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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXXH40N65C4D1 IXXH40N65C4D1 IXYS IXXH40N65C4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 215A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS IXXH50N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3 IXYS IXXH50N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS IXXH50N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS IXXH60N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.12 EUR
11+6.55 EUR
12+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.43 EUR
7+11.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4 IXXH60N65C4 IXYS IXXH60N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 260A
Collector current: 60A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 110ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1 IXYS IXXH75N60B3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3 IXXH75N60C3 IXYS IXXH75N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1 IXYS IXXH75N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4 IXYS IXXH80N65B4 THT IGBT transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.65 EUR
10+7.35 EUR
11+6.95 EUR
250+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh80n65b4d1_datasheet.pdf IXXH80N65B4D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1 IXYS IXXH80N65B4H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60B3H1 IXYS IXXK%2CX100N60B3H1.pdf IXXK100N60B3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf.pdf IXXK100N60C3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.23 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.52 EUR
25+21.32 EUR
100+20.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65C4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_160n65c4_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXK200N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60c3_datasheet.pdf.pdf IXXK200N60C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N65B4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXK200N65B4 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXK300N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf IXXK300N60C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1 IXXN100N60B3H1 IXYS IXXN100N60B3H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1 IXYS IXXN110N65B4H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1 IXYS IXXN110N65C4H1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60B3 IXYS IXXN200N60B3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60B3H1 IXYS IXXN200N60B3H1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60C3H1 IXYS IXXN200N60C3H1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N65A4 IXXN200N65A4 IXYS IXXN200N65A4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP12N65B4D1 IXXP12N65B4D1 IXYS IXXP12N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP50N60B3 IXXP50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M IXYS IXXQ30N60B3M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR100N60B3H1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=613f1ae9-0731-4a6d-b1c2-52f5f0c7f673&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxr100n60b3h1_datasheet.pdf IXXR100N60B3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 IXYS IXXR110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60B3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf IXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60C3H1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=9922f041-1111-4aea-bb33-e69a6770637d&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf IXXX100N60C3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX110N65B4H1 IXXX110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX140N65B4H1 IXXX140N65B4H1 IXYS IXXX140N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65B4 IXXX160N65B4 IXYS IXXK(x)160N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65C4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXX200N60B3 THT IGBT transistors
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IXXX200N65B4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXX200N65B4 THT IGBT transistors
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IXXX300N60B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf IXXX300N60B3 THT IGBT transistors
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IXXX300N60C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf IXXX300N60C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C3HV IXYA20N120C3HV IXYS IXY_20N120C3_HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3 IXYA20N65C3 IXYS IXYA(H)20N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.33 EUR
21+3.46 EUR
22+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA8N250CHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf IXYA8N250CHV SMD IGBT transistors
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IXYA8N90C3D1 IXYA8N90C3D1 IXYS IXYA(P)8N90C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYB82N120C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyb82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf IXYB82N120C3H1 THT IGBT transistors
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IXYF30N450 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=4f39dc18-3fb1-4634-aa0a-11afa7e8bce7&filename=littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyf30n450-datasheet IXYF30N450 THT IGBT transistors
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IXYH100N65A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65a3_datasheet.pdf.pdf IXYH100N65A3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXyH100N65C3 IXYS IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH10N170C IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh10n170c_datasheet.pdf.pdf IXYH10N170C THT IGBT transistors
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IXYH10N170CV1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF IXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
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IXYH12N250C IXYS DS100791(IXYH12N250C)_.pdf IXYH12N250C THT IGBT transistors
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IXXH40N65C4D1 IXXH40N65C4D1.pdf
IXXH40N65C4D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 215A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXH50N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1.pdf
IXXH50N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3 IXXH50N60C3.pdf
IXXH50N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1.pdf
IXXH50N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4.pdf
IXXH60N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
11+6.55 EUR
12+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1.pdf
IXXH60N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.43 EUR
7+11.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4 IXXH60N65C4.pdf
IXXH60N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 260A
Collector current: 60A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 110ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1
Hersteller: IXYS
IXXH75N60B3D1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3 IXXH75N60C3.pdf
IXXH75N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 165ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1.pdf
