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IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY10P15T IXYS DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf IXTY10P15T SMD P channel transistors
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IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2_DS_1.pdf IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.85 EUR
19+3.76 EUR
140+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY15P15T IXTY15P15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY18P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_18p10t_datasheet.pdf.pdf IXTY18P10T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N100P IXYS DS99234G(IXTA-TP-TY1N100P).pdf IXTY1N100P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N120P IXTY1N120P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Case: TO252
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
30+2.45 EUR
32+2.3 EUR
70+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N80P IXYS DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf IXTY1N80P SMD N channel transistors
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IXTY1R4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf IXTY1R4N100P SMD N channel transistors
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IXTY1R4N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf IXTY1R4N120P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N120PHV IXYS DS99871E(IXTY-TA-TP1R4N120P-HV).pdf IXTY1R4N120PHV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD988597E13820&compId=IXTA(P%2CY)1R6N100D2.pdf?ci_sign=ce59496fe47080cde7fbbe82a0045017cf12b9be Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 11ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 10Ω
Gate charge: 645nC
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4 EUR
20+3.6 EUR
25+2.86 EUR
27+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10T IXTY26P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N100P IXTY2N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 800ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
70+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N65X2 IXTY2N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C89C4F8CE3158BF&compId=IXTP(Y)2N65X2.pdf?ci_sign=a1b44b73e461987c86a1219b0eef051f39a61060 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 137ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2P50PA IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b70aee1e-47d9-44bf-9501-675ee6ddec21&filename=power_semiconductor_discrete_mosfet_ixty2p50pa_datasheet.pdf IXTY2P50PA SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY32P05T IXYS DS99967C(IXTY-TA-TP32P05T).pdf IXTY32P05T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N50P IXTY3N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 70W
Gate charge: 9.3nC
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10T IXTY44N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
70+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf IXTY48P05T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
26+2.75 EUR
140+1.7 EUR
280+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.66 EUR
35+2.06 EUR
47+1.52 EUR
140+1.22 EUR
560+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTY8N70X2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTZ550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtz550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTZ550N055T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA50N60B3 IXXA50N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAA1242988B820&compId=IXXA(p%2Ch)50N60B3.pdf?ci_sign=71c5d36b52ddfe9e79064463744b29a6387fe3fa Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3 IXXH100N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB4A5F5037D820&compId=IXXH100N60B3.pdf?ci_sign=0b1678af7c3157780613381fd45916184563f06e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 92ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 480A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 143nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60C3 IXXH100N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB4E5B26A23820&compId=IXXH100N60C3.pdf?ci_sign=d34a8167233d2e352f733d1eb503fd101039fa57 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 95s
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 380A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA0F0323D6D820&compId=IXXH110N65C4.pdf?ci_sign=8ec837af6c06b7dcd16b77603711edf90d67ba2e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.49 EUR
7+10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65B4 IXXH140N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE565B529285820&compId=IXXH140N65B4.pdf?ci_sign=b96f4d9746e43345aadce7863f912042c14e45ad Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65C4 IXXH140N65C4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE573AB03C7D820&compId=IXXH140N65C4.pdf?ci_sign=877ec4871964cf6a9be6efb07cc4a25c03139af1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
10+12.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
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Technology: GenX3™; Planar; XPT™
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Gate-emitter voltage: ±20V
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Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
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Kind of package: tube
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Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
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Turn-on time: 23ns
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Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
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Kind of package: tube
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Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
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Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
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Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
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Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
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Technology: GenX4™; Trench; XPT™
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Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
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Technology: GenX4™; Trench; XPT™
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IXXH40N65B4H1 IXXH40N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA97219726AF820&compId=IXXH40N65B4H1.pdf?ci_sign=1e60654719d923f15b053b37a83badb0a07ba890 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
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Technology: GenX4™; Trench; XPT™
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IXXH40N65C4D1 IXXH40N65C4D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE5897875C79820&compId=IXXH40N65C4D1.pdf?ci_sign=e5472dd029b3deb15e95cd70a2d8eee474e6704d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
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Technology: GenX4™; Trench; XPT™
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Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
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IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAA58E72F17820&compId=IXXH50N60B3D1.pdf?ci_sign=75c42883b408f9ed323b77849ddeadfafc218900 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXH50N60C3 IXXH50N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAAB8AF23B1820&compId=IXXH50N60C3.pdf?ci_sign=8902e9a7c437918061e7761a3e038743cd4f6602 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
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Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAB1987338D820&compId=IXXH50N60C3D1.pdf?ci_sign=a291cc31d53c6e5ac3ce58cb38dfe0d72c580304 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
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Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
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Gate-emitter voltage: ±20V
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9B02C1EEBB820&compId=IXXH60N65B4.pdf?ci_sign=a8031f26dadaab9cb288a0d9006d6deb1d61fc37 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
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Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
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Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA41BE37C998BF&compId=IXXH60N65B4H1.pdf?ci_sign=3218f9ada32bbb51384480c616296b03ed0d41c5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
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IXXH60N65C4 IXXH60N65C4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9C1CB239E3820&compId=IXXH60N65C4.pdf?ci_sign=2d606bf4989e65bc1f4779e26a9db028b66a64b7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXH75N60B3D1 IXXH75N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB15D1C4927820&compId=IXXH75N60B3D1.pdf?ci_sign=bdc739111de6b9c22e1ccea3f1e37d6575acee96 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
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Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
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Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 108ns
Turn-off time: 315ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXH75N60C3 IXXH75N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB419567FC1820&compId=IXXH75N60C3.pdf?ci_sign=9e7c3e8f477c39f364e70435e4f49d0340f77efb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 165ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB43B72332F820&compId=IXXH75N60C3D1.pdf?ci_sign=7226b060f7541cfae9705b803247e882175885cd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 185ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
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Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 430A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
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IXXH80N65B4D1 IXXH80N65B4D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE7DFB6358BD820&compId=IXXH80N65B4D1.pdf?ci_sign=5b6961bb362942b072eeea4395a0b19d8d0c5341 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
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Pulsed collector current: 430A
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Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
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IXXH80N65B4H1 IXXH80N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA3648FD9178BF&compId=IXXH80N65B4H1.pdf?ci_sign=a2c8e0ac4e56ecc4129b580ddf983a551d75c6ef Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
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Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 147ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXK100N60B3H1 IXYS IXXK%2CX100N60B3H1.pdf IXXK100N60B3H1 THT IGBT transistors
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IXXK100N60C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf.pdf IXXK100N60C3H1 THT IGBT transistors
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IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.1 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5D65CB90B820&compId=IXXK(x)160N65B4.pdf?ci_sign=9f5367c32f30879b6456d2d25578b70ad46909cd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.51 EUR
25+21.32 EUR
100+20.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXXK160N65C4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_160n65c4_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 320A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTY08N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c
IXTY08N50D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTY10P15T DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTY10P15T SMD P channel transistors
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IXTY14N60X2 IXTY14N60X2_DS_1.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.85 EUR
19+3.76 EUR
