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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTT16N50D2 IXTT16N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 440ns
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.33 EUR
6+12.4 EUR
7+11.73 EUR
30+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT170N10P IXTT170N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Gate charge: 198nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 715W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.57 EUR
7+10.44 EUR
30+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N250HV IXTT1N250HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F14B3820&compId=IXTT1N250HV.pdf?ci_sign=35d38b5601b2a04ee4448180fd9ae245a739e2e3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 1.5A; Idm: 6A; 250W; TO268HV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Reverse recovery time: 2.5µs
On-state resistance: 40Ω
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 2.5kV
Power dissipation: 250W
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N300P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTT1N300P3HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N450HV IXTT1N450HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDC022763C7820&compId=IXTH(T)1N450HV.pdf?ci_sign=1a542cb69701b4bb55549a4f2857e06f4cbbbc22 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1.75us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_20p50p_datasheet.pdf.pdf IXTT20P50P SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT24P20 IXTT24P20 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA012B7501098BF&compId=IXT_24P20.pdf?ci_sign=7205947c30c99ec8834ade2f2c88d0a2a265662f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -24A; 300W; TO268; 250ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -24A
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.99 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
30+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT26N50P IXTT26N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT26N60P IXTT26N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D522F688F8B820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)26N60P_S.pdf?ci_sign=00e2f7b4fe95c5c6f2d8b57fcefc771d8841088e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT2N170D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f IXTT2N170D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT2N300P3HV IXYS IXTT2N300P3HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT30N50L IXTT30N50L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC3D89D624D820&compId=IXTH(Q%2CT)30N50L.pdf?ci_sign=148e8656aef61e8e89994d694bfbdce963d3e1bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT30N50L2 IXTT30N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28667F1F8651820&compId=IXTH(Q%2CT)30N50L2.pdf?ci_sign=f4abf34c80c9751d46cbc3378dba3ec8f6362d00 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT30N50P IXTT30N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDAF0724A63820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N50P_S.pdf?ci_sign=b0a2a8b28d29ba2fa3f8f325d68e4d8a519a9217 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Technology: Linear L2™
Gate charge: 335nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT30N60P IXTT30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT34N65X2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTT34N65X2HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT360N055T2 IXTT360N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF1C858E7B820&compId=IXTH(T)360N055T2.pdf?ci_sign=23fb805fbce6e75a57fc84bdd4dfce3194e210b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 78ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT36N50P IXYS a IXTT36N50P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT3N200P3HV IXYS IXTT3N200P3HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT40N50L2 IXTT40N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT440N04T4HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0F61C3AB-47F3-4A3C-88DD-1B1C934123C7&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXTT440N04T4HV-Datasheet.PDF IXTT440N04T4HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT440N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTT440N055T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT48P20P IXTT48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT4N150HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 IXTT4N150HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT500N04T2 IXTT500N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4EC341BB65820&compId=IXTH(T)500N04T2.pdf?ci_sign=fb6c11af8f98e6c971678d0a7c1e31c1713e7404 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 500A; 1000W; TO268; 84ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 500A
Reverse recovery time: 84ns
Gate charge: 405nC
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.77 EUR
8+9.4 EUR
9+8.88 EUR
10+8.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf IXTT52N30P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT60N20L2 IXTT60N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48B420A555820&compId=IXTH(T%2CQ)60N20L2.pdf?ci_sign=9511c8ae4df23ad4a63fbb7619d2375ceff89442 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO268; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT64N25P IXTT64N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90CE00FFAAFE27&compId=IXTQ64N25P-DTE.pdf?ci_sign=8629d9d38dc4d997f8392b5cabb1618306ba9fab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 400W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Technology: PolarHT™
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 49mΩ
Drain current: 64A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT68P20T IXTT68P20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ED61D4D9A98BF&compId=IXT_68P20T.pdf?ci_sign=907d68fa4d342ed847599892ceb3c0cff81a2dc3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Gate charge: 380nC
Reverse recovery time: 245ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 568W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT75N10L2 IXTT75N10L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993960D1A4DD498BF&compId=IXT_75N10L2.pdf?ci_sign=14d46f1640fe8dff3fd9c2e86627011d0edde846 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: Linear L2™
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IXTT88N30P IXTT88N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90E84BAF03DE27&compId=IXTH88N30P-DTE.pdf?ci_sign=e30dabb5ca243df6b068c69b7e46217ddc0360dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: PolarHT™
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IXTT8P50 IXYS 94534.pdf IXTT8P50 SMD P channel transistors
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IXTT90P10P IXTT90P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO268
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT96N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_96n15p_datasheet.pdf.pdf IXTT96N15P SMD N channel transistors
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IXTU01N100 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_01n100_datasheet.pdf.pdf IXTU01N100 THT N channel transistors
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IXTU4N70X2 IXTU4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTU8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTU8N70X2 THT N channel transistors
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IXTX102N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTX102N65X2 THT N channel transistors
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IXTX110N20L2 IXTX110N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 200V; 110A; 960W; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTX120N65X2 IXTX120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB29CD38EED8BF&compId=IXT_120N65X2.pdf?ci_sign=ba45e36110c138614c3f7686f328897e9b74d68c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 505ns
