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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12F7820&compId=IXTP10N60P.pdf?ci_sign=c8a5cd7138ab74dee443f89a317f173a43bfad11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15T IXTP10P15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.94 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.93 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A327B8DD935820&compId=IXTA(P)110N055T2.pdf?ci_sign=95ba3ca6ece76e436480df8f9f361f529bc19588 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
250+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N04T2 IXTP120N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA2CF46A37D820&compId=IXTA(P)120N04T2.pdf?ci_sign=9781234723d86244a767988de041b1dde0e2fcc1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO220AB; 35ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 35ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 6.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2 IXTP120N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA3439A5B43820&compId=IXTA(P)120N075T2.pdf?ci_sign=a989206584ccedc296376c463764890b543910ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 50ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.01 EUR
15+5 EUR
16+4.73 EUR
50+4.69 EUR
100+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
21+3.46 EUR
26+2.76 EUR
28+2.62 EUR
250+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2 IXTP12N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2M IXTP12N65X2M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.7nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2 IXTP12N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Gate charge: 19nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2M IXTP12N70X2M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 19nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb IXTP130N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
17+4.2 EUR
50+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N15X4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf IXTP130N15X4 THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.11 EUR
13+5.52 EUR
14+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTP140N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N12T2 IXTP140N12T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDE4D4C598B820&compId=IXTA(P)140N12T2.pdf?ci_sign=96847b55de5591e2d4cc16630b5a64962539e9ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 577W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 174nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 65ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0BDE6F66F58BF&compId=IXT_140P05T.pdf?ci_sign=268333924a43654bc82c3125d67058d0e0a6216e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.82 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60P IXYS Smart%20Building%20Application%20Guide.pdf IXTP14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PM IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp14n60pm_datasheet.pdf.pdf IXTP14N60PM THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 IXTP14N60X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
16+4.46 EUR
100+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893A5E251C9820&compId=IXTH(P)150N15X4.pdf?ci_sign=e12fd6602b056817d889d35f60740c06e4058b1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.27 EUR
10+7.26 EUR
11+6.86 EUR
50+6.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP150N15X4A IXYS IXTP150N15X4A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.68 EUR
9+8.08 EUR
10+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.21 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
250+2.87 EUR
500+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N04T2 IXTP160N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D343726746F820&compId=IXTA(P)160N04T2.pdf?ci_sign=1ef255f02603c204453a71fc648bc877e8e7741f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC32F0A59E98BF&compId=IXT_160N10T.pdf?ci_sign=4e0d41f291e819e28cb8f258dae732c56a617f1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Technology: Trench™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 430W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.23 EUR
19+3.93 EUR
20+3.72 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50P IXTP16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.52 EUR
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IXTP170N075T2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A IXTP170N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
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IXTP18P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682 IXTP18P10T THT P channel transistors
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IXTP1N100P IXTP1N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDE7EBEDD57820&compId=IXTA(P%2CY)1N100P.pdf?ci_sign=2c0b34b7a016c9a1f63c9199566154da599472cc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO220AB; 750ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 750ns
Drain current: 1A
On-state resistance: 15Ω
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP1N120P IXYS IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf IXTP1N120P THT N channel transistors
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IXTP1N80P IXTP1N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDBB5A9E329820&compId=IXTA(P%2CU%2CY)1N80P.pdf?ci_sign=4645dc89c6927a3efcc681682c407ac62438afa8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 42W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Case: TO220AB
On-state resistance: 14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 9nC
Reverse recovery time: 700ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP1R4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf IXTP1R4N100P THT N channel transistors
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IXTP1R4N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf IXTP1R4N120P THT N channel transistors
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IXTP1R6N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n100-datasheet?assetguid=b9c87fa9-703d-4ead-ba41-5f1ad2bff1f0 IXTP1R6N100D2 THT N channel transistors
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23+3.2 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
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IXTP1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 157 Stücke:
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17+4.46 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
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IXTP200N055T2 IXYS DS99919B(IXTA-TP200N055T2).pdf IXTP200N055T2 THT N channel transistors
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IXTP20N65X IXTP20N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP20N65X2 IXTP20N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28496EC34885820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X2.pdf?ci_sign=16011adda623c5560128f4bf46728ed354eb2f2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTP20N65X2M IXTP20N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284880A45BD9820&compId=IXTP20N65X2M.pdf?ci_sign=03a7e0c24a99191546b97318a998a1d46111d3a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP20N65XM IXYS IXTP20N65XM THT N channel transistors
