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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXXK200N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXK200N60B3 THT IGBT transistors
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IXXK200N60C3 IXYS IXXK200N60C3 THT IGBT transistors
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IXXK200N65B4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXK200N65B4 THT IGBT transistors
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IXXK300N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXK300N60B3 THT IGBT transistors
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IXXK300N60C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf IXXK300N60C3 THT IGBT transistors
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IXXN100N60B3H1 IXXN100N60B3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2FE48F0DED820&compId=IXXN100N60B3H1.pdf?ci_sign=dbc0ccd256b35c98c62b271c39e3e96265dc21c7 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3014ED0C9B820&compId=IXXN110N65B4H1.pdf?ci_sign=b28fc3aed32959875df04b4bf39ca4ce608cbe7c Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F30564423ED820&compId=IXXN110N65C4H1.pdf?ci_sign=c9eb661bdd50eec71321e7879af73afec49776cd Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXN200N60B3 IXYS IXXN200N60B3 IGBT modules
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IXXN200N60B3H1 IXYS IXXN200N60B3H1 IGBT modules
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IXXN200N60C3H1 IXYS IXXN200N60C3H1 IGBT modules
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IXXN200N65A4 IXYS IXXN200N65A4 IGBT modules
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IXXP12N65B4D1 IXXP12N65B4D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE458FEB7591820&compId=IXXP12N65B4D1.pdf?ci_sign=249f71380b36ecccc89266db49385297cce44081 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXP50N60B3 IXXP50N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAA1242988B820&compId=IXXA(p%2Ch)50N60B3.pdf?ci_sign=71c5d36b52ddfe9e79064463744b29a6387fe3fa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE7ECB7A14AD820&compId=IXXQ30N60B3M.pdf?ci_sign=a883fe68cd02608d671c8106875dd32cd7167cad Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXR100N60B3H1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=613f1ae9-0731-4a6d-b1c2-52f5f0c7f673&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxr100n60b3h1_datasheet.pdf IXXR100N60B3H1 THT IGBT transistors
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IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA2540B7AF3820&compId=IXXR110N65B4H1.pdf?ci_sign=5890856bd86011b903242c6fef3c7868545f561d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXX100N60B3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf IXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
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IXXX100N60C3H1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9922f041-1111-4aea-bb33-e69a6770637d&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf IXXX100N60C3H1 THT IGBT transistors
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IXXX110N65B4H1 IXXX110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXX140N65B4H1 IXXX140N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5517FAC79820&compId=IXXX140N65B4H1.pdf?ci_sign=4d753757f8d1f156186aa30c3f1ef90cd98537f4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXX160N65B4 IXXX160N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5D65CB90B820&compId=IXXK(x)160N65B4.pdf?ci_sign=9f5367c32f30879b6456d2d25578b70ad46909cd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65C4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 320A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXX200N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXX200N60B3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N65B4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXX200N65B4 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXX300N60B3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf IXXX300N60C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IXYA20N120C3HV IXYA20N120C3HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA262386AE78BF&compId=IXY_20N120C3_HV.pdf?ci_sign=69a66f2254c263ce93b6ce37d84ed69d8c442da0 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3 IXYA20N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1601610FD9820&compId=IXYA(H)20N65C3.pdf?ci_sign=622839bec752ab1a386c7b6ee51037b152aed90c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.06 EUR
20+3.65 EUR
23+3.19 EUR
24+3.02 EUR
50+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9C092733F78BF&compId=IXY_50N65C3.pdf?ci_sign=9e5ac7cc0270dee769cf17451458be3d02b0bb9a Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA8N250CHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf IXYA8N250CHV SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA8N90C3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9F345C5A-5DB2-4D23-A956-51BA9B085188&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-8N90C3D1-Datasheet.PDF IXYA8N90C3D1 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYB82N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyb82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXYB82N120C3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYF30N450 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=4f39dc18-3fb1-4634-aa0a-11afa7e8bce7&filename=littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyf30n450-datasheet IXYF30N450 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH100N65A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65a3_datasheet.pdf.pdf IXYH100N65A3 THT IGBT transistors
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IXyH100N65C3 IXYS IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
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IXYH10N170C IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh10n170c_datasheet.pdf.pdf IXYH10N170C THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH10N170CV1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF IXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH12N250C IXYS DS100791(IXYH12N250C)_.pdf IXYH12N250C THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH12N250CV1HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=13066E92-8F65-4AAC-919D-EA0E27499314&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-12N250CV1HV-Datasheet.PDF IXYH12N250CV1HV THT IGBT transistors
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IXYH16N170C IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170c_datasheet.pdf.pdf IXYH16N170C THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH16N170CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170cv1_datasheet.pdf.pdf IXYH16N170CV1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH16N250C IXYS DS100793A(IXYH16N250C)_.pdf IXYH16N250C THT IGBT transistors
