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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXYH12N250CV1HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=13066E92-8F65-4AAC-919D-EA0E27499314&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-12N250CV1HV-Datasheet.PDF IXYH12N250CV1HV THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH16N170C IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170c_datasheet.pdf.pdf IXYH16N170C THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH16N170CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170cv1_datasheet.pdf.pdf IXYH16N170CV1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH16N250C IXYS DS100793A(IXYH16N250C)_.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 16A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 64A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 14ns
Turn-off time: 260ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH16N250CV1HV IXYH16N250CV1HV IXYS IXYH16N250CV1HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 16A; 500W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 500W
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 126A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 541ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH20N120C3 IXYH20N120C3 IXYS IXYH(P)20N120C3_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS IXYH20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.72 EUR
8+10.14 EUR
30+10.02 EUR
120+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH20N65C3 IXYH20N65C3 IXYS IXYA(H)20N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH24N170C IXYS IXYH24N170C.pdf IXYH24N170C THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH24N170CV1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=50271284-6150-4065-87d9-fe039e795f51&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh24n170cv1_datasheet.pdf IXYH24N170CV1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH24N90C3 IXYH24N90C3 IXYS IXYH24N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 240W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1 IXYS IXYH24N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 200W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH25N250CHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250chv_datasheet.pdf.pdf IXYH25N250CHV THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N120C3 IXYH30N120C3 IXYS IXY_30N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N120C3D1 IXYH30N120C3D1 IXYS IXYH30N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N170C IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh30n170c_datasheet.pdf.pdf IXYH30N170C THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N450HV IXYS IXYH30N450HV THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N65C3 IXYH30N65C3 IXYS IXYH(P)30N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 IXYS IXY_30N65C3H1_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3 IXYH40N120B3 IXYS IXYH40N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS IXYH40N120B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS IXYH40N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 175A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1 IXYS IXYH40N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65B3D1 IXYH40N65B3D1 IXYS IXYH(Q)40N65B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3D1 IXYH40N65C3D1 IXYS IXYH(Q)40N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1 IXYS IXYH40N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyh40n90c3-datasheet?assetguid=fe48ad26-bbbf-4043-a308-25a997ad2b39 IXYH40N90C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1 IXYS IXYH40N90C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 74nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.47 EUR
8+9.19 EUR
9+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3_datasheet.pdf.pdf IXYH50N120C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.02 EUR
6+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3 IXYH50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1 IXYH50N65C3D1 IXYS IXYH50N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.07 EUR
8+9.37 EUR
9+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3 IXYH60N90C3 IXYS IXYH60N90C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 310A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 268ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.90 EUR
9+8.18 EUR
120+8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N120B4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Technology: GenX4™; XPT™
Case: TO247; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 235ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3 IXYH75N65C3 IXYS IXYH75N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1 IXYS IXYH75N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 750W
Gate charge: 123nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH80N90C3 IXYS IXYH80N90C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH82N120C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyh82n120c3-datasheet?assetguid=d0b3d648-a754-4e63-a7a2-de89dbf9c1f6 IXYH82N120C3 THT IGBT transistors
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IXYH85N120A4 IXYH85N120A4 IXYS IXYH85N120A4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Pulsed collector current: 520A
Turn-on time: 73ns
Turn-off time: 990ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH8N250C IXYS DS100789A(IXYH8N250C)_.pdf IXYH8N250C THT IGBT transistors
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IXYH8N250CHV IXYH8N250CHV IXYS IXY_8N250CHV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 8A; 280W; TO247HV
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 328ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 280W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 45nC
Technology: XPT™
Mounting: THT
Case: TO247HV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.04 EUR
4+23.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXYH8N250CV1HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh8n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
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IXYJ20N120C3D1 IXYS IXYJ20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYK100N120C3 IXYS IXYK100N120C3 THT IGBT transistors
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IXYK120N120C3 IXYK120N120C3 IXYS IXYK(x)120N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.34 EUR
3+35.31 EUR
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IXYK140N90C3 IXYS IXYK140N90C3 THT IGBT transistors
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IXYK200N65B3 IXYS IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
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IXYL40N250CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyl40n250cv1_datasheet.pdf.pdf IXYL40N250CV1 THT IGBT transistors
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IXYL60N450 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyl60n450_datasheet.pdf.pdf IXYL60N450 THT IGBT transistors
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IXYN100N120B3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n120b3h1_datasheet.pdf.pdf IXYN100N120B3H1 IGBT modules
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IXYN100N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n120c3_datasheet.pdf.pdf IXYN100N120C3 IGBT modules
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IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1 IXYS IXYN100N120C3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 690W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+56.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXYN100N65A3 IXYS IXYN100N65A3 IGBT modules
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IXYN100N65B3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=58ffeeed-9b24-40ca-bcd4-ea5864ca8970&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n65b3d1_datasheet.pdf IXYN100N65B3D1 IGBT modules
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IXYN100N65C3H1 IXYS IXYN100N65C3H1 IGBT modules
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IXYN120N120C3 IXYN120N120C3 IXYS IXYN120N120C3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS IXYN150N60B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYN30N170CV1 IXYN30N170CV1 IXYS IXYN30N170CV1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 30A; SOT227B
Technology: XPT™
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 275A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYN50N170CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn50n170cv1_datasheet.pdf.pdf IXYN50N170CV1 IGBT modules
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IXYH12N250CV1HV media?resourcetype=datasheets&itemid=13066E92-8F65-4AAC-919D-EA0E27499314&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-12N250CV1HV-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXYH12N250CV1HV THT IGBT transistors
