Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTQ32N65X | IXYS |
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IXTQ34N65X2M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 40W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 96mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ36N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 300W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTQ36N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO3P; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 36A Power dissipation: 540W Case: TO3P On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ36P15P | IXYS |
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IXTQ3N150M | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF Case: TO3PF Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: standard power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 38.6nC Reverse recovery time: 900ns On-state resistance: 7.3Ω Drain current: 1.83A Pulsed drain current: 9A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 73W Drain-source voltage: 1.5kV Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTQ40N50L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 40A Power dissipation: 540W Case: TO3P On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 0.32µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs Features of semiconductor devices: linear power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTQ44N50P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 650W Case: TO3P On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 400ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTQ44P15T | IXYS |
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IXTQ450P2 | IXYS |
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IXTQ460P2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Power dissipation: 480W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Technology: Polar2™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ470P2 | IXYS |
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IXTQ480P2 | IXYS |
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IXTQ48N20T | IXYS | IXTQ48N20T THT N channel transistors |
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IXTQ48N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 70W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ50N20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Power dissipation: 360W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ50N25T | IXYS |
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IXTQ52N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 52A Power dissipation: 400W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ52P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A Gate charge: 60nC Reverse recovery time: 120ns On-state resistance: 50mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Case: TO3P Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ60N20L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Power dissipation: 540W Case: TO3P On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 330ns Features of semiconductor devices: linear power mosfet Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTQ60N20T | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Gate charge: 73nC Reverse recovery time: 118ns On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 500W Kind of channel: enhancement Case: TO3P Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ62N15P | IXYS |
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IXTQ69N30P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Kind of package: tube Case: TO3P Polarisation: unipolar Gate charge: 156nC Reverse recovery time: 330ns On-state resistance: 49mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 69A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 500W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTQ74N20P | IXYS |
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IXTQ75N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 360W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns Technology: PolarHT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTQ76N25T | IXYS |
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auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ82N25P | IXYS |
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auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ86N20T | IXYS |
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IXTQ88N30P | IXYS |
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auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ96N15P | IXYS |
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IXTQ96N20P | IXYS |
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IXTQ96N25T | IXYS |
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IXTR102N65X2 | IXYS |
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IXTR120P20T | IXYS |
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IXTR140P10T | IXYS |
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IXTR16P60P | IXYS |
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IXTR170P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -100A; 312W; 176ns Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -100A Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 176ns On-state resistance: 15.4mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 312W Case: ISOPLUS247™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXTR20P50P | IXYS |
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auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTR210P10T | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: -195A Drain-source voltage: -100V Gate charge: 740nC Reverse recovery time: 200ns On-state resistance: 8mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 390W Kind of channel: enhancement Technology: TrenchP™ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTR32P60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -18A; 310W; 480ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -600V Drain current: -18A Power dissipation: 310W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.385Ω Mounting: THT Gate charge: 196nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 480ns Technology: PolarP™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTR36P15P | IXYS |
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auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTR40P50P | IXYS |
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auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTR48P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns Mounting: THT Case: ISOPLUS247™ Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -30A Gate charge: 103nC Reverse recovery time: 260ns On-state resistance: 93mΩ Technology: PolarP™ Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 190W Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTR62N15P | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXTR90P10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -57A Gate charge: 0.12µC Reverse recovery time: 144ns On-state resistance: 27mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 190W Case: ISOPLUS247™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTR90P20P | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns Case: ISOPLUS247™ Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT Technology: PolarP™ Kind of package: tube Drain-source voltage: -200V Drain current: -53A Gate charge: 205nC Reverse recovery time: 315ns On-state resistance: 48mΩ Power dissipation: 312W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTT02N450HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us Case: TO268HV Mounting: SMD Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Drain current: 0.2A On-state resistance: 625Ω Power dissipation: 113W Drain-source voltage: 4.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTT10N100D | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 400W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 850ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTT10N100D2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 695W Case: TO268 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 70ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTT10P60 | IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -600V Drain current: -10A Power dissipation: 300W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 135nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTT110N10L2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 600W Case: TO268 On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 230ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTT110N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 480W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PolarHT™ Reverse recovery time: 130ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTT11P50 | IXYS |
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IXTT12N150 | IXYS | IXTT12N150 SMD N channel transistors |
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IXTT12N150HV | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXTT140N075L2HV | IXYS | IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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IXTT140N10P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns Technology: PolarHT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
IXTT140P10T | IXYS | IXTT140P10T SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXTT16N10D2 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
IXTT16N20D2 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IXTQ32N65X |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ32N65X THT N channel transistors
IXTQ32N65X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ34N65X2M |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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7+ | 11.55 EUR |
9+ | 7.97 EUR |
IXTQ36N30P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ36N50P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 36A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 36A; 540W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 36A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.3 EUR |
7+ | 10.38 EUR |
10+ | 9.98 EUR |
IXTQ36P15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ36P15P THT P channel transistors
IXTQ36P15P THT P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTQ3N150M |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 7.3Ω
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 73W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 7.3Ω
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 73W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXTQ40N50L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTQ44N50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTQ44P15T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ44P15T THT P channel transistors
IXTQ44P15T THT P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTQ450P2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ450P2 THT N channel transistors
IXTQ450P2 THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
IXTQ460P2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: Polar2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.35 EUR |
14+ | 5.32 EUR |
15+ | 5.03 EUR |
30+ | 4.93 EUR |
IXTQ470P2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ470P2 THT N channel transistors
IXTQ470P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTQ480P2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ480P2 THT N channel transistors
IXTQ480P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ48N20T |
Hersteller: IXYS
IXTQ48N20T THT N channel transistors
IXTQ48N20T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ48N65X2M |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.13 EUR |
8+ | 9.6 EUR |
IXTQ50N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.29 EUR |
19+ | 3.95 EUR |
20+ | 3.73 EUR |
270+ | 3.59 EUR |
IXTQ50N25T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ50N25T THT N channel transistors
IXTQ50N25T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ52N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.94 EUR |
13+ | 5.68 EUR |
14+ | 5.36 EUR |
270+ | 5.31 EUR |
510+ | 5.16 EUR |
IXTQ52P10P |
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Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.68 EUR |
12+ | 5.98 EUR |
13+ | 5.65 EUR |
120+ | 5.58 EUR |
270+ | 5.43 EUR |
IXTQ60N20L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO3P; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ60N20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.89 EUR |
19+ | 3.79 EUR |
20+ | 3.59 EUR |
510+ | 3.55 EUR |
IXTQ62N15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ62N15P THT N channel transistors
IXTQ62N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ69N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Gate charge: 156nC
Reverse recovery time: 330ns
On-state resistance: 49mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 69A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 500W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Gate charge: 156nC
Reverse recovery time: 330ns
On-state resistance: 49mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 69A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 500W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ74N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ74N20P THT N channel transistors
IXTQ74N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ75N10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ76N25T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ76N25T THT N channel transistors
IXTQ76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 7.99 EUR |
14+ | 5.13 EUR |
IXTQ82N25P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ82N25P THT N channel transistors
IXTQ82N25P THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.01 EUR |
10+ | 7.45 EUR |
11+ | 7.05 EUR |
1020+ | 6.92 EUR |
IXTQ86N20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ86N20T THT N channel transistors
IXTQ86N20T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ88N30P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ88N30P THT N channel transistors
IXTQ88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.07 EUR |
7+ | 10.78 EUR |
8+ | 10.2 EUR |
1020+ | 9.85 EUR |
IXTQ96N15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ96N15P THT N channel transistors
IXTQ96N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ96N20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ96N20P THT N channel transistors
IXTQ96N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTQ96N25T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTQ96N25T THT N channel transistors
IXTQ96N25T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTR102N65X2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTR102N65X2 THT N channel transistors
IXTR102N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTR120P20T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTR120P20T THT P channel transistors
IXTR120P20T THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTR140P10T |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTR140P10T THT P channel transistors
IXTR140P10T THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTR16P60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTR16P60P THT P channel transistors
IXTR16P60P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTR170P10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -100A; 312W; 176ns
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -100A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 15.4mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -100A; 312W; 176ns
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -100A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 15.4mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTR20P50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTR20P50P THT P channel transistors
IXTR20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.87 EUR |
6+ | 12.17 EUR |
IXTR210P10T |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 32.72 EUR |
30+ | 31.46 EUR |
IXTR32P60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -18A; 310W; 480ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -18A
Power dissipation: 310W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 480ns
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -18A; 310W; 480ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -18A
Power dissipation: 310W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 480ns
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTR36P15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTR36P15P THT P channel transistors
IXTR36P15P THT P channel transistors
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.9 EUR |
8+ | 8.98 EUR |
9+ | 8.49 EUR |
IXTR40P50P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTR40P50P THT P channel transistors
IXTR40P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 30.03 EUR |
4+ | 21.45 EUR |
IXTR48P20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10.12 EUR |
10+ | 7.49 EUR |
IXTR62N15P |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTR62N15P THT N channel transistors
IXTR62N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IXTR90P10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -57A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 27mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -57A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 27mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTR90P20P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.25 EUR |
IXTT02N450HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 28.29 EUR |
10+ | 27.2 EUR |
IXTT10N100D |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 850ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; Idm: 20A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 850ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT10N100D2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT10P60 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT110N10L2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 230ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 230ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT110N10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT11P50 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTT11P50 SMD P channel transistors
IXTT11P50 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT12N150 |
Hersteller: IXYS
IXTT12N150 SMD N channel transistors
IXTT12N150 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT12N150HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTT12N150HV SMD N channel transistors
IXTT12N150HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT140N075L2HV |
Hersteller: IXYS
IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors
IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT140N10P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT140P10T |
Hersteller: IXYS
IXTT140P10T SMD P channel transistors
IXTT140P10T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT16N10D2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTT16N10D2 SMD N channel transistors
IXTT16N10D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXTT16N20D2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXTT16N20D2 SMD N channel transistors
IXTT16N20D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH