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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF INFINEON INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
117+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
164+1.42 EUR
252+0.86 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON 2820308.pdf Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON 2820308.pdf Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.59 EUR
27+8.6 EUR
33+6.58 EUR
50+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB535E7904HTSA1 BB535E7904HTSA1 INFINEON 1849685.html Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+1.24 EUR
287+0.81 EUR
484+0.44 EUR
654+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITLGPWRBOM16TOBO1 KITLGPWRBOM16TOBO1 INFINEON 4386889.pdf Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344 Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.69 EUR
16+15.39 EUR
19+11.51 EUR
50+10.01 EUR
100+8.48 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R025M2HXTMA1 IMT40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384416.pdf Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.61 EUR
13+18.73 EUR
15+14.3 EUR
50+13.11 EUR
100+11.91 EUR
250+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.17 EUR
14+17.4 EUR
17+13.13 EUR
50+11.52 EUR
100+9.9 EUR
250+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 IMBG40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384409.pdf Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.57 EUR
50+20.93 EUR
100+19.28 EUR
250+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344 Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.69 EUR
16+15.39 EUR
19+11.51 EUR
50+10.01 EUR
100+8.48 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384410.pdf Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.32 EUR
12+18.04 EUR
50+16.11 EUR
100+14.16 EUR
250+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.17 EUR
14+17.4 EUR
17+13.13 EUR
50+11.52 EUR
100+9.9 EUR
250+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R036M2HXTMA1 IMT40R036M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54 Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.31 EUR
17+14.27 EUR
21+10.65 EUR
50+9.23 EUR
100+7.82 EUR
250+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 IMBG40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384409.pdf Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.21 EUR
8+29.51 EUR
10+22.57 EUR
50+20.93 EUR
100+19.28 EUR
250+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+31.06 EUR
10+24.5 EUR
12+18.61 EUR
50+16.95 EUR
100+15.26 EUR
250+14.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R011M2HXTMA1 IMT40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384414.pdf Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.98 EUR
50+25.66 EUR
100+23.32 EUR
250+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384410.pdf Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.19 EUR
10+23.32 EUR
12+18.04 EUR
50+16.11 EUR
100+14.16 EUR
250+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R011M2HXTMA1 IMT40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384414.pdf Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+33.76 EUR
10+27.98 EUR
50+25.66 EUR
100+23.32 EUR
250+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R045M2HXTMA1 IMT40R045M2HXTMA1 INFINEON 4384418.pdf Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.34 EUR
23+10.16 EUR
100+7.52 EUR
500+6.7 EUR
1000+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R045M2HXTMA1 IMBG40R045M2HXTMA1 INFINEON 4384413.pdf Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.42 EUR
25+9.63 EUR
100+6.45 EUR
500+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R036M2HXTMA1 IMT40R036M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54 Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.31 EUR
17+14.27 EUR
21+10.65 EUR
50+9.23 EUR
100+7.82 EUR
250+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.5 EUR
12+18.61 EUR
50+16.95 EUR
100+15.26 EUR
250+14.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R025M2HXTMA1 IMT40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384416.pdf Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.61 EUR
13+18.73 EUR
15+14.3 EUR
50+13.11 EUR
100+11.91 EUR
250+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REF5QR0680BG40W1TOBO1 REF5QR0680BG40W1TOBO1 INFINEON 4198687.pdf Description: INFINEON - REF5QR0680BG40W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR0680BG, AC/DC-Offline-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR0680BG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Wandler
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5QR0680BG
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+206.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITT2G-B-HEVK KITT2G-B-HEVK INFINEON Infineon-KIT_T2G-B-H_EVK_TRAVEO_T2G_Body_High_evaluation_kit_guide-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8823155701886921ead71a59 Description: INFINEON - KITT2G-B-HEVK - Body High Evaluation-Kit, CYT4BFBCHDES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BFBCHDES, USB-A/Micro-B-Kabel, DC-Netzadapter, Jumper, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BFBCHDES
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1347.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.04 EUR
25+9.35 EUR
100+6.94 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.94 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP069N20NM6AKSA1 IPP069N20NM6AKSA1 INFINEON 4148565.pdf Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.79 EUR
13+18.03 EUR
16+13.76 EUR
50+12.45 EUR
100+11.14 EUR
250+10.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5TATMA1 BSC037N08NS5TATMA1 INFINEON Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23 Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 4588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.54 EUR
51+4.57 EUR
