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FGH40N60SFD FGH40N60SFD
Produktcode: 201597 		China fgh40n60sfd.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 75 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Produktcode: 79400 		FAIR fgh40n60sfd.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 300 Stück:
100 Stück - erwartet
1+2.46 EUR
FGH40N60SMD FGH40N60SMD
Produktcode: 63296 		FAIR fgh40n60smd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
auf Bestellung 118 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.8 EUR
FGH40N60SFD Fairchaild IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+20.92 EUR
10+ 18.83 EUR
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU onsemi / Fairchild FGH40N60SFDTU_F085_D-2313336.pdf IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 150-154 Tag (e)
1+8.87 EUR
10+ 8.2 EUR
25+ 6.86 EUR
100+ 5.93 EUR
250+ 5.4 EUR
450+ 4.84 EUR
900+ 4.33 EUR
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
auf Bestellung 13230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
122+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 122
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU onsemi fgh40n60sf-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU ON Semiconductor fgh40n60sf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.51 EUR
28+ 5.46 EUR
34+ 4.3 EUR
100+ 3.38 EUR
450+ 2.86 EUR
900+ 2.72 EUR
2700+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI FGH40N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.95 EUR
12+ 6.15 EUR
14+ 5.33 EUR
15+ 5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FGH40N60SMD FGH40N60SMD onsemi / Fairchild FGH40N60SMD_D-2313395.pdf IGBT Transistors 600V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.57 EUR
10+ 6.35 EUR
25+ 5.98 EUR
100+ 5.14 EUR
250+ 4.84 EUR
450+ 4.56 EUR
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 onsemi fgh40n60smd_f085-d.pdf Description: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.42 EUR
30+ 8.31 EUR
120+ 7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 onsemi / Fairchild FGH40N60SMD_F085_D-2313465.pdf IGBT Transistors 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.33 EUR
10+ 9.52 EUR
25+ 8.13 EUR
100+ 7.37 EUR
250+ 7.15 EUR
450+ 6.51 EUR
900+ 5.58 EUR
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 ON Semiconductor fgh40n60smd_f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 ON Semiconductor fgh40n60sm-f085jp-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 ON Semiconductor fgh40n60smd_f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI FGH40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.19 EUR
13+ 5.56 EUR
17+ 4.26 EUR
18+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU onsemi / Fairchild FGH40N60UFD_D-2313363.pdf IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
25+ 6.2 EUR
100+ 5.3 EUR
450+ 4.61 EUR
900+ 4.1 EUR
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU onsemi fgh40n60ufd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
30+ 6.09 EUR
120+ 5.22 EUR
510+ 4.64 EUR
1020+ 3.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.99 EUR
25+ 6.11 EUR
100+ 5.04 EUR
450+ 4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.1 EUR
30+ 5.19 EUR
100+ 4.33 EUR
450+ 3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FGH40N65UFDTU ON-Semicoductor IGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+27.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
FGH40T120SMD ON-Semicoductor fgh40t120smd-d.pdf Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+25.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+ 35.75 EUR
6+ 11.91 EUR
FGH40T120SMD ON-Semicoductor fgh40t120smd-d.pdf Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+25.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD onsemi / Fairchild FGH40T120SMD_D-2313554.pdf IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+ 12.37 EUR
25+ 11.23 EUR
100+ 10.31 EUR
250+ 9.7 EUR
FGH40T120SMD FGH40T120SMD onsemi fgh40t120smd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.56 EUR
30+ 11.62 EUR
120+ 10.39 EUR
510+ 9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.16 EUR
15+ 10.36 EUR
25+ 8.54 EUR
100+ 7.67 EUR
250+ 6.2 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.24 EUR
15+ 10.43 EUR
25+ 8.71 EUR
100+ 7.83 EUR
250+ 6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T120SMD-F155 ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.86 EUR
5+ 14.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 onsemi / Fairchild FGH40T120SMD_D-2313554.pdf IGBT Transistors 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.45 EUR
25+ 11.55 EUR
250+ 10.33 EUR
450+ 9.1 EUR
900+ 8.59 EUR
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 onsemi fgh40t120smd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.56 EUR
30+ 11.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI 4097325.pdf Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 555W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+8.46 EUR
Mindestbestellmenge: 450
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4 onsemi fgh40t120sqdnl4-d.pdf Description: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.61 EUR
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FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4 ONSEMI 2619971.pdf Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4 onsemi FGH40T120SQDNL4_D-2313179.pdf IGBT Transistors IGBT 1200V 40A UFS
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 185-189 Tag (e)
1+14.48 EUR
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900+ 8.22 EUR
FGH40T65SHD-F155 FGH40T65SHD-F155 onsemi fgh40t65shd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 2535 Stücke:
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3+6.21 EUR
10+ 5.22 EUR
450+ 3.75 EUR
1350+ 3.21 EUR
2250+ 3.02 EUR
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FGH40T65SHD-F155 onsemi / Fairchild FGH40T65SHD_D-2313426.pdf IGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
auf Bestellung 373 Stücke:
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1+6.18 EUR
