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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TCR3UF105A,LM(CT TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3UF105A,LM(CT TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3UF09A,LM(CT TCR3UF09A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68764 Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.157V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3UF09A,LM(CT TCR3UF09A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68764 Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.157V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
auf Bestellung 5369 Stücke:
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44+0.40 EUR
63+0.28 EUR
72+0.25 EUR
100+0.21 EUR
250+0.19 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LF(CT RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19054&prodName=RN4987FE Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 1839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
81+0.22 EUR
131+0.14 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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TLP531(GR-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(Y-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(MBSIN-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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TLP531(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(BL-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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TLP531(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(HIT-BL-L1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(Y-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(HIT-BL-T1,F Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(HIT-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(MBS-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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TLP531(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TLP531(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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TK90S06N1L,LXHQ TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK90S06N1L,LXHQ TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
auf Bestellung 9627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
12+1.55 EUR
100+1.20 EUR
500+1.02 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.05 EUR
16000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
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RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 26586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
88+0.20 EUR
163+0.11 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.06 EUR
2000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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TC74HC7292AP(F) TC74HC7292AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC OSC CLOCK CMOS LOGIC 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Clock Oscillator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Not For New Designs
Current - Supply: 4 µA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP781F(D4-FUNGR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781%28F%29.pdf Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
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TK1K2A60F,S4X TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59766&prodName=TK1K2A60F Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.48 EUR
12+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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SSM6J214FE(TE85L,F SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=7118&prodName=SSM6J214FE Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
auf Bestellung 4511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
34+0.52 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4X TK2K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61567&prodName=TK2K2A60F Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC4682,T6CSF(J 2SC4682,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682_2009-12-21.pdf Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC4682,T6F(J 2SC4682,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682_2009-12-21.pdf Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78L12BP Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 12V DIP
Packaging: Bulk
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TLP7830(D4-LF4,E TLP7830(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC OP AMP ISOLATION SO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Modulator
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SO
Number of Channels: 1
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TODX2355(F) TODX2355(F) Toshiba Semiconductor and Storage TODX2355(F)_8-2-18.pdf Description: TXRX MOD OPTICAL 10MBPS 650NM
Packaging: Bulk
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 650nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.35 EUR
15+19.87 EUR
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2SC3672-O(T2ASH,FM 2SC3672-O(T2ASH,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3672_2010-03-10.pdf Description: TRANS NPN 100MA 300V SC71
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TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 5932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.69 EUR
10+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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TK110P10PL,RQ TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.70 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQ TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 5388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CEZ36V,L3F CEZ36V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
auf Bestellung 8000 Stücke:
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8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CEZ36V,L3F CEZ36V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
auf Bestellung 15621 Stücke:
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30+0.60 EUR
36+0.49 EUR
100+0.26 EUR
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1000+0.12 EUR
2000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSZ36V,LF MSZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSZ36V,LF MSZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
auf Bestellung 5897 Stücke:
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27+0.67 EUR
32+0.55 EUR
100+0.29 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUZ36V,LF MUZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUZ36V,LF MUZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CUZ36V,H3F CUZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CUZ36V,H3F CUZ36V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
auf Bestellung 1812 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL05PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 5V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL06PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 6V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL08PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 8V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL09PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 9V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL10PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 10V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL15PI Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC REG LINEAR LDO 15V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3UF105A,LM(CT
TCR3UF105A,LM(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3UF105A,LM(CT
TCR3UF105A,LM(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.05V 300MA SMV
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3UF09A,LM(CT docget.jsp?did=68764
TCR3UF09A,LM(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.157V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TCR3UF09A,LM(CT docget.jsp?did=68764
TCR3UF09A,LM(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 300MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 580 nA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.157V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
auf Bestellung 5369 Stücke:
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Anzahl Preis
44+0.40 EUR
63+0.28 EUR
72+0.25 EUR
100+0.21 EUR
250+0.19 EUR
500+0.18 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN4987FE,LF(CT RN4987FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19054&prodName=RN4987FE
RN4987FE,LF(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
auf Bestellung 1839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.35 EUR
81+0.22 EUR
131+0.14 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(GR-LF1,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(GRL,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(MBS,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(BL,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(Y-LF5,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(MBSIN-TP5,F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(BL-LF2,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(LF1,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(BL-TP1,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(YG,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(HIT-BL-L1,F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(GR-LF2,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(Y-LF2,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(HIT-BL-T1,F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(BL-LF1,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(HIT-BL,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(MBS-TP5,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(Y,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(GR,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP531(GB,F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PHOTOCOUPLER
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK90S06N1L,LXHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
TK90S06N1L,LXHQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK90S06N1L,LXHQ Automotive%20Verbiage%20for%20Distribution%20-TAEC%20Letterhead.pdf
TK90S06N1L,LXHQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 10 V
auf Bestellung 9627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.88 EUR
12+1.55 EUR
100+1.20 EUR
500+1.02 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
RN1105MFV,L3F(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.05 EUR
16000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
RN1105MFV,L3F(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 26586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+0.28 EUR
88+0.20 EUR
163+0.11 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.06 EUR
2000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC74HC7292AP(F)
TC74HC7292AP(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OSC CLOCK CMOS LOGIC 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Clock Oscillator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Not For New Designs
Current - Supply: 4 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP781F(D4-FUNGR,F TLP781%28F%29.pdf
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Obsolete
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK1K2A60F,S4X TK1K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59766&prodName=TK1K2A60F
TK1K2A60F,S4X
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.48 EUR
12+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6J214FE(TE85L,F docget.jsp?did=7118&prodName=SSM6J214FE
SSM6J214FE(TE85L,F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
auf Bestellung 4511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+0.81 EUR
34+0.52 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4X TK2K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61567&prodName=TK2K2A60F
TK2K2A60F,S4X
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC4682,T6CSF(J 2SC4682_2009-12-21.pdf
2SC4682,T6CSF(J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC4682,T6F(J 2SC4682_2009-12-21.pdf
2SC4682,T6F(J
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 15V 3A TO92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 900 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78L12BP
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 12V DIP
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLP7830(D4-LF4,E
TLP7830(D4-LF4,E
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OP AMP ISOLATION SO8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Modulator
Data Interface: Serial
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V, 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 16 b
Voltage Supply Source: Dual Supply
Supplier Device Package: 8-SO
Number of Channels: 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TODX2355(F) TODX2355(F)_8-2-18.pdf
TODX2355(F)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TXRX MOD OPTICAL 10MBPS 650NM
Packaging: Bulk
Connector Type: JIS F07
Wavelength: 650nm
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Applications: General Purpose
Data Rate: 10Mbps
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.35 EUR
15+19.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3672-O(T2ASH,FM 2SC3672_2010-03-10.pdf
2SC3672-O(T2ASH,FM
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 100MA 300V SC71
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110U65Z,RQ docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z
TK110U65Z,RQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110U65Z,RQ docget.jsp?did=69972&prodName=TK110U65Z
TK110U65Z,RQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.02mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 300 V
auf Bestellung 5932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.69 EUR
10+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQ docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL
TK110P10PL,RQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.73 EUR
5000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK110P10PL,RQ docget.jsp?did=60590&prodName=TK110P10PL
TK110P10PL,RQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
auf Bestellung 5388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.31 EUR
11+1.60 EUR
100+1.18 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11S10N1L,LXHQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11S10N1L,LXHQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CEZ36V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V
CEZ36V,L3F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CEZ36V,L3F docget.jsp?did=69323&prodName=CEZ36V
CEZ36V,L3F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC ESC
auf Bestellung 15621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.60 EUR
36+0.49 EUR
100+0.26 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSZ36V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V
MSZ36V,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSZ36V,LF docget.jsp?did=69349&prodName=MSZ36V
MSZ36V,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC SMINI
auf Bestellung 5897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+0.67 EUR
32+0.55 EUR
100+0.29 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUZ36V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V
MUZ36V,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUZ36V,LF docget.jsp?did=69487&prodName=MUZ36V
MUZ36V,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CUZ36V,H3F docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V
CUZ36V,H3F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CUZ36V,H3F docget.jsp?did=69335&prodName=CUZ36V
CUZ36V,H3F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 36VWM 63VC USC
auf Bestellung 1812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL05PI
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 5V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL06PI
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 6V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL08PI
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 8V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL09PI
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 9V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL10PI
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 10V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIA78DL15PI
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR LDO 15V TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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