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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381
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IR irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 487 Stück
39 Stück - stock Köln
448 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.4 EUR
10+0.35 EUR
100+0.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34E IRFZ34E
Produktcode: 88726
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irfz34e.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF
Produktcode: 30764
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IR Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
JHGF: THT
auf Bestellung 97 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.36 EUR
10+0.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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IR irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1161 Stück
25 Stück - stock Köln
1136 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.32 EUR
10+0.28 EUR
100+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
Produktcode: 122891
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IR irfz44nspbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44PBF IRFZ44PBF
Produktcode: 35443
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IR irfz44.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.0175
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 5 Stück
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF
Produktcode: 35444
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IR IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.0165
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
JHGF: THT
auf Bestellung 206 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.64 EUR
10+0.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF
Produktcode: 40288
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IR irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 51
Rds(on), Ohm: 0.0139
Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29
JHGF: THT
auf Bestellung 119 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.58 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZS IRFZ44ZS
Produktcode: 99523
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IR irfz44z-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 55
Idd,A: 51
Rds(on), Ohm: 13.9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29
JHGF: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.56 EUR
10+0.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF
Produktcode: 48533
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IR irfz46npbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
verfügbar: 81 Stück
6 Stück - stock Köln
75 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 20 Stück
1+0.8 EUR
10+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48N PBF IRFZ48N PBF
Produktcode: 60156
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IR hyh6568cf6fu65u6.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 64
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
JHGF: THT
verfügbar: 24 Stück
5 Stück - stock Köln
19 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.52 EUR
10+0.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44NS AUIRFZ44NS
Produktcode: 152487
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infineon-auirfz44ns-ds-v02_02-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 5 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10PBF IRFZ10PBF Vishay / Siliconix irfz10.pdf MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.56 EUR
100+1.51 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.97 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10PBF IRFZ10PBF VISHAY VISH-S-A0001144406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ10PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14 Siliconix description N-MOSFET 10A 60V 43W 0.20Ω IRFZ14 IRFZ14 TIRFZ14
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.32 EUR
65+1.12 EUR
80+0.9 EUR
154+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
65+1.12 EUR
80+0.9 EUR
154+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay Semiconductors irfz14.pdf MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
auf Bestellung 4453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+0.89 EUR
100+0.81 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay Siliconix irfz14.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 48470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
50+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay irfz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.62 EUR
241+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 232
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay irfz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+0.62 EUR
243+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 234
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay irfz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY VISH-S-A0013856866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF-BE3 IRFZ14PBF-BE3 Vishay / Siliconix irfz14.pdf MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+0.83 EUR
100+0.82 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.69 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF-BE3 IRFZ14PBF-BE3 Vishay Siliconix irfz14.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.95 EUR
50+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SPBF IRFZ14SPBF Vishay Semiconductors sihfz14s.pdf MOSFETs N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+2.06 EUR
100+1.41 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.03 EUR
2000+0.95 EUR
5000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SPBF IRFZ14SPBF Vishay Siliconix sihfz14s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
10+1.94 EUR
100+1.35 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14STRLPBF IRFZ14STRLPBF Vishay / Siliconix sihfz14s.pdf MOSFETs MOSFET N-Channel 60V
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.73 EUR
10+2.39 EUR
100+1.63 EUR
500+1.35 EUR
800+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay Siliconix tf-irfz20pbf.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.08 EUR
50+1.21 EUR
100+1.18 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay Semiconductors tf-irfz20pbf.pdf MOSFETs TO220 N-CH 50V 15A
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+1.83 EUR
100+1.55 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.31 EUR
5000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay irfz20.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.59 EUR
100+1.46 EUR
250+1.35 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay irfz20.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF IRFZ20PBF VISHAY VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF-BE3 IRFZ20PBF-BE3 Vishay / Siliconix irfz20.pdf MOSFETs TO220 N-CH 50V 15A
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.59 EUR
10+1.58 EUR
100+1.53 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.3 EUR
2000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF-BE3 IRFZ20PBF-BE3 Vishay Siliconix irfz20.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.43 EUR
50+1.53 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF. IRFZ20PBF. VISHAY VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ20PBF. - N CHANNEL MOSFET, 50V, 15A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24N International Rectifier description N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NHR International Rectifier HiRel Products irfz24n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 4336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
50+0.64 EUR
100+0.62 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ24N_DataSheet_v01_01_EN-3363353.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC
auf Bestellung 10476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.88 EUR
25+0.67 EUR
100+0.63 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON INFN-S-A0012813733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.86 EUR
171+0.82 EUR
250+0.54 EUR
279+0.46 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.3 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
785+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 785
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF INTERNATIONAL RECTIFIER irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF IR irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,07 Ohm
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irl620.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.7 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irl620.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.7 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF IRFZ24PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf description MOSFETs TO220 N-CH 60V 17A
auf Bestellung 6952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.37 EUR
100+1.31 EUR
500+1.19 EUR
1000+1 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF IRFZ24PBF Vishay Siliconix irl620.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.29 EUR
50+1.3 EUR
100+1.27 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF-BE3 IRFZ24PBF-BE3 Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 N-CH 60V 17A
auf Bestellung 5495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.48 EUR
10+1.63 EUR
100+1.39 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24SPBF IRFZ24SPBF Vishay Semiconductors sihfz24s.pdf MOSFETs 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.27 EUR
100+2.31 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24SPBF IRFZ24SPBF Vishay Siliconix sihfz24s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.58 EUR
10+3.15 EUR
100+2.18 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34N International Rectifier description N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34N Infineon description N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381
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description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 487 Stück
39 Stück - stock Köln
448 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.4 EUR
