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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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12pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N120J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 1205
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Lieblingsprodukt
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Hitano |
 Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805Kapazität: 12pF Nennspannung: 50V Dielektrikum: NP0 Präzision: ±5% J Größentyp: 0805 № 7: 8532240000 |
auf Bestellung 1505 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) erwartet 4000 St.: 4000 St. - erwartet |
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FGA25N120ANTD Produktcode: 34959
2
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Lieblingsprodukt
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FAIR |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-3P Vces: 1200 Vce: 2 Ic 25: 50 Ic 100: 25 Pd 25: 312 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190 |
auf Bestellung 120 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NGTB15N120FL2WG Produktcode: 172890
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10 St.
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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0805N120J101CT | Walsin |
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 100V |
auf Bestellung 1020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1455N1201 | HAMMOND |
Category: Enclosures with Panel Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium Type of enclosure: with panel Body colour: grey Panel colour: grey Frame colour: black Panel material: aluminium Enclosure material: aluminium Dimension Z: 53mm Dimension X: 103mm Dimension Y: 120mm Manufacturer series: 1455 |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1455N1201 | HAMMOND |
Panel enclosure 1455 series; Aluminium; Grey; 120x103x53mm; 1455N1201 Hammond OB HM-1455N1201 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1455N1201 | Hammond Manufacturing |
Enclosures, Boxes & Cases 4.8x4.1x2.1"Extruded wMetalEnds Clear |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1455N1201BK | HAMMOND |
Category: Enclosures with Panel Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium Type of enclosure: with panel Body colour: black Panel colour: black Frame colour: black Panel material: aluminium Enclosure material: aluminium Dimension Z: 53mm Dimension X: 103mm Dimension Y: 120mm Manufacturer series: 1455 |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1455N1201BU | Hammond Manufacturing |
Enclosures, Boxes & Cases Metal End Panel/Blue 4.72 x 2.09 x 4.06" |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1455N1202 | HAMMOND |
Category: Enclosures with Panel Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium Manufacturer series: 1455 Enclosure material: aluminium Dimension Z: 53mm Dimension X: 103mm Dimension Y: 120mm Panel material: ABS Panel colour: black Body colour: grey Type of enclosure: with panel |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1455N1202BK | HAMMOND |
Category: Enclosures with Panel Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium Manufacturer series: 1455 Enclosure material: aluminium Dimension Z: 53mm Dimension X: 103mm Dimension Y: 120mm Panel material: ABS Panel colour: black Body colour: black Type of enclosure: with panel |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AIGBG15N120S7ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology |
auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BGH75N120HF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-off time: 443ns Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 568W Collector current: 75A Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 140ns Gate charge: 398nC |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C0805N120J500NT-Hitano 12 пкФ 50 В | Hitano | 0805 NP0 5% Конденсатори |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGB15N120S7ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGQ75N120S7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW15N120H3 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Kind of package: tube Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 217W |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW15N120H3FKSA1 | Infineon |
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ 3 Manufacturer series: H3 |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Infineon |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 3715 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW25N120H3XK | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW15N120E1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Case: TO247-3 Technology: TRENCHSTOP™ RC Kind of package: tube Turn-on time: 1940ns Gate charge: 90nC Turn-off time: 1450ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 62.2W |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW15N120R3 | Infineon |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IHW15N120R3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Case: TO247-3 Technology: TRENCHSTOP™ RC Kind of package: tube Gate charge: 165nC Turn-off time: 346ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 127W |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW25N120E1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 92.4W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ RC Turn-off time: 2004ns |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKQ75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKQ75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package |
auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKQ75N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 530nC Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 440W Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: TRENCHSTOP™ 6 Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: PG-TO247-3-46 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKQ75N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKQ75N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package |
auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKQ75N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package |
auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3 | Infineon |
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Kind of package: tube Gate charge: 75nC Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 217W |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW15N120H3FKSA1 | Infineon |
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW15N120T2 | Infineon |
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW15N120T2 | Infineon Technologies |
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 Technology: TRENCHSTOP™ 2 Kind of package: tube Turn-on time: 57ns Gate charge: 93nC Turn-off time: 457ns Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 235W |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3 Collector current: 37A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Technology: TRENCHSTOP™ Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 490ns Power dissipation: 125W Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 150nC Turn-on time: 38ns |
auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3 | Infineon |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3XK | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C; IKW25N120T2 TIKW25n120t2 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKY75N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKY75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKZA75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFN75N120SK | IXYS |
MOSFET Modules MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXSA65N120L2-7TR | IXYS |
SiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L |
auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXSH65N120L2KHV | IXYS |
SiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L |
auf Bestellung 537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXSJ25N120R1 | IXYS |
SiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L |
auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYH55N120A4 | IXYS |
IGBTs Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO247 |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYH55N120B4H1 | IXYS |
IGBTs IXYH55N120B4H1 |
auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYH55N120C4 | IXYS |
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247 |
auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| 12pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N120J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 1205
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 12pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 12pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
auf Bestellung 1505 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 St.:
4000 St. - erwartet| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.0078 EUR |
| 1000+ | 0.0067 EUR |
| 10000+ | 0.0062 EUR |
| FGA25N120ANTD Produktcode: 34959
2
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
auf Bestellung 120 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.7 EUR |
| NGTB15N120FL2WG Produktcode: 172890
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10 St.
