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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BGSX33M5U16E6327XTSA1 BGSX33M5U16E6327XTSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
103+2.27 EUR
113+1.89 EUR
128+1.68 EUR
250+1.57 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7533BXTSA1 2EDN7533BXTSA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
181+1.29 EUR
229+0.94 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7534FXTMA1 2EDN7534FXTMA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+1.34 EUR
267+0.87 EUR
342+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7534FXTMA1 2EDN7534FXTMA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+1.34 EUR
267+0.87 EUR
342+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7533BXTSA1 2EDN7533BXTSA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
181+1.29 EUR
229+0.94 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 INFINEON 4265861.pdf Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.87 EUR
15+15.76 EUR
20+11.19 EUR
50+10.36 EUR
100+9.53 EUR
250+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ143N13NM6ATMA1 ISZ143N13NM6ATMA1 INFINEON 4334672.pdf Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.05 EUR
51+4.62 EUR
250+3.53 EUR
1000+2.81 EUR
3000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1 INFINEON INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 37150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1158+0.21 EUR
1301+0.18 EUR
1835+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
2464+0.087 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1 INFINEON INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 37150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1158+0.21 EUR
1301+0.18 EUR
1835+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
2464+0.087 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 10333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.32 EUR
44+5.36 EUR
100+3.83 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 10333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.83 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6ED003L06F2XUMA1 6ED003L06F2XUMA1 INFINEON 2334680.pdf Description: INFINEON - 6ED003L06F2XUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 240mA, 13V bis 17.5V, DSO-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.5 EUR
47+4.99 EUR
48+4.47 EUR
50+4.37 EUR
100+4.24 EUR
250+4.13 EUR
500+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT1704E6327HTSA1 BAT1704E6327HTSA1 INFINEON INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1704E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
Sperrspannung: 4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+0.51 EUR
646+0.36 EUR
807+0.26 EUR
971+0.23 EUR
1042+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI20R02HXUMA1 ISSI20R02HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
69+3.11 EUR
70+3.06 EUR
100+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R11HXUMA1 ISSI30R11HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
59+3.95 EUR
64+3.37 EUR
100+3.34 EUR
250+3.32 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R12HXUMA1 ISSI30R12HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI30R12HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
62+3.47 EUR
63+3.45 EUR
100+3.43 EUR
250+3.38 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R11HXUMA1 ISSI30R11HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
250+3.32 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI20R02HXUMA1 ISSI20R02HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S27KL0642DPBHI020 S27KL0642DPBHI020 INFINEON infineon-s27kl0642-s27ks0642-3.0-v-1.8-v-64-mb-8-mb-hyperram-self-refresh-dram-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - S27KL0642DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 64Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 36ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 166MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.29 EUR
11+21.35 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF INFINEON INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
80+2.93 EUR
117+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF INFINEON infineon-irf7469-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.95 EUR
103+2.27 EUR
156+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF INFINEON INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
117+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
164+1.42 EUR
252+0.86 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON 2820308.pdf Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON 2820308.pdf Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.59 EUR
27+8.6 EUR
33+6.58 EUR
50+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB535E7904HTSA1 BB535E7904HTSA1 INFINEON 1849685.html Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+1.24 EUR
287+0.81 EUR
484+0.44 EUR
654+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITLGPWRBOM16TOBO1 KITLGPWRBOM16TOBO1 INFINEON 4386889.pdf Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344 Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.69 EUR
16+15.39 EUR
19+11.51 EUR
50+10.01 EUR
100+8.48 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R025M2HXTMA1 IMT40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384416.pdf Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.56 EUR
13+18.47 EUR
16+13.9 EUR
50+12.27 EUR
100+10.63 EUR
250+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.81 EUR
13+18.68 EUR
18+12.34 EUR
50+12.08 EUR
100+11.83 EUR
250+11.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 IMBG40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384409.pdf Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.57 EUR
50+20.93 EUR
100+19.28 EUR
