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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14397&prodName=TPH3300CNH Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14426&prodName=TPH3R203NL Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14398&prodName=TPH6400ENH Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13938&prodName=TPN2R203NC Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14267&prodName=TPN2R703NL Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TRS10E65C,S1Q TRS10E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TRS10E65C Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110FNH,L1Q TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14411&prodName=TPH1110FNH Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 11253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.03 EUR
10+2.6 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
auf Bestellung 3707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.41 EUR
10+2.19 EUR
100+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3300CNH,L1Q TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14397&prodName=TPH3300CNH Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
auf Bestellung 11863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
10+1.81 EUR
100+1.22 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14426&prodName=TPH3R203NL Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.94 EUR
10+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14398&prodName=TPH6400ENH Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 13235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.59 EUR
10+2.53 EUR
100+1.75 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
auf Bestellung 5241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.87 EUR
10+2.82 EUR
100+1.98 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13938&prodName=TPN2R203NC Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
auf Bestellung 7605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.85 EUR
10+1.81 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R703NL,L1Q TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14267&prodName=TPN2R703NL Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
auf Bestellung 3818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
13+1.41 EUR
100+0.99 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCF8107,LF TPCF8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2861&prodName=TPCF8107 Description: MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM10,LF TCR3DM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM105,LF TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM11,LF TCR3DM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM12,LF TCR3DM12,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM13,LF TCR3DM13,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM15,LF TCR3DM15,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM18,LF TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM25,LF TCR3DM25,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM28,LF TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=140551&prodName=TCR3DM105 Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM30,LF TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM32,LF TCR3DM32,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM33,LF TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14797&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4DFN
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TCR3DM36,LF TCR3DM36,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
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TCR3DM45,LF TCR3DM45,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
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TCR3DM10,LF TCR3DM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
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TCR3DM105,LF TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 19900 Stücke:
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TCR3DM11,LF TCR3DM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9845 Stücke:
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TCR3DM12,LF TCR3DM12,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9660 Stücke:
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TCR3DM13,LF TCR3DM13,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9875 Stücke:
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TCR3DM15,LF TCR3DM15,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9979 Stücke:
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TCR3DM18,LF TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 19515 Stücke:
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TCR3DM25,LF TCR3DM25,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 8417 Stücke:
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TCR3DM28,LF TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=140551&prodName=TCR3DM105 Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
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TCR3DM30,LF TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9744 Stücke:
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TCR3DM32,LF TCR3DM32,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
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TCR3DM33,LF TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14797&prodName=TCR3DM10 Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4DFN
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TCR3DM36,LF TCR3DM36,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9755 Stücke:
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TCR3DM45,LF TCR3DM45,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 7240 Stücke:
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TCR3DM10,LF TCR3DM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
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TCR3DM105,LF TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 19900 Stücke:
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TCR3DM11,LF TCR3DM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
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TCR3DM12,LF TCR3DM12,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
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TCR3DM13,LF TCR3DM13,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
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TCR3DM15,LF TCR3DM15,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
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TCR3DM18,LF TCR3DM18,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 19515 Stücke:
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TCR3DM25,LF TCR3DM25,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
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TCR3DM30,LF TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
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TCR3DM32,LF TCR3DM32,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
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TCR3DM36,LF TCR3DM36,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
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TCR3DM45,LF TCR3DM45,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285 Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
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AB 2.8X4.5DY AB 2.8X4.5DY Toshiba Semiconductor and Storage amobeads_en.pdf Description: COMMON MODE CHOKE AMORPHOUS CORE
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AB 3X2X3DY AB 3X2X3DY Toshiba Semiconductor and Storage amobeads_en.pdf Description: COMMON MODE CHOKE AMORPHOUS CORE
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AB3X2X3W AB3X2X3W Toshiba Semiconductor and Storage 31ampartsabds.pdf Description: FERRITE CORE SOLID 1.5MM
Packaging: Bag
Mounting Type: Free Hanging
Length: 0.177" (4.50mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.059" Dia (1.50mm)
Outer Dimension: 0.157" Dia (4.00mm)
auf Bestellung 16965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
20+0.9 EUR
25+0.83 EUR
50+0.78 EUR
100+0.73 EUR
250+0.68 EUR
500+0.64 EUR
4000+0.53 EUR
8000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AB3X2X4.5DY AB3X2X4.5DY Toshiba Semiconductor and Storage amobeads_en.pdf Description: COMMON MODE CHOKE AMORPHOUS CORE
auf Bestellung 4278 Stücke:
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TPH3300CNH,L1Q docget.jsp?did=14397&prodName=TPH3300CNH
TPH3300CNH,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14426&prodName=TPH3R203NL
TPH3R203NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14398&prodName=TPH6400ENH
TPH6400ENH,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL
TPHR9003NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13938&prodName=TPN2R203NC
TPN2R203NC,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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TPN2R703NL,L1Q docget.jsp?did=14267&prodName=TPN2R703NL