10+ 5.19 EUR
25+ 5.1 EUR
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250+ 4.29 EUR
450+ 3.71 EUR
900+ 2.99 EUR
FGH40T65SHDF-F155 FGH40T65SHDF-F155 onsemi / Fairchild FGH40T65SHDF_D-2313337.pdf IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
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1+6.12 EUR
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25+ 4.84 EUR
100+ 4.14 EUR
250+ 3.27 EUR
450+ 3.04 EUR
900+ 2.97 EUR
FGH40T65SHDF-F155 FGH40T65SHDF-F155 onsemi fgh40t65shdf-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 43 Stücke:
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3+6.16 EUR
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FGH40T65SPD-F085 ONSEMI ONSM-S-A0013933712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 267W
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: TO-247
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 32 Stücke:
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FGH40T65SPD-F155 FGH40T65SPD-F155 ON Semiconductor fgh40t65spd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD-F155 onsemi FGH40T65SQD_D-2313467.pdf IGBT Transistors 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.53 EUR
10+ 5.97 EUR
25+ 5.19 EUR
100+ 4.44 EUR
250+ 4.31 EUR
450+ 3.92 EUR
900+ 3.19 EUR
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD-F155 onsemi fgh40t65sqd-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
auf Bestellung 3430 Stücke:
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120+ 4.46 EUR
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2010+ 3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI ONSM-S-A0013178430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 337 Stücke:
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FGH40T70SHD-F155 FGH40T70SHD-F155 ON Semiconductor fgh40t70shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 48
FGH40T70SHD-F155 FGH40T70SHD-F155 ON Semiconductor fgh40t70shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 48
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD onsemi FGH4L40T120LQD_D-3150157.pdf IGBT Transistors IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
auf Bestellung 571 Stücke:
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1+12.67 EUR
10+ 11.02 EUR
25+ 10.07 EUR
100+ 9.36 EUR
250+ 9.26 EUR
450+ 7.85 EUR
900+ 7.69 EUR
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD onsemi fgh4l40t120lqd-d.pdf Description: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.71 EUR
10+ 11.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD ONSEMI 3672835.pdf Description: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD ON Semiconductor fgh4l40t120lqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.01 EUR
19+ 8.09 EUR
25+ 7.47 EUR
50+ 7.11 EUR
100+ 6.62 EUR
250+ 5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 18
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD ON Semiconductor fgh4l40t120lqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.74 EUR
20+ 7.88 EUR
25+ 7.3 EUR
50+ 6.95 EUR
100+ 6.5 EUR
250+ 5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 18
FGH40N60SFD
Produktcode: 201597		 fgh40n60sfd.pdf
FGH40N60SFD
Hersteller: China
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 75 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Produktcode: 79400		 fgh40n60sfd.pdf
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
auf Bestellung 2 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 300 Stück:
100 Stück - erwartet
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.46 EUR
FGH40N60SMD
Produktcode: 63296		 fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,1
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 349
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 01.12.1992
auf Bestellung 118 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.8 EUR
FGH40N60SFD
Hersteller: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+20.92 EUR
10+ 18.83 EUR
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
FGH40N60SFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
FGH40N60SFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
FGH40N60SFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU_F085_D-2313336.pdf
FGH40N60SFDTU
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 150-154 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+8.87 EUR
10+ 8.2 EUR
25+ 6.86 EUR
100+ 5.93 EUR
250+ 5.4 EUR
450+ 4.84 EUR
900+ 4.33 EUR
FGH40N60SFTU FAIR-S-A0002366253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGH40N60SFTU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
auf Bestellung 13230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
122+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 122
FGH40N60SFTU fgh40n60sf-d.pdf
FGH40N60SFTU
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
FGH40N60SFTU fgh40n60sf-d.pdf
FGH40N60SFTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+6.51 EUR
28+ 5.46 EUR
34+ 4.3 EUR
100+ 3.38 EUR
450+ 2.86 EUR
900+ 2.72 EUR
2700+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25
FGH40N60SMD FGH40N60SMD.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+6.95 EUR
12+ 6.15 EUR
14+ 5.33 EUR
15+ 5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FGH40N60SMD FGH40N60SMD_D-2313395.pdf
FGH40N60SMD
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7.57 EUR
10+ 6.35 EUR
25+ 5.98 EUR
100+ 5.14 EUR
250+ 4.84 EUR
450+ 4.56 EUR
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+10.42 EUR
30+ 8.31 EUR
120+ 7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD_F085_D-2313465.pdf
FGH40N60SMD-F085
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.33 EUR
10+ 9.52 EUR
25+ 8.13 EUR
100+ 7.37 EUR
250+ 7.15 EUR
450+ 6.51 EUR
900+ 5.58 EUR
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60sm-f085jp-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
300+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 300
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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12+6.19 EUR
13+ 5.56 EUR