250+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344 Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.69 EUR
16+15.39 EUR
19+11.51 EUR
50+10.01 EUR
100+8.48 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384410.pdf Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.32 EUR
12+18.04 EUR
50+16.11 EUR
100+14.16 EUR
250+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
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Dauer-Drainstrom Id: 68A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.81 EUR
13+18.68 EUR
18+12.34 EUR
50+12.08 EUR
100+11.83 EUR
250+11.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R036M2HXTMA1 IMT40R036M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54 Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
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Drain-Source-Spannung Vds: 400V
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Dauer-Drainstrom Id: 50A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.31 EUR
17+14.27 EUR
21+10.65 EUR
50+9.23 EUR
100+7.82 EUR
250+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 IMBG40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384409.pdf Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.21 EUR
8+29.51 EUR
10+22.57 EUR
50+20.93 EUR
100+19.28 EUR
250+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
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Drain-Source-Spannung Vds: 400V
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Dauer-Drainstrom Id: 111A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+31.06 EUR
10+24.5 EUR
12+18.61 EUR
50+16.95 EUR
100+15.26 EUR
250+14.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R011M2HXTMA1 IMT40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384414.pdf Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.98 EUR
50+25.66 EUR
100+23.32 EUR
250+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384410.pdf Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
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Dauer-Drainstrom Id: 111A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.19 EUR
10+23.32 EUR
12+18.04 EUR
50+16.11 EUR
100+14.16 EUR
250+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R011M2HXTMA1 IMT40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384414.pdf Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+33.76 EUR
10+27.98 EUR
50+25.66 EUR
100+23.32 EUR
250+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R045M2HXTMA1 IMT40R045M2HXTMA1 INFINEON 4384418.pdf Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.95 EUR
30+7.91 EUR
100+6.7 EUR
500+6.34 EUR
1000+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R045M2HXTMA1 IMBG40R045M2HXTMA1 INFINEON 4384413.pdf Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 400V
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Dauer-Drainstrom Id: 43A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.11 EUR
28+8.57 EUR
100+7.26 EUR
500+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R036M2HXTMA1 IMT40R036M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54 Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.31 EUR
17+14.27 EUR
21+10.65 EUR
50+9.23 EUR
100+7.82 EUR
250+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 400V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.5 EUR
12+18.61 EUR
50+16.95 EUR
100+15.26 EUR
250+14.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R025M2HXTMA1 IMT40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384416.pdf Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.56 EUR
13+18.47 EUR
16+13.9 EUR
50+12.27 EUR
100+10.63 EUR
250+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REF5QR0680BG40W1TOBO1 REF5QR0680BG40W1TOBO1 INFINEON Infineon-Engineering_Report_Reference_Board_REF_5QR0680BG_40W1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0669c25280d Description: INFINEON - REF5QR0680BG40W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR0680BG, AC/DC-Offline-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR0680BG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Wandler
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5QR0680BG
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+206.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITT2G-B-HEVK KITT2G-B-HEVK INFINEON Infineon-KIT_T2G-B-H_EVK_TRAVEO_T2G_Body_High_evaluation_kit_guide-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8823155701886921ead71a59 Description: INFINEON - KITT2G-B-HEVK - Body High Evaluation-Kit, CYT4BFBCHDES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BFBCHDES, USB-A/Micro-B-Kabel, DC-Netzadapter, Jumper, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BFBCHDES
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1347.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.4 EUR
30+7.79 EUR
100+6.59 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.4 EUR
30+7.79 EUR
100+6.59 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP069N20NM6AKSA1 IPP069N20NM6AKSA1 INFINEON 4148565.pdf Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.61 EUR
16+14.76 EUR
20+11.27 EUR
50+9.53 EUR
100+8.72 EUR
250+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5TATMA1 BSC037N08NS5TATMA1 INFINEON Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23 Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 4588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.54 EUR
51+4.57 EUR
100+3.24 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5TATMA1 BSC037N08NS5TATMA1 INFINEON Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23 Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 4588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.51 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRL7PP IRFS7734TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012813553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7734TRL7PP - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 197 A, 3050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294mW
