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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTP150N15X4A IXYS IXTP150N15X4A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.58 EUR
9+8.08 EUR
10+7.64 EUR
500+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.21 EUR
24+3.06 EUR
25+2.9 EUR
250+2.87 EUR
500+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N04T2 IXTP160N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D343726746F820&compId=IXTA(P)160N04T2.pdf?ci_sign=1ef255f02603c204453a71fc648bc877e8e7741f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC32F0A59E98BF&compId=IXT_160N10T.pdf?ci_sign=4e0d41f291e819e28cb8f258dae732c56a617f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 430W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 132nC
Technology: Trench™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.23 EUR
19+3.92 EUR
20+3.72 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.46 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
1000+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A IXTP170N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.23 EUR
24+2.99 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10T IXTP180N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D545772189D820&compId=IXTA(P)180N10T.pdf?ci_sign=95831666b0a60635c5fe5a67c516de81d010b765 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682 IXTP18P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.42 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
500+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf IXTP1N100P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N120P IXTP1N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO220AB; 900ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N80P IXYS DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf IXTP1N80P THT N channel transistors
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IXTP1R4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf IXTP1R4N100P THT N channel transistors
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IXTP1R4N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf IXTP1R4N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n100-datasheet?assetguid=b9c87fa9-703d-4ead-ba41-5f1ad2bff1f0 IXTP1R6N100D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.2 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.46 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2 IXYS DS99919B(IXTA-TP200N055T2).pdf IXTP200N055T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X IXTP20N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2 IXTP20N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28496EC34885820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X2.pdf?ci_sign=16011adda623c5560128f4bf46728ed354eb2f2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2M IXTP20N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284880A45BD9820&compId=IXTP20N65X2M.pdf?ci_sign=03a7e0c24a99191546b97318a998a1d46111d3a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XM IXYS IXTP20N65XM THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2 IXTP220N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC709D95CCF820&compId=IXTA(P)220N04T2.pdf?ci_sign=1db27c209e7af5f3f0d648bd91c318079852def5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.21 EUR
23+3.17 EUR
24+2.99 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTP230N04T4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp230n04t4m_datasheet.pdf.pdf IXTP230N04T4M THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2 IXYS IXTP230N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.05 EUR
14+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.34 EUR
16+4.6 EUR
17+4.35 EUR
100+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.55 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf IXTP24P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.59 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2 IXTP260N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAF933DD53820&compId=IXTA(P)260N055T2.pdf?ci_sign=7d74893cde6dc5f8997d0fa7ff9adc13d7fa48f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
9+7.95 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10T IXTP26P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
30+2.4 EUR
33+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20P IXTP26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.24 EUR
13+5.58 EUR
14+5.28 EUR
50+5.11 EUR
100+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP270N04T4 IXTP270N04T4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 48ns
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IXTP28P065T IXTP28P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B82DC4A798BF&compId=IXT_28P065T.pdf?ci_sign=f1bef680ca9cf6e62c0af10fbe84210c2fa0873f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
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IXTP2N100P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n100p-datasheet?assetguid=0764c9e3-39bd-48c9-b399-6b07cfcab121 IXTP2N100P THT N channel transistors
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IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C89C4F8CE3158BF&compId=IXTP(Y)2N65X2.pdf?ci_sign=a1b44b73e461987c86a1219b0eef051f39a61060 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 137ns
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
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IXTP32P05T IXTP32P05T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0CA1113E4F8BF&compId=IXT_32P05T.pdf?ci_sign=db5aa0628442a2ab696c43214df8755287bd452e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 26ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
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IXTP32P20T IXTP32P20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EF0A8A8C018BF&compId=IXT_32P20T.pdf?ci_sign=6bc8fc2e384d370d1b27158e2571e9d58c0bf6c0 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
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auf Bestellung 300 Stücke:
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IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99396442E3226F8BF&compId=IXT_34N65X2.pdf?ci_sign=0ea056e8008ffbda4aac0eaac650eb7fba1e7e65 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP36N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf.pdf IXTP36N30P THT N channel transistors
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IXTP36P15P IXTP36P15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
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9+8.68 EUR
14+5.32 EUR
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IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBD9B42C73B820&compId=IXTA(P)3N100D2.pdf?ci_sign=c245ce0cffe79380fadde6d25a375768a49f0754 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.06 EUR
26+2.76 EUR
28+2.62 EUR
2500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IXTP3N100P IXYS IXT%28A%2CH%2CP%293N100P.pdf IXTP3N100P THT N channel transistors
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IXTP3N120 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6 IXTP3N120 THT N channel transistors
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IXTP3N50D2 IXTP3N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBCC5F1A4EB820&compId=IXTA(P)3N50D2.pdf?ci_sign=1433b6210e8ee4e73eac19dda6d08b4459ecca40 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.86 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IXTP44N10T IXTP44N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
36+1.99 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IXTP44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTP44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.46 EUR
15+5 EUR
16+4.73 EUR
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2 IXTP450P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.86 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IXTP460P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf IXTP460P2 THT N channel transistors
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IXTP48N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf IXTP48N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84 IXTP48P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.38 EUR
22+3.3 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
43+1.69 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.76 EUR
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20P IXTP50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.89 EUR
22+3.4 EUR
23+3.22 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PM IXTP50N20PM IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF907F47B5969E27&compId=IXTP50N20PM-DTE.pdf?ci_sign=3960f7e3d34464ae58cc23f154da7e0b579f8434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTP150N15X4A
