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IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.81 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.81 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
510+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+92.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+92.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD110N8F6 STMicroelectronics en.DM00151073.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.30 EUR
19+3.88 EUR
24+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.30 EUR
19+3.88 EUR
24+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.76 EUR
43+1.70 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.76 EUR
43+1.70 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G Microchip TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.80 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G TP2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY tp2510.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.48A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.5A
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
61+1.17 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G Microchip TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.03 EUR
44+1.63 EUR
59+1.22 EUR
81+0.89 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.36 EUR
36+1.99 EUR
46+1.59 EUR
75+0.96 EUR
80+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80D1B WML10N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
92+0.78 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80M3 WML10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+1.20 EUR
65+1.10 EUR
82+0.87 EUR
87+0.83 EUR
500+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO10N80M3 WMO10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
84+0.85 EUR
102+0.70 EUR
108+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80 Fairchild FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C FAIRCHILD FQA10N80C.pdf 2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109 ON Semiconductor fqa10n80c_f109-d.pdf
auf Bestellung 11250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FUS10N878A 04+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSV3110N-8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTP10N80
auf Bestellung 3355 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSF10N80A FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80A SEC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS10N80
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80FI
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6 en.DM00130827.pdf
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH8PF10N+8H5FN TI 02+ TQFP;
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VN1310N8-P024
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80M3; 10A; 800V; 31W; 0,86R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Переключатель ПГ-3В 5П10Н (87г)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B64290L0618X087 EPCOS r_25_3_14_8_10_0.pdf Сердечник R25,3/14,8/10 N87 мю=2200±25% Al=2360±25% F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 3881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+3.20 EUR
100+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B65813J0000R087 EPCOS rm_10.pdf Сердечник RM10 N87 мю=1500 AL=4200±25 F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.62 EUR
10+4.97 EUR
100+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B65813J0250A087 EPCOS rm_10.pdf Сердечник RM10 N87 мю=92 Al=250 d=0,44мм F~0,025…0,5 МГц
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+17.58 EUR
10+15.56 EUR
100+14.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0000X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=2200±25% F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.03 EUR
10+1.79 EUR
100+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0100X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=621 d=0,1±0,02мм F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+3.38 EUR
100+3.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0200X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=281 AL=383 d=0,2±0,02мм F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.20 EUR
10+2.85 EUR
100+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0500X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=148 d=0,5±0,05мм AL=201 F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 1144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.17 EUR
10+1.92 EUR
100+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66453K0000X187 EPCOS elp_18_4_10.pdf Сердечник I18/2/10 N87 AL=2900±25% мю=1180 F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.44 EUR
10+2.16 EUR
100+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8011 (VS-SC10N-8)
Produktcode: 150639
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FKPFFKPF10N80
Produktcode: 46089
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6
Produktcode: 122622
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en.DM00130827.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-SC10N-8
Produktcode: 89250
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Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK10N80M3 (WMK10N80M3-CYG)
Produktcode: 153082
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Сердечник RM10 N87 Al250 (B65813-J250-A41-R87-Epcos) Сердечник RM10 N87 Al250 (B65813-J250-A41-R87-Epcos)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N820J202CT 1210N820J202CT WALSIN ASC_General_Purpose.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 82pF; 2kV; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 82pF
Operating voltage: 2kV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N820J202CT 1210N820J202CT WALSIN ASC_General_Purpose.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 82pF; 2kV; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 82pF
Operating voltage: 2kV
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N822J631CT 1210N822J631CT WALSIN ASC_General_Purpose.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 8.2nF; 630V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 8.2nF
Operating voltage: 630V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N822J631CT 1210N822J631CT WALSIN ASC_General_Purpose.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 8.2nF; 630V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 8.2nF
Operating voltage: 630V
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AL02FT10N8 AL02FT10N8 Viking VIKING-AL.pdf Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 10.8nH; 200mA; 1.35Ω; ±1%
Mounting: SMD
Operating current: 0.2A
Inductance: 10.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 13
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 4.5GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 1.35Ω
Tolerance: ±1%
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AL02FT10N8 AL02FT10N8 Viking VIKING-AL.pdf Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 10.8nH; 200mA; 1.35Ω; ±1%
Mounting: SMD
Operating current: 0.2A
Inductance: 10.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 13
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 4.5GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 1.35Ω
Tolerance: ±1%
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFA10N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFA10N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.81 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.81 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
510+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+92.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 33mΩ
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 1170W
Technology: HiPerFET™; X-Class
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Reverse recovery time: 205ns
