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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTQ30N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_30n50l_datasheet.pdf.pdf IXTQ30N50L THT N channel transistors
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IXTQ30N50L2 IXYS IXT%28H%2CQ%2CT%2930N50L2.pdf IXTQ30N50L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50P IXYS a IXTQ30N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ32N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_32n65x_datasheet.pdf.pdf IXTQ32N65X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.55 EUR
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf.pdf IXTQ36N30P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ36N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.16 EUR
7+10.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36P15P IXTQ36P15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO3P
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ3N150M IXTQ3N150M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284803F9A26F820&compId=IXTQ3N150M.pdf?ci_sign=c567fa7384752102128d132316a07a52fc6dca9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 73W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50L2 IXTQ40N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtq44n50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ44N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTQ44P15T THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ450P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_450p2_datasheet.pdf.pdf IXTQ450P2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0B0D5903E469&compId=IXTQ460P2.pdf?ci_sign=66ba757660ab9fc6f012f9df9c2561c23345b3f6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Technology: Polar2™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 480W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.35 EUR
14+5.32 EUR
15+5.02 EUR
30+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ470P2 IXTQ470P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13FF820&compId=IXTQ470P2.pdf?ci_sign=76af40f262edd6db225179a4687589ac6121f39b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ480P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtq480p2_datasheet.pdf.pdf IXTQ480P2 THT N channel transistors
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IXTQ48N20T IXYS IXTQ48N20T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.13 EUR
8+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.29 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
270+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N25T IXTQ50N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf IXTQ52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.35 EUR
13+5.66 EUR
14+5.36 EUR
2010+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTQ52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.11 EUR
12+5.96 EUR
13+5.63 EUR
1020+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n20_datasheet.pdf.pdf IXTQ60N20L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20T IXTQ60N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.89 EUR
19+3.79 EUR
20+3.58 EUR
510+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ62N15P IXTQ62N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90CB5157625E27&compId=IXTA62N15P-DTE.pdf?ci_sign=ce5c2df138c0e64408a93ae777b5bf73ab6a7919 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ69N30P IXTQ69N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90D131A4635E27&compId=IXTQ69N30P-DTE.pdf?ci_sign=30ac47e4c9ca5a13d0405042e859205ebf2f7209 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns
Case: TO3P
Reverse recovery time: 330ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 69A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 156nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ74N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_74n20p_datasheet.pdf.pdf IXTQ74N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ75N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3 IXTQ75N10P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25T IXTQ76N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4165ECB579820&compId=IXTA(H%2CI%2CP%2CQ)76N25T.pdf?ci_sign=5561f98ce5cfa59f8e5ad5e0fac5ca227be0863e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.84 EUR
14+5.15 EUR
120+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ82N25P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf IXTQ82N25P THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.01 EUR
10+7.45 EUR
11+7.05 EUR
1020+6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ86N20T IXYS DS99664A(IXTA-TP-TQ86N20T).pdf IXTQ86N20T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXTQ88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.07 EUR
7+10.78 EUR
8+10.2 EUR
1020+9.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N15P IXTQ96N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90EC0ECEF9BE27&compId=IXTQ96N15P-DTE.pdf?ci_sign=9a803a13d2a5038b9b223d3543d625d7c814ed76 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 96A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N20P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n20p-datasheet?assetguid=f01cf09b-9474-4d8a-b705-45c8df47cc7e IXTQ96N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_96n25t_datasheet.pdf.pdf IXTQ96N25T THT N channel transistors
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IXTR102N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTR102N65X2 THT N channel transistors
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IXTR120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr120p20t_datasheet.pdf.pdf IXTR120P20T THT P channel transistors
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IXTR140P10T IXTR140P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05299A4BE38BF&compId=IXTR140P10T.pdf?ci_sign=ba23e76c64dd5f72d2acb545d9b6fb00d610f006 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -110A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 270W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTR16P60P IXYS DS99989(IXTR16P60P).pdf IXTR16P60P THT P channel transistors
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IXTR170P10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr170p10p_datasheet.pdf.pdf IXTR170P10P THT P channel transistors
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IXTR20P50P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=DAA3BA6C-C1EF-4896-9BC4-9E7B14CF2FF6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR20P50P-Datasheet.PDF IXTR20P50P THT P channel transistors
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IXTR210P10T IXTR210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04275137A38BF&compId=IXTR210P10T.pdf?ci_sign=6be69c09b119a4bc5566676e52a110aa09280e61 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTR32P60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR32P60P-Datasheet.PDF?assetguid=7F3DD491-647A-4291-A895-57EBA408A15F IXTR32P60P THT P channel transistors
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IXTR36P15P IXTR36P15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA02959DD0F78BF&compId=IXTR36P15P.pdf?ci_sign=7d9e4cf04ef12fee99949599ef3d6caa0088dafd Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -22A; 150W; 150ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -22A