Hersteller: IXYS
IXTP150N15X4A THT N channel transistors
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IXTP15N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203
IXTP15N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.58 EUR
9+8.08 EUR
10+7.64 EUR
500+7.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac
IXTP15P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.21 EUR
24+3.06 EUR
25+2.9 EUR
250+2.87 EUR
500+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D343726746F820&compId=IXTA(P)160N04T2.pdf?ci_sign=1ef255f02603c204453a71fc648bc877e8e7741f
IXTP160N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC32F0A59E98BF&compId=IXT_160N10T.pdf?ci_sign=4e0d41f291e819e28cb8f258dae732c56a617f1b
IXTP160N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 430W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 132nC
Technology: Trench™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.23 EUR
19+3.92 EUR
20+3.72 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1
IXTP16N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.46 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
1000+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP170N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A
Hersteller: IXYS
IXTP170N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.23 EUR
24+2.99 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D545772189D820&compId=IXTA(P)180N10T.pdf?ci_sign=95831666b0a60635c5fe5a67c516de81d010b765
IXTP180N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682
Hersteller: IXYS
IXTP18P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.42 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
500+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0
IXTP1N120P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO220AB; 900ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N80P DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1N80P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1R4N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1R4N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n100-datasheet?assetguid=b9c87fa9-703d-4ead-ba41-5f1ad2bff1f0
Hersteller: IXYS
IXTP1R6N100D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.2 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Hersteller: IXYS
IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2 DS99919B(IXTA-TP200N055T2).pdf
Hersteller: IXYS
IXTP200N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c
IXTP20N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28496EC34885820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X2.pdf?ci_sign=16011adda623c5560128f4bf46728ed354eb2f2f
IXTP20N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284880A45BD9820&compId=IXTP20N65X2M.pdf?ci_sign=03a7e0c24a99191546b97318a998a1d46111d3a9
IXTP20N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XM
Hersteller: IXYS
IXTP20N65XM THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC709D95CCF820&compId=IXTA(P)220N04T2.pdf?ci_sign=1db27c209e7af5f3f0d648bd91c318079852def5
IXTP220N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.21 EUR
23+3.17 EUR
24+2.99 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP230N04T4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp230n04t4m_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP230N04T4M THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2
Hersteller: IXYS
IXTP230N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.05 EUR
14+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTP24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.34 EUR
16+4.6 EUR
17+4.35 EUR
100+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.55 EUR
20+3.62 EUR
21+3.42 EUR
100+3.29 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP24P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAF933DD53820&compId=IXTA(P)260N055T2.pdf?ci_sign=7d74893cde6dc5f8997d0fa7ff9adc13d7fa48f1
IXTP260N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
9+7.95 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124
IXTP26P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
30+2.4 EUR
33+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTP26P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.24 EUR
13+5.58 EUR
14+5.28 EUR
50+5.11 EUR
100+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP270N04T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81
IXTP270N04T4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B82DC4A798BF&compId=IXT_28P065T.pdf?ci_sign=f1bef680ca9cf6e62c0af10fbe84210c2fa0873f
IXTP28P065T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n100p-datasheet?assetguid=0764c9e3-39bd-48c9-b399-6b07cfcab121
Hersteller: IXYS
IXTP2N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C89C4F8CE3158BF&compId=IXTP(Y)2N65X2.pdf?ci_sign=a1b44b73e461987c86a1219b0eef051f39a61060
IXTP2N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 137ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP2R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP2R4N120P THT N channel transistors
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IXTP300N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_300n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP300N04T2 THT N channel transistors
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IXTP32N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP32N20T THT N channel transistors
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IXTP32N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718
IXTP32N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP32N65XM
Hersteller: IXYS
IXTP32N65XM THT N channel transistors
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IXTP32P05T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0CA1113E4F8BF&compId=IXT_32P05T.pdf?ci_sign=db5aa0628442a2ab696c43214df8755287bd452e
IXTP32P05T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 26ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP32P20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EF0A8A8C018BF&compId=IXT_32P20T.pdf?ci_sign=6bc8fc2e384d370d1b27158e2571e9d58c0bf6c0
IXTP32P20T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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8+10.18 EUR
10+7.31 EUR
250+7.02 EUR
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IXTP340N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP340N04T4 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99396442E3226F8BF&compId=IXT_34N65X2.pdf?ci_sign=0ea056e8008ffbda4aac0eaac650eb7fba1e7e65
IXTP34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP36N30P THT N channel transistors
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IXTP36P15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2
IXTP36P15P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
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Anzahl Preis
9+8.68 EUR
14+5.32 EUR
15+5.02 EUR
100+4.83 EUR
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IXTP3N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBD9B42C73B820&compId=IXTA(P)3N100D2.pdf?ci_sign=c245ce0cffe79380fadde6d25a375768a49f0754
IXTP3N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.06 EUR
26+2.76 EUR
28+2.62 EUR
2500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100P IXT%28A%2CH%2CP%293N100P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP3N100P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6
Hersteller: IXYS
IXTP3N120 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBCC5F1A4EB820&compId=IXTA(P)3N50D2.pdf?ci_sign=1433b6210e8ee4e73eac19dda6d08b4459ecca40
IXTP3N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.86 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a
IXTP44N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
36+1.99 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTP44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.46 EUR
15+5 EUR
16+4.73 EUR
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6
IXTP450P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.86 EUR
23+3.2 EUR
24+3.03 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP460P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP460P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP48N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84
Hersteller: IXYS
IXTP48P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
22+3.3 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
43+1.69 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTP4N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTP50N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.89 EUR
22+3.4 EUR
23+3.22 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF907F47B5969E27&compId=IXTP50N20PM-DTE.pdf?ci_sign=3960f7e3d34464ae58cc23f154da7e0b579f8434
IXTP50N20PM
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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