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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTQ36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ36N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.16 EUR
7+10.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXTQ36P15P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86 IXTQ36P15P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ3N150M IXTQ3N150M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284803F9A26F820&compId=IXTQ3N150M.pdf?ci_sign=c567fa7384752102128d132316a07a52fc6dca9f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 7.3Ω
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 73W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50L2 IXTQ40N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N50P IXTQ44N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13E9820&compId=IXTQ44N50P.pdf?ci_sign=5b6b390d0f88dc2b81c15815714aa839131be972 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTQ44P15T THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ450P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_450p2_datasheet.pdf.pdf IXTQ450P2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2 IXTQ460P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0B0D5903E469&compId=IXTQ460P2.pdf?ci_sign=66ba757660ab9fc6f012f9df9c2561c23345b3f6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Technology: Polar2™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 480W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.35 EUR
14+5.32 EUR
15+5.02 EUR
30+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ470P2 IXTQ470P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13FF820&compId=IXTQ470P2.pdf?ci_sign=76af40f262edd6db225179a4687589ac6121f39b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Reverse recovery time: 400ns
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ480P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtq480p2_datasheet.pdf.pdf IXTQ480P2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N20T IXYS IXTQ48N20T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.13 EUR
8+9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.29 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
270+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N25T IXTQ50N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30P IXTQ52N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90C271079FBE27&compId=IXTQ52N30P-DTE.pdf?ci_sign=cf659494e94781585499e1614568475c46cc3563 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.94 EUR
13+5.68 EUR
14+5.36 EUR
270+5.31 EUR
510+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52P10P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTQ52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.11 EUR
12+5.96 EUR
13+5.63 EUR
1020+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n20_datasheet.pdf.pdf IXTQ60N20L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20T IXTQ60N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.89 EUR
19+3.79 EUR
20+3.58 EUR
510+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ62N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf IXTQ62N15P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ69N30P IXTQ69N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90D131A4635E27&compId=IXTQ69N30P-DTE.pdf?ci_sign=30ac47e4c9ca5a13d0405042e859205ebf2f7209 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Gate charge: 156nC
Reverse recovery time: 330ns
On-state resistance: 49mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 69A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 500W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ74N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_74n20p_datasheet.pdf.pdf IXTQ74N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ75N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3 IXTQ75N10P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ76N25T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-76N25T-Datasheet.PDF?assetguid=3C2A340B-21A2-4C11-9ADB-97D2BDE80F94 IXTQ76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.99 EUR
14+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ82N25P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf IXTQ82N25P THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.01 EUR
10+7.45 EUR
11+7.05 EUR
1020+6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ86N20T IXYS DS99664A(IXTA-TP-TQ86N20T).pdf IXTQ86N20T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXTQ88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.07 EUR
7+10.78 EUR
8+10.2 EUR
1020+9.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N15P IXYS 99131.pdf IXTQ96N15P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N20P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n20p-datasheet?assetguid=f01cf09b-9474-4d8a-b705-45c8df47cc7e IXTQ96N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N25T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_96n25t_datasheet.pdf.pdf IXTQ96N25T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR102N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTR102N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr120p20t_datasheet.pdf.pdf IXTR120P20T THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR140P10T IXTR140P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05299A4BE38BF&compId=IXTR140P10T.pdf?ci_sign=ba23e76c64dd5f72d2acb545d9b6fb00d610f006 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -110A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 270W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR16P60P IXYS DS99989(IXTR16P60P).pdf IXTR16P60P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR170P10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr170p10p_datasheet.pdf.pdf IXTR170P10P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR20P50P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=DAA3BA6C-C1EF-4896-9BC4-9E7B14CF2FF6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR20P50P-Datasheet.PDF IXTR20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.87 EUR
6+12.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR210P10T IXTR210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04275137A38BF&compId=IXTR210P10T.pdf?ci_sign=6be69c09b119a4bc5566676e52a110aa09280e61 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.79 EUR
30+31.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR32P60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR32P60P-Datasheet.PDF?assetguid=7F3DD491-647A-4291-A895-57EBA408A15F IXTR32P60P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR36P15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr36p15p_datasheet.pdf.pdf IXTR36P15P THT P channel transistors
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.9 EUR
8+8.98 EUR
9+8.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR40P50P IXTR40P50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E8662C8B4F8BF&compId=IXTR40P50P.pdf?ci_sign=594ef2e0778e8bf21dc4bfcab613b60b66c1e530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 477ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -22A
On-state resistance: 0.26Ω
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.02 EUR
6+13.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR48P20P IXTR48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00147810378BF&compId=IXTR48P20P.pdf?ci_sign=6ecb22dd6fd6b0673f62f8c7c5cf3402e6ec1242 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
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IXTR90P20P IXTR90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ECF7A318A98BF&compId=IXTR90P20P.pdf?ci_sign=942ad135bc912fcff17afb282f35d9dde220eba2 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
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IXTT02N450HV IXTT02N450HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F1471820&compId=IXTA(T)02N450HV.pdf?ci_sign=035071321f59a72a8b4bd172f91c4d79fad9fbe1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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IXTT140N10P IXTT140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917396E4BA7E27&compId=IXTQ140N10P-DTE.pdf?ci_sign=d1fc712de0ef8b1c18e6bafe16c158a6fb6a90fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
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IXTT16N10D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704 IXTT16N10D2 SMD N channel transistors
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IXTT16N20D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704 IXTT16N20D2 SMD N channel transistors
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IXTT16N50D2 IXTT16N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
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IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
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IXTT170N10P IXTT170N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
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IXTQ36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ36N50P THT N channel transistors
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IXTQ36P15P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86
Hersteller: IXYS
IXTQ36P15P THT P channel transistors
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IXTQ3N150M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A284803F9A26F820&compId=IXTQ3N150M.pdf?ci_sign=c567fa7384752102128d132316a07a52fc6dca9f
IXTQ3N150M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
On-state resistance: 7.3Ω
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 73W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
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IXTQ40N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2
IXTQ40N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTQ44N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13E9820&compId=IXTQ44N50P.pdf?ci_sign=5b6b390d0f88dc2b81c15815714aa839131be972
IXTQ44N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 98nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTQ44P15T THT P channel transistors
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IXTQ450P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_450p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ450P2 THT N channel transistors
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IXTQ460P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0B0D5903E469&compId=IXTQ460P2.pdf?ci_sign=66ba757660ab9fc6f012f9df9c2561c23345b3f6
IXTQ460P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO3P
Mounting: THT
Technology: Polar2™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 480W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.35 EUR
14+5.32 EUR
15+5.02 EUR
30+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTQ470P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13FF820&compId=IXTQ470P2.pdf?ci_sign=76af40f262edd6db225179a4687589ac6121f39b
IXTQ470P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Reverse recovery time: 400ns
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ480P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtq480p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ480P2 THT N channel transistors
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IXTQ48N20T
Hersteller: IXYS
IXTQ48N20T THT N channel transistors
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IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.13 EUR
8+9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTQ50N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.29 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
270+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ50N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0
IXTQ50N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90C271079FBE27&compId=IXTQ52N30P-DTE.pdf?ci_sign=cf659494e94781585499e1614568475c46cc3563
IXTQ52N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.94 EUR
13+5.68 EUR
14+5.36 EUR
270+5.31 EUR
510+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTQ52P10P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B
Hersteller: IXYS
IXTQ52P10P THT P channel transistors
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.11 EUR
12+5.96 EUR
13+5.63 EUR
1020+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTQ60N20L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n20_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ60N20L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ60N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631
IXTQ60N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.89 EUR
19+3.79 EUR
20+3.58 EUR
510+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXTQ62N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ62N15P THT N channel transistors
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IXTQ69N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90D131A4635E27&compId=IXTQ69N30P-DTE.pdf?ci_sign=30ac47e4c9ca5a13d0405042e859205ebf2f7209
IXTQ69N30P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO3P; 330ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Gate charge: 156nC
Reverse recovery time: 330ns
On-state resistance: 49mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 69A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 500W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ74N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_74n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ74N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ75N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3
Hersteller: IXYS
IXTQ75N10P THT N channel transistors
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IXTQ76N25T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-76N25T-Datasheet.PDF?assetguid=3C2A340B-21A2-4C11-9ADB-97D2BDE80F94
Hersteller: IXYS
IXTQ76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 243 Stücke:
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9+7.99 EUR
14+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTQ82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ82N25P THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.01 EUR
10+7.45 EUR
11+7.05 EUR
1020+6.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTQ86N20T DS99664A(IXTA-TP-TQ86N20T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ86N20T THT N channel transistors