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IXTP220N04T2 IXTP220N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC709D95CCF820&compId=IXTA(P)220N04T2.pdf?ci_sign=1db27c209e7af5f3f0d648bd91c318079852def5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.21 EUR
23+3.17 EUR
24+2.99 EUR
100+2.89 EUR
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IXTP230N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTP230N04T4 THT N channel transistors
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IXTP230N04T4M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp230n04t4m_datasheet.pdf.pdf IXTP230N04T4M THT N channel transistors
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IXTP230N075T2 IXYS IXTP230N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.05 EUR
14+5.18 EUR
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IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.34 EUR
16+4.59 EUR
17+4.33 EUR
100+4.18 EUR
500+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.55 EUR
20+3.6 EUR
22+3.4 EUR
100+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IXTP24P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf IXTP24P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.59 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IXTP260N055T2 IXTP260N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAF933DD53820&compId=IXTA(P)260N055T2.pdf?ci_sign=7d74893cde6dc5f8997d0fa7ff9adc13d7fa48f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
9+7.95 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf IXTP26P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.45 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20P IXTP26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.24 EUR
13+5.58 EUR
14+5.28 EUR
50+5.11 EUR
100+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP270N04T4 IXTP270N04T4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28P065T IXTP28P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B82DC4A798BF&compId=IXT_28P065T.pdf?ci_sign=f1bef680ca9cf6e62c0af10fbe84210c2fa0873f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100P IXTP2N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO220AB; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C89C4F8CE3158BF&compId=IXTP(Y)2N65X2.pdf?ci_sign=a1b44b73e461987c86a1219b0eef051f39a61060 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf IXTP2R4N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.02 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXTP300N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_300n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTP300N04T2 THT N channel transistors
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IXTP32N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf IXTP32N20T THT N channel transistors
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IXTP32N65X IXTP32N65X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTP10N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12F7820&compId=IXTP10N60P.pdf?ci_sign=c8a5cd7138ab74dee443f89a317f173a43bfad11
IXTP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af
IXTP10P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e
IXTP10P50P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.94 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.93 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A327B8DD935820&compId=IXTA(P)110N055T2.pdf?ci_sign=95ba3ca6ece76e436480df8f9f361f529bc19588
IXTP110N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
8+8.94 EUR
22+3.25 EUR
250+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA2CF46A37D820&compId=IXTA(P)120N04T2.pdf?ci_sign=9781234723d86244a767988de041b1dde0e2fcc1
IXTP120N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO220AB; 35ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 35ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 6.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA3439A5B43820&compId=IXTA(P)120N075T2.pdf?ci_sign=a989206584ccedc296376c463764890b543910ce
IXTP120N075T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 50ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTP120P065T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 298W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.01 EUR
15+5 EUR
16+4.73 EUR
50+4.69 EUR
100+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8
IXTP12N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
21+3.46 EUR
26+2.76 EUR
28+2.62 EUR
250+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BAF2E1F5D438BF&compId=IXT_12N65X2.pdf?ci_sign=ecd37ed45b6873bd45211c34fc6849d39cb58295
IXTP12N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N65X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.7nC
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N70X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Gate charge: 19nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N70X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP12N70X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 19nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-130n10t-1of2-datasheet?assetguid=35a29cb3-cabc-48a7-80a0-8b3ad9bec8fb
Hersteller: IXYS
IXTP130N10T THT N channel transistors
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
17+4.2 EUR
50+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP130N15X4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP130N15X4 THT N channel transistors
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.11 EUR
13+5.52 EUR
14+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP140N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140N12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDE4D4C598B820&compId=IXTA(P)140N12T2.pdf?ci_sign=96847b55de5591e2d4cc16630b5a64962539e9ba
IXTP140N12T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 577W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 174nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 65ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP140P05T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0BDE6F66F58BF&compId=IXT_140P05T.pdf?ci_sign=268333924a43654bc82c3125d67058d0e0a6216e
IXTP140P05T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
On-state resistance: 9mΩ
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.82 EUR
11+6.51 EUR
12+6.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60P Smart%20Building%20Application%20Guide.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60PM littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp14n60pm_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP14N60PM THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP14N60X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTP14N60X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
16+4.46 EUR
100+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP150N15X4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893A5E251C9820&compId=IXTH(P)150N15X4.pdf?ci_sign=e12fd6602b056817d889d35f60740c06e4058b1c
