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NE34018-T1-64-A NE34018-T1-64-A CEL ne34018.pdf Description: FET RF 4V 2GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 120mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2GHz
Power - Output: 12dBm
Gain: 16dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 5 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE34018-T1-A NE34018-T1-A CEL ne34018.pdf Description: FET RF 4V 2GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 120mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2GHz
Power - Output: 12dBm
Gain: 16dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 5 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE34018-T1-A NE34018-T1-A CEL ne34018.pdf Description: FET RF 4V 2GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 120mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2GHz
Power - Output: 12dBm
Gain: 16dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 5 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE350184C CEL NE350184C.pdf Description: FET RF 4V 20GHZ MICRO-X
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NE3503M04-A NE3503M04-A CEL RF-Wireless-Brochure.pdf Description: FET RF 4V 12GHZ M04
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NE3503M04-A NE3503M04-A CEL ne3503m04-26659.pdf RF JFET Transistors Low Noise HJ FET
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NE3503M04-T2-A NE3503M04-T2-A CEL ne3509m04-19679.pdf RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
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NE3508M04-A NE3508M04-A CEL ne3508m04.pdf Description: AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NE3508M04-EVNF23-A CEL ne3508m04-48267.pdf RF Development Tools L to S band LNA Eval Brd
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NE3508M04-EVNF23-A CEL RF-Wireless-Brochure.pdf Description: EVAL DEV RF NE3508M04
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NE3508M04
Type: FET
Supplied Contents: Board(s)
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NE3508M04-T2-A NE3508M04-T2-A CEL ne3508m04.pdf Description: AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
Produkt ist nicht verfügbar
NE3509M04-A NE3509M04-A CEL NE3509M04.pdf Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 17.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.4dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE3509M04-EVNF24-A CEL NE3509M04.pdf Description: EVAL DEV RF NE3509M04
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NE3509M04
Type: FET
Supplied Contents: Board(s)
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NE3509M04-EVNF24-A CEL ne3509m04-19679.pdf RF Development Tools For NE3509M04-A
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NE3509M04-T2-A NE3509M04-T2-A CEL NE3509M04.pdf Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 17.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.4dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE3509M04-T2-A NE3509M04-T2-A CEL NE3509M04.pdf Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 17.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.4dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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NE3510M04-A NE3510M04-A CEL ne3510m04.pdf Description: FET RF 4V 4GHZ M04
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NE3511S02-A NE3511S02-A CEL NE3511S02.pdf Description: HJ-FET NCH 13.5DB S02
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NE3512S02-A NE3512S02-A CEL RF-Wireless-Brochure.pdf Description: HJ-FET NCH 13.5DB S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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NE3513M04-A NE3513M04-A CEL Description: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 125mW
Gain: 13dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.65dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE3513M04-T2-A NE3513M04-T2-A CEL Description: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 125mW
Gain: 13dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.65dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE3514S02-A NE3514S02-A CEL NE3514S02.pdf Description: HJ-FET NCH 10DB S02
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NE3514S02-T1C-A NE3514S02-T1C-A CEL NE3514S02.pdf Description: HJ-FET NCH 10DB S02
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NE3515S02-A NE3515S02-A CEL NE3515S02.pdf Description: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
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NE3515S02-T1C-A NE3515S02-T1C-A CEL ne3515S02-26921.pdf RF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
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NE3516S02-A NE3516S02-A CEL Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 165mW
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE3516S02-T1C-A NE3516S02-T1C-A CEL Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 165mW
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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NE3517S03-A NE3517S03-A CEL ne3517s03.pdf Description: FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NE3520S03-A NE3520S03-A CEL NE3520S03.pdf Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 20GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.65dB
Supplier Device Package: S03
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE3520S03-T1C-A NE3520S03-T1C-A CEL NE3520S03.pdf Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 20GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.65dB
Supplier Device Package: S03
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE3521M04-A NE3521M04-A CEL Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Configuration: N-Channel
Gain: 10.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.85dB
Voltage - Rated: 3 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 6 mA
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NE3521M04-T2-A CEL RNCCS13055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw CEL N-Channel GaAs HJ-FET, K-Band Low Noise and High Gain
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NE38018 NE38018 CEL ne425s01-32608.pdf RF JFET Transistors L-S Band Lo No Amp
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NE4210S01 CEL Description: HJ-FET 13DB S01
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NE4210S01 NE4210S01 CEL ne4210s01-243328.pdf RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET
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NE4210S01-T1B CEL RNCCS03594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HJ-FET 13DB S01
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NE46134-AZ NE46134-AZ CEL Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
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NE46134-AZ NE46134-AZ CEL ne46134-607377.pdf RF Bipolar Transistors NPN Med Pwr Hi-Freq
