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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXYN30N170CV1 IXYS IXYN30N170CV1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3429480779820&compId=IXYN50N170CV1.pdf?ci_sign=61ed5f3699ed63ebaafb0c8b7374a82dab62642e Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Power dissipation: 880W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F345CF0D751820&compId=IXYN75N65C3D1.pdf?ci_sign=b4b795b6798081b53630ff34ac7c75fd76591ca3 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN80N90C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn80n90c3h1_datasheet.pdf.pdf IXYN80N90C3H1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN82N120C3 IXYS IXYN82N120C3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN82N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXYN82N120C3H1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE44886FEA55820&compId=IXYP10N65C3.pdf?ci_sign=4e0aa075c2a195cc2704f868d1af1be03e9c7e07 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE460C3F81DF820&compId=IXYP15N65C3.pdf?ci_sign=0272b873844fa4af108434b0a500ae4f9784baa3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1 IXYP15N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE4058AF680B820&compId=IXYP15N65C3D1M.pdf?ci_sign=71e42345e6a97e4ab412adb420898f2de3276576 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N120C3 IXYP20N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Gate charge: 53nC
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8D967E8091820&compId=IXYP20N65B3D1.pdf?ci_sign=9728344ea7308948dfe3c1a333d2cbb4c2d76f0b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.36 EUR
27+2.7 EUR
28+2.56 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE410F543879820&compId=IXYP20N65C3D1M.pdf?ci_sign=1947662e3b6d9a26d26a809238c9086d39d68c63 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N120C3 IXYP30N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C98A5CE08E38BF&compId=IXY_30N120C3.pdf?ci_sign=b4f4a8cdbbd63e273835ab59b6781e01c99521ae Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N65C3 IXYP30N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA8FA49F63C7820&compId=IXYH(P)30N65C3.pdf?ci_sign=b199e109e3ab7a2153ecd617407198b811892fd9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Pulsed collector current: 118A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9C092733F78BF&compId=IXY_50N65C3.pdf?ci_sign=9e5ac7cc0270dee769cf17451458be3d02b0bb9a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP8N90C3 IXYP8N90C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA8BDD5D271820&compId=IXYP(y)8N90C3.pdf?ci_sign=87d38d8134be933eddf2b12248973e933ae93bed Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA81152D6A3820&compId=IXYA(P)8N90C3D1.pdf?ci_sign=c7b8202f446f82c0bef2c4432c38a5e99932308d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.52 EUR
18+4.06 EUR
21+3.55 EUR
22+3.36 EUR
50+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYR100N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyr100n120c3_datasheet.pdf.pdf IXYR100N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYR50N120C3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyr50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf IXYR50N120C3D1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT20N120C3D1HV IXYT20N120C3D1HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5027B64E7820&compId=IXYT20N120C3D1HV.pdf?ci_sign=919d7cd0b29220ac3b93c7617f2b3fdc9d073e25 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 17A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT25N250CHV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-25n250chv-datasheet?assetguid=1224f902-a6da-47c2-a2ca-19ebd728535f IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT30N450HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-30n450hv-datasheet?assetguid=8177b3a8-4830-4a30-aa21-82b58521b532 IXYT30N450HV SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT30N65C3H1HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BB8173C8A8ADE0C4&compId=IXY_30N65C3H1_HV.pdf?ci_sign=fe90d70eb5a4baa936f0659d92f838d1ceb9cd3a Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Pulsed collector current: 118A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYT80N90C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_80n90c3_datasheet.pdf.pdf IXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N120B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n120b3_datasheet.pdf.pdf IXYX100N120B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx100n120c3_datasheet.pdf.pdf IXYX100N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N65B3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n65b3d1_datasheet.pdf.pdf IXYX100N65B3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADFBCCF8BE3820&compId=IXYX120N120B3.pdf?ci_sign=29d193d35ac59a9ca5d54f9ed1b3d837837fd1b1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 826ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 800A
Turn-on time: 84ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+31.06 EUR
30+29.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120C3 IXYX120N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYX25N250CV1HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250cv1_datasheet.pdf.pdf IXYX25N250CV1HV THT IGBT transistors
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IXYX40N250CHV IXYS IXYX40N250CHV THT IGBT transistors
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IXYX40N450HV IXYS IXYX40N450HV THT IGBT transistors
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IXYX50N170C IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyx50n170c-datasheet?assetguid=07d284af-ff38-43e9-9dc7-89f24c802f28 IXYX50N170C THT IGBT transistors
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IXYY8N90C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n90c3-datasheet?assetguid=11d4bd5c-8ae2-405e-8bec-58f631ef5fbe IXYY8N90C3 SMD IGBT transistors
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LAA100LSTR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l LAA100LSTR One Phase Solid State Relays
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LAA100P LAA100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
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LAA100PL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l LAA100PL One Phase Solid State Relays
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LAA100PTR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100 LAA100PTR One Phase Solid State Relays
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LAA108 LAA108 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892260C7&compId=LAA108.pdf?ci_sign=b422f07330ccafc6349ee64d10cd1d1a446af717 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
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LAA108P LAA108P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892260C7&compId=LAA108.pdf?ci_sign=b422f07330ccafc6349ee64d10cd1d1a446af717 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
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LAA108PTR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0fdc07a3-0e0a-4303-a660-fcfd71179886&filename=laa108 LAA108PTR One Phase Solid State Relays
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LAA108S IXYS LAA108.pdf LAA108S One Phase Solid State Relays
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LAA108STR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0fdc07a3-0e0a-4303-a660-fcfd71179886&filename=laa108 LAA108STR One Phase Solid State Relays
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LAA110 LAA110 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A47459C0E698BF&compId=LAA110.pdf?ci_sign=ccd17f31175d39f76946339f4bf405c57c47714b Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: THT
Case: DIP8
On-state resistance: 35Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
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LAA110L LAA110L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923AEC0C7&compId=LAA110L.pdf?ci_sign=c5d9dc6bd2f731b493e5c3213f701f4abd8a57f7 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: THT
Case: DIP8
On-state resistance: 35Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LAA110LS LAA110LS IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923AEC0C7&compId=LAA110L.pdf?ci_sign=c5d9dc6bd2f731b493e5c3213f701f4abd8a57f7 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: SMT
Case: DIP8
On-state resistance: 35Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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LAA110LSTR IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892080C7&compId=LAA100L.pdf?ci_sign=133833099cee8dee4dfa302627eb4b749f2b8824 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: SMT
Case: DIP8
On-state resistance: 35Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
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IXYN30N170CV1
Hersteller: IXYS
IXYN30N170CV1 IGBT modules
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IXYN50N170CV1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3429480779820&compId=IXYN50N170CV1.pdf?ci_sign=61ed5f3699ed63ebaafb0c8b7374a82dab62642e
IXYN50N170CV1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Power dissipation: 880W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN75N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F345CF0D751820&compId=IXYN75N65C3D1.pdf?ci_sign=b4b795b6798081b53630ff34ac7c75fd76591ca3
IXYN75N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN80N90C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn80n90c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYN80N90C3H1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN82N120C3
Hersteller: IXYS
IXYN82N120C3 IGBT modules
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IXYN82N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYN82N120C3H1 IGBT modules
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IXYP10N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE44886FEA55820&compId=IXYP10N65C3.pdf?ci_sign=4e0aa075c2a195cc2704f868d1af1be03e9c7e07
IXYP10N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Turn-on time: 44ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYP10N65C3D1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8CFB93BF71820&compId=IXYP10N65C3D1M.pdf?ci_sign=4468f80a6cfc5ee015a6ea07a55ce618be77d365
IXYP10N65C3D1M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Collector current: 7A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYP15N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE460C3F81DF820&compId=IXYP15N65C3.pdf?ci_sign=0272b873844fa4af108434b0a500ae4f9784baa3
IXYP15N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYP15N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE80CA1CC3A9820&compId=IXYA(P)15N65C3D1.pdf?ci_sign=6ae7280911dd4fb0a57e9e216fd3bad3f3a43b5c
IXYP15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYP15N65C3D1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE4058AF680B820&compId=IXYP15N65C3D1M.pdf?ci_sign=71e42345e6a97e4ab412adb420898f2de3276576
IXYP15N65C3D1M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYP20N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce
IXYP20N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Gate charge: 53nC
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYP20N65B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP20N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f
IXYP20N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.36 EUR
27+2.7 EUR
28+2.56 EUR
500+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IXYP20N65C3D1M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99CE410F543879820&compId=IXYP20N65C3D1M.pdf?ci_sign=1947662e3b6d9a26d26a809238c9086d39d68c63
IXYP20N65C3D1M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C98A5CE08E38BF&compId=IXY_30N120C3.pdf?ci_sign=b4f4a8cdbbd63e273835ab59b6781e01c99521ae
IXYP30N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP30N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA8FA49F63C7820&compId=IXYH(P)30N65C3.pdf?ci_sign=b199e109e3ab7a2153ecd617407198b811892fd9
IXYP30N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Pulsed collector current: 118A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP50N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9C092733F78BF&compId=IXY_50N65C3.pdf?ci_sign=9e5ac7cc0270dee769cf17451458be3d02b0bb9a
IXYP50N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYP8N90C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA8BDD5D271820&compId=IXYP(y)8N90C3.pdf?ci_sign=87d38d8134be933eddf2b12248973e933ae93bed
IXYP8N90C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYP8N90C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA81152D6A3820&compId=IXYA(P)8N90C3D1.pdf?ci_sign=c7b8202f446f82c0bef2c4432c38a5e99932308d
IXYP8N90C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.52 EUR
18+4.06 EUR
21+3.55 EUR
22+3.36 EUR
50+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IXYR100N120C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyr100n120c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYR100N120C3 THT IGBT transistors
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IXYR50N120C3D1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyr50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYR50N120C3D1 THT IGBT transistors
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IXYT20N120C3D1HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC5027B64E7820&compId=IXYT20N120C3D1HV.pdf?ci_sign=919d7cd0b29220ac3b93c7617f2b3fdc9d073e25
IXYT20N120C3D1HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 17A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYT25N250CHV littelfuse-discrete-igbts-ixy-25n250chv-datasheet?assetguid=1224f902-a6da-47c2-a2ca-19ebd728535f
Hersteller: IXYS
IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors
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IXYT30N450HV littelfuse-discrete-igbts-ixy-30n450hv-datasheet?assetguid=8177b3a8-4830-4a30-aa21-82b58521b532
Hersteller: IXYS
IXYT30N450HV SMD IGBT transistors
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IXYT30N65C3H1HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BB8173C8A8ADE0C4&compId=IXY_30N65C3H1_HV.pdf?ci_sign=fe90d70eb5a4baa936f0659d92f838d1ceb9cd3a
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Pulsed collector current: 118A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYT80N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_80n90c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N120B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n120b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYX100N120B3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N120C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx100n120c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYX100N120C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX100N65B3D1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n65b3d1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYX100N65B3D1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADFBCCF8BE3820&compId=IXYX120N120B3.pdf?ci_sign=29d193d35ac59a9ca5d54f9ed1b3d837837fd1b1
IXYX120N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 826ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 800A
Turn-on time: 84ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.06 EUR
30+29.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX120N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0
IXYX120N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+33.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX140N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_140n90c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYX140N90C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX200N65B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_200n65b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYX200N65B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX25N250CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250cv1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYX25N250CV1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX25N250CV1HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250cv1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYX25N250CV1HV THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX30N170CV1
Hersteller: IXYS
IXYX30N170CV1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX40N250CHV
Hersteller: IXYS
IXYX40N250CHV THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX40N450HV
Hersteller: IXYS
IXYX40N450HV THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYX50N170C littelfuse-discrete-igbts-ixyx50n170c-datasheet?assetguid=07d284af-ff38-43e9-9dc7-89f24c802f28
Hersteller: IXYS
IXYX50N170C THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYY8N90C3 littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n90c3-datasheet?assetguid=11d4bd5c-8ae2-405e-8bec-58f631ef5fbe
Hersteller: IXYS
IXYY8N90C3 SMD IGBT transistors
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
30+2.43 EUR
32+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA100 media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100
Hersteller: IXYS
LAA100 One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.78 EUR
17+4.45 EUR
18+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA100L media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l
Hersteller: IXYS
LAA100L One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.29 EUR
16+4.5 EUR
17+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA100LS media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l
Hersteller: IXYS
LAA100LS One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.91 EUR
16+4.5 EUR
17+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA100LSTR media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l
Hersteller: IXYS
LAA100LSTR One Phase Solid State Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339891EA0C7&compId=LAA100.pdf?ci_sign=0aec29399b4e4aefd547e478bdb260a5ca7e1c58
LAA100P
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
100+4.32 EUR
250+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA100PL media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l
Hersteller: IXYS
LAA100PL One Phase Solid State Relays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA100PLTR media?resourcetype=datasheets&itemid=9cd21bb3-bf7e-4341-8ccf-c70f37da70d9&filename=laa100l
Hersteller: IXYS
LAA100PLTR One Phase Solid State Relays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA100PTR media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100
Hersteller: IXYS
LAA100PTR One Phase Solid State Relays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA100S media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100
Hersteller: IXYS
LAA100S One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.78 EUR
17+4.45 EUR
18+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA100STR media?resourcetype=datasheets&itemid=97fd61fa-3f5f-4a63-8e8e-7c76ea54438b&filename=laa100
Hersteller: IXYS
LAA100STR One Phase Solid State Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA108 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892260C7&compId=LAA108.pdf?ci_sign=b422f07330ccafc6349ee64d10cd1d1a446af717
LAA108
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.69 EUR
24+2.97 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA108P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892260C7&compId=LAA108.pdf?ci_sign=b422f07330ccafc6349ee64d10cd1d1a446af717
LAA108P
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.76 EUR
30+2.46 EUR
31+2.32 EUR
400+2.29 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA108PTR media?resourcetype=datasheets&itemid=0fdc07a3-0e0a-4303-a660-fcfd71179886&filename=laa108
Hersteller: IXYS
LAA108PTR One Phase Solid State Relays
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA108S LAA108.pdf
Hersteller: IXYS
LAA108S One Phase Solid State Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA108STR media?resourcetype=datasheets&itemid=0fdc07a3-0e0a-4303-a660-fcfd71179886&filename=laa108
Hersteller: IXYS
LAA108STR One Phase Solid State Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA110 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A47459C0E698BF&compId=LAA110.pdf?ci_sign=ccd17f31175d39f76946339f4bf405c57c47714b
LAA110
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: THT
Case: DIP8
On-state resistance: 35Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.17 EUR
17+4.4 EUR
18+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA110L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923AEC0C7&compId=LAA110L.pdf?ci_sign=c5d9dc6bd2f731b493e5c3213f701f4abd8a57f7
LAA110L
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: THT
Case: DIP8
On-state resistance: 35Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA110LS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B493F923AEC0C7&compId=LAA110L.pdf?ci_sign=c5d9dc6bd2f731b493e5c3213f701f4abd8a57f7
LAA110LS
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: SMT
Case: DIP8
On-state resistance: 35Ω
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LAA110LSTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B49339892080C7&compId=LAA100L.pdf?ci_sign=133833099cee8dee4dfa302627eb4b749f2b8824
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Contacts configuration: SPST-NO x2
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Mounting: SMT
Case: DIP8
On-state resistance: 35Ω
Turn-on time: 3ms
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