TPN2R703NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TRS10E65C,S1Q docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TRS10E65C
TRS10E65C,S1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TPH1110FNH,L1Q TPH1110FNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14411&prodName=TPH1110FNH
TPH1110FNH,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 11253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.03 EUR
10+2.6 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.32 EUR
2000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL
TPH1R403NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
auf Bestellung 3707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.41 EUR
10+2.19 EUR
100+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3300CNH,L1Q docget.jsp?did=14397&prodName=TPH3300CNH
TPH3300CNH,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
auf Bestellung 11863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.78 EUR
10+1.81 EUR
100+1.22 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3R203NL,L1Q TPH3R203NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14426&prodName=TPH3R203NL
TPH3R203NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.94 EUR
10+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6400ENH,L1Q TPH6400ENH_datasheet_en_20140227.pdf?did=14398&prodName=TPH6400ENH
TPH6400ENH,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 13235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.59 EUR
10+2.53 EUR
100+1.75 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL
TPHR9003NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
auf Bestellung 5241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.87 EUR
10+2.82 EUR
100+1.98 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R203NC,L1Q TPN2R203NC_datasheet_en_20191030.pdf?did=13938&prodName=TPN2R203NC
TPN2R203NC,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V
auf Bestellung 7605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.85 EUR
10+1.81 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN2R703NL,L1Q docget.jsp?did=14267&prodName=TPN2R703NL
TPN2R703NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
auf Bestellung 3818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.76 EUR
13+1.41 EUR
100+0.99 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPCF8107,LF docget.jsp?did=2861&prodName=TPCF8107
TPCF8107,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM10,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM10,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM105,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM105,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM11,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM11,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM12,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM12,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM13,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM13,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM15,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM15,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM18,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM18,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM25,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM25,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM28,LF docget.jsp?did=140551&prodName=TCR3DM105
TCR3DM28,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM30,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM30,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM32,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM32,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM33,LF docget.jsp?did=14797&prodName=TCR3DM10
TCR3DM33,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM36,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM36,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM45,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM45,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM10,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM10,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM105,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM105,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 19900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM11,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM11,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM12,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM12,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM13,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM13,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM15,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM15,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM18,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM18,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 19515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM25,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM25,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 8417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM28,LF docget.jsp?did=140551&prodName=TCR3DM105
TCR3DM28,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2.8V 300MA 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 65 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-DFN (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 78 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM30,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM30,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM32,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM32,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM33,LF docget.jsp?did=14797&prodName=TCR3DM10
TCR3DM33,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM36,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM36,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 9755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM45,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM45,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 7240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM10,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM10,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM105,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM105,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 19900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM11,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM11,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM12,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM12,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.2V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM13,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM13,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM15,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM15,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.5V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM18,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM18,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.8V 0.3A 4DFN
auf Bestellung 19515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM25,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM25,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 2.5V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM30,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM30,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM32,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM32,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM36,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM36,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.6V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3DM45,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR3DM285
TCR3DM45,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 4.5V 0.3A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AB 2.8X4.5DY amobeads_en.pdf
AB 2.8X4.5DY
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: COMMON MODE CHOKE AMORPHOUS CORE
auf Bestellung 9133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AB 3X2X3DY amobeads_en.pdf
AB 3X2X3DY
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: COMMON MODE CHOKE AMORPHOUS CORE
auf Bestellung 9596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AB3X2X3W 31ampartsabds.pdf
AB3X2X3W
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: FERRITE CORE SOLID 1.5MM
Packaging: Bag
Mounting Type: Free Hanging
Length: 0.177" (4.50mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.059" Dia (1.50mm)
Outer Dimension: 0.157" Dia (4.00mm)
auf Bestellung 16965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.11 EUR
20+0.9 EUR
25+0.83 EUR
50+0.78 EUR
100+0.73 EUR
250+0.68 EUR
500+0.64 EUR
4000+0.53 EUR
8000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AB3X2X4.5DY amobeads_en.pdf
AB3X2X4.5DY
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: COMMON MODE CHOKE AMORPHOUS CORE
auf Bestellung 4278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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