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NE46134-T1 CEL nec_cel_ne461-1186514.pdf RF Bipolar Transistors NPN Med Pwr Hi-Freq
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NE46134-T1 NE46134-T1 CEL ne461.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NE46134-T1-AZ NE46134-T1-AZ CEL Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE46134-T1-AZ NE46134-T1-AZ CEL Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
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NE46134-T1-AZ NE46134-T1-AZ CEL ne46134-607377.pdf RF Bipolar Transistors NPN Med Pwr Hi-Freq
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NE46134-T1-QR-AZ CEL Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE46134-T1-QR-AZ CEL RF Bipolar Transistors
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NE46134-T1-QS-AZ CEL ne461-4778.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency QS Rating
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NE461M02-AZ NE461M02-AZ CEL ne461m02.pdf Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NE461M02-T1-AZ NE461M02-T1-AZ CEL NE461M02.pdf Description: RF TRANS NPN 15V SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.3dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE461M02-T1-AZ NE461M02-T1-AZ CEL NE461M02.pdf Description: RF TRANS NPN 15V SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.3dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE461M02-T1-AZ CEL NE461M02.pdf 0712
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NE46234-AZ NE46234-AZ CEL ne46234.pdf Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE46234-SE-AZ NE46234-SE-AZ CEL ne46234.pdf Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE46234-T1-AZ NE46234-T1-AZ CEL ne46234.pdf Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE46234-T1-SE-AZ NE46234-T1-SE-AZ CEL ne46234.pdf Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE462M02-AZ NE462M02-AZ CEL Description: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT90
Packaging: Strip
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB
Power - Max: 1.8W
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 6GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Produkt ist nicht verfügbar
NE462M02-T1-AZ NE462M02-T1-AZ CEL ne462m02.pdf Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
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NE52418-A NE52418-A CEL NE52418.pdf Description: IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
Produkt ist nicht verfügbar
NE52418-EVNF58 CEL NE52418.pdf Description: EVAL BOARD FOR NE52418
Produkt ist nicht verfügbar
NE52418-T1-A NE52418-T1-A CEL NE52418.pdf Description: IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
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NE5500234-AZ CEL CEL Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS directive compliant
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NE34018-T1-64-A ne34018.pdf
NE34018-T1-64-A
Hersteller: CEL
Description: FET RF 4V 2GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 120mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2GHz
Power - Output: 12dBm
Gain: 16dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 5 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE34018-T1-A ne34018.pdf
NE34018-T1-A
Hersteller: CEL
Description: FET RF 4V 2GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 120mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2GHz
Power - Output: 12dBm
Gain: 16dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 5 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE34018-T1-A ne34018.pdf
NE34018-T1-A
Hersteller: CEL
Description: FET RF 4V 2GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 120mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2GHz
Power - Output: 12dBm
Gain: 16dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 5 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE350184C NE350184C.pdf
Hersteller: CEL
Description: FET RF 4V 20GHZ MICRO-X
Produkt ist nicht verfügbar
NE3503M04-A RF-Wireless-Brochure.pdf
NE3503M04-A
Hersteller: CEL
Description: FET RF 4V 12GHZ M04
Produkt ist nicht verfügbar
NE3503M04-A ne3503m04-26659.pdf
NE3503M04-A
Hersteller: CEL
RF JFET Transistors Low Noise HJ FET
Produkt ist nicht verfügbar
NE3503M04-T2-A ne3509m04-19679.pdf
NE3503M04-T2-A
Hersteller: CEL
RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
Produkt ist nicht verfügbar
NE3508M04-A ne3508m04.pdf
NE3508M04-A
Hersteller: CEL
Description: AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
auf Bestellung 623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NE3508M04-EVNF23-A ne3508m04-48267.pdf
Hersteller: CEL
RF Development Tools L to S band LNA Eval Brd
Produkt ist nicht verfügbar
NE3508M04-EVNF23-A RF-Wireless-Brochure.pdf
Hersteller: CEL
Description: EVAL DEV RF NE3508M04
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NE3508M04
Type: FET
Supplied Contents: Board(s)
Produkt ist nicht verfügbar
NE3508M04-T2-A ne3508m04.pdf
NE3508M04-T2-A
Hersteller: CEL
Description: AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
Produkt ist nicht verfügbar
NE3509M04-A NE3509M04.pdf
NE3509M04-A
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 17.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.4dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE3509M04-EVNF24-A NE3509M04.pdf
Hersteller: CEL
Description: EVAL DEV RF NE3509M04
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NE3509M04
Type: FET
Supplied Contents: Board(s)
Produkt ist nicht verfügbar
NE3509M04-EVNF24-A ne3509m04-19679.pdf
Hersteller: CEL
RF Development Tools For NE3509M04-A
Produkt ist nicht verfügbar
NE3509M04-T2-A NE3509M04.pdf
NE3509M04-T2-A
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 17.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.4dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
NE3509M04-T2-A NE3509M04.pdf
NE3509M04-T2-A
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 11dBm
Gain: 17.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.4dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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NE3510M04-A ne3510m04.pdf
NE3510M04-A
Hersteller: CEL
Description: FET RF 4V 4GHZ M04
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NE3511S02-A NE3511S02.pdf
NE3511S02-A
Hersteller: CEL
Description: HJ-FET NCH 13.5DB S02
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NE3512S02-A RF-Wireless-Brochure.pdf
NE3512S02-A
Hersteller: CEL
Description: HJ-FET NCH 13.5DB S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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NE3513M04-A
NE3513M04-A
Hersteller: CEL
Description: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 125mW
Gain: 13dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.65dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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NE3513M04-T2-A