- 10 St. - erwartet
| 0805N120J101CT |
|
Hersteller: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 100V
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 100V
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.4 EUR |
| 20+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.079 EUR |
| 500+ | 0.051 EUR |
| 1000+ | 0.039 EUR |
| 2000+ | 0.025 EUR |
| 4000+ | 0.019 EUR |
| 1455N1201 |
|
Hersteller: HAMMOND
Category: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium
Type of enclosure: with panel
Body colour: grey
Panel colour: grey
Frame colour: black
Panel material: aluminium
Enclosure material: aluminium
Dimension Z: 53mm
Dimension X: 103mm
Dimension Y: 120mm
Manufacturer series: 1455
Category: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium
Type of enclosure: with panel
Body colour: grey
Panel colour: grey
Frame colour: black
Panel material: aluminium
Enclosure material: aluminium
Dimension Z: 53mm
Dimension X: 103mm
Dimension Y: 120mm
Manufacturer series: 1455
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 23.02 EUR |
| 5+ | 19.32 EUR |
| 45+ | 17.92 EUR |
| 1455N1201 |
|
Hersteller: HAMMOND
Panel enclosure 1455 series; Aluminium; Grey; 120x103x53mm; 1455N1201 Hammond OB HM-1455N1201
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Panel enclosure 1455 series; Aluminium; Grey; 120x103x53mm; 1455N1201 Hammond OB HM-1455N1201
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 47.87 EUR |
| 1455N1201 |
|
Hersteller: Hammond Manufacturing
Enclosures, Boxes & Cases 4.8x4.1x2.1"Extruded wMetalEnds Clear
Enclosures, Boxes & Cases 4.8x4.1x2.1"Extruded wMetalEnds Clear
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 48.84 EUR |
| 5+ | 43.42 EUR |
| 10+ | 40.57 EUR |
| 25+ | 37.12 EUR |
| 50+ | 34.69 EUR |
| 100+ | 34.36 EUR |
| 1455N1201BK |
|
Hersteller: HAMMOND
Category: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium
Type of enclosure: with panel
Body colour: black
Panel colour: black
Frame colour: black
Panel material: aluminium
Enclosure material: aluminium
Dimension Z: 53mm
Dimension X: 103mm
Dimension Y: 120mm
Manufacturer series: 1455
Category: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium
Type of enclosure: with panel
Body colour: black
Panel colour: black
Frame colour: black
Panel material: aluminium
Enclosure material: aluminium
Dimension Z: 53mm
Dimension X: 103mm
Dimension Y: 120mm
Manufacturer series: 1455
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 25.78 EUR |
| 10+ | 21.49 EUR |
| 1455N1201BU |
|
Hersteller: Hammond Manufacturing
Enclosures, Boxes & Cases Metal End Panel/Blue 4.72 x 2.09 x 4.06"
Enclosures, Boxes & Cases Metal End Panel/Blue 4.72 x 2.09 x 4.06"
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 47.43 EUR |
| 5+ | 44.32 EUR |
| 10+ | 41.98 EUR |
| 25+ | 39.16 EUR |
| 50+ | 38.05 EUR |
| 100+ | 37.51 EUR |
| 500+ | 36.31 EUR |
| 1455N1202 |
|
Hersteller: HAMMOND
Category: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium
Manufacturer series: 1455
Enclosure material: aluminium
Dimension Z: 53mm
Dimension X: 103mm
Dimension Y: 120mm
Panel material: ABS
Panel colour: black
Body colour: grey
Type of enclosure: with panel
Category: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium
Manufacturer series: 1455
Enclosure material: aluminium
Dimension Z: 53mm
Dimension X: 103mm
Dimension Y: 120mm
Panel material: ABS
Panel colour: black
Body colour: grey
Type of enclosure: with panel
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 23.84 EUR |
| 1455N1202BK |
|
Hersteller: HAMMOND
Category: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium
Manufacturer series: 1455
Enclosure material: aluminium
Dimension Z: 53mm
Dimension X: 103mm
Dimension Y: 120mm
Panel material: ABS
Panel colour: black
Body colour: black
Type of enclosure: with panel
Category: Enclosures with Panel
Description: Enclosure: with panel; 1455; X: 103mm; Y: 120mm; Z: 53mm; aluminium
Manufacturer series: 1455
Enclosure material: aluminium
Dimension Z: 53mm
Dimension X: 103mm
Dimension Y: 120mm
Panel material: ABS
Panel colour: black
Body colour: black
Type of enclosure: with panel
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 23.17 EUR |