IXTP150N15X4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.27 EUR
10+7.26 EUR
11+6.86 EUR
50+6.61 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP150N15X4A
Hersteller: IXYS
IXTP150N15X4A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D33E4DE449B820&compId=IXTA(H%2CP)15N50L2.pdf?ci_sign=585782a79e3d37974bcfba11f733e4bddedca203
IXTP15N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.68 EUR
9+8.08 EUR
10+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP15P15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac
IXTP15P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.21 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
250+2.87 EUR
500+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D343726746F820&compId=IXTA(P)160N04T2.pdf?ci_sign=1ef255f02603c204453a71fc648bc877e8e7741f
IXTP160N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP160N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC32F0A59E98BF&compId=IXT_160N10T.pdf?ci_sign=4e0d41f291e819e28cb8f258dae732c56a617f1b
IXTP160N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Mounting: THT
Technology: Trench™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 430W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.23 EUR
19+3.93 EUR
20+3.72 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1
IXTP16N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.52 EUR
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IXTP170N075T2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-170N075T2-Datasheet.PDF?assetguid=D747B10F-DF0D-4682-8263-928A35FB227A
Hersteller: IXYS
IXTP170N075T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP180N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-180n10t-datasheet?assetguid=a45c8ae2-5c3f-4d3f-be24-0a3d6e97b45b
Hersteller: IXYS
IXTP180N10T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP18P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682
Hersteller: IXYS
IXTP18P10T THT P channel transistors
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IXTP1N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDE7EBEDD57820&compId=IXTA(P%2CY)1N100P.pdf?ci_sign=2c0b34b7a016c9a1f63c9199566154da599472cc
IXTP1N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO220AB; 750ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 750ns
Drain current: 1A
On-state resistance: 15Ω
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N120P IXTA1N120P%2C%20IXTP1N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDBB5A9E329820&compId=IXTA(P%2CU%2CY)1N80P.pdf?ci_sign=4645dc89c6927a3efcc681682c407ac62438afa8
IXTP1N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 42W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Case: TO220AB
On-state resistance: 14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 9nC
Reverse recovery time: 700ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1R4N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP1R4N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n100-datasheet?assetguid=b9c87fa9-703d-4ead-ba41-5f1ad2bff1f0
Hersteller: IXYS
IXTP1R6N100D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.2 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Hersteller: IXYS
IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP200N055T2 DS99919B(IXTA-TP200N055T2).pdf
Hersteller: IXYS
IXTP200N055T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD2A7F09703820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X.pdf?ci_sign=4952fc09840b76b0ed77995751d2310b9fd86f2c
IXTP20N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28496EC34885820&compId=IXTA(H%2CP)20N65X2.pdf?ci_sign=16011adda623c5560128f4bf46728ed354eb2f2f
IXTP20N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.35µs
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284880A45BD9820&compId=IXTP20N65X2M.pdf?ci_sign=03a7e0c24a99191546b97318a998a1d46111d3a9
IXTP20N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 27nC
Reverse recovery time: 0.35µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP20N65XM
Hersteller: IXYS
IXTP20N65XM THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP220N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC709D95CCF820&compId=IXTA(P)220N04T2.pdf?ci_sign=1db27c209e7af5f3f0d648bd91c318079852def5
IXTP220N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.21 EUR
23+3.17 EUR
24+2.99 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP230N04T4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N04T4M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp230n04t4m_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP230N04T4M THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2
Hersteller: IXYS
IXTP230N075T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.05 EUR
14+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC5FF44FC238BF&compId=IXT_24N65X2.pdf?ci_sign=ca1ded67daf9910d4f25da90b1a96f8fc87d8744
IXTP24N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.34 EUR
16+4.59 EUR
17+4.33 EUR
100+4.18 EUR
500+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993DC6AF60B9418BF&compId=IXTP24N65X2M.pdf?ci_sign=acf4ac55932da38e66e322ad68acfc5d0d08dc97
IXTP24N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.55 EUR
20+3.6 EUR
22+3.4 EUR
100+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP24P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAF933DD53820&compId=IXTA(P)260N055T2.pdf?ci_sign=7d74893cde6dc5f8997d0fa7ff9adc13d7fa48f1
IXTP260N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 480W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
9+7.95 EUR
50+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP26P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.45 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTP26P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.24 EUR
13+5.58 EUR
14+5.28 EUR
50+5.11 EUR
100+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP270N04T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA7081FBA9820&compId=IXTH(P)270N04T4.pdf?ci_sign=33513c4c5bdc13e31fc846194602bf96a0b96b81
IXTP270N04T4
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B82DC4A798BF&compId=IXT_28P065T.pdf?ci_sign=f1bef680ca9cf6e62c0af10fbe84210c2fa0873f
IXTP28P065T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895
IXTP2N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO220AB; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C89C4F8CE3158BF&compId=IXTP(Y)2N65X2.pdf?ci_sign=a1b44b73e461987c86a1219b0eef051f39a61060
IXTP2N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP2R4N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.02 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP300N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_300n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP300N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP32N20T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N65X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC14A9F2EB3820&compId=IXTH(P%2CQ)32N65X.pdf?ci_sign=6a88174097b72279f3942c45d4c91b42e2da5718
IXTP32N65X
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 500W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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