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1210N822J500CT 1210N822J500CT Walsin WTC_MLCC_General_Purpose-1534899.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 8200pF +-5% 50V
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FDBL0210N80 FDBL0210N80 onsemi / Fairchild fdbl0210n80-d.pdf MOSFETs Code D IMR
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IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
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IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS media-3322078.pdf MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
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IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 288 Stücke:
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16+4.68 EUR
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IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 288 Stücke:
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11+6.81 EUR
16+4.68 EUR
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510+4.26 EUR
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IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS media-3322078.pdf MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
auf Bestellung 9 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X IXFN110N85X IXYS media-3322450.pdf MOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
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IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS media-3322078.pdf MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
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1+8.5 EUR
10+4.8 EUR
100+4.79 EUR
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STD110N8F6 STMicroelectronics en.DM00151073.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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2500+1.27 EUR
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STD110N8F6 STD110N8F6 STMicroelectronics en.DM00151073.pdf MOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
auf Bestellung 12530 Stücke:
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2+1.63 EUR
10+1.39 EUR
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1000+1.24 EUR
2500+1.14 EUR
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STF10N80K5 STF10N80K5 STMicroelectronics en.DM00122529.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6 EUR
10+3.91 EUR
100+3.08 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFU10N80K5 STFU10N80K5 STMicroelectronics en.DM00122529.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+4.03 EUR
100+2.96 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH10N80K5-2AG STH10N80K5-2AG STMicroelectronics sth10n80k5-2ag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 800V, 0.60 Ohm 8A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+4.96 EUR
100+3.89 EUR
500+3.45 EUR
1000+2.94 EUR
2000+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STO-01T-110N-8 STO-01T-110N-8 JST Commercial eTAB_ON_IN_CHAIN-3476910.pdf Terminals TAB-ON TERMINAL STO-110 SERIES
auf Bestellung 17017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.16 EUR
40+0.072 EUR
48+0.06 EUR
100+0.055 EUR
250+0.046 EUR
1000+0.04 EUR
2500+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STO-41T-110N-8 JST Commercial eTAB_ON_IN_CHAIN-3476907.pdf Automotive Connectors TAB-ON CHAIN TERMINAL
auf Bestellung 17811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.16 EUR
36+0.079 EUR
43+0.067 EUR
100+0.058 EUR
250+0.049 EUR
1000+0.042 EUR
2500+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 STP10N80K5 STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
16+4.46 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.69 EUR
44+1.63 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
52+1.4 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G Microchip TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
44+1.63 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
52+1.4 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510N8-G Microchip Technology TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442100.pdf MOSFETs 100V 1.5Ohm
auf Bestellung 7633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
25+1.8 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G TP2510N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED484E423C0FD6C21EC&compId=tp2510.pdf?ci_sign=c65f57e7f5e08fd7e06791453b60d2edf7de89f8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -480mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.5A
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.59 EUR
51+1.42 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G Microchip TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G TP2510N8-G Microchip Technology TP2510_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3445595.pdf MOSFETs 100V 3.5Ohm
auf Bestellung 5375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
25+2.02 EUR
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.96 EUR
46+1.56 EUR
61+1.17 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.29 EUR
38+1.9 EUR
47+1.53 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80D1B WML10N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+0.92 EUR
96+0.75 EUR
111+0.64 EUR
118+0.61 EUR
250+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80M3 WML10N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
68+1.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO10N80M3 WMO10N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2191 Stücke:
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95+0.76 EUR
104+0.69 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
250+0.6 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80 Fairchild FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQA10N80.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C FAIRCHILD FQA10N80C.pdf 2005 TO-3P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109 ON Semiconductor fqa10n80c_f109-d.pdf
auf Bestellung 11250 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FUS10N878A 04+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSV3110N-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTP10N80
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSF10N80A FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 5800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80A SEC
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS10N80
auf Bestellung 5600 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80FI
auf Bestellung 38 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6 en.DM00130827.pdf
auf Bestellung 8 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH8PF10N+8H5FN TI 02+ TQFP;
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VN1310N8-P024
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Переключатель ПГ-3В 5П10Н (87г)
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B64290L0618X087 EPCOS r_25_3_14_8_10_0.pdf Сердечник R25,3/14,8/10 N87 мю=2200±25% Al=2360±25% F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 3374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B65813J0000R087 EPCOS rm_10.pdf Сердечник RM10 N87 мю=1500 AL=4200±25 F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B65813J0250A087 EPCOS rm_10.pdf Сердечник RM10 N87 мю=92 Al=250 d=0,44мм F~0,025…0,5 МГц
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+16.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0000X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=2200±25% F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0100X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=621 d=0,1±0,02мм F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0200X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=281 AL=383 d=0,2±0,02мм F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0500X187 EPCOS etd_29_16_10.pdf Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=148 d=0,5±0,05мм AL=201 F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 1144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66453K0000X187 EPCOS elp_18_4_10.pdf Сердечник I18/2/10 N87 AL=2900±25% мю=1180 F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8011 (VS-SC10N-8)
Produktcode: 150639
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FKPFFKPF10N80
Produktcode: 46089
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6
Produktcode: 122622
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en.DM00130827.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1210N822J500CT WTC_MLCC_General_Purpose-1534899.pdf
1210N822J500CT
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 8200pF +-5% 50V
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.74 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
FDBL0210N80
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Code D IMR
auf Bestellung 3824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.36 EUR
10+6.42 EUR
100+5.32 EUR
1000+4.82 EUR
2000+4.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFA10N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFA10N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P media-3322078.pdf
