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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FGH40N60SFD Produktcode: 201597
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China |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A |
auf Bestellung 2 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 10 Stück: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) Produktcode: 79400
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Lieblingsprodukt
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FAIR |
![]() Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A |
auf Bestellung 170 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 10 Stück: |
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FGH40N60SMD Produktcode: 63296
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Lieblingsprodukt
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FAIR |
![]() Gehäuse: TO-247 Vces: 600 Vce: 2,1 Ic 25: 80 Ic 100: 40 Pd 25: 349 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992 |
auf Bestellung 64 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 10 Stück: |
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FGH40N120ANTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFD | Fairchaild | IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFTU | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFTU | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFTU | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 11850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SFTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 13202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD-F085 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N65UFDTU | ON-Semicoductor |
IGBT 650V 80A 290W FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40N65UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N65UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N65UFDTU | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 1307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SQDNL4 | onsemi |
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auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T65SH-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T65SHD-F155 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T65SHD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 8900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T65SHD-F155-01 | ON Semiconductor | FGH40T65SHD-F155-01 |
auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T65SHDF-F155 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T65SPD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T65SPD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T65SQD-F155 | onsemi |
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auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T70SHD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T70SHD-F155 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH4L40T120LQD | onsemi |
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auf Bestellung 509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH4L40T120LQD | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH4L40T120RWD | onsemi |
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auf Bestellung 443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH4L50T65MQDC50 | onsemi |
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auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH4L75T65MQDC50 | onsemi |
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auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40N60SFD Produktcode: 201597
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: China
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 10 Stück:
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) Produktcode: 79400
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 170 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 10 Stück:
Anzahl | Preis |
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1+ | 2.46 EUR |
FGH40N60SMD Produktcode: 63296
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
auf Bestellung 64 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 10 Stück:
Anzahl | Preis |
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1+ | 2.8 EUR |
FGH40N120ANTU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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74+ | 7.37 EUR |
100+ | 6.76 EUR |
500+ | 6.15 EUR |
1000+ | 5.6 EUR |
FGH40N60SFD |
Hersteller: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 19.35 EUR |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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13+ | 5.81 EUR |
14+ | 5.48 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
22+ | 3.36 EUR |
90+ | 3.33 EUR |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 80A 290W FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 600V 80A 290W FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 11.42 EUR |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.81 EUR |
14+ | 5.48 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
22+ | 3.36 EUR |
90+ | 3.33 EUR |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 40A Field Stop
IGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.01 EUR |
10+ | 4.51 EUR |
120+ | 3.7 EUR |
510+ | 3.38 EUR |
FGH40N60SFDTU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 6.07 EUR |
120+ | 4.72 EUR |
270+ | 4.4 EUR |
FGH40N60SFDTU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 7.18 EUR |
26+ | 5.42 EUR |
120+ | 4.22 EUR |
FGH40N60SFDTU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 7.17 EUR |
26+ | 5.41 EUR |
120+ | 4.21 EUR |
FGH40N60SFTU |
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Hersteller: FAIRCHILD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
140+ | 3.88 EUR |
FGH40N60SFTU |
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Hersteller: FAIRCHILD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
140+ | 3.88 EUR |
FGH40N60SFTU |
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Hersteller: FAIRCHILD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
auf Bestellung 11850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
140+ | 3.88 EUR |
500+ | 3.54 EUR |
1000+ | 3.22 EUR |
10000+ | 2.92 EUR |
FGH40N60SFTU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 1.45 EUR |
103+ | 1.36 EUR |
105+ | 1.29 EUR |
107+ | 1.21 EUR |
250+ | 1.15 EUR |