| 10+ | 19.3 EUR |
| AIGBG15N120S7ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.28 EUR |
| 10+ | 4.12 EUR |
| 100+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| 1000+ | 2.25 EUR |
| 2000+ | 2.24 EUR |
| BGH75N120HF1 |
|
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 443ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 568W
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 140ns
Gate charge: 398nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 443ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 568W
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 140ns
Gate charge: 398nC
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 14.3 EUR |
| C0805N120J500NT-Hitano 12 пкФ 50 В |
Hersteller: Hitano
0805 NP0 5% Конденсатори
0805 NP0 5% Конденсатори
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 77+ | 0.066 EUR |
| IGB15N120S7ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.68 EUR |
| 10+ | 3.71 EUR |
| 100+ | 2.69 EUR |
| 500+ | 2.25 EUR |
| 1000+ | 2.09 EUR |
| IGQ75N120S7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.46 EUR |
| 10+ | 7.96 EUR |
| 100+ | 6.71 EUR |
| 480+ | 6.34 EUR |
| IGW15N120H3 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.18 EUR |
| 10+ | 4.15 EUR |
| 100+ | 3.34 EUR |
| 480+ | 2.78 EUR |
| 1200+ | 2.46 EUR |
| 5040+ | 2.38 EUR |
| IGW15N120H3FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.42 EUR |
| 25+ | 2.89 EUR |
| 28+ | 2.63 EUR |
| 30+ | 2.43 EUR |
| IGW15N120H3FKSA1 |
|
Hersteller: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 9.48 EUR |
| IGW25N120H3FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 5.16 EUR |
| 17+ | 4.38 EUR |
| IGW25N120H3FKSA1 |
|
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 13.89 EUR |
| IGW25N120H3FKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 3715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.19 EUR |
| 10+ | 6 EUR |
| 100+ | 4.42 EUR |
| 480+ | 3.94 EUR |
| 1200+ | 3.5 EUR |
| IGW25N120H3XK |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.94 EUR |
| 10+ | 5.86 EUR |
| 100+ | 4.38 EUR |
| 480+ | 3.64 EUR |
| 1200+ | 3.4 EUR |
| 2640+ | 3.19 EUR |
| IHW15N120E1XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 26+ | 2.76 EUR |
| 37+ | 1.96 EUR |
| 41+ | 1.76 EUR |
| IHW15N120R3 |
|
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 5.89 EUR |
| IHW15N120R3FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 3.93 EUR |
| 25+ | 2.9 EUR |
| 30+ | 2.42 EUR |
| 120+ | 2.23 EUR |
| IHW25N120E1XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.52 EUR |
| 21+ | 3.4 EUR |
| IKQ75N120CH3XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 18.97 EUR |
| 10+ | 11.44 EUR |
| 100+ | 10.68 EUR |
| IKQ75N120CH7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.5 EUR |
| 10+ | 8.13 EUR |
| 100+ | 7.29 EUR |
| IKQ75N120CS6XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 530nC
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 440W
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: PG-TO247-3-46
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 530nC
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 440W
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: PG-TO247-3-46
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 8.05 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| IKQ75N120CS6XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 14.19 EUR |
| 10+ | 8.18 EUR |
| 100+ | 6.6 EUR |
| 480+ | 6.58 EUR |
| IKQ75N120CS7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 17.02 EUR |
| 10+ | 10.12 EUR |
| 100+ | 8.61 EUR |
| IKQ75N120CT2XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 18.96 EUR |
| 10+ | 11.42 EUR |
| 100+ | 10.44 EUR |
| 480+ | 9.73 EUR |
| IKW15N120BH6XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.6 EUR |
| 10+ | 3.52 EUR |
| 100+ | 2.55 EUR |
| 480+ | 2.13 EUR |
| 1200+ | 1.97 EUR |
| 2640+ | 1.87 EUR |
| IKW15N120CS7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.97 EUR |
| 10+ | 4.47 EUR |
| 100+ | 3.7 EUR |
| 480+ | 3.19 EUR |
| IKW15N120H3 |
|
Hersteller: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 11.35 EUR |
| IKW15N120H3 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.36 EUR |
