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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTP32P20T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA IXTP32P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.72 EUR
10+7.31 EUR
500+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP340N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_340n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTP340N04T4 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS IXT_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf.pdf IXTP36N30P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36P15P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86 IXTP36P15P THT P channel transistors
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.02 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1 IXTP3N100D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.61 EUR
26+2.76 EUR
28+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100P IXYS IXT%28A%2CH%2CP%293N100P.pdf IXTP3N100P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS IXT_3N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Reverse recovery time: 700ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.68 EUR
10+7.32 EUR
11+6.92 EUR
250+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93 IXTP3N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.63 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
1000+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10T IXTP44N10T IXYS IXTP(Y)44N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
36+1.99 EUR
57+1.27 EUR
60+1.20 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTP44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.46 EUR
15+5.00 EUR
16+4.73 EUR
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2 IXTP450P2 IXYS IXTH(P,Q)450P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.76 EUR
17+4.29 EUR
21+3.52 EUR
22+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP460P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf IXTP460P2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20T IXTP48N20T IXYS IXTA(P,Q)48N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
20+3.72 EUR
23+3.15 EUR
25+2.97 EUR
50+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84 IXTP48P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.38 EUR
22+3.30 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.65 EUR
38+1.92 EUR
40+1.82 EUR
100+1.77 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.27 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220 IXTP50N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.12 EUR
20+3.68 EUR
21+3.47 EUR
2000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PM IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp50n20pm_datasheet.pdf.pdf IXTP50N20PM THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N25T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=D7F19B2B-0219-4B0C-A29D-B093518EE586&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-50N25T-Datasheet.PDF IXTP50N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.31 EUR
17+4.29 EUR
18+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP52P10P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF IXTP52P10P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP56N15T IXYS IXT(A,P)56N15T.pdf IXTP56N15T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.30 EUR
40+1.80 EUR
43+1.70 EUR
250+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.36 EUR
15+4.93 EUR
16+4.66 EUR
50+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP62N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf IXTP62N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.82 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n100-datasheet?assetguid=c49ba42b-7a18-44bb-be04-da2e6496f67b IXTP6N100D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.47 EUR
9+8.27 EUR
10+7.82 EUR
500+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.93 EUR
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP70N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_70n075t2_datasheet.pdf.pdf IXTP70N075T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP75N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3 IXTP75N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf IXTP76N25T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a IXTP76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.59 EUR
15+5.00 EUR
16+4.73 EUR
1000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.40 EUR
11+6.71 EUR
12+6.35 EUR
500+6.11 EUR
1000+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS IXTA(P)80N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.92 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N12T2 IXTP80N12T2 IXYS IXTA(P)80N12T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf IXTP86N20T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2 IXYS 650V_X-Class_MOSFETs_Product_Brief.pdf IXTP8N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS IXTP8N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2 IXTP8N70X2 IXYS IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.22 EUR
19+3.80 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M IXYS IXTP8N70X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
25+2.95 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
50+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 IXYS IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Reverse recovery time: 37ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.26 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.60 EUR
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IXTP96P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf IXTP96P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
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10+7.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ10P50P THT P channel transistors
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IXTQ110N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_110n10p_datasheet.pdf.pdf IXTQ110N10P THT N channel transistors
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IXTQ120N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_120n15p_datasheet.pdf.pdf IXTQ120N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
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7+10.93 EUR
8+8.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS IXTK120N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
510+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N20T IXTQ130N20T IXYS IXTQ130N20T_IXTH130N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Power dissipation: 830W
Case: TO3P
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 320A
Technology: Trench™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.41 EUR
9+8.18 EUR
10+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10P IXTQ140N10P IXYS IXTQ140N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-14n60p-datasheet?assetguid=3b19c3e9-2045-4609-909f-d45afea45cd6 IXTQ14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS IXTK150N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Reverse recovery time: 150ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ16N50P IXTQ16N50P IXYS IXTP16N50P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO3P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf IXTQ170N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 301 Stücke:
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5+14.44 EUR
8+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ18N60P IXTQ18N60P IXYS IXTQ18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS IXTH(Q)200N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
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6+11.91 EUR
8+8.94 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-22n50p-datasheet?assetguid=aa88a2b6-6037-4575-9c3c-a71212b980d4 IXTQ22N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
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10+7.52 EUR
16+4.50 EUR
17+4.26 EUR
2010+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N60P IXTQ22N60P IXYS IXTQ22N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26n50p-datasheet?assetguid=c3369cfd-a2aa-471a-8124-d6f2d10435ef IXTQ26N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.35 EUR
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N60P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth26n60p_datasheet.pdf.pdf IXTQ26N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.25 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
120+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50L IXTQ30N50L IXYS IXTH(Q,T)30N50L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50L2 IXTQ30N50L2 IXYS IXTH(Q,T)30N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P20T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA
Hersteller: IXYS
IXTP32P20T THT P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.72 EUR
10+7.31 EUR
500+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP340N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP340N04T4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2 IXT_34N65X2.pdf
IXTP34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 390ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP36N30P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36P15P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86
