Produkte > IXYS > Alle Produkte des Herstellers IXYS (18336) > Seite 255 nach 306

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 270 300 306  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTK180N15P IXTK180N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9188AFD9C59E27&compId=IXTK180N15P-DTE.pdf?ci_sign=2ad7003b8dcc314cadea14ef7581e19529865817 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.49 EUR
5+14.73 EUR
6+13.93 EUR
25+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2 IXYS IXTK200N10L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.41 EUR
6+13.63 EUR
10+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N150 IXYS IXTK20N150 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
10+27.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100L IXTK22N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf IXTK240N075L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 480ns
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.99 EUR
10+19.48 EUR
25+19.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250L IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=697abaf0-8e4f-4022-850a-2222f0e095db&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_3n250l_datasheet.pdf IXTK3N250L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6 IXTK40P50P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50L IXYS 38fac45f75894f078db00809a75465c2.pdf IXTK46N50L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTK550N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2 IXTK600N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49FEAF5633820&compId=IXTK(X)600N04T2.pdf?ci_sign=31b642072eb49cef1a86e3e7413c5068bef4c432 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 590nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2 IXTK60N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D47AEE6788F820&compId=IXTK(X)60N50L2.pdf?ci_sign=4c5a7a71f2100987403dfd7b97dea0f6fcb5dbf9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25P IXYS a IXTK82N25P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf IXTK8N150L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Linear-IXT-90N25-Datasheet.PDF?assetguid=85B50793-C43C-4B40-A84C-3DCCA3D22A7B IXTK90N25L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794AD067C676748&compId=IXTK90P20P.pdf?ci_sign=ed63f46a927f39a8d31abb3fd7ed4da28939b52c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.26 EUR
10+19.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450 IXYS DS100458BIXTL2N450.pdf IXTL2N450 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N470 IXYS DS100759IXTL2N470.pdf IXTL2N470 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTN102N65X2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8D4C2C0D3B820&compId=IXTN110N20L2.pdf?ci_sign=22d1ef7a7256a11bcc8df888639ad4005a52d7b3 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 420ns
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10P IXTN170P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794A3DD0CC20748&compId=IXTN170P10P.pdf?ci_sign=836eb5a6f8f0b2903a734fc7c94f64d2235ce61f Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -170A; SOT227B; screw; Idm: -510A
Technology: PolarP™
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: -510A
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 14mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 890W
Electrical mounting: screw
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN17N120L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn17n120l_datasheet.pdf.pdf IXTN17N120L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2 IXYS DS100238IXTN200N10L2.pdf IXTN200N10L2 Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
100+50.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn200n10t-datasheet?assetguid=c78c43fa-9c23-4a31-a344-9f883b414062 IXTN200N10T Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949FD586272748&compId=IXTN210P10T.pdf?ci_sign=c7eaa6ff621298b381d20e5aabc3375642501283 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -800A
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 830W
Electrical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Technology: TrenchP™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100L IXTN22N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA743238E52B820&compId=IXTN22N100L.pdf?ci_sign=bd0f90a435af556a9c7a240091db1d3ed3d343fd Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 22A; SOT227B; screw; Idm: 50A; 700W
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.6Ω
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN30N100L IXTN30N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA762DDC51FD820&compId=IXTN30N100L.pdf?ci_sign=1267cd27b10289fdcc054aa2d6c82d9805b1b00e Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: Linear™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN32P60P IXTN32P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949C94D6AA0748&compId=IXTN32P60P.pdf?ci_sign=035c5f108d26aae1df24efb3d52a2cd107ac837f Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -600V; -32A; SOT227B; screw; Idm: -96A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Pulsed drain current: -96A
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Gate charge: 196nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 480ns
Technology: PolarP™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN46N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn46n50l_datasheet.pdf.pdf IXTN46N50L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtn550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTN550N055T2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN600N04T2 IXTN600N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF5F55F2CE31820&compId=IXTN600N04T2.pdf?ci_sign=21248338ae2fa9deea23c6d6848e893366c6ced4 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 40V; 600A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 940W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate charge: 590nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2 IXTN60N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9309137629820&compId=IXTN60N50L2.pdf?ci_sign=15f12dac8ab19059b2614dc81037575359837d16 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Technology: Linear L2™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn62n50l_datasheet.pdf.pdf IXTN62N50L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN80N30L2 IXYS IXTN80N30L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN8N150L IXYS IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn90n25-datasheet?assetguid=22138b57-480b-473e-a2e8-a7af15dabfda IXTN90N25L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20P IXTN90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979492C3F64C2748&compId=IXTN90P20P.pdf?ci_sign=a8e50718a247f46e2906074292bba4b1736a5cc4 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -270A