NE3513M04-T2-A
Hersteller: CEL
Description: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 125mW
Gain: 13dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.65dB
Supplier Device Package: M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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NE3514S02-A NE3514S02.pdf
NE3514S02-A
Hersteller: CEL
Description: HJ-FET NCH 10DB S02
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NE3514S02-T1C-A NE3514S02.pdf
NE3514S02-T1C-A
Hersteller: CEL
Description: HJ-FET NCH 10DB S02
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NE3515S02-A NE3515S02.pdf
NE3515S02-A
Hersteller: CEL
Description: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
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NE3515S02-T1C-A ne3515S02-26921.pdf
NE3515S02-T1C-A
Hersteller: CEL
RF JFET Transistors Super Low Noise Pseudomorphic
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NE3516S02-A
NE3516S02-A
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 165mW
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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NE3516S02-T1C-A
NE3516S02-T1C-A
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 60mA
Frequency: 12GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 165mW
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.35dB
Supplier Device Package: S02
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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NE3517S03-A ne3517s03.pdf
NE3517S03-A
Hersteller: CEL
Description: FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NE3520S03-A NE3520S03.pdf
NE3520S03-A
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 20GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.65dB
Supplier Device Package: S03
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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NE3520S03-T1C-A NE3520S03.pdf
NE3520S03-T1C-A
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 20GHz
Gain: 13.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.65dB
Supplier Device Package: S03
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
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NE3521M04-A
NE3521M04-A
Hersteller: CEL
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 15mA
Frequency: 20GHz
Configuration: N-Channel
Gain: 10.5dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.85dB
Voltage - Rated: 3 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 6 mA
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NE3521M04-T2-A RNCCS13055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: CEL
CEL N-Channel GaAs HJ-FET, K-Band Low Noise and High Gain
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NE38018 ne425s01-32608.pdf
NE38018
Hersteller: CEL
RF JFET Transistors L-S Band Lo No Amp
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NE4210S01
Hersteller: CEL
Description: HJ-FET 13DB S01
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NE4210S01 ne4210s01-243328.pdf
NE4210S01
Hersteller: CEL
RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET
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NE4210S01-T1B RNCCS03594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: CEL
Description: HJ-FET 13DB S01
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NE46134-AZ
NE46134-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
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NE46134-AZ ne46134-607377.pdf
NE46134-AZ
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN Med Pwr Hi-Freq
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NE46134-T1 nec_cel_ne461-1186514.pdf
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN Med Pwr Hi-Freq
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NE46134-T1 ne461.pdf
NE46134-T1
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
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NE46134-T1-AZ
NE46134-T1-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
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NE46134-T1-AZ
NE46134-T1-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
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NE46134-T1-AZ ne46134-607377.pdf
NE46134-T1-AZ
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN Med Pwr Hi-Freq
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NE46134-T1-QR-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
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NE46134-T1-QR-AZ
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors
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NE46134-T1-QS-AZ ne461-4778.pdf
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency QS Rating
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NE461M02-AZ ne461m02.pdf
NE461M02-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NE461M02-T1-AZ NE461M02.pdf
NE461M02-T1-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 15V SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.3dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
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NE461M02-T1-AZ NE461M02.pdf
NE461M02-T1-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 15V SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.3dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 250mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
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NE461M02-T1-AZ NE461M02.pdf
Hersteller: CEL
0712
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NE46234-AZ ne46234.pdf
NE46234-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE46234-SE-AZ ne46234.pdf
NE46234-SE-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE46234-T1-AZ ne46234.pdf
NE46234-T1-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE46234-T1-SE-AZ ne46234.pdf
NE46234-T1-SE-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE462M02-AZ
NE462M02-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT90
Packaging: Strip
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB
Power - Max: 1.8W
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 6GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Produkt ist nicht verfügbar
NE462M02-T1-AZ ne462m02.pdf
NE462M02-T1-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
Produkt ist nicht verfügbar
NE52418-A NE52418.pdf
NE52418-A
Hersteller: CEL
Description: IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
Produkt ist nicht verfügbar
NE52418-EVNF58 NE52418.pdf
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NE52418
Produkt ist nicht verfügbar
NE52418-T1-A NE52418.pdf
NE52418-T1-A
Hersteller: CEL
Description: IC AMP HBT GAAS LN 4-SMINI
Produkt ist nicht verfügbar
NE5500234-AZ
Hersteller: CEL
CEL Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS directive compliant
Produkt ist nicht verfügbar
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