Hersteller: IXYS
IXTP36P15P THT P channel transistors
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.02 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1
Hersteller: IXYS
IXTP3N100D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.61 EUR
26+2.76 EUR
28+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100P IXT%28A%2CH%2CP%293N100P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP3N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 IXT_3N120.pdf
IXTP3N120
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Reverse recovery time: 700ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.68 EUR
10+7.32 EUR
11+6.92 EUR
250+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93
Hersteller: IXYS
IXTP3N50D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.63 EUR
20+3.63 EUR
21+3.45 EUR
1000+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10T IXTP(Y)44N10T.pdf
IXTP44N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
36+1.99 EUR
57+1.27 EUR
60+1.20 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTP44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.46 EUR
15+5.00 EUR
16+4.73 EUR
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2 IXTH(P,Q)450P2.pdf
IXTP450P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.76 EUR
17+4.29 EUR
21+3.52 EUR
22+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP460P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP460P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20T IXTA(P,Q)48N20T.pdf
IXTP48N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
20+3.72 EUR
23+3.15 EUR
25+2.97 EUR
50+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84
Hersteller: IXYS
IXTP48P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
22+3.30 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.65 EUR
38+1.92 EUR
40+1.82 EUR
100+1.77 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTP4N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220
Hersteller: IXYS
IXTP50N20P THT N channel transistors
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.12 EUR
20+3.68 EUR
21+3.47 EUR
2000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXTP50N20PM littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp50n20pm_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP50N20PM THT N channel transistors
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IXTP50N25T media?resourcetype=datasheets&itemid=D7F19B2B-0219-4B0C-A29D-B093518EE586&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-50N25T-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTP50N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 375 Stücke:
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12+6.31 EUR
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IXTP52P10P media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTP52P10P THT P channel transistors
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IXTP56N15T IXT(A,P)56N15T.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP56N15T THT N channel transistors
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IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.30 EUR
40+1.80 EUR
43+1.70 EUR
250+1.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.36 EUR
15+4.93 EUR
16+4.66 EUR
50+4.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTP62N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP62N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 287 Stücke:
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Anzahl Preis
13+5.82 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
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IXTP6N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n100-datasheet?assetguid=c49ba42b-7a18-44bb-be04-da2e6496f67b
Hersteller: IXYS
IXTP6N100D2 THT N channel transistors
auf Bestellung 350 Stücke:
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7+11.47 EUR
9+8.27 EUR
10+7.82 EUR
500+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTP6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTP6N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.93 EUR
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP70N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_70n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP70N075T2 THT N channel transistors
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IXTP75N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3
Hersteller: IXYS
IXTP75N10P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTP76N25T THT N channel transistors
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IXTP76P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
Hersteller: IXYS
IXTP76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 313 Stücke:
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Anzahl Preis
10+7.59 EUR
15+5.00 EUR
16+4.73 EUR
1000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTP80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTP80N075L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.40 EUR
11+6.71 EUR
12+6.35 EUR
500+6.11 EUR
1000+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T IXTA(P)80N10T.pdf
IXTP80N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.92 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N12T2 IXTA(P)80N12T2.pdf
IXTP80N12T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 325W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP86N20T THT N channel transistors
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IXTP8N65X2 650V_X-Class_MOSFETs_Product_Brief.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP8N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M.pdf
IXTP8N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2 IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf
IXTP8N70X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.22 EUR
19+3.80 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M.pdf
IXTP8N70X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
25+2.95 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
50+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2 IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf
IXTP90N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Reverse recovery time: 37ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.26 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.60 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP96P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.41 EUR
15+4.99 EUR
16+4.70 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ10P50P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ110N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_110n10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ110N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_120n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ120N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.93 EUR
8+8.94 EUR
30+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20P IXTK120N20P-DTE.pdf
IXTQ120N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
510+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N20T IXTQ130N20T_IXTH130N20T.pdf
IXTQ130N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Power dissipation: 830W
Case: TO3P
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
Pulsed drain current: 320A
Technology: Trench™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.41 EUR
9+8.18 EUR
10+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10P IXTQ140N10P-DTE.pdf
IXTQ140N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-14n60p-datasheet?assetguid=3b19c3e9-2045-4609-909f-d45afea45cd6
Hersteller: IXYS
IXTQ14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15P IXTK150N15P-DTE.pdf
IXTQ150N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Reverse recovery time: 150ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ16N50P IXTP16N50P-DTE.pdf
IXTQ16N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: PolarHT™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO3P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ170N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.44 EUR
8+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ18N60P IXTQ18N60P.pdf
IXTQ18N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10T IXTH(Q)200N10T.pdf
IXTQ200N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-22n50p-datasheet?assetguid=aa88a2b6-6037-4575-9c3c-a71212b980d4
Hersteller: IXYS
IXTQ22N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.52 EUR
16+4.50 EUR
17+4.26 EUR
2010+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N60P IXTQ22N60P.pdf
IXTQ22N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26n50p-datasheet?assetguid=c3369cfd-a2aa-471a-8124-d6f2d10435ef
Hersteller: IXYS
IXTQ26N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.35 EUR
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth26n60p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ26N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTQ26P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTQ30N50L IXTH(Q,T)30N50L.pdf
IXTQ30N50L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTQ30N50L2 IXTH(Q,T)30N50L2.pdf
IXTQ30N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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