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD_D-2313363.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 664 Stücke:
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FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+7.69 EUR
30+ 6.09 EUR
120+ 5.22 EUR
510+ 4.64 EUR
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FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
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20+7.99 EUR
25+ 6.11 EUR
100+ 5.04 EUR
450+ 4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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26+6.1 EUR
30+ 5.19 EUR
100+ 4.33 EUR
450+ 3.38 EUR
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FGH40N65UFDTU
Hersteller: ON-Semicoductor
IGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+71.5 EUR
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+25.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
2+ 35.75 EUR
6+ 11.91 EUR
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
2+25.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD_D-2313554.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT
auf Bestellung 28 Stücke:
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1+14.43 EUR
10+ 12.37 EUR
25+ 11.23 EUR
100+ 10.31 EUR
250+ 9.7 EUR
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+14.56 EUR
30+ 11.62 EUR
120+ 10.39 EUR
510+ 9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3808 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
13+12.16 EUR
15+ 10.36 EUR
25+ 8.54 EUR
100+ 7.67 EUR
250+ 6.2 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+12.24 EUR
15+ 10.43 EUR
25+ 8.71 EUR
100+ 7.83 EUR
250+ 6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 3808 Stücke:
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FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+21.86 EUR
5+ 14.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD_D-2313554.pdf
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+14.45 EUR
25+ 11.55 EUR
250+ 10.33 EUR
450+ 9.1 EUR
900+ 8.59 EUR
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+14.56 EUR
30+ 11.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FGH40T120SMD-F155 4097325.pdf
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 555W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
450+8.46 EUR
Mindestbestellmenge: 450
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
FGH40T120SQDNL4
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+14.61 EUR
30+ 11.66 EUR
120+ 10.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
FGH40T120SQDNL4 2619971.pdf
FGH40T120SQDNL4
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4_D-2313179.pdf
FGH40T120SQDNL4
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors IGBT 1200V 40A UFS
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 185-189 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+14.48 EUR
10+ 12.43 EUR
25+ 11.26 EUR
100+ 10.35 EUR
250+ 9.73 EUR
450+ 9.13 EUR
900+ 8.22 EUR
FGH40T65SHD-F155 fgh40t65shd-d.pdf
FGH40T65SHD-F155
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.21 EUR
10+ 5.22 EUR
450+ 3.75 EUR
1350+ 3.21 EUR
2250+ 3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40T65SHD-F155 FGH40T65SHD_D-2313426.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.18 EUR
10+ 5.19 EUR
25+ 5.1 EUR
100+ 4.88 EUR
250+ 4.29 EUR
450+ 3.71 EUR
900+ 2.99 EUR
FGH40T65SHDF-F155 FGH40T65SHDF_D-2313337.pdf
FGH40T65SHDF-F155
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.12 EUR
10+ 5.49 EUR
25+ 4.84 EUR
100+ 4.14 EUR
250+ 3.27 EUR
450+ 3.04 EUR
900+ 2.97 EUR
FGH40T65SHDF-F155 fgh40t65shdf-d.pdf
FGH40T65SHDF-F155
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.16 EUR
30+ 4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40T65SPD-F085 ONSM-S-A0013933712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 267W
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: TO-247
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T65SPD-F155 fgh40t65spd-d.pdf
FGH40T65SPD-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD_D-2313467.pdf
FGH40T65SQD-F155
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.53 EUR
10+ 5.97 EUR
25+ 5.19 EUR
100+ 4.44 EUR
250+ 4.31 EUR
450+ 3.92 EUR
900+ 3.19 EUR
FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
FGH40T65SQD-F155
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
auf Bestellung 3430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.58 EUR
30+ 5.21 EUR
120+ 4.46 EUR
510+ 3.97 EUR
1020+ 3.4 EUR
2010+ 3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FGH40T65SQD-F155 ONSM-S-A0013178430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH40T70SHD-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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48+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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FGH40T70SHD-F155
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Anzahl Preis ohne MwSt
48+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 48
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD_D-3150157.pdf
FGH4L40T120LQD
Hersteller: onsemi
IGBT Transistors IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+12.67 EUR
10+ 11.02 EUR
25+ 10.07 EUR
100+ 9.36 EUR
250+ 9.26 EUR
450+ 7.85 EUR
900+ 7.69 EUR
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
FGH4L40T120LQD
Hersteller: onsemi
Description: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
auf Bestellung 358 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2+13.71 EUR
10+ 11.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FGH4L40T120LQD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
FGH4L40T120LQD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+9.01 EUR
19+ 8.09 EUR
25+ 7.47 EUR
50+ 7.11 EUR
100+ 6.62 EUR
250+ 5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 18
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
FGH4L40T120LQD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+8.74 EUR
20+ 7.88 EUR
25+ 7.3 EUR
50+ 6.95 EUR
100+ 6.5 EUR
250+ 5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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