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIT1EDBAUXGANTOBO1 KIT1EDBAUXGANTOBO1 INFINEON Infineon-KIT_1EDB_AUX_GaN_Isolated_gate_driver_IC_with_a_configurable_isolated_bias_supply_for_GaN_HEMTs-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018474f9590e6675 Description: INFINEON - KIT1EDBAUXGANTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDB8275F, 1EDN7511B, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDB8275F, 1EDN7511B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDB8275F, 1EDN7511B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+304.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25HL01GTFABHI030 S25HL01GTFABHI030 INFINEON INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25HL01GTFABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+54.53 EUR
10+46.62 EUR
25+41.72 EUR
50+38.47 EUR
100+37.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S28HL01GTFPBHI030 S28HL01GTFPBHI030 INFINEON 3681707.pdf Description: INFINEON - S28HL01GTFPBHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S26HS01GTGABHI030 S26HS01GTGABHI030 INFINEON INFN-S-A0014825130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S26HS01GTGABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, HyperBus, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+35.78 EUR
8+29.92 EUR
10+27.26 EUR
25+26.91 EUR
50+26.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25HL01GTFAMHI010 S25HL01GTFAMHI010 INFINEON INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25HL01GTFAMHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.66 EUR
10+35.88 EUR
25+32.07 EUR
50+28.79 EUR
100+27.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITT2G-B-HLITE KITT2G-B-HLITE INFINEON Description: INFINEON - KITT2G-B-HLITE - Body High Lite-Kit, CYT4BF8CEDQ0AE, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 85437090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8CEDQ0AE, USB-Micro-B-Kabel
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BF8CEDQ0AE
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+275.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGSX33M5U16E6327XTSA1 3758284.pdf
BGSX33M5U16E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.27 EUR
103+2.27 EUR
113+1.89 EUR
128+1.68 EUR
250+1.57 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7533BXTSA1 3685641.pdf
2EDN7533BXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.92 EUR
181+1.29 EUR
229+0.94 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7534FXTMA1 3685641.pdf
2EDN7534FXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
187+1.34 EUR
267+0.87 EUR
342+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7534FXTMA1 3685641.pdf
2EDN7534FXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
187+1.34 EUR
267+0.87 EUR
342+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2EDN7533BXTSA1 3685641.pdf
2EDN7533BXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.92 EUR
181+1.29 EUR
229+0.94 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R040M2HXTMA1 4265861.pdf
IMTA65R040M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 2084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+20.87 EUR
15+15.76 EUR
20+11.19 EUR
50+10.36 EUR
100+9.53 EUR
250+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ143N13NM6ATMA1 4334672.pdf
ISZ143N13NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6.05 EUR
51+4.62 EUR
250+3.53 EUR
1000+2.81 EUR
3000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMBD914E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 37150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1158+0.21 EUR
1301+0.18 EUR
1835+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
2464+0.087 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBD914E6327HTSA1 INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMBD914E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 37150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1158+0.21 EUR
1301+0.18 EUR
1835+0.12 EUR
2203+0.098 EUR
2464+0.087 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4H0ATMA1 INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S4H0ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 10333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.32 EUR
44+5.36 EUR
100+3.83 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4H0ATMA1 INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S4H0ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 10333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.83 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6ED003L06F2XUMA1 2334680.pdf
6ED003L06F2XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED003L06F2XUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 240mA, 13V bis 17.5V, DSO-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.5 EUR
47+4.99 EUR
48+4.47 EUR
50+4.37 EUR
100+4.24 EUR
250+4.13 EUR
500+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT1704E6327HTSA1 INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1704E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1704E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
Sperrspannung: 4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
493+0.51 EUR
646+0.36 EUR
807+0.26 EUR
971+0.23 EUR
1042+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI20R02HXUMA1 4127748.pdf
ISSI20R02HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+4.95 EUR
69+3.11 EUR
70+3.06 EUR
100+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R11HXUMA1 4127748.pdf
ISSI30R11HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.55 EUR
59+3.95 EUR
64+3.37 EUR
