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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TL3GB-NW1,L TL3GB-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-NW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL3GB-WH1,L TL3GB-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-WH1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
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TL1F2-DW0,L TL1F2-DW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-DW0,L Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
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TL1F2-NW0,L TL1F2-NW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW0,L Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL1F2-NW1,L TL1F2-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW1,L Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL1F2-WH1,L TL1F2-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-WH1,L Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
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TL1L2-DW0,L TL1L2-DW0,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-DW0,L.pdf Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
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TL1L2-LL1,L TL1L2-LL1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-LL1,L.pdf Description: LED LETERAS WARM WHT 2700K 2SMD
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TL1L2-LW1,L TL1L2-LW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-LW1,L.pdf Description: LED LETERAS WARM WHT 3000K 2SMD
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TL1L2-NW0,L TL1L2-NW0,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-NW0,L.pdf Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL1L2-NW1,L TL1L2-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-NW1,L.pdf Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL1L2-WH1,L TL1L2-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-WH1,L.pdf Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
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TL2FL-DW1,L TL2FL-DW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2FL-DW1,L Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
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TL2FL-NW0,L TL2FL-NW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-NW0,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL2FL-NW1,L TL2FL-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-NW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL3GB-DW1,L TL3GB-DW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-DW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
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TL1F2-DW0,L TL1F2-DW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-DW0,L Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
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TL1F2-NW0,L TL1F2-NW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW0,L Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL1F2-NW1,L TL1F2-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW1,L Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL1F2-WH1,L TL1F2-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-WH1,L Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
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TL1L2-DW0,L TL1L2-DW0,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-DW0,L.pdf Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
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TL1L2-LL1,L TL1L2-LL1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-LL1,L.pdf Description: LED LETERAS WARM WHT 2700K 2SMD
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TL1L2-LW1,L TL1L2-LW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-LW1,L.pdf Description: LED LETERAS WARM WHT 3000K 2SMD
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TL1L2-NW0,L TL1L2-NW0,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-NW0,L.pdf Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL1L2-NW1,L TL1L2-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-NW1,L.pdf Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL1L2-WH1,L TL1L2-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-WH1,L.pdf Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
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TL2FL-DW1,L TL2FL-DW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2FL-DW1,L Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
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TL2FL-LL1,L TL2FL-LL1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-LL1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS WARM WHT 2700K 2SMD
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TL2FL-LW1,L TL2FL-LW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-LW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS WARM WHT 3000K 2SMD
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TL2FL-NW0,L TL2FL-NW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-NW0,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL2FL-NW1,L TL2FL-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-NW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL2FL-WH1,L TL2FL-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL2FL-WH1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
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TL3GB-DW1,L TL3GB-DW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-DW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
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TL3GB-LL1,L TL3GB-LL1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-LL1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS WARM WHT 2700K 2SMD
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TL3GB-LW1,L TL3GB-LW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-LW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS WARM WHT 3000K 2SMD
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TL3GB-NW0,L TL3GB-NW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-NW0,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL3GB-NW1,L TL3GB-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-NW1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL3GB-WH1,L TL3GB-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?pid=TL3GB-WH1,L&lang=en&type=datasheet Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
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TL1F2-DW0,L TL1F2-DW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-DW0,L Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL1F2-NW0,L TL1F2-NW0,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW0,L Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL1F2-NW1,L TL1F2-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW1,L Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL1F2-WH1,L TL1F2-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-WH1,L Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
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TPN4R303NL,L1Q TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14268&prodName=TPN4R303NL Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TPH4R003NL,L1Q TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14427&prodName=TPH4R003NL Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN11006NL,LQ TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14108&prodName=TPN11006NL Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.61 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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TPN7R506NH,L1Q TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH_datasheet_en_20191030.pdf?did=13874&prodName=TPN7R506NH Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TPH11006NL,LQ TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11006NL_datasheet_en_20140225.pdf?did=14165&prodName=TPH11006NL Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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TPN13008NH,L1Q TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13537&prodName=TPN13008NH Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPN4R303NL,L1Q TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14268&prodName=TPN4R303NL Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
auf Bestellung 24775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TPH4R003NL,L1Q TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14427&prodName=TPH4R003NL Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 4032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.45 EUR
12+1.55 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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TPN11006NL,LQ TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14108&prodName=TPN11006NL Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 8663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.36 EUR
12+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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TPN7R506NH,L1Q TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH_datasheet_en_20191030.pdf?did=13874&prodName=TPN7R506NH Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
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Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL3GB-WH1,L docget.jsp?pid=TL3GB-WH1,L&lang=en&type=datasheet
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Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
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TL1F2-NW0,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW0,L
TL1F2-NW0,L
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
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TL1F2-NW1,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-NW1,L
TL1F2-NW1,L
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL1F2-WH1,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL1F2-WH1,L
TL1F2-WH1,L
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
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TPN4R303NL,L1Q docget.jsp?did=14268&prodName=TPN4R303NL
TPN4R303NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TPH4R003NL,L1Q docget.jsp?did=14427&prodName=TPH4R003NL
TPH4R003NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
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TPN11006NL,LQ docget.jsp?did=14108&prodName=TPN11006NL
TPN11006NL,LQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.61 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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TPN7R506NH,L1Q TPN7R506NH_datasheet_en_20191030.pdf?did=13874&prodName=TPN7R506NH
TPN7R506NH,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TPH11006NL,LQ TPH11006NL_datasheet_en_20140225.pdf?did=14165&prodName=TPH11006NL
TPH11006NL,LQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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TPN13008NH,L1Q docget.jsp?did=13537&prodName=TPN13008NH
TPN13008NH,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TPN4R303NL,L1Q docget.jsp?did=14268&prodName=TPN4R303NL
TPN4R303NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
auf Bestellung 24775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TPH4R003NL,L1Q docget.jsp?did=14427&prodName=TPH4R003NL
TPH4R003NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 4032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.45 EUR
12+1.55 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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TPN11006NL,LQ docget.jsp?did=14108&prodName=TPN11006NL
TPN11006NL,LQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
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TPN7R506NH,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
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