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IXYH20N120C3 IXYH20N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
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IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
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IXYH20N65C3 IXYH20N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1601610FD9820&compId=IXYA(H)20N65C3.pdf?ci_sign=622839bec752ab1a386c7b6ee51037b152aed90c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
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IXYH24N90C3 IXYH24N90C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA92C1B3741820&compId=IXYH24N90C3.pdf?ci_sign=a3210f329aa58bbd5bf982e341cb338473fca19c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 240W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA97DAECAD7820&compId=IXYH24N90C3D1.pdf?ci_sign=ca29c942f115c50325f8dbffd194b5d9e5781706 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 200W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
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IXYH25N250CHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250chv_datasheet.pdf.pdf IXYH25N250CHV THT IGBT transistors
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IXYH30N120C3 IXYH30N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C98A5CE08E38BF&compId=IXY_30N120C3.pdf?ci_sign=b4f4a8cdbbd63e273835ab59b6781e01c99521ae Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
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IXYH30N120C3D1 IXYH30N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACAFCD3B665820&compId=IXYH30N120C3D1.pdf?ci_sign=bf46a6df4aae9941a3d72e05b9e26fc24022a6f1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
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IXYH30N450HV IXYS IXYH30N450HV THT IGBT transistors
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IXYH30N65C3 IXYH30N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA8FA49F63C7820&compId=IXYH(P)30N65C3.pdf?ci_sign=b199e109e3ab7a2153ecd617407198b811892fd9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate charge: 44nC
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IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BB8173C8A8ADE0C4&compId=IXY_30N65C3H1_HV.pdf?ci_sign=fe90d70eb5a4baa936f0659d92f838d1ceb9cd3a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Pulsed collector current: 118A
Collector current: 30A
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IXXK200N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK200N60B3 THT IGBT transistors
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IXXK200N60C3
Hersteller: IXYS
IXXK200N60C3 THT IGBT transistors
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IXXK200N65B4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK200N65B4 THT IGBT transistors
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IXXK300N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK300N60B3 THT IGBT transistors
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IXXK300N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK300N60C3 THT IGBT transistors
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IXXN100N60B3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2FE48F0DED820&compId=IXXN100N60B3H1.pdf?ci_sign=dbc0ccd256b35c98c62b271c39e3e96265dc21c7
IXXN100N60B3H1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
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IXXN110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3014ED0C9B820&compId=IXXN110N65B4H1.pdf?ci_sign=b28fc3aed32959875df04b4bf39ca4ce608cbe7c
IXXN110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
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IXXN110N65C4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F30564423ED820&compId=IXXN110N65C4H1.pdf?ci_sign=c9eb661bdd50eec71321e7879af73afec49776cd
IXXN110N65C4H1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXN200N60B3
Hersteller: IXYS
IXXN200N60B3 IGBT modules
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IXXN200N60B3H1
Hersteller: IXYS
IXXN200N60B3H1 IGBT modules
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IXXN200N60C3H1
Hersteller: IXYS
IXXN200N60C3H1 IGBT modules
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IXXN200N65A4
Hersteller: IXYS
IXXN200N65A4 IGBT modules
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IXXP12N65B4D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE458FEB7591820&compId=IXXP12N65B4D1.pdf?ci_sign=249f71380b36ecccc89266db49385297cce44081
IXXP12N65B4D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXP50N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAA1242988B820&compId=IXXA(p%2Ch)50N60B3.pdf?ci_sign=71c5d36b52ddfe9e79064463744b29a6387fe3fa
IXXP50N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXQ30N60B3M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE7ECB7A14AD820&compId=IXXQ30N60B3M.pdf?ci_sign=a883fe68cd02608d671c8106875dd32cd7167cad
IXXQ30N60B3M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXR100N60B3H1 media?resourcetype=datasheets&itemid=613f1ae9-0731-4a6d-b1c2-52f5f0c7f673&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxr100n60b3h1_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXXR100N60B3H1 THT IGBT transistors
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IXXR110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA2540B7AF3820&compId=IXXR110N65B4H1.pdf?ci_sign=5890856bd86011b903242c6fef3c7868545f561d
IXXR110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXX100N60B3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
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IXXX100N60C3H1 media?resourcetype=datasheets&itemid=9922f041-1111-4aea-bb33-e69a6770637d&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX100N60C3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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IXXX110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd
IXXX110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXX140N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5517FAC79820&compId=IXXX140N65B4H1.pdf?ci_sign=4d753757f8d1f156186aa30c3f1ef90cd98537f4
IXXX140N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXX160N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5D65CB90B820&compId=IXXK(x)160N65B4.pdf?ci_sign=9f5367c32f30879b6456d2d25578b70ad46909cd
IXXX160N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXX160N65C4 littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 320A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXX200N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX200N60B3 THT IGBT transistors
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IXXX200N65B4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX200N65B4 THT IGBT transistors