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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3+28.09 EUR
10+27.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXTX170P10P IXTX170P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA046B882FB78BF&compId=IXTX170P10P.pdf?ci_sign=94cd33348f2095bd4b19ade6fc8944ee1e626f80 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; 176ns
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 14mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTX17N120L IXYS DS99615B(IXTK-TX17N120L).pdf IXTX17N120L THT N channel transistors
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IXTX1R4N450HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F14F5820&compId=IXTX1R4N450HV.pdf?ci_sign=6d8938563162ce626547a852b348eda8e18b86c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1.4A; Idm: 5A; 960W; 660ns
Case: TO247PLUS-HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 88nC
Reverse recovery time: 660ns
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40Ω
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX200N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_200n10_datasheet.pdf.pdf IXTX200N10L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX20N150 IXYS IXTX20N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10T IXTX210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03E7174C718BF&compId=IXTX210P10T.pdf?ci_sign=eb9be669937aaa10adc6b2be9042b5a5749257a3 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+30.36 EUR
10+29.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX22N100L IXTX22N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf IXTX240N075L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX24N100 IXTX24N100 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F976349FCD820&compId=IXTX24N100.pdf?ci_sign=8c8873cc3b813e3bcc60bb2ace6802ae127d5697 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 850ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60P IXTX32P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E5766289BB8BF&compId=IXT_32P60P.pdf?ci_sign=e2aa7b6252b406ed32c74c9a7a20c4aba482499f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; 480ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Power dissipation: 890W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 480ns
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX3N250L IXYS IXTX3N250L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005
IXTT16N50D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT16P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957
IXTT16P60P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 440ns
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+17.33 EUR
6+12.4 EUR
7+11.73 EUR
30+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT170N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191
IXTT170N10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268
Kind of channel: enhancement
Case: TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: Polar™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Gate charge: 198nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 715W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.57 EUR
7+10.44 EUR
30+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N250HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F14B3820&compId=IXTT1N250HV.pdf?ci_sign=35d38b5601b2a04ee4448180fd9ae245a739e2e3
IXTT1N250HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 1.5A; Idm: 6A; 250W; TO268HV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Reverse recovery time: 2.5µs
On-state resistance: 40Ω
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 2.5kV
Power dissipation: 250W
Case: TO268HV
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT1N300P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT1N300P3HV SMD N channel transistors
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IXTT1N450HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDC022763C7820&compId=IXTH(T)1N450HV.pdf?ci_sign=1a542cb69701b4bb55549a4f2857e06f4cbbbc22
IXTT1N450HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO268HV; 1.75us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT20P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_20p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT20P50P SMD P channel transistors
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IXTT24P20 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA012B7501098BF&compId=IXT_24P20.pdf?ci_sign=7205947c30c99ec8834ade2f2c88d0a2a265662f
IXTT24P20
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -24A; 300W; TO268; 250ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -24A
Gate charge: 150nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IXTT26N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC6476E5667820&compId=IXTQ(T%2CV)26N50P_S.pdf?ci_sign=05792dbff65769b8475857717b66702fd485dd9b
IXTT26N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT26N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D522F688F8B820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)26N60P_S.pdf?ci_sign=00e2f7b4fe95c5c6f2d8b57fcefc771d8841088e
IXTT26N60P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT2N170D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f
Hersteller: IXYS
IXTT2N170D2 SMD N channel transistors
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IXTT2N300P3HV
Hersteller: IXYS
IXTT2N300P3HV SMD N channel transistors
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IXTT30N50L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC3D89D624D820&compId=IXTH(Q%2CT)30N50L.pdf?ci_sign=148e8656aef61e8e89994d694bfbdce963d3e1bd
IXTT30N50L
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT30N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A28667F1F8651820&compId=IXTH(Q%2CT)30N50L2.pdf?ci_sign=f4abf34c80c9751d46cbc3378dba3ec8f6362d00
IXTT30N50L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT30N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDAF0724A63820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N50P_S.pdf?ci_sign=b0a2a8b28d29ba2fa3f8f325d68e4d8a519a9217
IXTT30N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO268; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT30N60L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0
IXTT30N60L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Technology: Linear L2™
Gate charge: 335nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTT30N60P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT34N65X2HV littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTT34N65X2HV SMD N channel transistors
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IXTT360N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF1C858E7B820&compId=IXTH(T)360N055T2.pdf?ci_sign=23fb805fbce6e75a57fc84bdd4dfce3194e210b5
IXTT360N055T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 78ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT36N50P a
Hersteller: IXYS
IXTT36N50P SMD N channel transistors
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IXTT3N200P3HV
Hersteller: IXYS
IXTT3N200P3HV SMD N channel transistors
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IXTT40N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2
IXTT40N50L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT440N04T4HV media?resourcetype=datasheets&itemid=0F61C3AB-47F3-4A3C-88DD-1B1C934123C7&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXTT440N04T4HV-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTT440N04T4HV SMD N channel transistors
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IXTT440N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT440N055T2 SMD N channel transistors