Power dissipation: 150W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.14 EUR
12+6.31 EUR
13+5.53 EUR
14+5.23 EUR
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IXTR40P50P IXTR40P50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E8662C8B4F8BF&compId=IXTR40P50P.pdf?ci_sign=594ef2e0778e8bf21dc4bfcab613b60b66c1e530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 477ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -22A
On-state resistance: 0.26Ω
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
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4+18.02 EUR
6+13.23 EUR
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IXTR48P20P IXTR48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00147810378BF&compId=IXTR48P20P.pdf?ci_sign=6ecb22dd6fd6b0673f62f8c7c5cf3402e6ec1242 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
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8+10.12 EUR
10+7.49 EUR
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IXTR62N15P IXTR62N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F145B820&compId=IXTR62N15P.pdf?ci_sign=c9a9746ec789fb1dc7bc0d029a6c0b1e13dfca75 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 150W; ISOPLUS247™; 150ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR90P10P IXYS DS99985B(IXTR90P10P).pdf IXTR90P10P THT P channel transistors
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IXTR90P20P IXTR90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ECF7A318A98BF&compId=IXTR90P20P.pdf?ci_sign=942ad135bc912fcff17afb282f35d9dde220eba2 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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8+10.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTT02N450HV IXTT02N450HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F1471820&compId=IXTA(T)02N450HV.pdf?ci_sign=035071321f59a72a8b4bd172f91c4d79fad9fbe1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 113W
Case: TO268HV
On-state resistance: 625Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.29 EUR
30+27.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXTT10N100D IXTT10N100D IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F1487820&compId=IXTH(T)10N100D.pdf?ci_sign=3be67cb3e02e1fcc22bdf1490b0df9caffc7fd50 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 850ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT10N100D2 IXTT10N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3125E13B47820&compId=IXTH(T)10N100D2.pdf?ci_sign=fea7a32eed96d4aca8c20c0d37bcc4194c5ed7a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT10P60 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p60_datasheet.pdf.pdf IXTT10P60 SMD P channel transistors
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IXTT110N10L2 IXTT110N10L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A32F17C5AFB820&compId=IXTH(T)110N10L2.pdf?ci_sign=77ea8838b7a67aed409c2ff62bff94f2ca25fbfe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 230ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT110N10P IXTT110N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9100B78535BE27&compId=IXTQ110N10P-DTE.pdf?ci_sign=e6f683e1c5ed1f470d8dbb0f27a53c45ede76033 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT11P50 IXYS IXTx11P50_Rev2005.pdf IXTT11P50 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT12N150 IXYS IXTT12N150 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT12N150HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtt12n150hv_datasheet.pdf.pdf IXTT12N150HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_30n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ30N50L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50L2 IXT%28H%2CQ%2CT%2930N50L2.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ30N50L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50P a
Hersteller: IXYS
IXTQ30N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0
IXTQ30N60L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 335nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTQ30N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ32N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_32n65x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ32N65X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtq34n65x2m_datasheet.pdf?assetguid=9e2804bf-85d4-45e2-ba6f-de4ee48d3cec
IXTQ34N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.55 EUR
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ36N30P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ36N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.16 EUR
7+10.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36P15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2
IXTQ36P15P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO3P
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ3N150M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284803F9A26F820&compId=IXTQ3N150M.pdf?ci_sign=c567fa7384752102128d132316a07a52fc6dca9f
IXTQ3N150M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 73W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2
IXTQ40N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtq44n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ44N50P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTQ44P15T THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ450P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_450p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ450P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0B0D5903E469&compId=IXTQ460P2.pdf?ci_sign=66ba757660ab9fc6f012f9df9c2561c23345b3f6
IXTQ460P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Technology: Polar2™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 480W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.35 EUR
14+5.32 EUR
15+5.02 EUR
30+4.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ470P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13FF820&compId=IXTQ470P2.pdf?ci_sign=76af40f262edd6db225179a4687589ac6121f39b
IXTQ470P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ480P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtq480p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ480P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N20T
Hersteller: IXYS
IXTQ48N20T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.13 EUR
8+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTQ50N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.29 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
270+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0
IXTQ50N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ52N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.35 EUR
13+5.66 EUR
14+5.36 EUR
2010+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Hersteller: IXYS
IXTQ52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.11 EUR
12+5.96 EUR
13+5.63 EUR
1020+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n20_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ60N20L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631
IXTQ60N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.89 EUR
19+3.79 EUR
20+3.58 EUR
510+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ62N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90CB5157625E27&compId=IXTA62N15P-DTE.pdf?ci_sign=ce5c2df138c0e64408a93ae777b5bf73ab6a7919
IXTQ62N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ69N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90D131A4635E27&compId=IXTQ69N30P-DTE.pdf?ci_sign=30ac47e4c9ca5a13d0405042e859205ebf2f7209
IXTQ69N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns
Case: TO3P
Reverse recovery time: 330ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 69A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 156nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ74N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_74n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ74N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ75N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3
Hersteller: IXYS
IXTQ75N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4165ECB579820&compId=IXTA(H%2CI%2CP%2CQ)76N25T.pdf?ci_sign=5561f98ce5cfa59f8e5ad5e0fac5ca227be0863e
IXTQ76N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 92nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.84 EUR
14+5.15 EUR
120+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ82N25P THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.01 EUR
10+7.45 EUR
11+7.05 EUR
1020+6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ86N20T DS99664A(IXTA-TP-TQ86N20T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ86N20T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.07 EUR
7+10.78 EUR
8+10.2 EUR
1020+9.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90EC0ECEF9BE27&compId=IXTQ96N15P-DTE.pdf?ci_sign=9a803a13d2a5038b9b223d3543d625d7c814ed76
IXTQ96N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 96A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N20P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n20p-datasheet?assetguid=f01cf09b-9474-4d8a-b705-45c8df47cc7e
Hersteller: IXYS
IXTQ96N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_96n25t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ96N25T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR102N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTR102N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr120p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTR120P20T THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR140P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05299A4BE38BF&compId=IXTR140P10T.pdf?ci_sign=ba23e76c64dd5f72d2acb545d9b6fb00d610f006
IXTR140P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -110A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 270W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR16P60P DS99989(IXTR16P60P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTR16P60P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR170P10P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr170p10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTR170P10P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR20P50P media?resourcetype=datasheets&itemid=DAA3BA6C-C1EF-4896-9BC4-9E7B14CF2FF6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR20P50P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTR20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.87 EUR
6+12.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04275137A38BF&compId=IXTR210P10T.pdf?ci_sign=6be69c09b119a4bc5566676e52a110aa09280e61
IXTR210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.6 EUR
30+31.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR32P60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR32P60P-Datasheet.PDF?assetguid=7F3DD491-647A-4291-A895-57EBA408A15F
Hersteller: IXYS
IXTR32P60P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR36P15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA02959DD0F78BF&compId=IXTR36P15P.pdf?ci_sign=7d9e4cf04ef12fee99949599ef3d6caa0088dafd
IXTR36P15P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -22A; 150W; 150ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -22A
Power dissipation: 150W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.14 EUR
12+6.31 EUR
13+5.53 EUR
14+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR40P50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E8662C8B4F8BF&compId=IXTR40P50P.pdf?ci_sign=594ef2e0778e8bf21dc4bfcab613b60b66c1e530
IXTR40P50P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 477ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -22A
On-state resistance: 0.26Ω
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.02 EUR
6+13.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00147810378BF&compId=IXTR48P20P.pdf?ci_sign=6ecb22dd6fd6b0673f62f8c7c5cf3402e6ec1242
IXTR48P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.12 EUR
10+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR62N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F145B820&compId=IXTR62N15P.pdf?ci_sign=c9a9746ec789fb1dc7bc0d029a6c0b1e13dfca75
IXTR62N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 150W; ISOPLUS247™; 150ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR90P10P DS99985B(IXTR90P10P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTR90P10P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ECF7A318A98BF&compId=IXTR90P20P.pdf?ci_sign=942ad135bc912fcff17afb282f35d9dde220eba2
IXTR90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
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IXTT02N450HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F1471820&compId=IXTA(T)02N450HV.pdf?ci_sign=035071321f59a72a8b4bd172f91c4d79fad9fbe1
IXTT02N450HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 4.5kV
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 113W
Case: TO268HV
On-state resistance: 625Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT10N100D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F1487820&compId=IXTH(T)10N100D.pdf?ci_sign=3be67cb3e02e1fcc22bdf1490b0df9caffc7fd50
IXTT10N100D
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 850ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT10N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A3125E13B47820&compId=IXTH(T)10N100D2.pdf?ci_sign=fea7a32eed96d4aca8c20c0d37bcc4194c5ed7a0
IXTT10N100D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT10P60 littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p60_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT10P60 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT110N10L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A32F17C5AFB820&compId=IXTH(T)110N10L2.pdf?ci_sign=77ea8838b7a67aed409c2ff62bff94f2ca25fbfe
IXTT110N10L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 230ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT110N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9100B78535BE27&compId=IXTQ110N10P-DTE.pdf?ci_sign=e6f683e1c5ed1f470d8dbb0f27a53c45ede76033
IXTT110N10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT11P50 IXTx11P50_Rev2005.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT11P50 SMD P channel transistors
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IXTT12N150
Hersteller: IXYS
IXTT12N150 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTT12N150HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtt12n150hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT12N150HV SMD N channel transistors
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