Gate charge: 425nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+92.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD110N8F6 en.DM00151073.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
STP10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.30 EUR
19+3.88 EUR
24+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
STP10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.30 EUR
19+3.88 EUR
24+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
43+1.70 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
43+1.70 EUR
49+1.47 EUR
52+1.39 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
Hersteller: Microchip
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.80 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G tp2510.pdf
TP2510N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.48A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.5A
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
61+1.17 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
Hersteller: Microchip
P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
44+1.63 EUR
59+1.22 EUR
81+0.89 EUR
87+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMK10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
36+1.99 EUR
46+1.59 EUR
75+0.96 EUR
80+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80D1B
WML10N80D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
92+0.78 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WML10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.20 EUR
65+1.10 EUR
82+0.87 EUR
87+0.83 EUR
500+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMO10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
84+0.85 EUR
102+0.70 EUR
108+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80 FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C FQA10N80C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109 fqa10n80c_f109-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 11250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FUS10N878A
04+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSV3110N-8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTP10N80
auf Bestellung 3355 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSF10N80A FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 5800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80A
Hersteller: SEC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS10N80
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80FI
auf Bestellung 38 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6 en.DM00130827.pdf
auf Bestellung 8 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH8PF10N+8H5FN
Hersteller: TI
02+ TQFP;
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VN1310N8-P024
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80M3; 10A; 800V; 31W; 0,86R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Переключатель ПГ-3В 5П10Н (87г)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B64290L0618X087 r_25_3_14_8_10_0.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник R25,3/14,8/10 N87 мю=2200±25% Al=2360±25% F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 3881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.56 EUR
10+3.20 EUR
100+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B65813J0000R087 rm_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник RM10 N87 мю=1500 AL=4200±25 F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.62 EUR
10+4.97 EUR
100+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B65813J0250A087 rm_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник RM10 N87 мю=92 Al=250 d=0,44мм F~0,025…0,5 МГц
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.58 EUR
10+15.56 EUR
100+14.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0000X187 etd_29_16_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=2200±25% F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.03 EUR
10+1.79 EUR
100+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0100X187 etd_29_16_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=621 d=0,1±0,02мм F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.56 EUR
10+3.38 EUR
100+3.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0200X187 etd_29_16_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=281 AL=383 d=0,2±0,02мм F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.20 EUR
10+2.85 EUR
100+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0500X187 etd_29_16_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=148 d=0,5±0,05мм AL=201 F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 1144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.17 EUR
10+1.92 EUR
100+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66453K0000X187 elp_18_4_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник I18/2/10 N87 AL=2900±25% мю=1180 F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.44 EUR
10+2.16 EUR
100+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8011 (VS-SC10N-8)
Produktcode: 150639
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FKPFFKPF10N80
Produktcode: 46089
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6
Produktcode: 122622
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en.DM00130827.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-SC10N-8
Produktcode: 89250
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Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK10N80M3 (WMK10N80M3-CYG)
Produktcode: 153082
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Сердечник RM10 N87 Al250 (B65813-J250-A41-R87-Epcos)
Produktcode: 23097
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EPCOS.pdf
Сердечник RM10 N87 Al250 (B65813-J250-A41-R87-Epcos)
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N820J202CT ASC_General_Purpose.pdf
1210N820J202CT
Hersteller: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 82pF; 2kV; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 82pF
Operating voltage: 2kV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N820J202CT ASC_General_Purpose.pdf
1210N820J202CT
Hersteller: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 82pF; 2kV; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 82pF
Operating voltage: 2kV
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N822J631CT ASC_General_Purpose.pdf
1210N822J631CT
Hersteller: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 8.2nF; 630V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 8.2nF
Operating voltage: 630V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N822J631CT ASC_General_Purpose.pdf
1210N822J631CT
Hersteller: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 8.2nF; 630V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Mounting: SMD
Kind of capacitor: MLCC
Case - mm: 3225
Case - inch: 1210
Operating temperature: -55...125°C
Tolerance: ±5%
Type of capacitor: ceramic
Dielectric: C0G (NP0)
Capacitance: 8.2nF
Operating voltage: 630V
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AL02FT10N8 VIKING-AL.pdf
AL02FT10N8
Hersteller: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 10.8nH; 200mA; 1.35Ω; ±1%
Mounting: SMD
Operating current: 0.2A
Inductance: 10.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 13
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 4.5GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 1.35Ω
Tolerance: ±1%
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AL02FT10N8 VIKING-AL.pdf
AL02FT10N8
Hersteller: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 10.8nH; 200mA; 1.35Ω; ±1%
Mounting: SMD
Operating current: 0.2A
Inductance: 10.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 13
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 4.5GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 1.35Ω
Tolerance: ±1%
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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