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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SA1483-Y(F) 2SA1483-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1483.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.2A SC-62
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2SA1972(TE6,F,M) 2SA1972(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972.pdf Description: TRANS PNP 400V 0.5A LSTM
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2SA1987-O(Q) 2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20438&prodName=2SA1987 Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2SA2069(TE12L,F) 2SA2069(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20455&prodName=2SA2069 Description: TRANS PNP 20V 1.5A SC-62
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2SA2120-O(Q) 2SA2120-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10393&prodName=2SA2120 Description: TRANS PNP 200V 12A TO-3PN
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2SA2121-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2121.pdf Description: TRANS PNP 200V 15A TO-3PL
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2SA965-Y(TE6,F,M) 2SA965-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965.pdf Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92
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2SB906-Y(TE16L1,NQ 2SB906-Y(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20843&prodName=2SB906 Description: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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2SC2235-O(TE6,F,M) 2SC2235-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235_Rev2009.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92
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2SC2655-Y(F,M) 2SC2655-Y(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A TO-92
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2SC2705-Y(TE6,F,M) 2SC2705-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705_Rev2009.pdf Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
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2SC2881-Y(TE12L,CF 2SC2881-Y(TE12L,CF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20777&prodName=2SC2881 Description: TRANS NPN 120V 0.8A SC-62
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2SC2983-Y(Q) 2SC2983-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2983.pdf Description: TRANS NPN 160V 1.5A PW-MOLD
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2SC3303-O(T6L1,NQ) 2SC3303-O(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20516&prodName=2SC3303 Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
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2SC4690-O(F) 2SC4690-O(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4690.pdf Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PN
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2SC5174(TP,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5174.pdf Description: TRANS NPN 230V 1A TPL
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2SC5354-1(F) 2SC5354-1(F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20689&prodName=2SC5354 Description: TRANS NPN 800V 5A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
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2SC5359-O(Q) 2SC5359-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20698&prodName=2SC5359 Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 180 W
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2SC5755(TE85L,F) 2SC5755(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20749&prodName=2SC5755 Description: TRANS NPN 10V 2A TSM
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2SC5784(TE85L,F) 2SC5784(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20751&prodName=2SC5784 Description: TRANS NPN 20V 1.5A TSM
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2SC5810(TE12L,F) 2SC5810(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20755&prodName=2SC5810 Description: TRANS NPN 50V 1A SC-62
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2SC5819(TE12L,F) 2SC5819(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20758&prodName=2SC5819 Description: TRANS NPN 20V 1.5A SC-62
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2SC5948-O(Q) 2SC5948-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SC5948 Description: TRANS NPN 200V 12A TO-3PN
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2SC5949-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5949.pdf Description: TRANS NPN 200V 15A TO-3PL
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2SC6061(TE85L,F) 2SC6061(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6330&prodName=2SC6061 Description: TRANS NPN 120V 1A TSM
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2SD1221-Y(Q) 2SD1221-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1221.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A PW-MOLD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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2SD2525(TP,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2525.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TPL
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2SJ304(F) 2SJ304(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ304.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
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2SJ312(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ312.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO-220FL
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2SJ360(F) 2SJ360(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MINI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
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2SJ360(TE12L,F) 2SJ360(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MINI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
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2SJ378(TP,Q) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=2SJ378&lang=en&type=datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 5A TPS
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2SJ380(F) 2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220NIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
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2SJ401(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ401.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO-220FL
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2SJ402(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ402.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO-220FL
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2SJ567(TE16L1,NQ) 2SJ567(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ567.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 2.5A PW-MOLD
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2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 381 pF @ 10 V
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2SJ619(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ619.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 16A SC-97
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2SJ681(Q) 2SJ681(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ681.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
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2SK1119(F) 2SK1119(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1119.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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2SK1382(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1382.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-3PL
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2SK1930(TE24L,Q) 2SK1930(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1930.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM
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2SK2382(Q) 2SK2382(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2382.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO220NIS
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2SK2399(TE16L1,NQ) 2SK2399(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2399.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A PW-MOLD
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2SK2507(F) 2SK2507(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2507_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220NIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
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2SK2544(F) 2SK2544(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2544.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
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2SK2614(TE16L1,Q) 2SK2614(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2614.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 20A DP
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2SK2744(F) 2SK2744(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2744%20Rev2009.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 45A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V
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2SK2777(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2777%20Rev2009.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FL
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2SK2777(SM,Q) 2SK2777(SM,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2777%20Rev2009.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SM
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2SK2777(TE24L,Q) 2SK2777(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2777%20Rev2009.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220SM
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2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2845(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2845.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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2SK2865(TE16L1,NQ) 2SK2865(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2865.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
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2SK2866(F) 2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 10 V
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2SK2883(TE24L,Q) 2SK2883(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2883.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
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2SK2884(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2884%20Rev2009.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FL
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2SK2884(SM,Q) 2SK2884(SM,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2884%20Rev2009.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220SM
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2SK2884(TE24L,Q) 2SK2884(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2884%20Rev2009.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220SM
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2SK2889(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2889.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL
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2SK2949(TE24L,Q) 2SK2949(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2949.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220SM
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2SA1483-Y(F) 2SA1483.pdf
2SA1483-Y(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 45V 0.2A SC-62
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2SA1972(TE6,F,M) 2SA1972.pdf
2SA1972(TE6,F,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 400V 0.5A LSTM
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2SA1987-O(Q) docget.jsp?did=20438&prodName=2SA1987
2SA1987-O(Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 55 Stücke:
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 3
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2SA2069(TE12L,F) docget.jsp?did=20455&prodName=2SA2069
2SA2069(TE12L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 20V 1.5A SC-62
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2SA2120-O(Q) docget.jsp?did=10393&prodName=2SA2120
2SA2120-O(Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 200V 12A TO-3PN
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2SA2121-O(Q) 2SA2121.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 200V 15A TO-3PL
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2SA965-Y(TE6,F,M) 2SA965.pdf
2SA965-Y(TE6,F,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92
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2SB906-Y(TE16L1,NQ docget.jsp?did=20843&prodName=2SB906
2SB906-Y(TE16L1,NQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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2SC2235-O(TE6,F,M) 2SC2235_Rev2009.pdf
2SC2235-O(TE6,F,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92
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2SC2655-Y(F,M) 2SC2655.pdf
2SC2655-Y(F,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 2A TO-92
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2SC2705-Y(TE6,F,M) 2SC2705_Rev2009.pdf
2SC2705-Y(TE6,F,M)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
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2SC2881-Y(TE12L,CF docget.jsp?did=20777&prodName=2SC2881
2SC2881-Y(TE12L,CF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.8A SC-62
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2SC2983-Y(Q) 2SC2983.pdf
2SC2983-Y(Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 160V 1.5A PW-MOLD
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2SC3303-O(T6L1,NQ) docget.jsp?did=20516&prodName=2SC3303
2SC3303-O(T6L1,NQ)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
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2SC4690-O(F) 2SC4690.pdf
2SC4690-O(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PN
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2SC5174(TP,Q) 2SC5174.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TPL
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2SC5354-1(F) docget.jsp?did=20689&prodName=2SC5354
2SC5354-1(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 800V 5A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
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2SC5359-O(Q) docget.jsp?did=20698&prodName=2SC5359
2SC5359-O(Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 180 W
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2SC5755(TE85L,F) docget.jsp?did=20749&prodName=2SC5755
2SC5755(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 10V 2A TSM
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2SC5784(TE85L,F) docget.jsp?did=20751&prodName=2SC5784
2SC5784(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 1.5A TSM
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2SC5810(TE12L,F) docget.jsp?did=20755&prodName=2SC5810
2SC5810(TE12L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 1A SC-62
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2SC5819(TE12L,F) docget.jsp?did=20758&prodName=2SC5819
2SC5819(TE12L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 1.5A SC-62
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2SC5948-O(Q) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SC5948
2SC5948-O(Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 200V 12A TO-3PN
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2SC5949-O(Q) 2SC5949.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 200V 15A TO-3PL
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2SC6061(TE85L,F) docget.jsp?did=6330&prodName=2SC6061
2SC6061(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 1A TSM
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2SD1221-Y(Q) 2SD1221.pdf
2SD1221-Y(Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 60V 3A PW-MOLD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2525(TP,Q) 2SD2525.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 60V 3A TPL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ304(F) 2SJ304.pdf
2SJ304(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ312(Q) 2SJ312.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO-220FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ360(F) 2SJ360.pdf
2SJ360(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MINI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ360(TE12L,F) 2SJ360.pdf
2SJ360(TE12L,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MINI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ378(TP,Q) docget.jsp?pid=2SJ378&lang=en&type=datasheet
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 5A TPS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ380(F) 2SJ380.pdf
2SJ380(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220NIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ401(Q) 2SJ401.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO-220FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ402(Q) 2SJ402.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 30A TO-220FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ567(TE16L1,NQ) 2SJ567.pdf
2SJ567(TE16L1,NQ)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 200V 2.5A PW-MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ610.pdf
2SJ610(TE16L1,NQ)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 381 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ619(TE24L,Q) 2SJ619.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 100V 16A SC-97
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SJ681(Q) 2SJ681.pdf
2SJ681(Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK1119(F) 2SK1119.pdf
2SK1119(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK1382(Q) 2SK1382.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-3PL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK1930(TE24L,Q) 2SK1930.pdf
2SK1930(TE24L,Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220SM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2382(Q) 2SK2382.pdf
2SK2382(Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO220NIS
Produkt ist nicht verfügbar
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2SK2399(TE16L1,NQ) 2SK2399.pdf
2SK2399(TE16L1,NQ)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PW-MOLD
Produkt ist nicht verfügbar
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2SK2507(F) 2SK2507_DS.pdf
2SK2507(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220NIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
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2SK2544(F) 2SK2544.pdf
2SK2544(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
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2SK2614(TE16L1,Q) 2SK2614.pdf
2SK2614(TE16L1,Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 50V 20A DP
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2SK2744(F) 2SK2744%20Rev2009.pdf
2SK2744(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 50V 45A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2777(Q) 2SK2777%20Rev2009.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FL
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2SK2777(SM,Q) 2SK2777%20Rev2009.pdf
2SK2777(SM,Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SM
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2SK2777(TE24L,Q) 2SK2777%20Rev2009.pdf
2SK2777(TE24L,Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220SM
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2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2845.pdf
2SK2845(TE16L1,Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 900V 1A DP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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2SK2865(TE16L1,NQ) 2SK2865.pdf
2SK2865(TE16L1,NQ)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
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2SK2866(F) 2SK2866.pdf
2SK2866(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 10 V
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2SK2883(TE24L,Q) 2SK2883.pdf
2SK2883(TE24L,Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2884(Q) 2SK2884%20Rev2009.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220FL
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2SK2884(SM,Q) 2SK2884%20Rev2009.pdf
2SK2884(SM,Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220SM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2884(TE24L,Q) 2SK2884%20Rev2009.pdf
2SK2884(TE24L,Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220SM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK2889(Q) 2SK2889.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL
Produkt ist nicht verfügbar
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2SK2949(TE24L,Q) 2SK2949.pdf
2SK2949(TE24L,Q)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220SM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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