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Electrical mounting: screw
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Technology: PolarP™
Gate-source voltage: ±30V
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=aa4e4d88-d3d3-49b5-a8c6-493f4f0a72a7 IXTP01N100D THT N channel transistors
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.59 EUR
12+6.19 EUR
13+5.85 EUR
500+5.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0 IXTP02N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50D IXTP02N50D IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B49599820&compId=IXTP02N50D.pdf?ci_sign=7c63629b80656d24b64dc55efa4f5870d4ea98b3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.2A; 25W; TO220AB; 5ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 5ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100 IXTP05N100 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100M IXTP05N100M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B495AF820&compId=IXTP05N100M.pdf?ci_sign=22dedd1505f2893fd7c4f30fd914ac61d85a74fc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100P IXTP05N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12CB820&compId=IXTP05N100P.pdf?ci_sign=d4781f4c3352d29dcd458ddadab27f78de1e370d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120P IXYS IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf IXTP06N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
100+1.96 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100P IXTP08N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 750ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
29+2.5 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf IXTP08N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 34ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.26 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15T IXYS DS99661B(IXTA-TH-TP-TQ102N15T).pdf IXTP102N15T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12F7820&compId=IXTP10N60P.pdf?ci_sign=c8a5cd7138ab74dee443f89a317f173a43bfad11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15T IXTP10P15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.66 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-110n055t2-datasheet?assetguid=21c020da-ce9b-49ec-a4f7-c30b99262b3a IXTP110N055T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
37+1.94 EUR
40+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTP120N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK180N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9188AFD9C59E27&compId=IXTK180N15P-DTE.pdf?ci_sign=2ad7003b8dcc314cadea14ef7581e19529865817
IXTK180N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 180A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.49 EUR
5+14.73 EUR
6+13.93 EUR
25+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10L2
Hersteller: IXYS
IXTK200N10L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK200N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d
IXTK200N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.41 EUR
6+13.63 EUR
10+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N150
Hersteller: IXYS
IXTK20N150 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8
IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
10+27.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8
IXTK22N100L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK240N075L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529
IXTK32P60P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 480ns
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.99 EUR
10+19.48 EUR
25+19.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250L media?resourcetype=datasheets&itemid=697abaf0-8e4f-4022-850a-2222f0e095db&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_3n250l_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK3N250L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6
Hersteller: IXYS
IXTK40P50P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50L 38fac45f75894f078db00809a75465c2.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK46N50L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK550N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49FEAF5633820&compId=IXTK(X)600N04T2.pdf?ci_sign=31b642072eb49cef1a86e3e7413c5068bef4c432
IXTK600N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 590nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D47AEE6788F820&compId=IXTK(X)60N50L2.pdf?ci_sign=4c5a7a71f2100987403dfd7b97dea0f6fcb5dbf9
IXTK60N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25P a
Hersteller: IXYS
IXTK82N25P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK8N150L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Linear-IXT-90N25-Datasheet.PDF?assetguid=85B50793-C43C-4B40-A84C-3DCCA3D22A7B
Hersteller: IXYS
IXTK90N25L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794AD067C676748&compId=IXTK90P20P.pdf?ci_sign=ed63f46a927f39a8d31abb3fd7ed4da28939b52c
IXTK90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.26 EUR
10+19.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450 DS100458BIXTL2N450.pdf
Hersteller: IXYS
IXTL2N450 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N470 DS100759IXTL2N470.pdf
Hersteller: IXYS
IXTL2N470 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTN102N65X2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8D4C2C0D3B820&compId=IXTN110N20L2.pdf?ci_sign=22d1ef7a7256a11bcc8df888639ad4005a52d7b3
IXTN110N20L2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 420ns
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN170P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794A3DD0CC20748&compId=IXTN170P10P.pdf?ci_sign=836eb5a6f8f0b2903a734fc7c94f64d2235ce61f
IXTN170P10P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -170A; SOT227B; screw; Idm: -510A
Technology: PolarP™
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: -510A
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 14mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 890W
Electrical mounting: screw