140+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IXTY15P15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0315E91ECF8BF&compId=IXT_15P15T.pdf?ci_sign=89c9e7e0f50fcdf0bdf9b8cab3248220932eecac
IXTY15P15T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTY18P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_18p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY18P10T SMD P channel transistors
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IXTY1N100P DS99234G(IXTA-TP-TY1N100P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1N100P SMD N channel transistors
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IXTY1N120P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28465095B933820&compId=IXTY(A%2CP)1N120P.pdf?ci_sign=8005f7217719a368d68d2e956d74381e1fc08bc0
IXTY1N120P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Case: TO252
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
28+2.65 EUR
30+2.45 EUR
32+2.3 EUR
70+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IXTY1N80P DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1N80P SMD N channel transistors
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IXTY1R4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1R4N100P SMD N channel transistors
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IXTY1R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1R4N120P SMD N channel transistors
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IXTY1R4N120PHV DS99871E(IXTY-TA-TP1R4N120P-HV).pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1R4N120PHV SMD N channel transistors
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IXTY1R6N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD988597E13820&compId=IXTA(P%2CY)1R6N100D2.pdf?ci_sign=ce59496fe47080cde7fbbe82a0045017cf12b9be
IXTY1R6N100D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 11ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 10Ω
Gate charge: 645nC
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4 EUR
20+3.6 EUR
25+2.86 EUR
27+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IXTY1R6N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd
Hersteller: IXYS
IXTY1R6N50D2 SMD N channel transistors
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IXTY26P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124
IXTY26P10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTY2N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895
IXTY2N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 800ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
70+2.26 EUR
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IXTY2N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C89C4F8CE3158BF&compId=IXTP(Y)2N65X2.pdf?ci_sign=a1b44b73e461987c86a1219b0eef051f39a61060
IXTY2N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 137ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTY2P50PA media?resourcetype=datasheets&itemid=b70aee1e-47d9-44bf-9501-675ee6ddec21&filename=power_semiconductor_discrete_mosfet_ixty2p50pa_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY2P50PA SMD P channel transistors
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IXTY32P05T DS99967C(IXTY-TA-TP32P05T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTY32P05T SMD P channel transistors
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IXTY3N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4
IXTY3N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 70W
Gate charge: 9.3nC
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 104
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IXTY44N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a
IXTY44N10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
70+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY48P05T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
26+2.75 EUR
140+1.7 EUR
280+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.66 EUR
35+2.06 EUR
47+1.52 EUR
140+1.22 EUR
560+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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IXTY8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTY8N70X2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTZ550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtz550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTZ550N055T2 SMD N channel transistors
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IXXA50N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAA1242988B820&compId=IXXA(p%2Ch)50N60B3.pdf?ci_sign=71c5d36b52ddfe9e79064463744b29a6387fe3fa
IXXA50N60B3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXXH100N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB4A5F5037D820&compId=IXXH100N60B3.pdf?ci_sign=0b1678af7c3157780613381fd45916184563f06e
IXXH100N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Turn-off time: 350ns
Turn-on time: 92ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 480A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 143nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXXH100N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB4E5B26A23820&compId=IXXH100N60C3.pdf?ci_sign=d34a8167233d2e352f733d1eb503fd101039fa57
IXXH100N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 95s
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 380A
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA0F0323D6D820&compId=IXXH110N65C4.pdf?ci_sign=8ec837af6c06b7dcd16b77603711edf90d67ba2e
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.49 EUR
7+10.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE565B529285820&compId=IXXH140N65B4.pdf?ci_sign=b96f4d9746e43345aadce7863f912042c14e45ad
IXXH140N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE573AB03C7D820&compId=IXXH140N65C4.pdf?ci_sign=877ec4871964cf6a9be6efb07cc4a25c03139af1
IXXH140N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
10+12.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF48F12B239E27&compId=IXXH30N60B3-DTE.pdf?ci_sign=fb346b9f3ffd7c0eb1f59c32431be20e1d64d489
IXXH30N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.98 EUR
13+5.56 EUR
14+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B0EF4E1770591E27&compId=IXXH30N60B3D1-DTE.pdf?ci_sign=75d2af8a37123feddd1d882cb6506af0f88f6182