10+0.35 EUR
100+0.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34E
Produktcode: 88726
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irfz34e.pdf
IRFZ34E
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NPBF
Produktcode: 30764
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Infineon-IRFZ34N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158740e51e32b82
IRFZ34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
JHGF: THT
auf Bestellung 97 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.36 EUR
10+0.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NPBF
Produktcode: 35403
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irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1161 Stück
25 Stück - stock Köln
1136 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.32 EUR
10+0.28 EUR
100+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF
Produktcode: 122891
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irfz44nspbf-datasheet.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44PBF
Produktcode: 35443
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description irfz44.pdf
IRFZ44PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.0175
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 5 Stück
Anzahl Preis
1+0.98 EUR
10+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44VPBF
Produktcode: 35444
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IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFZ44VPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.0165
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
JHGF: THT
auf Bestellung 206 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.64 EUR
10+0.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZPBF
Produktcode: 40288
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description irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c
IRFZ44ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 51
Rds(on), Ohm: 0.0139
Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29
JHGF: THT
auf Bestellung 119 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.58 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ZS
Produktcode: 99523
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irfz44z-datasheet.pdf
IRFZ44ZS
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 55
Idd,A: 51
Rds(on), Ohm: 13.9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29
JHGF: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.56 EUR
10+0.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF
Produktcode: 48533
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description irfz46npbf-datasheet.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
verfügbar: 81 Stück
6 Stück - stock Köln
75 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 20 Stück
Anzahl Preis
1+0.8 EUR
10+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48N PBF
Produktcode: 60156
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hyh6568cf6fu65u6.pdf
IRFZ48N PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 64
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
JHGF: THT
verfügbar: 24 Stück
5 Stück - stock Köln
19 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.52 EUR
10+0.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44NS
Produktcode: 152487
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infineon-auirfz44ns-ds-v02_02-en.pdf
AUIRFZ44NS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 5 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10PBF irfz10.pdf
IRFZ10PBF
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.15 EUR
10+1.56 EUR
100+1.51 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.97 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ10PBF VISH-S-A0001144406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ10PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ10PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14 description
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 10A 60V 43W 0.20Ω IRFZ14 IRFZ14 TIRFZ14
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617
IRFZ14PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
65+1.12 EUR
80+0.9 EUR
154+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617
IRFZ14PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
65+1.12 EUR
80+0.9 EUR
154+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
auf Bestellung 4453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.74 EUR
10+0.89 EUR
100+0.81 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 48470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.57 EUR
50+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
232+0.62 EUR
241+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 232
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
234+0.62 EUR
243+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 234
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF VISH-S-A0013856866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ14PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF-BE3 irfz14.pdf
IRFZ14PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
auf Bestellung 3931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.11 EUR
10+0.83 EUR
100+0.82 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.69 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF-BE3 irfz14.pdf
IRFZ14PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.95 EUR
50+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SPBF sihfz14s.pdf
IRFZ14SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.92 EUR
10+2.06 EUR
100+1.41 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.03 EUR
2000+0.95 EUR
5000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14SPBF sihfz14s.pdf
IRFZ14SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.43 EUR
10+1.94 EUR
100+1.35 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14STRLPBF sihfz14s.pdf
IRFZ14STRLPBF
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs MOSFET N-Channel 60V
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.73 EUR
10+2.39 EUR
100+1.63 EUR
500+1.35 EUR
800+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF tf-irfz20pbf.pdf
IRFZ20PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.08 EUR
50+1.21 EUR
100+1.18 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF tf-irfz20pbf.pdf
IRFZ20PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 N-CH 50V 15A
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.75 EUR
10+1.83 EUR
100+1.55 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.31 EUR
5000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF irfz20.pdf
IRFZ20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
92+1.59 EUR
100+1.46 EUR
250+1.35 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF irfz20.pdf
IRFZ20PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ20PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF-BE3 irfz20.pdf
IRFZ20PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 N-CH 50V 15A
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.59 EUR
10+1.58 EUR
100+1.53 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.3 EUR
2000+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF-BE3 irfz20.pdf
IRFZ20PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.43 EUR
50+1.53 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ20PBF. VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ20PBF.
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ20PBF. - N CHANNEL MOSFET, 50V, 15A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NHR irfz24n.pdf
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 4336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+0.99 EUR
50+0.64 EUR
100+0.62 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF description Infineon_IRFZ24N_DataSheet_v01_01_EN-3363353.pdf
IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC
auf Bestellung 10476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.93 EUR
10+0.88 EUR
25+0.67 EUR
100+0.63 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24NPBF description INFN-S-A0012813733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
168+0.86 EUR
171+0.82 EUR
250+0.54 EUR
279+0.46 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.3 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9944 Stücke:
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Anzahl Preis
330+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 330
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IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 785 Stücke:
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Anzahl Preis
785+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 785
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,07 Ohm
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFZ24PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.7 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF description irl620.pdf
IRFZ24PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.7 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF description irl620.pdf
IRFZ24PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 N-CH 60V 17A
auf Bestellung 6952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.39 EUR
10+1.37 EUR
100+1.31 EUR
500+1.19 EUR
1000+1 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF description irl620.pdf
IRFZ24PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.29 EUR
50+1.3 EUR
100+1.27 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF-BE3
IRFZ24PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 N-CH 60V 17A
auf Bestellung 5495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.48 EUR
10+1.63 EUR
100+1.39 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24SPBF sihfz24s.pdf
IRFZ24SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch
auf Bestellung 516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.96 EUR
10+3.27 EUR
100+2.31 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24SPBF sihfz24s.pdf
IRFZ24SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.58 EUR
10+3.15 EUR
100+2.18 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34N description
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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