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN17N120L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn17n120l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN17N120L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10L2 DS100238IXTN200N10L2.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN200N10L2 Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
100+50.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN200N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixtn200n10t-datasheet?assetguid=c78c43fa-9c23-4a31-a344-9f883b414062
Hersteller: IXYS
IXTN200N10T Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949FD586272748&compId=IXTN210P10T.pdf?ci_sign=c7eaa6ff621298b381d20e5aabc3375642501283
IXTN210P10T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -800A
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 830W
Electrical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Technology: TrenchP™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN22N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA743238E52B820&compId=IXTN22N100L.pdf?ci_sign=bd0f90a435af556a9c7a240091db1d3ed3d343fd
IXTN22N100L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 22A; SOT227B; screw; Idm: 50A; 700W
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.6Ω
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN30N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA762DDC51FD820&compId=IXTN30N100L.pdf?ci_sign=1267cd27b10289fdcc054aa2d6c82d9805b1b00e
IXTN30N100L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 800W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 545nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 1µs
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: Linear™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN32P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949C94D6AA0748&compId=IXTN32P60P.pdf?ci_sign=035c5f108d26aae1df24efb3d52a2cd107ac837f
IXTN32P60P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -600V; -32A; SOT227B; screw; Idm: -96A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Pulsed drain current: -96A
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Gate charge: 196nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 480ns
Technology: PolarP™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN46N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn46n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN46N50L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtn550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN550N055T2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN600N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF5F55F2CE31820&compId=IXTN600N04T2.pdf?ci_sign=21248338ae2fa9deea23c6d6848e893366c6ced4
IXTN600N04T2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 40V; 600A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 940W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate charge: 590nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF9309137629820&compId=IXTN60N50L2.pdf?ci_sign=15f12dac8ab19059b2614dc81037575359837d16
IXTN60N50L2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 610nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Technology: Linear L2™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn62n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN62N50L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN80N30L2
Hersteller: IXYS
IXTN80N30L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN8N150L
Hersteller: IXYS
IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtn90n25-datasheet?assetguid=22138b57-480b-473e-a2e8-a7af15dabfda
Hersteller: IXYS
IXTN90N25L2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979492C3F64C2748&compId=IXTN90P20P.pdf?ci_sign=a8e50718a247f46e2906074292bba4b1736a5cc4
IXTN90P20P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -270A
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Electrical mounting: screw
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Technology: PolarP™
Gate-source voltage: ±30V
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=aa4e4d88-d3d3-49b5-a8c6-493f4f0a72a7
Hersteller: IXYS
IXTP01N100D THT N channel transistors
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.59 EUR
12+6.19 EUR
13+5.85 EUR
500+5.73 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0
Hersteller: IXYS
IXTP02N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B49599820&compId=IXTP02N50D.pdf?ci_sign=7c63629b80656d24b64dc55efa4f5870d4ea98b3
IXTP02N50D
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.2A; 25W; TO220AB; 5ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 5ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f
IXTP05N100
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B495AF820&compId=IXTP05N100M.pdf?ci_sign=22dedd1505f2893fd7c4f30fd914ac61d85a74fc
IXTP05N100M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12CB820&compId=IXTP05N100P.pdf?ci_sign=d4781f4c3352d29dcd458ddadab27f78de1e370d
IXTP05N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120P IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP06N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTP08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
100+1.96 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a
IXTP08N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 750ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
29+2.5 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP08N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c
IXTP08N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.56 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
50+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003
IXTP100N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 34ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.26 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15T DS99661B(IXTA-TH-TP-TQ102N15T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTP102N15T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12F7820&compId=IXTP10N60P.pdf?ci_sign=c8a5cd7138ab74dee443f89a317f173a43bfad11
IXTP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af
IXTP10P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e
IXTP10P50P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.66 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-110n055t2-datasheet?assetguid=21c020da-ce9b-49ec-a4f7-c30b99262b3a
Hersteller: IXYS
IXTP110N055T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
37+1.94 EUR
40+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP120N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 270 300 306  [ Nächste Seite >> ]