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FGA25N120ANTD FGA25N120ANTD
Produktcode: 34959 		FAIR FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
auf Bestellung 182 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.7 EUR
25N120
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120ANTDTU-F109 FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi / Fairchild FGA25N120ANTDTU_D-2313488.pdf IGBT Transistors Copak Discrete
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 1536-1540 Tag (e)
1+6.35 EUR
10+ 5.33 EUR
25+ 5.03 EUR
100+ 4.33 EUR
250+ 4.08 EUR
450+ 3.84 EUR
IGW25N120H3 IGW25N120H3 Infineon Technologies Infineon_IGW25N120H3_DataSheet_v02_01_EN-3361597.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.54 EUR
10+ 7.15 EUR
25+ 6.76 EUR
100+ 5.79 EUR
240+ 5.46 EUR
480+ 5.14 EUR
1200+ 4.38 EUR
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.65 EUR
12+ 5.98 EUR
16+ 4.5 EUR
17+ 4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IGW25N120H3FKSA1 Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e 50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+13.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.65 EUR
12+ 5.98 EUR
16+ 4.5 EUR
17+ 4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW25N120H3_DataSheet_v02_01_EN-3361597.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 4013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.5 EUR
10+ 8.31 EUR
25+ 6.76 EUR
100+ 5.79 EUR
240+ 5.72 EUR
480+ 4.38 EUR
1200+ 4.14 EUR
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 3112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.45 EUR
30+ 6.7 EUR
120+ 5.74 EUR
510+ 5.1 EUR
1020+ 4.37 EUR
2010+ 4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw25n120h3-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW25N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2acb89b20c1 Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.35 EUR
30+ 4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW25N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362415.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5 EUR
10+ 4.68 EUR
25+ 3.98 EUR
100+ 3.52 EUR
480+ 2.78 EUR
1200+ 2.62 EUR
2640+ 2.6 EUR
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449262.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.02 EUR
10+ 10.89 EUR
25+ 8.45 EUR
100+ 7.57 EUR
240+ 7.53 EUR
480+ 5.67 EUR
1200+ 5.42 EUR
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.93 EUR
30+ 7.93 EUR
120+ 7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw25n120cs7-datasheet-v01_00-en.pdf SP005419560
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW25N120H3 Infineon 50A; 1200V; 326W; IGBT w/ Diode IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW25N120H3 IKW25N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362167.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.08 EUR
10+ 8.64 EUR
25+ 7.83 EUR
100+ 7.2 EUR
240+ 6.76 EUR
480+ 6.34 EUR
1200+ 5.7 EUR
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+ 23.84 EUR
7+ 10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362167.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.54 EUR
10+ 9.49 EUR
25+ 7.69 EUR
100+ 7.04 EUR
240+ 7.02 EUR
480+ 5.7 EUR
1200+ 5.44 EUR
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10 EUR
30+ 7.98 EUR
120+ 7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW25N120H3XK IKW25N120H3XK Infineon Technologies Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-1226178.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+ 8.25 EUR
25+ 7.53 EUR
100+ 6.99 EUR
240+ 6.6 EUR
480+ 6.21 EUR
1200+ 5.7 EUR
IKW25N120T2 IKW25N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362263.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.63 EUR
10+ 9.52 EUR
25+ 7.62 EUR
100+ 7.15 EUR
240+ 7.13 EUR
480+ 5.86 EUR
1200+ 5.61 EUR
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.87 EUR
10+ 7.34 EUR
11+ 6.94 EUR
100+ 6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IKW25N120T2FKSA1 Infineon IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.87 EUR
10+ 7.34 EUR
11+ 6.94 EUR
100+ 6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.3 EUR
30+ 8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRG8P25N120KD-EPBF IRG8P25N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRG8P25N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 9825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
73+6.73 EUR
Mindestbestellmenge: 73
IRG8P25N120KDPBF IRG8P25N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 13927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
87+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 87
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA-BP Micro Commercial Co MIW25N120FA(TO-247AB).pdf Description: IGBT 1200V 25A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 158ns/331ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.55 EUR
10+ 7.18 EUR
100+ 5.81 EUR
500+ 5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW25N120FA_TO_247AB_-3044631.pdf IGBT Transistors
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.62 EUR
10+ 7.23 EUR
25+ 6.85 EUR
100+ 5.86 EUR
250+ 5.53 EUR
500+ 5.21 EUR
1000+ 4.47 EUR
NGTB25N120FL2WAG NGTB25N120FL2WAG onsemi ngtb25n120fl2wa-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 8762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
118+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 118
NGTB25N120FL2WG onsemi NGTB25N120FL2W_D-2318216.pdf IGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 422 Stücke:
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1+11.79 EUR
10+ 10.1 EUR
30+ 9.17 EUR
120+ 8.41 EUR
180+ 7.92 EUR
540+ 7.43 EUR
1080+ 6.67 EUR
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG onsemi ngtb25n120fl2w-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 5 Stücke:
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2+11.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG onsemi ngtb25n120fl2w-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 6390 Stücke:
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70+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 70
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG onsemi ngtb25n120fl3w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 481919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.01 EUR
30+ 7.99 EUR
120+ 7.15 EUR
510+ 6.31 EUR
1020+ 5.68 EUR
2010+ 5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG onsemi NGTB25N120FL3W_D-2317650.pdf IGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
auf Bestellung 181 Stücke:
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1+10.08 EUR
10+ 9.98 EUR
30+ 8.04 EUR
120+ 7.13 EUR
180+ 6.35 EUR
540+ 5.72 EUR
1080+ 5.44 EUR
NGTG25N120FL2WG NGTG25N120FL2WG onsemi ONSMS38797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 48084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
113+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 113
SGW25N120FKSA1 SGW25N120FKSA1 Infineon Technologies sgw25n120_rev2g_1.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
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SKW25N120 SKW25N120 INFINEON TECHNOLOGIES SKW25N120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.78 EUR
6+ 13.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SKW25N120 SKW25N120 INFINEON TECHNOLOGIES SKW25N120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.78 EUR
6+ 13.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
6MBI25N-120 FUJI MODULE
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120AN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga25n120antdtu-d.pdf
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120D FAIRCHILD 2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGH25N120FTDS ON Semiconductor fgh25n120ftds-d.pdf
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQA25N120D XI.M.Z 2002 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
G25N120 TOSHIBA 2002 TO-3PL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
G25N120CND FAIR ZIP-3;
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGW25N120H3FKSA1 Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IHW25N120 MODULE
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IHW25N120R2 Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MGY25N120CX
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NGTB25N120SWG ON Semiconductor ngtb25n120sw-d.pdf
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SDH25N120P SW 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SDL25N120P SW 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGA25N120ANTD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGH25N120RUF
auf Bestellung 6491 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGH25N120RUFD
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120ANTD
Produktcode: 34959		 FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf
FGA25N120ANTD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
auf Bestellung 182 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.7 EUR
25N120
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120ANTDTU-F109 FGA25N120ANTDTU_D-2313488.pdf
FGA25N120ANTDTU-F109
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors Copak Discrete
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 1536-1540 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.35 EUR
10+ 5.33 EUR
25+ 5.03 EUR
100+ 4.33 EUR
250+ 4.08 EUR
450+ 3.84 EUR
IGW25N120H3 Infineon_IGW25N120H3_DataSheet_v02_01_EN-3361597.pdf
IGW25N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+8.54 EUR
10+ 7.15 EUR
25+ 6.76 EUR
100+ 5.79 EUR
240+ 5.46 EUR
480+ 5.14 EUR
1200+ 4.38 EUR
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3-DTE.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+6.65 EUR
12+ 5.98 EUR
16+ 4.5 EUR
17+ 4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
Hersteller: Infineon
50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+13.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3-DTE.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+6.65 EUR
12+ 5.98 EUR
16+ 4.5 EUR
17+ 4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IGW25N120H3FKSA1 Infineon_IGW25N120H3_DataSheet_v02_01_EN-3361597.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 4013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+8.5 EUR
10+ 8.31 EUR
25+ 6.76 EUR
100+ 5.79 EUR
240+ 5.72 EUR
480+ 4.38 EUR
1200+ 4.14 EUR
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 3112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+8.45 EUR
30+ 6.7 EUR
120+ 5.74 EUR
510+ 5.1 EUR
1020+ 4.37 EUR
2010+ 4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IGW25N120H3FKSA1 infineon-igw25n120h3-datasheet-v02_01-en.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IHW25N120E1XKSA1 Infineon-IHW25N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2acb89b20c1
IHW25N120E1XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.35 EUR
30+ 4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IHW25N120E1XKSA1 Infineon_IHW25N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362415.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5 EUR
10+ 4.68 EUR
25+ 3.98 EUR
100+ 3.52 EUR
480+ 2.78 EUR
1200+ 2.62 EUR
2640+ 2.6 EUR
IKW25N120CS7XKSA1 Infineon_IKW25N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449262.pdf
IKW25N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+12.02 EUR
10+ 10.89 EUR
25+ 8.45 EUR
100+ 7.57 EUR
240+ 7.53 EUR
480+ 5.67 EUR
1200+ 5.42 EUR
IKW25N120CS7XKSA1 Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3
IKW25N120CS7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+9.93 EUR
30+ 7.93 EUR
120+ 7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW25N120CS7XKSA1 infineon-ikw25n120cs7-datasheet-v01_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SP005419560
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW25N120H3
Hersteller: Infineon
50A; 1200V; 326W; IGBT w/ Diode IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+12.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5
IKW25N120H3 Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362167.pdf
IKW25N120H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.08 EUR
10+ 8.64 EUR
25+ 7.83 EUR
100+ 7.2 EUR
240+ 6.76 EUR
480+ 6.34 EUR
1200+ 5.7 EUR
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+35.75 EUR
3+ 23.84 EUR
7+ 10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW25N120H3FKSA1 Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362167.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 219 Stücke:
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1+9.54 EUR
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IKW25N120H3FKSA1 Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4
IKW25N120H3FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 361 Stücke:
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2+10 EUR
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IKW25N120H3XK Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-1226178.pdf
IKW25N120H3XK
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 478 Stücke:
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IKW25N120T2 Infineon_IKW25N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362263.pdf
IKW25N120T2
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
auf Bestellung 1919 Stücke:
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240+ 7.13 EUR
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IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 142 Stücke:
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10+ 7.34 EUR
11+ 6.94 EUR
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IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
Hersteller: Infineon
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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5+14.78 EUR
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IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
7+10.87 EUR
10+ 7.34 EUR
11+ 6.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
IKW25N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 75 Stücke:
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2+10.3 EUR
30+ 8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRG8P25N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P25N120KD-EPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRG8P25N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 9825 Stücke:
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73+6.73 EUR
Mindestbestellmenge: 73
IRG8P25N120KDPBF IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P25N120KDPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 13927 Stücke:
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87+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 87
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA(TO-247AB).pdf
MIW25N120FA-BP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: IGBT 1200V 25A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 158ns/331ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+8.55 EUR
10+ 7.18 EUR
100+ 5.81 EUR
500+ 5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA_TO_247AB_-3044631.pdf
MIW25N120FA-BP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
IGBT Transistors
auf Bestellung 1281 Stücke:
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1+8.62 EUR
10+ 7.23 EUR
25+ 6.85 EUR
100+ 5.86 EUR
250+ 5.53 EUR
500+ 5.21 EUR
1000+ 4.47 EUR
NGTB25N120FL2WAG ngtb25n120fl2wa-d.pdf
NGTB25N120FL2WAG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 8762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
118+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 118
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2W_D-2318216.pdf
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+11.79 EUR
10+ 10.1 EUR
30+ 9.17 EUR
120+ 8.41 EUR
180+ 7.92 EUR
540+ 7.43 EUR
1080+ 6.67 EUR
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
NGTB25N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+11.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
NGTB25N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 6390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
70+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 70
NGTB25N120FL3WG ngtb25n120fl3w-d.pdf
NGTB25N120FL3WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 481919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+10.01 EUR
30+ 7.99 EUR
120+ 7.15 EUR
510+ 6.31 EUR
1020+ 5.68 EUR
2010+ 5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3W_D-2317650.pdf
NGTB25N120FL3WG
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.08 EUR
10+ 9.98 EUR
30+ 8.04 EUR
120+ 7.13 EUR
180+ 6.35 EUR
540+ 5.72 EUR
1080+ 5.44 EUR
NGTG25N120FL2WG ONSMS38797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NGTG25N120FL2WG
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 48084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
113+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 113
SGW25N120FKSA1 sgw25n120_rev2g_1.pdf
SGW25N120FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SKW25N120 SKW25N120.pdf
SKW25N120
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+20.78 EUR
6+ 13.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SKW25N120 SKW25N120.pdf
SKW25N120
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+20.78 EUR
6+ 13.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
6MBI25N-120
Hersteller: FUJI
MODULE
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120AN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120ANTDTU-F109 fga25n120antdtu-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGA25N120D
Hersteller: FAIRCHILD
2005 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGH25N120FTDS fgh25n120ftds-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQA25N120D
Hersteller: XI.M.Z
2002 TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
G25N120
Hersteller: TOSHIBA
2002 TO-3PL
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
G25N120CND
Hersteller: FAIR
ZIP-3;
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IHW25N120
MODULE
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IHW25N120R2
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MGY25N120CX
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NGTB25N120SWG ngtb25n120sw-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SDH25N120P
Hersteller: SW
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SDL25N120P
Hersteller: SW
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGA25N120ANTD
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGH25N120RUF
auf Bestellung 6491 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SGH25N120RUFD
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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