| 10+ | 5.47 EUR |
| 100+ | 4.08 EUR |
| 480+ | 3.41 EUR |
| 1200+ | 3.17 EUR |
| 2640+ | 2.97 EUR |
| IKW15N120H3FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 5.23 EUR |
| 15+ | 4.76 EUR |
| IKW15N120H3FKSA1 |
|
Hersteller: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 11.35 EUR |
| IKW15N120T2 |
|
Hersteller: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 11.74 EUR |
| IKW15N120T2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.75 EUR |
| 10+ | 5.9 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
| 480+ | 3.59 EUR |
| IKW15N120T2FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 5.08 EUR |
| 17+ | 4.3 EUR |
| IKW25N120CS7XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Collector current: 37A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 490ns
Power dissipation: 125W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Turn-on time: 38ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Collector current: 37A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 490ns
Power dissipation: 125W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Turn-on time: 38ns
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 4.89 EUR |
| 19+ | 3.8 EUR |
| 30+ | 3.63 EUR |
| IKW25N120H3 |
|
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 12.38 EUR |
| IKW25N120H3 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.52 EUR |
| 10+ | 6.88 EUR |
| 100+ | 5.07 EUR |
| 480+ | 4.49 EUR |
| 1200+ | 4.01 EUR |
| IKW25N120H3FKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.35 EUR |
| 10+ | 6.93 EUR |
| 100+ | 5.56 EUR |
| 480+ | 4.95 EUR |
| 1200+ | 4.38 EUR |
| IKW25N120H3XK |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.52 EUR |
| 10+ | 6.28 EUR |
| 100+ | 4.7 EUR |
| 480+ | 4.28 EUR |
| 1200+ | 4.01 EUR |
| IKW25N120T2FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 6.11 EUR |
| 14+ | 5.18 EUR |
| 20+ | 4.62 EUR |
| 30+ | 4.56 EUR |
| IKW25N120T2FKSA1 |
|
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C; IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C; IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 12.19 EUR |
| IKW75N120CH7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.72 EUR |
| 10+ | 8.1 EUR |
| 100+ | 6.83 EUR |
| 480+ | 6.65 EUR |
| IKY75N120CH3XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 19.25 EUR |
| 10+ | 11.62 EUR |
| 100+ | 10.89 EUR |
| IKY75N120CH7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12.09 EUR |
| 10+ | 8.76 EUR |
| 100+ | 7.94 EUR |
| 480+ | 7.52 EUR |
| IKZA75N120CH7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 14.94 EUR |
| 10+ | 10.54 EUR |
| 100+ | 8.8 EUR |
| 480+ | 7.83 EUR |
| 1200+ | 7.3 EUR |
| IXFN75N120SK |
|
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B
MOSFET Modules MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 98.63 EUR |
| 10+ | 81.77 EUR |
| IXSA65N120L2-7TR |
|
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
SiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 18.22 EUR |
| 10+ | 12.88 EUR |
| 100+ | 10.74 EUR |
| 500+ | 9.38 EUR |
| 800+ | 9.06 EUR |
| IXSH65N120L2KHV |
|
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
SiC MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 18.6 EUR |
| 10+ | 13.25 EUR |
| 100+ | 9.82 EUR |
| 450+ | 9.63 EUR |
| 900+ | 9.31 EUR |
| IXSJ25N120R1 |
|
Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
SiC MOSFETs 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 24.5 EUR |
| 10+ | 15.03 EUR |
| 120+ | 13.85 EUR |
| IXYH55N120A4 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO247
IGBTs Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO247
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 17.56 EUR |
| 10+ | 10.67 EUR |
| 120+ | 9.1 EUR |
| 510+ | 8.94 EUR |
| IXYH55N120B4H1 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs IXYH55N120B4H1
IGBTs IXYH55N120B4H1
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 25.89 EUR |
| 10+ | 16.05 EUR |
| 120+ | 14.56 EUR |
| IXYH55N120C4 |
|
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 17.78 EUR |
| 10+ | 12.57 EUR |
| 120+ | 11.05 EUR |
| 510+ | 10.1 EUR |
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