100+3.34 EUR
250+3.32 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R12HXUMA1 4127748.pdf
ISSI30R12HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R12HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.34 EUR
62+3.47 EUR
63+3.45 EUR
100+3.43 EUR
250+3.38 EUR
500+3.37 EUR
1000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI30R11HXUMA1 4127748.pdf
ISSI30R11HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.34 EUR
250+3.32 EUR
500+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISSI20R02HXUMA1 4127748.pdf
ISSI20R02HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S27KL0642DPBHI020 infineon-s27kl0642-s27ks0642-3.0-v-1.8-v-64-mb-8-mb-hyperram-self-refresh-dram-datasheet-en.pdf
S27KL0642DPBHI020
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S27KL0642DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 64Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 36ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 166MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.29 EUR
11+21.35 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7458TRPBF INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7458TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.18 EUR
80+2.93 EUR
117+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7469TRPBF infineon-irf7469-datasheet-en.pdf
IRF7469TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.95 EUR
103+2.27 EUR
156+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7351TRPBF IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7351TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.67 EUR
250+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7458TRPBF INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7458TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
117+1.84 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9335TRPBF INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9335TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
102+2.46 EUR
164+1.42 EUR
252+0.86 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 2820308.pdf
BTS612N1E3128ABUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS612N1E3128ABUMA1 2820308.pdf
BTS612N1E3128ABUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.59 EUR
27+8.6 EUR
33+6.58 EUR
50+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BB535E7904HTSA1 1849685.html
BB535E7904HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
203+1.24 EUR
287+0.81 EUR
484+0.44 EUR
654+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITLGPWRBOM16TOBO1 4386889.pdf
KITLGPWRBOM16TOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344
IMBG40R036M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.69 EUR
16+15.39 EUR
19+11.51 EUR
50+10.01 EUR
100+8.48 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R025M2HXTMA1 4384416.pdf
IMT40R025M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.56 EUR
13+18.47 EUR
16+13.9 EUR
50+12.27 EUR
100+10.63 EUR
250+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 4384411.pdf
IMBG40R025M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.81 EUR
13+18.68 EUR
18+12.34 EUR
50+12.08 EUR
100+11.83 EUR
250+11.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 4384409.pdf
IMBG40R011M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+22.57 EUR
50+20.93 EUR
100+19.28 EUR
250+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344
IMBG40R036M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.69 EUR
16+15.39 EUR
19+11.51 EUR
50+10.01 EUR
100+8.48 EUR
250+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 4384410.pdf
IMBG40R015M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+23.32 EUR
12+18.04 EUR
50+16.11 EUR
100+14.16 EUR
250+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 4384411.pdf
IMBG40R025M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.81 EUR
13+18.68 EUR
18+12.34 EUR
50+12.08 EUR
100+11.83 EUR
250+11.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R036M2HXTMA1 Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54
IMT40R036M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.31 EUR
17+14.27 EUR
21+10.65 EUR
50+9.23 EUR
100+7.82 EUR
250+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R011M2HXTMA1 4384409.pdf
IMBG40R011M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+37.21 EUR
8+29.51 EUR
10+22.57 EUR
50+20.93 EUR
100+19.28 EUR
250+18.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R015M2HXTMA1 4384415.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+31.06 EUR
10+24.5 EUR
12+18.61 EUR
50+16.95 EUR
100+15.26 EUR
250+14.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R011M2HXTMA1 4384414.pdf
IMT40R011M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+27.98 EUR
50+25.66 EUR
100+23.32 EUR
250+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 4384410.pdf
IMBG40R015M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+29.19 EUR
10+23.32 EUR
12+18.04 EUR
50+16.11 EUR
100+14.16 EUR
250+13.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R011M2HXTMA1 4384414.pdf
IMT40R011M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+33.76 EUR
10+27.98 EUR
50+25.66 EUR
100+23.32 EUR
250+22.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R045M2HXTMA1 4384418.pdf
IMT40R045M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.95 EUR
30+7.91 EUR
100+6.7 EUR
500+6.34 EUR
1000+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R045M2HXTMA1 4384413.pdf
IMBG40R045M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.11 EUR
28+8.57 EUR
100+7.26 EUR
500+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R036M2HXTMA1 Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54
IMT40R036M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.31 EUR
17+14.27 EUR
21+10.65 EUR
50+9.23 EUR
100+7.82 EUR