100+3.24 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5TATMA1 BSC037N08NS5TATMA1 INFINEON Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23 Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 4588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.51 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRL7PP IRFS7734TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012813553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7734TRL7PP - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 197 A, 3050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294mW
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIT1EDBAUXGANTOBO1 KIT1EDBAUXGANTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - KIT1EDBAUXGANTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDB8275F, 1EDN7511B, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDB8275F, 1EDN7511B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDB8275F, 1EDN7511B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+304.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25HL01GTFABHI030 S25HL01GTFABHI030 INFINEON INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25HL01GTFABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+54.68 EUR
10+45.43 EUR
25+40.78 EUR
50+38.79 EUR
100+38.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S28HL01GTFPBHI030 S28HL01GTFPBHI030 INFINEON 3681707.pdf Description: INFINEON - S28HL01GTFPBHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+64.63 EUR
10+55.64 EUR
25+49.85 EUR
50+44.87 EUR
100+43.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S26HS01GTGABHI030 S26HS01GTGABHI030 INFINEON INFN-S-A0014825130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S26HS01GTGABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, HyperBus, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+35.78 EUR
8+29.92 EUR
10+27.26 EUR
25+26.91 EUR
50+26.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25HL01GTFAMHI010 S25HL01GTFAMHI010 INFINEON INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25HL01GTFAMHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.66 EUR
10+35.88 EUR
25+32.07 EUR
50+28.79 EUR
100+27.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITT2G-B-HLITE KITT2G-B-HLITE INFINEON Description: INFINEON - KITT2G-B-HLITE - Body High Lite-Kit, CYT4BF8CEDQ0AE, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 85437090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8CEDQ0AE, USB-Micro-B-Kabel
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BF8CEDQ0AE
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+275.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 INFINEON INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R020CFD7XTMA1 IPDQ60R020CFD7XTMA1 INFINEON 3983243.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.36 EUR
11+21.1 EUR
50+18.79 EUR
100+17.14 EUR
250+15.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R020CFD7XTMA1 IPDQ60R020CFD7XTMA1 INFINEON 3983243.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.81 EUR
10+25.36 EUR
11+21.1 EUR
50+18.79 EUR
100+17.14 EUR
250+15.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5QR4770AZXKLA1 ICE5QR4770AZXKLA1 INFINEON 2920458.pdf Description: INFINEON - ICE5QR4770AZXKLA1 - AC/DC-WANDLER, FLYBACK, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300VAC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
71+3.3 EUR
78+2.76 EUR
100+2.49 EUR
250+2.38 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE046N08LM5CGATMA1 IQE046N08LM5CGATMA1 INFINEON Infineon-IQE046N08LM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d21e051ca Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.06 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE046N08LM5CGATMA1 IQE046N08LM5CGATMA1 INFINEON Infineon-IQE046N08LM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d21e051ca Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.43 EUR
50+4.71 EUR
100+3.06 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE046N08LM5ATMA1 IQE046N08LM5ATMA1 INFINEON 3968299.pdf Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.11 EUR
250+3.4 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE046N08LM5CGSCATMA1 IQE046N08LM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQE046N08LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d2f6b51cd Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.82 EUR
48+4.91 EUR
100+3.26 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LITEDCDCSBCBOARDTOBO1 LITEDCDCSBCBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Lite_SBC_Evaluation_Board-Getting_Started-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a0167d02c0bcd1a6a Description: INFINEON - LITEDCDCSBCBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9461-3ES und TLE9471-3ES, Power-Management, System-Basis-Chip
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9461-3ES, TLE9471-3ES
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: System-Basis-Chips (SBC)
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Prozessorkern: TLE9461-3ES, TLE9471-3ES
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+328.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB85702VH7902XTSA1 BB85702VH7902XTSA1 INFINEON 1835977.pdf Description: INFINEON - BB85702VH7902XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 0.52 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Sperrspannung: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 0.52pF
Produktpalette: BB857
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB85702VH7902XTSA1 BB85702VH7902XTSA1 INFINEON 1835977.pdf Description: INFINEON - BB85702VH7902XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 0.52 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Sperrspannung: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 0.52pF
Produktpalette: BB857
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PASCO2V15AUMA1 PASCO2V15AUMA1 INFINEON 4265838.pdf Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±5%, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: 5%
Genauigkeit: ±5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV Series
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+38.23 EUR
50+32.28 EUR
100+29.96 EUR
250+29.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU8743PBF IRLU8743PBF INFINEON INFN-S-A0012905680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
112+2.08 EUR
126+1.7 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS200R12W3T7B11BPSA1 FS200R12W3T7B11BPSA1 INFINEON 4013795.pdf Description: INFINEON - FS200R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Schraub
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+195.33 EUR
5+172.57 EUR
10+151.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL2ED2106TOBO1 EVAL2ED2106TOBO1 INFINEON 4151578.pdf Description: INFINEON - EVAL2ED2106TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED2106S06F, IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED2106S06F
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT/MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: 2ED2106S06F
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+121.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R025CFD7XTMA1 IPDQ60R025CFD7XTMA1 INFINEON 3983244.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.39 EUR
9+28.12 EUR
10+22.44 EUR
50+19.39 EUR
100+17.22 EUR
250+15.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60T022S7AXTMA1 IPDQ60T022S7AXTMA1 INFINEON 4159464.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.72 EUR
12+19.98 EUR
13+16.55 EUR
50+16.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R025CFD7XTMA1 IPDQ60R025CFD7XTMA1 INFINEON 3983244.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.44 EUR
50+19.39 EUR
100+17.22 EUR
250+15.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60T022S7AXTMA1 IPDQ60T022S7AXTMA1 INFINEON 4159464.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.72 EUR
12+19.98 EUR
13+16.55 EUR
50+16.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF60DM206ATMA1 IRF60DM206ATMA1 INFINEON Infineon-IRF60DM206-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e433aa19ca Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.82 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1324PBF IRF1324PBF INFINEON INFN-S-A0012838493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.95 EUR
55+4.25 EUR
100+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3709ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.08 EUR
133+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7458TRPBF INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7458TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
117+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335TRPBF INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9335TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.46 EUR
164+1.42 EUR
252+0.86 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 2820308.pdf
BTS612N1E3128ABUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 2820308.pdf
BTS612N1E3128ABUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.59 EUR
27+8.6 EUR
33+6.58 EUR
50+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB535E7904HTSA1 1849685.html
BB535E7904HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
203+1.24 EUR
287+0.81 EUR
484+0.44 EUR
654+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITLGPWRBOM16TOBO1 4386889.pdf
KITLGPWRBOM16TOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344
IMBG40R036M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.69 EUR
16+15.39 EUR
19+11.51 EUR
50+10.01 EUR
100+8.48 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R025M2HXTMA1 4384416.pdf
IMT40R025M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.61 EUR
13+18.73 EUR
15+14.3 EUR
50+13.11 EUR
100+11.91 EUR
250+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 4384411.pdf
IMBG40R025M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.17 EUR
14+17.4 EUR
17+13.13 EUR
50+11.52 EUR
100+9.9 EUR
250+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 4384409.pdf
IMBG40R011M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+22.57 EUR
50+20.93 EUR
100+19.28 EUR
250+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344
IMBG40R036M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.69 EUR
16+15.39 EUR
19+11.51 EUR
50+10.01 EUR
100+8.48 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 4384410.pdf
IMBG40R015M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+23.32 EUR
12+18.04 EUR
50+16.11 EUR
100+14.16 EUR
250+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 4384411.pdf
IMBG40R025M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.17 EUR
14+17.4 EUR
17+13.13 EUR
50+11.52 EUR
100+9.9 EUR
250+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R036M2HXTMA1 Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54
IMT40R036M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.31 EUR
17+14.27 EUR
21+10.65 EUR
50+9.23 EUR
100+7.82 EUR
250+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 4384409.pdf
IMBG40R011M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+37.21 EUR
8+29.51 EUR
10+22.57 EUR
50+20.93 EUR
100+19.28 EUR
250+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R015M2HXTMA1 4384415.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+31.06 EUR
10+24.5 EUR
12+18.61 EUR
50+16.95 EUR
100+15.26 EUR
250+14.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R011M2HXTMA1 4384414.pdf
IMT40R011M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+27.98 EUR
50+25.66 EUR
100+23.32 EUR
250+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 4384410.pdf
IMBG40R015M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+29.19 EUR
10+23.32 EUR
12+18.04 EUR
50+16.11 EUR
100+14.16 EUR
250+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R011M2HXTMA1 4384414.pdf
IMT40R011M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+33.76 EUR
10+27.98 EUR
50+25.66 EUR
100+23.32 EUR
250+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R045M2HXTMA1 4384418.pdf
IMT40R045M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+16.34 EUR
23+10.16 EUR
100+7.52 EUR
500+6.7 EUR
1000+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R045M2HXTMA1 4384413.pdf
IMBG40R045M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.42 EUR
25+9.63 EUR
100+6.45 EUR
500+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R036M2HXTMA1 Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54
IMT40R036M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.31 EUR
17+14.27 EUR
21+10.65 EUR
50+9.23 EUR
100+7.82 EUR
250+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R015M2HXTMA1 4384415.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+24.5 EUR
12+18.61 EUR
50+16.95 EUR
100+15.26 EUR
250+14.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R025M2HXTMA1 4384416.pdf
IMT40R025M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.61 EUR
13+18.73 EUR
15+14.3 EUR
50+13.11 EUR
100+11.91 EUR
250+11.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REF5QR0680BG40W1TOBO1 4198687.pdf
REF5QR0680BG40W1TOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REF5QR0680BG40W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR0680BG, AC/DC-Offline-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR0680BG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Wandler
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5QR0680BG
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+206.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITT2G-B-HEVK Infineon-KIT_T2G-B-H_EVK_TRAVEO_T2G_Body_High_evaluation_kit_guide-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8823155701886921ead71a59
KITT2G-B-HEVK
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITT2G-B-HEVK - Body High Evaluation-Kit, CYT4BFBCHDES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BFBCHDES, USB-A/Micro-B-Kabel, DC-Netzadapter, Jumper, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BFBCHDES
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1347.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB060N15N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.04 EUR
25+9.35 EUR
100+6.94 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB060N15N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.94 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP069N20NM6AKSA1 4148565.pdf
IPP069N20NM6AKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 1121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+22.79 EUR
13+18.03 EUR
16+13.76 EUR
50+12.45 EUR
100+11.14 EUR
250+10.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5TATMA1 Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23
BSC037N08NS5TATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 4588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.54 EUR
51+4.57 EUR
100+3.24 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5TATMA1 Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23
BSC037N08NS5TATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 4588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.51 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRL7PP INFN-S-A0012813553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7734TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7734TRL7PP - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 197 A, 3050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294mW
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIT1EDBAUXGANTOBO1
KIT1EDBAUXGANTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KIT1EDBAUXGANTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDB8275F, 1EDN7511B, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDB8275F, 1EDN7511B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDB8275F, 1EDN7511B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+304.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25HL01GTFABHI030 INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25HL01GTFABHI030
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25HL01GTFABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+54.68 EUR
10+45.43 EUR
25+40.78 EUR
50+38.79 EUR
100+38.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S28HL01GTFPBHI030 3681707.pdf
S28HL01GTFPBHI030
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S28HL01GTFPBHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+64.63 EUR
10+55.64 EUR
25+49.85 EUR
50+44.87 EUR
100+43.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S26HS01GTGABHI030 INFN-S-A0014825130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S26HS01GTGABHI030
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S26HS01GTGABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, HyperBus, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+35.78 EUR
8+29.92 EUR
10+27.26 EUR
25+26.91 EUR
50+26.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25HL01GTFAMHI010 INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25HL01GTFAMHI010
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25HL01GTFAMHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+41.66 EUR
10+35.88 EUR
25+32.07 EUR
50+28.79 EUR
100+27.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITT2G-B-HLITE
KITT2G-B-HLITE
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITT2G-B-HLITE - Body High Lite-Kit, CYT4BF8CEDQ0AE, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 85437090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8CEDQ0AE, USB-Micro-B-Kabel
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BF8CEDQ0AE
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+275.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N06S403ATMA2 INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120N06S403ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R020CFD7XTMA1 3983243.pdf
IPDQ60R020CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.36 EUR
11+21.1 EUR
50+18.79 EUR
100+17.14 EUR
250+15.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R020CFD7XTMA1 3983243.pdf
IPDQ60R020CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+33.81 EUR
10+25.36 EUR
11+21.1 EUR
50+18.79 EUR
100+17.14 EUR
250+15.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ICE5QR4770AZXKLA1 2920458.pdf
ICE5QR4770AZXKLA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5QR4770AZXKLA1 - AC/DC-WANDLER, FLYBACK, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300VAC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.38 EUR
71+3.3 EUR
78+2.76 EUR
100+2.49 EUR
250+2.38 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon-IQE046N08LM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d21e051ca
IQE046N08LM5CGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.06 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon-IQE046N08LM5CG-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d21e051ca
IQE046N08LM5CGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.43 EUR
50+4.71 EUR
100+3.06 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE046N08LM5ATMA1 3968299.pdf
IQE046N08LM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.11 EUR
250+3.4 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE046N08LM5CGSCATMA1 Infineon-IQE046N08LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701866d8d2f6b51cd
IQE046N08LM5CGSCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+7.82 EUR
48+4.91 EUR
100+3.26 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LITEDCDCSBCBOARDTOBO1 Infineon-Lite_SBC_Evaluation_Board-Getting_Started-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a0167d02c0bcd1a6a
LITEDCDCSBCBOARDTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - LITEDCDCSBCBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE9461-3ES und TLE9471-3ES, Power-Management, System-Basis-Chip
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9461-3ES, TLE9471-3ES
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: System-Basis-Chips (SBC)
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Prozessorkern: TLE9461-3ES, TLE9471-3ES
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+328.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB85702VH7902XTSA1 1835977.pdf
BB85702VH7902XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BB85702VH7902XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 0.52 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Sperrspannung: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 0.52pF
Produktpalette: BB857
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB85702VH7902XTSA1 1835977.pdf
BB85702VH7902XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BB85702VH7902XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 0.52 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Sperrspannung: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 0.52pF
Produktpalette: BB857
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PASCO2V15AUMA1 4265838.pdf
PASCO2V15AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PASCO2V15AUMA1 - Gasdetektor, LG-MLGA-14, 5V, Kohlendioxid, 32000 ppm, ±5%, Photoakustische Spektroskopie (PAS)
tariffCode: 90271090
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Partikelanzahl, max.: 32000ppm
euEccn: NLR
Genauigkeit: 5%
Genauigkeit: ±5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: XENSIV Series
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+38.23 EUR
50+32.28 EUR
100+29.96 EUR
250+29.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU8743PBF description INFN-S-A0012905680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU8743PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.09 EUR
112+2.08 EUR
126+1.7 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS200R12W3T7B11BPSA1 4013795.pdf
FS200R12W3T7B11BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS200R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Schraub
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+195.33 EUR
5+172.57 EUR
10+151.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL2ED2106TOBO1 4151578.pdf
EVAL2ED2106TOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED2106TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED2106S06F, IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED2106S06F
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: IGBT/MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: 2ED2106S06F
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+121.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R025CFD7XTMA1 3983244.pdf
IPDQ60R025CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+34.39 EUR
9+28.12 EUR
10+22.44 EUR
50+19.39 EUR
100+17.22 EUR
250+15.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60T022S7AXTMA1 4159464.pdf
IPDQ60T022S7AXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.72 EUR
12+19.98 EUR
13+16.55 EUR
50+16.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60R025CFD7XTMA1 3983244.pdf
IPDQ60R025CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R025CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.021 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+22.44 EUR
50+19.39 EUR
100+17.22 EUR
250+15.91 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPDQ60T022S7AXTMA1 4159464.pdf
IPDQ60T022S7AXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.72 EUR
12+19.98 EUR
13+16.55 EUR
50+16.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF60DM206ATMA1 Infineon-IRF60DM206-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e433aa19ca
IRF60DM206ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 1547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.82 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1324PBF INFN-S-A0012838493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1324PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+7.95 EUR
55+4.25 EUR
100+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3709ZTRPBF INFN-S-A0012838102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3709ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3709ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+2.08 EUR
133+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH