Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTH36P15P | IXYS |
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IXTH38N30L2 | IXYS | IXTH38N30L2 THT N channel transistors |
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IXTH3N100P | IXYS |
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auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH3N120 | IXYS |
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IXTH3N150 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 38.6nC Reverse recovery time: 900ns Drain current: 3A Power dissipation: 250W Drain-source voltage: 1.5kV Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH3N200P3HV | IXYS |
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IXTH40N50L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 40A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 0.32µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs Features of semiconductor devices: linear power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH420N04T2 | IXYS |
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IXTH440N055T2 | IXYS |
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IXTH44P15T | IXYS |
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auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH450P2 | IXYS |
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IXTH48N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH48P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -48A Gate charge: 103nC Reverse recovery time: 260ns On-state resistance: 85mΩ Technology: PolarP™ Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 462W Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH4N100L | IXYS | IXTH4N100L THT N channel transistors |
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IXTH4N150 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 4A Power dissipation: 280W Case: TO247-3 On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Gate charge: 44.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH500N04T2 | IXYS |
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IXTH50N30L2 | IXYS | IXTH50N30L2 THT N channel transistors |
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IXTH50P10 | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -50A Gate charge: 0.14µC Reverse recovery time: 180ns On-state resistance: 55mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Kind of package: tube Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH52N65X | IXYS |
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IXTH52P10P | IXYS |
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auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH60N20L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Features of semiconductor devices: linear power mosfet Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Mounting: THT Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Reverse recovery time: 330ns Gate charge: 255nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 540W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH62N65X2 | IXYS |
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IXTH64N10L2 | IXYS |
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IXTH64N65X | IXYS |
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IXTH68P20T | IXYS |
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auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH6N100D2 | IXYS |
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IXTH6N120 | IXYS |
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IXTH6N150 | IXYS |
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IXTH6N50D2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 64ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH75N10L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Linear L2™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: THT Gate charge: 215nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXTH76N25T | IXYS |
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auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH76P10T | IXYS |
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auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH80N075L2 | IXYS |
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auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH80N20L | IXYS |
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IXTH80N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 137nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 465ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTH88N15 | IXYS |
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IXTH88N30P | IXYS |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH8P50 | IXYS |
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auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH90P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -90A Gate charge: 0.12µC Reverse recovery time: 144ns On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 462W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: TO247-3 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT Technology: PolarP™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH96N20P | IXYS |
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IXTH96N25T | IXYS |
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auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH96P085T | IXYS |
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auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTJ4N150 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 110W Case: ISO247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Gate charge: 44.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 900ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTJ6N150 | IXYS |
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IXTK100N25P | IXYS |
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auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTK102N30P | IXYS |
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IXTK102N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 102A Power dissipation: 1.04kW Case: TO264 On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 450ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTK110N20L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 110A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 420ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTK120N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate charge: 152nC Reverse recovery time: 180ns On-state resistance: 22mΩ Drain current: 120A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 714W Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTK120N25P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO264 Technology: Polar™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A Gate charge: 185nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 24mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 700W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTK120N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 230nC Reverse recovery time: 505ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTK120P20T | IXYS |
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IXTK140N20P | IXYS |
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IXTK140N30P | IXYS |
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IXTK170N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 170A Power dissipation: 715W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 198nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTK170P10P | IXYS |
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IXTK17N120L | IXYS | IXTK17N120L THT N channel transistors |
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IXTK180N15P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 180A Power dissipation: 800W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTK200N10L2 | IXYS | IXTK200N10L2 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
IXTK200N10P | IXYS |
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auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH36P15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH36P15P THT P channel transistors
IXTH36P15P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH38N30L2 |
Hersteller: IXYS
IXTH38N30L2 THT N channel transistors
IXTH38N30L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH3N100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH3N100P THT N channel transistors
IXTH3N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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11+ | 6.91 EUR |
16+ | 4.69 EUR |
17+ | 4.43 EUR |
IXTH3N120 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH3N120 THT N channel transistors
IXTH3N120 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH3N150 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH3N200P3HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH3N200P3HV THT N channel transistors