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IXTQ88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.07 EUR
7+10.78 EUR
8+10.2 EUR
1020+9.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N15P 99131.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ96N15P THT N channel transistors
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IXTQ96N20P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n20p-datasheet?assetguid=f01cf09b-9474-4d8a-b705-45c8df47cc7e
Hersteller: IXYS
IXTQ96N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ96N25T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_96n25t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ96N25T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR102N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTR102N65X2 THT N channel transistors
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IXTR120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr120p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTR120P20T THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR140P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05299A4BE38BF&compId=IXTR140P10T.pdf?ci_sign=ba23e76c64dd5f72d2acb545d9b6fb00d610f006
IXTR140P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -110A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 270W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 400nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR16P60P DS99989(IXTR16P60P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTR16P60P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR170P10P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr170p10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTR170P10P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR20P50P media?resourcetype=datasheets&itemid=DAA3BA6C-C1EF-4896-9BC4-9E7B14CF2FF6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR20P50P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTR20P50P THT P channel transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.87 EUR
6+12.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA04275137A38BF&compId=IXTR210P10T.pdf?ci_sign=6be69c09b119a4bc5566676e52a110aa09280e61
IXTR210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -195A; 390W; 200ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -195A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 390W
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+32.79 EUR
30+31.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR32P60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXTR32P60P-Datasheet.PDF?assetguid=7F3DD491-647A-4291-A895-57EBA408A15F
Hersteller: IXYS
IXTR32P60P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR36P15P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtr36p15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTR36P15P THT P channel transistors
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.9 EUR
8+8.98 EUR
9+8.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR40P50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E8662C8B4F8BF&compId=IXTR40P50P.pdf?ci_sign=594ef2e0778e8bf21dc4bfcab613b60b66c1e530
IXTR40P50P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 477ns
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -22A
On-state resistance: 0.26Ω
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.02 EUR
6+13.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00147810378BF&compId=IXTR48P20P.pdf?ci_sign=6ecb22dd6fd6b0673f62f8c7c5cf3402e6ec1242
IXTR48P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -30A; 190W; 260ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -30A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 93mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10.12 EUR
10+7.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR62N15P 99622.pdf
Hersteller: IXYS
IXTR62N15P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR90P10P DS99985B(IXTR90P10P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTR90P10P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTR90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ECF7A318A98BF&compId=IXTR90P20P.pdf?ci_sign=942ad135bc912fcff17afb282f35d9dde220eba2
IXTR90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -53A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 312W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: ISOPLUS247™
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT02N450HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F1471820&compId=IXTA(T)02N450HV.pdf?ci_sign=035071321f59a72a8b4bd172f91c4d79fad9fbe1
IXTT02N450HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.29 EUR
10+27.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT10N100D littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_10n100d_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT10N100D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT10N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_10n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT10N100D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT10P60 littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p60_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT10P60 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT110N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_110n10_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT110N10L2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT110N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_110n10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT110N10P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT11P50 IXTx11P50_Rev2005.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT11P50 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT12N150
Hersteller: IXYS
IXTT12N150 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT12N150HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtt12n150hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT12N150HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N075L2HV
Hersteller: IXYS
IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917396E4BA7E27&compId=IXTQ140N10P-DTE.pdf?ci_sign=d1fc712de0ef8b1c18e6bafe16c158a6fb6a90fd
IXTT140N10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT140P10T
Hersteller: IXYS
IXTT140P10T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N10D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704
Hersteller: IXYS
IXTT16N10D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N20D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704
Hersteller: IXYS
IXTT16N20D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005
IXTT16N50D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957
IXTT16P60P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.33 EUR
6+12.4 EUR
7+11.71 EUR
30+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT170N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191
IXTT170N10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.57 EUR
7+10.44 EUR
30+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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