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IXYH16N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH16N170C THT IGBT transistors
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IXYH16N170CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170cv1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH16N170CV1 THT IGBT transistors
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IXYH16N250C DS100793A(IXYH16N250C)_.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 16A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 64A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 14ns
Turn-off time: 260ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH16N250CV1HV IXYH16N250CV1HV.pdf
IXYH16N250CV1HV
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 16A; 500W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: XPT™
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 500W
Case: TO247HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 126A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 541ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH20N120C3 IXYH(P)20N120C3_HV.pdf
IXYH20N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1.pdf
IXYH20N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.72 EUR
8+10.14 EUR
30+10.02 EUR
120+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXYH20N65C3 IXYA(H)20N65C3.pdf
IXYH20N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH24N170C IXYH24N170C.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH24N170C THT IGBT transistors
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IXYH24N170CV1 media?resourcetype=datasheets&itemid=50271284-6150-4065-87d9-fe039e795f51&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh24n170cv1_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH24N170CV1 THT IGBT transistors
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IXYH24N90C3 IXYH24N90C3.pdf
IXYH24N90C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 240W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1.pdf
IXYH24N90C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 200W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH25N250CHV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250chv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH25N250CHV THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N120C3 IXY_30N120C3.pdf
IXYH30N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N120C3D1 IXYH30N120C3D1.pdf
IXYH30N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh30n170c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH30N170C THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N450HV
Hersteller: IXYS
IXYH30N450HV THT IGBT transistors
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IXYH30N65C3 IXYH(P)30N65C3.pdf
IXYH30N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N65C3H1 IXY_30N65C3H1_HV.pdf
IXYH30N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3 IXYH40N120B3.pdf
IXYH40N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1.pdf
IXYH40N120B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3.pdf
IXYH40N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 175A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1.pdf
IXYH40N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-off time: 303ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65B3D1 IXYH(Q)40N65B3D1.pdf
IXYH40N65B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3D1 IXYH(Q)40N65C3D1.pdf
IXYH40N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1.pdf
IXYH40N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3 littelfuse-discrete-igbts-ixyh40n90c3-datasheet?assetguid=fe48ad26-bbbf-4043-a308-25a997ad2b39
Hersteller: IXYS
IXYH40N90C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N90C3D1 IXYH40N90C3D1.pdf
IXYH40N90C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 237ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 74nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.47 EUR
8+9.19 EUR
9+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH50N120C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.02 EUR
6+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYH50N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1 IXYH50N65C3D1.pdf
IXYH50N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.07 EUR
8+9.37 EUR
9+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3 IXYH60N90C3.pdf
IXYH60N90C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 60A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 310A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 268ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.90 EUR
9+8.18 EUR
120+8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N120B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Technology: GenX4™; XPT™
Case: TO247; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 235ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3 IXYH75N65C3.pdf
IXYH75N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1.pdf
IXYH75N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 750W
Gate charge: 123nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH80N90C3
Hersteller: IXYS
IXYH80N90C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH82N120C3 littelfuse-discrete-igbts-ixyh82n120c3-datasheet?assetguid=d0b3d648-a754-4e63-a7a2-de89dbf9c1f6
Hersteller: IXYS
IXYH82N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH85N120A4 IXYH85N120A4.pdf
IXYH85N120A4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Pulsed collector current: 520A
Turn-on time: 73ns
Turn-off time: 990ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250C DS100789A(IXYH8N250C)_.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH8N250C THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CHV IXY_8N250CHV.pdf
IXYH8N250CHV
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 8A; 280W; TO247HV
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 328ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 280W
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 45nC
Technology: XPT™
Mounting: THT
Case: TO247HV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.04 EUR
4+23.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CV1HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh8n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYJ20N120C3D1 IXYJ20N120C3D1.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 21A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 90ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK100N120C3
Hersteller: IXYS
IXYK100N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120C3 IXYK(x)120N120C3.pdf
IXYK120N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.34 EUR
3+35.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N90C3
Hersteller: IXYS
IXYK140N90C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK200N65B3
Hersteller: IXYS
IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYL40N250CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyl40n250cv1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYL40N250CV1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYL60N450 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyl60n450_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYL60N450 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120B3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n120b3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYN100N120B3H1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n120c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYN100N120C3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1.pdf
IXYN100N120C3H1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 690W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+56.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65A3
Hersteller: IXYS
IXYN100N65A3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65B3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=58ffeeed-9b24-40ca-bcd4-ea5864ca8970&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n65b3d1_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXYN100N65B3D1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N65C3H1
Hersteller: IXYS
IXYN100N65C3H1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN120N120C3 IXYN120N120C3.pdf
IXYN120N120C3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3.pdf
IXYN150N60B3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN30N170CV1 IXYN30N170CV1.pdf
IXYN30N170CV1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 30A; SOT227B
Technology: XPT™
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 275A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN50N170CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn50n170cv1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYN50N170CV1 IGBT modules
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