450+ | 1.1 EUR |
900+ | 1.05 EUR |
2700+ | 1.04 EUR |
FGH40N60SMD |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.56 EUR |
14+ | 5.29 EUR |
19+ | 3.78 EUR |
20+ | 3.58 EUR |
FGH40N60SMD |
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Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 600V 80A 349W FGH40N60SMD TFGH40N60smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 9.9 EUR |
FGH40N60SMD |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 13202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.81 EUR |
10+ | 5.07 EUR |
120+ | 4.19 EUR |
510+ | 3.91 EUR |
FGH40N60SMD-F085 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
auf Bestellung 1214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 12.21 EUR |
10+ | 7.11 EUR |
100+ | 5.98 EUR |
450+ | 5.97 EUR |
900+ | 5.95 EUR |
FGH40N60SMD-F085 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
210+ | 4.88 EUR |
FGH40N60SMD-F085 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
210+ | 4.85 EUR |
FGH40N60UFDTU |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.85 EUR |
17+ | 4.28 EUR |
18+ | 4.05 EUR |
FGH40N60UFDTU |
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Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 600V 80A 290W FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 600V 80A 290W FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 12.61 EUR |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 40A Field Stop
IGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.48 EUR |
10+ | 3.57 EUR |
120+ | 2.92 EUR |
510+ | 2.53 EUR |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 4.63 EUR |
120+ | 3.71 EUR |
270+ | 3.56 EUR |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 4.63 EUR |
120+ | 3.71 EUR |
270+ | 3.56 EUR |
FGH40N65UFDTU |
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 650V 80A 290W FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
IGBT 650V 80A 290W FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 24.69 EUR |
FGH40N65UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
123+ | 4.41 EUR |
500+ | 4.02 EUR |
FGH40N65UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
123+ | 4.41 EUR |
500+ | 4.02 EUR |
1000+ | 3.66 EUR |
FGH40N65UFDTU |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
123+ | 4.41 EUR |
500+ | 4.02 EUR |
1000+ | 3.66 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.45 EUR |
9+ | 8.38 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 25.12 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 25.12 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.45 EUR |
9+ | 8.38 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
auf Bestellung 1307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.8 EUR |
10+ | 9.36 EUR |
120+ | 7.94 EUR |
510+ | 7.57 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 8.51 EUR |
18+ | 7.97 EUR |
30+ | 6.36 EUR |
120+ | 6.07 EUR |
FGH40T120SMD |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 8.57 EUR |
18+ | 8.03 EUR |
30+ | 6.41 EUR |
120+ | 6.11 EUR |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.44 EUR |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.44 EUR |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.82 EUR |
10+ | 9.36 EUR |
120+ | 9.08 EUR |
510+ | 8.92 EUR |
1020+ | 8.32 EUR |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
450+ | 7.68 EUR |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
450+ | 7.73 EUR |
FGH40T120SQDNL4 |
![]() |
Hersteller: onsemi
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.86 EUR |
10+ | 9.4 EUR |
120+ | 8.34 EUR |
FGH40T65SH-F155 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
150+ | 3.61 EUR |
500+ | 3.31 EUR |
FGH40T65SHD-F155 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
IGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 7.69 EUR |
10+ | 5.1 EUR |
120+ | 3.59 EUR |
510+ | 3.26 EUR |
1020+ | 3.2 EUR |
FGH40T65SHD-F155 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
171+ | 3.18 EUR |
500+ | 2.91 EUR |
1000+ | 2.63 EUR |
FGH40T65SHD-F155-01 |
Hersteller: ON Semiconductor
FGH40T65SHD-F155-01
FGH40T65SHD-F155-01
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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172+ | 3.16 EUR |
500+ | 2.89 EUR |
FGH40T65SHDF-F155 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.66 EUR |
10+ | 4.28 EUR |
120+ | 3.52 EUR |
510+ | 3.17 EUR |
FGH40T65SPD-F155 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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141+ | 3.85 EUR |
FGH40T65SPD-F155 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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141+ | 3.85 EUR |
500+ | 3.52 EUR |
FGH40T65SQD-F155 |
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Hersteller: onsemi
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 8.01 EUR |
10+ | 4.51 EUR |
120+ | 3.71 EUR |
510+ | 3.38 EUR |
FGH40T70SHD-F155 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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35+ | 4.19 EUR |
38+ | 3.75 EUR |
39+ | 3.48 EUR |
FGH40T70SHD-F155 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 4.19 EUR |
38+ | 3.75 EUR |
39+ | 3.48 EUR |
FGH4L40T120LQD |
![]() |
Hersteller: onsemi
IGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
IGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.11 EUR |
10+ | 10.28 EUR |
120+ | 7.15 EUR |
FGH4L40T120LQD |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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23+ | 6.35 EUR |
FGH4L40T120RWD |
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Hersteller: onsemi
IGBTs FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L COPACK
IGBTs FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L COPACK
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 11.86 EUR |
10+ | 8.85 EUR |
120+ | 7.16 EUR |
510+ | 6.35 EUR |
1020+ | 5.63 EUR |
FGH4L50T65MQDC50 |
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Hersteller: onsemi
IGBTs 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
IGBTs 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 17.2 EUR |
10+ | 10.35 EUR |
120+ | 9.29 EUR |
FGH4L75T65MQDC50 |
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Hersteller: onsemi
IGBTs 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
IGBTs 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 18 EUR |
10+ | 10.77 EUR |
120+ | 9.86 EUR |
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