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IXTT48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e
IXTT48P20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT4N150HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859
Hersteller: IXYS
IXTT4N150HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT500N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4EC341BB65820&compId=IXTH(T)500N04T2.pdf?ci_sign=fb6c11af8f98e6c971678d0a7c1e31c1713e7404
IXTT500N04T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 500A; 1000W; TO268; 84ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 500A
Reverse recovery time: 84ns
Gate charge: 405nC
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 1kW
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT50P10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b
IXTT50P10
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.77 EUR
8+9.4 EUR
9+8.88 EUR
10+8.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT52N30P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT60N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48B420A555820&compId=IXTH(T%2CQ)60N20L2.pdf?ci_sign=9511c8ae4df23ad4a63fbb7619d2375ceff89442
IXTT60N20L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO268; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT64N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90CE00FFAAFE27&compId=IXTQ64N25P-DTE.pdf?ci_sign=8629d9d38dc4d997f8392b5cabb1618306ba9fab
IXTT64N25P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 400W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Technology: PolarHT™
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 49mΩ
Drain current: 64A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT68P20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ED61D4D9A98BF&compId=IXT_68P20T.pdf?ci_sign=907d68fa4d342ed847599892ceb3c0cff81a2dc3
IXTT68P20T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; TO268
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Gate charge: 380nC
Reverse recovery time: 245ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 568W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.6 EUR
5+17.59 EUR
10+17.56 EUR
30+16.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT6N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT6N120 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT6N150
Hersteller: IXYS
IXTT6N150 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT74N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_74n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT74N20P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT75N10L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993960D1A4DD498BF&compId=IXT_75N10L2.pdf?ci_sign=14d46f1640fe8dff3fd9c2e86627011d0edde846
IXTT75N10L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: Linear L2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
4+17.88 EUR
10+13.84 EUR
30+13.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT80N20L littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n20l-datasheet?assetguid=336ee21c-0426-4737-a5c8-6c7350c8a845
Hersteller: IXYS
IXTT80N20L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT82N25P SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT88N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90E84BAF03DE27&compId=IXTH88N30P-DTE.pdf?ci_sign=e30dabb5ca243df6b068c69b7e46217ddc0360dc
IXTT88N30P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.67 EUR
6+12.58 EUR
10+12.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT8P50 94534.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT8P50 SMD P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.35 EUR
9+8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT90P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108
IXTT90P10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO268
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Case: TO268
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT96N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_96n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT96N15P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU01N100 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_01n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTU01N100 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
IXTU4N70X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.66 EUR
30+2.4 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
70+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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IXTU8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTU8N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
26+2.76 EUR
28+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX102N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTX102N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX110N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b
IXTX110N20L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 200V; 110A; 960W; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB29CD38EED8BF&compId=IXT_120N65X2.pdf?ci_sign=ba45e36110c138614c3f7686f328897e9b74d68c
IXTX120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 505ns
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120P20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25
IXTX120P20T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.09 EUR
10+27.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX170P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA046B882FB78BF&compId=IXTX170P10P.pdf?ci_sign=94cd33348f2095bd4b19ade6fc8944ee1e626f80
IXTX170P10P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; 176ns
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 14mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX17N120L DS99615B(IXTK-TX17N120L).pdf
Hersteller: IXYS
IXTX17N120L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX1R4N450HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F14F5820&compId=IXTX1R4N450HV.pdf?ci_sign=6d8938563162ce626547a852b348eda8e18b86c0
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1.4A; Idm: 5A; 960W; 660ns
Case: TO247PLUS-HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 88nC
Reverse recovery time: 660ns
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 5A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40Ω
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX200N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_200n10_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX200N10L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX20N150
Hersteller: IXYS
IXTX20N150 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03E7174C718BF&compId=IXTX210P10T.pdf?ci_sign=eb9be669937aaa10adc6b2be9042b5a5749257a3
IXTX210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+30.36 EUR
10+29.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX22N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8
IXTX22N100L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX240N075L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX24N100 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F976349FCD820&compId=IXTX24N100.pdf?ci_sign=8c8873cc3b813e3bcc60bb2ace6802ae127d5697
IXTX24N100
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 850ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E5766289BB8BF&compId=IXT_32P60P.pdf?ci_sign=e2aa7b6252b406ed32c74c9a7a20c4aba482499f
IXTX32P60P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; 480ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Power dissipation: 890W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 480ns
Technology: PolarP™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX3N250L
Hersteller: IXYS
IXTX3N250L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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