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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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STD6N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STD6N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF36N60M6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 102A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF36N60M6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 102A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF36N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 973 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF6N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF6N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 |
auf Bestellung 2097 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STFU26N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STL16N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STN6N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 27900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN6N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 15948 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP26N60DM6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP36N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP46N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ 36 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP6N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP6N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.9A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW26N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW36N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW56N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW56N60M2-4 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ 52 A MDmesh M2 Power MOSFET |
auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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TK16N60W,S1VF | Toshiba | MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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WML16N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMM16N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMM16N60FD | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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1206N600J500NT |
auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BF96N60 | BYD |
auf Bestellung 3980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DD76N600K | AEG | 05+ |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DT36N600KOC | AEG | 05+ |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DT46N600KOC | AEG | 05+ |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DT56N600KOF | AEG | 05+ |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCB36N60NTM | ON Semiconductor |
auf Bestellung 7897 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCP16N60 |
auf Bestellung 16663 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB6N60 | FAIRCHILD | TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB6N60 | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB6N60 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB6N60 | FAIRCHILD | SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB6N60C | FAIRCHILD | TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB6N60C | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB6N60C | FAIRCHILD | SOT-263 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQD6N60C | fairchild | to-252/d-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQD6N60C | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQD6N60C | FAIRCHILD | SOT-252 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQD6N60CTF | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQD6N60CTF | FAIRCHILD | SOT-252 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQD6N60CTM | FAIRCHILD | SOT-252 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQD6N60CTM | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQP6N60 | FSC |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKA06N60T | INFINEON | TO220 09+ |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKB06N60T | infineon | 07+ |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKB06N60T | INFINEON | 09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKP06N60T | infineon | 07+ |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IKP06N60T | INFINEON | MODULE |
auf Bestellung 200094 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFIB6N60 | IR | 09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFIB6N60 | IR | TO-220 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFIB6N60 | IR | TO-220F |
auf Bestellung 1664 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP26N60L |
auf Bestellung 6800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP26N60LPBF | VISHAY |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXFH26N60 | IXYS |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXFN36N60 | IXYS | 07+; |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IXFN36N60 | IXYS | MODULE |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
STD6N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STD6N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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15+ | 3.51 EUR |
19+ | 2.89 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
500+ | 1.9 EUR |
1000+ | 1.54 EUR |
2500+ | 1.42 EUR |
5000+ | 1.35 EUR |
STF36N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 11.91 EUR |
STF36N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 11.91 EUR |
8+ | 8.94 EUR |
STF36N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 14.74 EUR |
10+ | 12.64 EUR |
25+ | 10.43 EUR |
100+ | 9.36 EUR |
250+ | 9.28 EUR |
500+ | 8.63 EUR |
1000+ | 8.35 EUR |
STF6N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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41+ | 1.76 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
72+ | 1 EUR |
STF6N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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15+ | 3.61 EUR |
18+ | 2.91 EUR |
100+ | 2.29 EUR |
500+ | 1.98 EUR |
1000+ | 1.61 EUR |
2000+ | 1.52 EUR |
5000+ | 1.42 EUR |
STFU26N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 6.58 EUR |
10+ | 5.54 EUR |
25+ | 5.23 EUR |
100+ | 4.47 EUR |
250+ | 4.24 EUR |
500+ | 3.98 EUR |
1000+ | 3.38 EUR |
STL16N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
9+ | 5.9 EUR |
11+ | 4.91 EUR |
100+ | 3.93 EUR |
250+ | 3.9 EUR |
500+ | 3.3 EUR |
1000+ | 2.81 EUR |
3000+ | 2.63 EUR |
STN6N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 27900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STN6N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 15948 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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33+ | 1.62 EUR |
38+ | 1.4 EUR |
100+ | 0.97 EUR |
500+ | 0.81 EUR |
1000+ | 0.69 EUR |
2000+ | 0.62 EUR |
4000+ | 0.57 EUR |
STP26N60DM6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 9.33 EUR |
10+ | 7.83 EUR |
25+ | 4.52 EUR |
STP36N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 16.09 EUR |
10+ | 15.34 EUR |
25+ | 12.22 EUR |
100+ | 10.19 EUR |
500+ | 9.39 EUR |
1000+ | 8.32 EUR |
2000+ | 7.8 EUR |
STP46N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 15.5 EUR |
10+ | 13.31 EUR |
100+ | 11.08 EUR |
500+ | 9.78 EUR |
1000+ | 8.94 EUR |
STP6N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
43+ | 1.67 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
63+ | 1.13 EUR |
STP6N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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43+ | 1.67 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
63+ | 1.13 EUR |
250+ | 1.1 EUR |
STW26N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 7.57 EUR |
10+ | 6.37 EUR |
25+ | 6.01 EUR |
100+ | 5.15 EUR |
250+ | 4.86 EUR |
600+ | 4.34 EUR |
1200+ | 3.69 EUR |
STW36N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 16.77 EUR |
10+ | 15.68 EUR |
25+ | 13.44 EUR |
100+ | 12.09 EUR |
250+ | 10.69 EUR |
600+ | 9.65 EUR |
1200+ | 9.23 EUR |
STW56N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 28.16 EUR |
10+ | 25.92 EUR |
25+ | 20.54 EUR |
100+ | 19.11 EUR |
250+ | 17.55 EUR |
600+ | 15.96 EUR |
STW56N60M2-4 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ 52 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ 52 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 21.24 EUR |
10+ | 21.19 EUR |
25+ | 16.98 EUR |
100+ | 15.18 EUR |
250+ | 13.39 EUR |
600+ | 12.04 EUR |
1200+ | 11.49 EUR |
TK16N60W,S1VF |
Hersteller: Toshiba
MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6+ | 9.75 EUR |
10+ | 9.31 EUR |
30+ | 7.72 EUR |
120+ | 6.6 EUR |
270+ | 6.53 EUR |
510+ | 5.88 EUR |
1020+ | 4.73 EUR |
WML16N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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49+ | 1.47 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
500+ | 0.97 EUR |
WMM16N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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57+ | 1.27 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
800+ | 0.89 EUR |
WMM16N60FD |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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44+ | 1.64 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
57+ | 1.27 EUR |
60+ | 1.2 EUR |
800+ | 1.14 EUR |