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IXXX300N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX300N60B3 THT IGBT transistors
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IXXX300N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX300N60C3 THT IGBT transistors
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IXYA15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYA15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IXYA20N120C3HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA262386AE78BF&compId=IXY_20N120C3_HV.pdf?ci_sign=69a66f2254c263ce93b6ce37d84ed69d8c442da0
IXYA20N120C3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 215ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYA20N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1601610FD9820&compId=IXYA(H)20N65C3.pdf?ci_sign=622839bec752ab1a386c7b6ee51037b152aed90c
IXYA20N65C3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYA20N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f
IXYA20N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
20+3.65 EUR
23+3.19 EUR
24+3.02 EUR
50+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IXYA50N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9C092733F78BF&compId=IXY_50N65C3.pdf?ci_sign=9e5ac7cc0270dee769cf17451458be3d02b0bb9a
IXYA50N65C3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXYA8N250CHV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYA8N250CHV SMD IGBT transistors
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IXYA8N90C3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=9F345C5A-5DB2-4D23-A956-51BA9B085188&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-8N90C3D1-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXYA8N90C3D1 SMD IGBT transistors
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IXYB82N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyb82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYB82N120C3H1 THT IGBT transistors
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IXYF30N450 media?resourcetype=datasheets&itemid=4f39dc18-3fb1-4634-aa0a-11afa7e8bce7&filename=littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyf30n450-datasheet
Hersteller: IXYS
IXYF30N450 THT IGBT transistors
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IXYH100N65A3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH100N65A3 THT IGBT transistors
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IXyH100N65C3
Hersteller: IXYS
IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
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IXYH10N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh10n170c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH10N170C THT IGBT transistors
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IXYH10N170CV1 media?resourcetype=datasheets&itemid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
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IXYH12N250C DS100791(IXYH12N250C)_.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH12N250C THT IGBT transistors
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IXYH12N250CV1HV media?resourcetype=datasheets&itemid=13066E92-8F65-4AAC-919D-EA0E27499314&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-12N250CV1HV-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXYH12N250CV1HV THT IGBT transistors
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IXYH16N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH16N170C THT IGBT transistors
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IXYH16N170CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170cv1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH16N170CV1 THT IGBT transistors
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IXYH16N250C DS100793A(IXYH16N250C)_.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH16N250C THT IGBT transistors
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IXYH16N250CV1HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH16N250CV1HV THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH20N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce
IXYH20N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH20N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df
IXYH20N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.72 EUR
8+10.14 EUR
30+10.02 EUR
120+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXYH20N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1601610FD9820&compId=IXYA(H)20N65C3.pdf?ci_sign=622839bec752ab1a386c7b6ee51037b152aed90c
IXYH20N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH24N170C IXYH24N170C.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH24N170C THT IGBT transistors
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IXYH24N170CV1 media?resourcetype=datasheets&itemid=50271284-6150-4065-87d9-fe039e795f51&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh24n170cv1_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH24N170CV1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH24N90C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA92C1B3741820&compId=IXYH24N90C3.pdf?ci_sign=a3210f329aa58bbd5bf982e341cb338473fca19c
IXYH24N90C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 240W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH24N90C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA97DAECAD7820&compId=IXYH24N90C3D1.pdf?ci_sign=ca29c942f115c50325f8dbffd194b5d9e5781706
IXYH24N90C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Power dissipation: 200W
Gate charge: 40nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH25N250CHV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250chv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH25N250CHV THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C98A5CE08E38BF&compId=IXY_30N120C3.pdf?ci_sign=b4f4a8cdbbd63e273835ab59b6781e01c99521ae
IXYH30N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACAFCD3B665820&compId=IXYH30N120C3D1.pdf?ci_sign=bf46a6df4aae9941a3d72e05b9e26fc24022a6f1
IXYH30N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh30n170c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH30N170C THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N450HV
Hersteller: IXYS
IXYH30N450HV THT IGBT transistors
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IXYH30N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA8FA49F63C7820&compId=IXYH(P)30N65C3.pdf?ci_sign=b199e109e3ab7a2153ecd617407198b811892fd9
IXYH30N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate charge: 44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BB8173C8A8ADE0C4&compId=IXY_30N65C3H1_HV.pdf?ci_sign=fe90d70eb5a4baa936f0659d92f838d1ceb9cd3a
IXYH30N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Pulsed collector current: 118A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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