V, SSOP, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ROHM - BU7411SG-TR - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 4 kHz, 2.4 V/ms, 1.6V bis 5.5V, SSOP, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2SA2088U3T106 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2SA2088U3T106 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RPI-222 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RPI-222 - FOTO-UNTERBRECHER, 2MM
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Messabstand / Gabelweite: 2mm
IP-Schutzart: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: Modul
Sensorausgang: Fototransistor
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1.3V
Messmethode: -
Öffnungsweite: 0.2mm
Kollektorstrom Ic, max.: 30mA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
Versorgungsspannung, max.: -
Sender/Empfänger-Abstand: 2mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RPI-222 - FOTO-UNTERBRECHER, 2MM
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Messabstand / Gabelweite: 2mm
IP-Schutzart: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: Modul
Sensorausgang: Fototransistor
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1.3V
Messmethode: -
Öffnungsweite: 0.2mm
Kollektorstrom Ic, max.: 30mA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
Versorgungsspannung, max.: -
Sender/Empfänger-Abstand: 2mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| KTR10EZPJ681 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 680
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 680
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| RGW00TS65EHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RGTH00TS65DGC13 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
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Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
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Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RGTH80TS65DGC13 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
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Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
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Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RGW80TS65DHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
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Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
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Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RGWX5TS65EHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
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Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RGTV60TK65GVC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RGTH80TS65GC13 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
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Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
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Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RGW00TS65HRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
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Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
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Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
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Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RGWX5TS65DHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
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Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
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Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
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Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RGWX5TS65HRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RGW00TS65DHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
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isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
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Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RGW80TS65EHRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
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isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RGW80TS65HRC11 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD18VHYFHT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD27VHYT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.41V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.19V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.41V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.19V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD18VHYFHT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.86V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 19.74V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.86V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 19.74V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESD16VHYT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: 12V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: 12V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESR10EZPJ114 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 110
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 110
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| R6030KNZC17 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| R6030JNZC8 |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ESR10EZPJ305 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KTR10EZPJ305 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KTR10EZPJ392 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3.9
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3.9
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ESR10EZPJ184 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KTR10EZPJ184 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RSF015N06TL |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 26585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2SC5658T2LQ |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| VT6K1T2CR |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VT6X2T2R |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VT6Z1T2R |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VT6Z2T2R |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VT6K1T2CR |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VT6Z1T2R |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VT6X2T2R |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VT6X12T2R |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VT6X12T2R |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VT6Z2T2R |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84B36VLFHT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BFH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - BZX84B36VLFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BFH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84B36VLT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84B36VLYFHT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - BZX84B36VLYFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84B36VLT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84B36VLYT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BZX84B36VLYT116 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ESR18EZPJ2R0 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - ESR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KTR18EZPJ2R0 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - KTR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 500
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 500
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ESR18EZPF5R60 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESR18EZPF5R60 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.6 ohm, ± 1%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 5.6ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - ESR18EZPF5R60 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.6 ohm, ± 1%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 5.6ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RB068L100DDTE25 |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RB068L100DDTE25 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 110A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RB068L100DDTE25 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 110A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH






