IXFA10N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 9288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.6 EUR
10+4.65 EUR
500+4.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.81 EUR
16+4.68 EUR
17+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3202DD9D8B820&compId=IXFA(H%2CP%2CQ)10N80P.pdf?ci_sign=74d432002548a9e884f59b77ee568fc4a0192e9f
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.81 EUR
16+4.68 EUR
17+4.42 EUR
510+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80P media-3322078.pdf
IXFH10N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.66 EUR
10+5.84 EUR
510+5.53 EUR
1020+5.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+92.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA717BF78FC3820&compId=IXFN110N85X.pdf?ci_sign=85a84830f40ac335953053a978c96cf3d1863395
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1170W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 205ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate charge: 425nC
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+92.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN110N85X media-3322450.pdf
IXFN110N85X
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+115.12 EUR
10+113.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80P media-3322078.pdf
IXFP10N80P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.5 EUR
10+4.8 EUR
100+4.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD110N8F6 en.DM00151073.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD110N8F6 en.DM00151073.pdf
STD110N8F6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
auf Bestellung 12530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.63 EUR
10+1.39 EUR
100+1.34 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF10N80K5 en.DM00122529.pdf
STF10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6 EUR
10+3.91 EUR
100+3.08 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STFU10N80K5 en.DM00122529.pdf
STFU10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.14 EUR
10+4.03 EUR
100+2.96 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STH10N80K5-2AG sth10n80k5-2ag.pdf
STH10N80K5-2AG
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 800V, 0.60 Ohm 8A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.52 EUR
10+4.96 EUR
100+3.89 EUR
500+3.45 EUR
1000+2.94 EUR
2000+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STO-01T-110N-8 eTAB_ON_IN_CHAIN-3476910.pdf
STO-01T-110N-8
Hersteller: JST Commercial
Terminals TAB-ON TERMINAL STO-110 SERIES
auf Bestellung 17017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+0.16 EUR
40+0.072 EUR
48+0.06 EUR
100+0.055 EUR
250+0.046 EUR
1000+0.04 EUR
2500+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STO-41T-110N-8 eTAB_ON_IN_CHAIN-3476907.pdf
Hersteller: JST Commercial
Automotive Connectors TAB-ON CHAIN TERMINAL
auf Bestellung 17811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+0.16 EUR
36+0.079 EUR
43+0.067 EUR
100+0.058 EUR
250+0.049 EUR
1000+0.042 EUR
2500+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
STP10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80K5 stp10n80k5.pdf
STP10N80K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
16+4.46 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
44+1.63 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
52+1.4 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
Hersteller: Microchip
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005950A.pdf
TN2510N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 730mA; Idm: 5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 730mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
44+1.63 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
52+1.4 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TN2510N8-G TN2510_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442100.pdf
TN2510N8-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 100V 1.5Ohm
auf Bestellung 7633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.15 EUR
25+1.8 EUR
100+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED484E423C0FD6C21EC&compId=tp2510.pdf?ci_sign=c65f57e7f5e08fd7e06791453b60d2edf7de89f8
TP2510N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -480mA; Idm: -2.5A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -480mA
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -2.5A
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
51+1.42 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
100+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G TP2510-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005965.pdf
Hersteller: Microchip
P-MOSFET 100V 480mA 3.5mΩ 1.6W TP2510N8-G Microchip Tech TTP2510n8
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8-G TP2510_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3445595.pdf
TP2510N8-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 100V 3.5Ohm
auf Bestellung 5375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.45 EUR
25+2.02 EUR
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
46+1.56 EUR
61+1.17 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMK10N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57
WMK10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
38+1.9 EUR
47+1.53 EUR
75+0.96 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80D1B
WML10N80D1B
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 62.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
96+0.75 EUR
111+0.64 EUR
118+0.61 EUR
250+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML10N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57
WML10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
68+1.06 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
100+0.83 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMO10N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDBC9574E7020C4&compId=WMx10N80M3.pdf?ci_sign=c8761bd1e990f7fb61ff60a384d39e1833272d57
WMO10N80M3
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
104+0.69 EUR
111+0.65 EUR
117+0.61 EUR
250+0.6 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80 FAIRS24245-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQA10N80.pdf
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C FQA10N80C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109 fqa10n80c_f109-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 11250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FUS10N878A
04+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KSV3110N-8
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTP10N80
auf Bestellung 3355 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSF10N80A FAIRS06924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSH10N80A
Hersteller: SEC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS10N80
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10N80FI
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6 en.DM00130827.pdf
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TH8PF10N+8H5FN
Hersteller: TI
02+ TQFP;
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TP2510N8T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VN1310N8-P024
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Переключатель ПГ-3В 5П10Н (87г)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B64290L0618X087 r_25_3_14_8_10_0.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник R25,3/14,8/10 N87 мю=2200±25% Al=2360±25% F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 3374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B65813J0000R087 rm_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник RM10 N87 мю=1500 AL=4200±25 F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B65813J0250A087 rm_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник RM10 N87 мю=92 Al=250 d=0,44мм F~0,025…0,5 МГц
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0000X187 etd_29_16_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=2200±25% F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0100X187 etd_29_16_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=1610 AL=621 d=0,1±0,02мм F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0200X187 etd_29_16_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=281 AL=383 d=0,2±0,02мм F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66358G0500X187 etd_29_16_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник ETD29/16/10 N87 мю=148 d=0,5±0,05мм AL=201 F~0,025…0,3МГц
auf Bestellung 1144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66453K0000X187 elp_18_4_10.pdf
Hersteller: EPCOS
Сердечник I18/2/10 N87 AL=2900±25% мю=1180 F~0,025…0,5МГц
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
8011 (VS-SC10N-8)
Produktcode: 150639
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FKPFFKPF10N80
Produktcode: 46089
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6
Produktcode: 122622
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en.DM00130827.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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