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA0640C0AE3820&compId=IXXH30N60C3D1.pdf?ci_sign=acb988c96b71486701945515382354c24866b822
IXXH30N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA8DEB991221820&compId=IXXH30N65B4.pdf?ci_sign=bbf00177ee9f048f5be794de090191d96e7b8592
IXXH30N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Pulsed collector current: 146A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA8E8CB7EEEB820&compId=IXXH30N65B4D1.pdf?ci_sign=c2ff94212e6ba280141b1eba1a8adcae86004281
IXXH30N65B4D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Pulsed collector current: 146A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65C4D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA8EFE36A0F9820&compId=IXXH30N65C4D1.pdf?ci_sign=550355bb4be0761a37e2b9743713f9f41c109a4e
IXXH30N65C4D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 161ns
Pulsed collector current: 136A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA96CA2990ED820&compId=IXXH40N65B4.pdf?ci_sign=770ad629ceb326de1e544cb3d65c8b03a36c72c3
IXXH40N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.28 EUR
11+6.55 EUR
14+5.22 EUR
15+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA96F577F355820&compId=IXXH40N65B4D1.pdf?ci_sign=4b16939ad77a5f052b6f636ad7b9f86dea9dc600
IXXH40N65B4D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA97219726AF820&compId=IXXH40N65B4H1.pdf?ci_sign=1e60654719d923f15b053b37a83badb0a07ba890
IXXH40N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65C4D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE5897875C79820&compId=IXXH40N65C4D1.pdf?ci_sign=e5472dd029b3deb15e95cd70a2d8eee474e6704d
IXXH40N65C4D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 215A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAA1242988B820&compId=IXXA(p%2Ch)50N60B3.pdf?ci_sign=71c5d36b52ddfe9e79064463744b29a6387fe3fa
IXXH50N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAA58E72F17820&compId=IXXH50N60B3D1.pdf?ci_sign=75c42883b408f9ed323b77849ddeadfafc218900
IXXH50N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAAB8AF23B1820&compId=IXXH50N60C3.pdf?ci_sign=8902e9a7c437918061e7761a3e038743cd4f6602
IXXH50N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH50N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFAB1987338D820&compId=IXXH50N60C3D1.pdf?ci_sign=a291cc31d53c6e5ac3ce58cb38dfe0d72c580304
IXXH50N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 170ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9B02C1EEBB820&compId=IXXH60N65B4.pdf?ci_sign=a8031f26dadaab9cb288a0d9006d6deb1d61fc37
IXXH60N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
11+6.55 EUR
12+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA41BE37C998BF&compId=IXXH60N65B4H1.pdf?ci_sign=3218f9ada32bbb51384480c616296b03ed0d41c5
IXXH60N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.43 EUR
7+11.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9C1CB239E3820&compId=IXXH60N65C4.pdf?ci_sign=2d606bf4989e65bc1f4779e26a9db028b66a64b7
IXXH60N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 260A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB15D1C4927820&compId=IXXH75N60B3D1.pdf?ci_sign=bdc739111de6b9c22e1ccea3f1e37d6575acee96
IXXH75N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 108ns
Turn-off time: 315ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB419567FC1820&compId=IXXH75N60C3.pdf?ci_sign=9e7c3e8f477c39f364e70435e4f49d0340f77efb
IXXH75N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 165ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH75N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB43B72332F820&compId=IXXH75N60C3D1.pdf?ci_sign=7226b060f7541cfae9705b803247e882175885cd
IXXH75N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 185ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1
IXXH80N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 430A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.98 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE7DFB6358BD820&compId=IXXH80N65B4D1.pdf?ci_sign=5b6961bb362942b072eeea4395a0b19d8d0c5341
IXXH80N65B4D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 430A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH80N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA3648FD9178BF&compId=IXXH80N65B4H1.pdf?ci_sign=a2c8e0ac4e56ecc4129b580ddf983a551d75c6ef
IXXH80N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 430A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 147ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXXK100N60B3H1 IXXK%2CX100N60B3H1.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK100N60B3H1 THT IGBT transistors
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IXXK100N60C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_100n60c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXK100N60C3H1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK110N65B4H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992DF299313CAB8BF&compId=IXX_110N65B4H1.pdf?ci_sign=138ddc32a5ddfa541fc19fa01c5429737b49acfd
IXXK110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 570A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.1 EUR
25+18.88 EUR
50+18.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXXK160N65B4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA5D65CB90B820&compId=IXXK(x)160N65B4.pdf?ci_sign=9f5367c32f30879b6456d2d25578b70ad46909cd
IXXK160N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 860A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 380ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.51 EUR
25+21.32 EUR
100+20.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXK160N65C4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixx_160n65c4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 940W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 422nC
Kind of package: tube
Technology: GenX4™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 160A
Pulsed collector current: 320A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 197ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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