IXTH3N200P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH40N50L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH420N04T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH420N04T2 THT N channel transistors
IXTH420N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH440N055T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH440N055T2 THT N channel transistors
IXTH440N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH44P15T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH44P15T THT P channel transistors
IXTH44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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8+ | 9.3 EUR |
11+ | 6.68 EUR |
IXTH450P2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH450P2 THT N channel transistors
IXTH450P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH48N65X2 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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7+ | 11.45 EUR |
8+ | 9.21 EUR |
9+ | 8.69 EUR |
10+ | 8.37 EUR |
IXTH48P20P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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6+ | 13.71 EUR |
7+ | 10.44 EUR |
8+ | 9.87 EUR |
30+ | 9.48 EUR |
IXTH4N100L |
Hersteller: IXYS
IXTH4N100L THT N channel transistors
IXTH4N100L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH4N150 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO247-3
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO247-3; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO247-3
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH500N04T2 |
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Hersteller: IXYS
IXTH500N04T2 THT N channel transistors
IXTH500N04T2 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTH50N30L2 |
Hersteller: IXYS
IXTH50N30L2 THT N channel transistors
IXTH50N30L2 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTH50P10 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.26 EUR |
8+ | 9.61 EUR |
510+ | 9.45 EUR |
1020+ | 9.24 EUR |
IXTH52N65X |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH52N65X THT N channel transistors
IXTH52N65X THT N channel transistors
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IXTH52P10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH52P10P THT P channel transistors
IXTH52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.91 EUR |
11+ | 6.74 EUR |
12+ | 6.38 EUR |
IXTH60N20L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Reverse recovery time: 330ns
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Reverse recovery time: 330ns
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXTH62N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH62N65X2 THT N channel transistors
IXTH62N65X2 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTH64N10L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH64N10L2 THT N channel transistors
IXTH64N10L2 THT N channel transistors
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IXTH64N65X |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH64N65X THT N channel transistors
IXTH64N65X THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTH68P20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH68P20T THT P channel transistors
IXTH68P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 22.62 EUR |
5+ | 15.93 EUR |
IXTH6N100D2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH6N100D2 THT N channel transistors
IXTH6N100D2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTH6N120 |
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Hersteller: IXYS
IXTH6N120 THT N channel transistors
IXTH6N120 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTH6N150 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH6N150 THT N channel transistors
IXTH6N150 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTH6N50D2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.72 EUR |
11+ | 6.84 EUR |
12+ | 6.46 EUR |
IXTH75N10L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear L2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTH76N25T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH76N25T THT N channel transistors
IXTH76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.56 EUR |
14+ | 5.15 EUR |
15+ | 4.86 EUR |
IXTH76P10T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH76P10T THT P channel transistors
IXTH76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.32 EUR |
11+ | 6.65 EUR |
IXTH80N075L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH80N075L2 THT N channel transistors
IXTH80N075L2 THT N channel transistors
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.81 EUR |
9+ | 7.98 EUR |
10+ | 7.55 EUR |
510+ | 7.46 EUR |
IXTH80N20L |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH80N20L THT N channel transistors
IXTH80N20L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH80N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 465ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 465ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTH88N15 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH88N15 THT N channel transistors
IXTH88N15 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH88N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH88N30P THT N channel transistors
IXTH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 23.84 EUR |
4+ | 17.88 EUR |
10+ | 11.01 EUR |
IXTH8P50 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH8P50 THT P channel transistors
IXTH8P50 THT P channel transistors
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.17 EUR |
9+ | 8.27 EUR |
10+ | 7.82 EUR |
IXTH90P10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.06 EUR |
8+ | 9.09 EUR |
120+ | 8.75 EUR |
IXTH96N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH96N20P THT N channel transistors
IXTH96N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTH96N25T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH96N25T THT N channel transistors
IXTH96N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.12 EUR |
12+ | 6.21 EUR |
13+ | 5.88 EUR |
IXTH96P085T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTH96P085T THT P channel transistors
IXTH96P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.65 EUR |
11+ | 6.65 EUR |
510+ | 6.51 EUR |
IXTJ4N150 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 2.5A; 110W; ISO247™; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 110W
Case: ISO247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTJ6N150 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTJ6N150 THT N channel transistors
IXTJ6N150 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTK100N25P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTK100N25P THT N channel transistors
IXTK100N25P THT N channel transistors
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 17.45 EUR |
7+ | 11.15 EUR |
IXTK102N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTK102N30P THT N channel transistors
IXTK102N30P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTK102N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTK110N20L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTK120N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTK120N25P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Technology: Polar™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 700W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.46 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
25+ | 14.19 EUR |
50+ | 13.74 EUR |
IXTK120N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 505ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 505ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTK120P20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTK120P20T THT P channel transistors
IXTK120P20T THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTK140N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTK140N20P THT N channel transistors
IXTK140N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTK140N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTK140N30P THT N channel transistors
IXTK140N30P THT N channel transistors
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IXTK170N10P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
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6+ | 12.26 EUR |
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IXTK170P10P |
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Hersteller: IXYS
IXTK170P10P THT P channel transistors
IXTK170P10P THT P channel transistors
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IXTK17N120L |
Hersteller: IXYS
IXTK17N120L THT N channel transistors
IXTK17N120L THT N channel transistors
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IXTK180N15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
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IXTK200N10L2 |
Hersteller: IXYS
IXTK200N10L2 THT N channel transistors
IXTK200N10L2 THT N channel transistors
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IXTK200N10P |
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Hersteller: IXYS
IXTK200N10P THT N channel transistors
IXTK200N10P THT N channel transistors
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