IXXH75N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 105ns
Pulsed collector current: 300A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4
Hersteller: IXYS
IXXH80N65B4 THT IGBT transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.65 EUR
10+7.35 EUR
11+6.95 EUR
250+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh80n65b4d1_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXXH80N65B4D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1
Hersteller: IXYS
IXXH80N65B4H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60B3H1 IXXK%2CX100N60B3H1.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK100N60B3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK100N60C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK100N60C3H1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.23 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXK160N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.52 EUR
25+21.32 EUR
100+20.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65C4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_160n65c4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK200N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK200N60C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK200N65B4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK200N65B4 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK300N60B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK300N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK300N60C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN100N60B3H1 IXXN100N60B3H1.pdf
IXXN100N60B3H1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B; 500W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 98A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXN110N65B4H1 IXXN110N65B4H1.pdf
IXXN110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX4™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 650A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1.pdf
IXXN110N65C4H1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 470A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60B3
Hersteller: IXYS
IXXN200N60B3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60B3H1
Hersteller: IXYS
IXXN200N60B3H1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N60C3H1
Hersteller: IXYS
IXXN200N60C3H1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXN200N65A4 IXXN200N65A4.pdf
IXXN200N65A4
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: GenX4™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP12N65B4D1 IXXP12N65B4D1.pdf
IXXP12N65B4D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 12A
Pulsed collector current: 70A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 34nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXP50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXP50N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M.pdf
IXXQ30N60B3M
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 19A; 90W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 90W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
Pulsed collector current: 140A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 292ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR100N60B3H1 media?resourcetype=datasheets&itemid=613f1ae9-0731-4a6d-b1c2-52f5f0c7f673&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxr100n60b3h1_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXXR100N60B3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1.pdf
IXXR110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60B3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60b3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX100N60B3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX100N60C3H1 media?resourcetype=datasheets&itemid=9922f041-1111-4aea-bb33-e69a6770637d&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX100N60C3H1 THT IGBT transistors
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IXXX110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXX110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 880W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX140N65B4H1 IXXX140N65B4H1.pdf
IXXX140N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65B4 IXXK(x)160N65B4.pdf
IXXX160N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 860A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 93ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX160N65C4 littelfuse-discrete-igbts-ixx-160n65c4-datasheet?assetguid=dcea7101-7c37-4ad5-a03a-2aa565384e38
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 320A
Collector current: 160A
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 197ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_200n60b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX200N60B3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX200N65B4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxx200n65b4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX200N65B4 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60B3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60b3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX300N60B3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXX300N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_300n60c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXX300N60C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
24+3.05 EUR
30+2.42 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N120C3HV IXY_20N120C3_HV.pdf
IXYA20N120C3HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3 IXYA(H)20N65C3.pdf
IXYA20N65C3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYA20N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
17+4.33 EUR
21+3.46 EUR
22+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYA50N65C3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO263-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA8N250CHV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYA8N250CHV SMD IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYA8N90C3D1 IXYA(P)8N90C3D1.pdf
IXYA8N90C3D1
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYB82N120C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyb82n120c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYB82N120C3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYF30N450 media?resourcetype=datasheets&itemid=4f39dc18-3fb1-4634-aa0a-11afa7e8bce7&filename=littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyf30n450-datasheet
Hersteller: IXYS
IXYF30N450 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH100N65A3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65a3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH100N65A3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXyH100N65C3
Hersteller: IXYS
IXYH100N65C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH10N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh10n170c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH10N170C THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH10N170CV1 media?resourcetype=datasheets&itemid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH12N250C DS100791(IXYH12N250C)_.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH12N250C THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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