250+7.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R015M2HXTMA1 4384415.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+24.5 EUR
12+18.61 EUR
50+16.95 EUR
100+15.26 EUR
250+14.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT40R025M2HXTMA1 4384416.pdf
IMT40R025M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
auf Bestellung 1771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+23.56 EUR
13+18.47 EUR
16+13.9 EUR
50+12.27 EUR
100+10.63 EUR
250+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
REF5QR0680BG40W1TOBO1 Infineon-Engineering_Report_Reference_Board_REF_5QR0680BG_40W1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0669c25280d
REF5QR0680BG40W1TOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - REF5QR0680BG40W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR0680BG, AC/DC-Offline-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR0680BG
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Wandler
Prozessorfamilie: CoolSET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: ICE5QR0680BG
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+206.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITT2G-B-HEVK Infineon-KIT_T2G-B-H_EVK_TRAVEO_T2G_Body_High_evaluation_kit_guide-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8823155701886921ead71a59
KITT2G-B-HEVK
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITT2G-B-HEVK - Body High Evaluation-Kit, CYT4BFBCHDES, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BFBCHDES, USB-A/Micro-B-Kabel, DC-Netzadapter, Jumper, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BFBCHDES
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1347.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB060N15N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.4 EUR
30+7.79 EUR
100+6.59 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB060N15N5ATMA1 INFN-S-A0003258236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB060N15N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.4 EUR
30+7.79 EUR
100+6.59 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP069N20NM6AKSA1 4148565.pdf
IPP069N20NM6AKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP069N20NM6AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 136 A, 6300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.61 EUR
16+14.76 EUR
20+11.27 EUR
50+9.53 EUR
100+8.72 EUR
250+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5TATMA1 Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23
BSC037N08NS5TATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 4588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.54 EUR
51+4.57 EUR
100+3.24 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5TATMA1 Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23
BSC037N08NS5TATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 3200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 4588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.51 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS7734TRL7PP INFN-S-A0012813553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7734TRL7PP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7734TRL7PP - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 197 A, 3050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294mW
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3050µohm
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIT1EDBAUXGANTOBO1 Infineon-KIT_1EDB_AUX_GaN_Isolated_gate_driver_IC_with_a_configurable_isolated_bias_supply_for_GaN_HEMTs-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8412f8d3018474f9590e6675
KIT1EDBAUXGANTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KIT1EDBAUXGANTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDB8275F, 1EDN7511B, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDB8275F, 1EDN7511B
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDB8275F, 1EDN7511B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+304.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25HL01GTFABHI030 INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25HL01GTFABHI030
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25HL01GTFABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+54.53 EUR
10+46.62 EUR
25+41.72 EUR
50+38.47 EUR
100+37.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S28HL01GTFPBHI030 3681707.pdf
S28HL01GTFPBHI030
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S28HL01GTFPBHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S26HS01GTGABHI030 INFN-S-A0014825130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S26HS01GTGABHI030
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S26HS01GTGABHI030 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, HyperBus, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: HyperBus
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 229 Stücke:
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S25HL01GTFAMHI010 INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25HL01GTFAMHI010
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25HL01GTFAMHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: -
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: Flash-Speicher, Serial-NOR, 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
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KITT2G-B-HLITE
KITT2G-B-HLITE
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITT2G-B-HLITE - Body High Lite-Kit, CYT4BF8CEDQ0AE, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 85437090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8CEDQ0AE, USB-Micro-B-Kabel
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
Prozessorfamilie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYT4BF8CEDQ0AE
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
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