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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXYH10N170CV1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF IXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
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IXYH12N250C IXYS DS100791(IXYH12N250C)_.pdf IXYH12N250C THT IGBT transistors
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IXYH12N250CV1HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=13066E92-8F65-4AAC-919D-EA0E27499314&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-12N250CV1HV-Datasheet.PDF IXYH12N250CV1HV THT IGBT transistors
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IXYH16N170C IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170c_datasheet.pdf.pdf IXYH16N170C THT IGBT transistors
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IXYH16N170CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170cv1_datasheet.pdf.pdf IXYH16N170CV1 THT IGBT transistors
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IXYH16N250C IXYS DS100793A(IXYH16N250C)_.pdf IXYH16N250C THT IGBT transistors
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IXYH16N250CV1HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf IXYH16N250CV1HV THT IGBT transistors
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IXYH20N120C3 IXYH20N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
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IXYH20N65C3 IXYH20N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1601610FD9820&compId=IXYA(H)20N65C3.pdf?ci_sign=622839bec752ab1a386c7b6ee51037b152aed90c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH24N170C IXYS IXYH24N170C.pdf IXYH24N170C THT IGBT transistors
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IXYH24N170CV1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=50271284-6150-4065-87d9-fe039e795f51&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh24n170cv1_datasheet.pdf IXYH24N170CV1 THT IGBT transistors
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IXYH24N90C3 IXYH24N90C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA92C1B3741820&compId=IXYH24N90C3.pdf?ci_sign=a3210f329aa58bbd5bf982e341cb338473fca19c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA97DAECAD7820&compId=IXYH24N90C3D1.pdf?ci_sign=ca29c942f115c50325f8dbffd194b5d9e5781706 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
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IXYH25N250CHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250chv_datasheet.pdf.pdf IXYH25N250CHV THT IGBT transistors
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IXYH30N120C3 IXYH30N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C98A5CE08E38BF&compId=IXY_30N120C3.pdf?ci_sign=b4f4a8cdbbd63e273835ab59b6781e01c99521ae Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH30N120C3D1 IXYH30N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACAFCD3B665820&compId=IXYH30N120C3D1.pdf?ci_sign=bf46a6df4aae9941a3d72e05b9e26fc24022a6f1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
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IXYH30N170C IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh30n170c_datasheet.pdf.pdf IXYH30N170C THT IGBT transistors
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IXYH30N450HV IXYS IXYH30N450HV THT IGBT transistors
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IXYH30N65C3 IXYH30N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA8FA49F63C7820&compId=IXYH(P)30N65C3.pdf?ci_sign=b199e109e3ab7a2153ecd617407198b811892fd9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate charge: 44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BB8173C8A8ADE0C4&compId=IXY_30N65C3H1_HV.pdf?ci_sign=fe90d70eb5a4baa936f0659d92f838d1ceb9cd3a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Pulsed collector current: 118A
Collector current: 30A
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IXYH40N120B3 IXYH40N120B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F15467A0893820&compId=IXYH40N120B3.pdf?ci_sign=eaed52837b02635a2925168fde86e30166533444 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1507CF8D1F820&compId=IXYH40N120B3D1.pdf?ci_sign=d60e3ab08bf49be7d3dfc3b325aefe29f3f2b44d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD0BA43A8E1820&compId=IXYH40N120C3.pdf?ci_sign=d79e6ffef17f7d8267b0b10291f7f554f8589b2f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 175A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD0DE5CF7D5820&compId=IXYH40N120C3D1.pdf?ci_sign=883141e607d231e491ef121948348a81288777e2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH40N65B3D1 IXYH40N65B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9778C68A6B820&compId=IXYH(Q)40N65B3D1.pdf?ci_sign=053909c58e9af5039abdcc2cb73495ff9e375d03 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH40N65C3D1 IXYH40N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8E74566229820&compId=IXYH(Q)40N65C3D1.pdf?ci_sign=70b1e20af73ed62841d5a82150bbefa1c5b9aaac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA983129FB89820&compId=IXYH40N65C3H1.pdf?ci_sign=cf3acc3425587367e01a2ddb8d46796446484611 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH40N90C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyh40n90c3-datasheet?assetguid=fe48ad26-bbbf-4043-a308-25a997ad2b39 IXYH40N90C3 THT IGBT transistors
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IXYH40N90C3D1 IXYS IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
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IXYH50N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3_datasheet.pdf.pdf IXYH50N120C3 THT IGBT transistors
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IXYH50N120C3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
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6+12.23 EUR
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IXYH50N65C3 IXYH50N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9C092733F78BF&compId=IXY_50N65C3.pdf?ci_sign=9e5ac7cc0270dee769cf17451458be3d02b0bb9a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH50N65C3D1 IXYH50N65C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99A964DD41820&compId=IXYH50N65C3D1.pdf?ci_sign=db15a784f69e2c7f93edb1f3c8b2b0b8e36ac44c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
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IXYH75N120B4 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 24ns
Gate charge: 157nC
Turn-off time: 235ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 1.15kW
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX4™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247; TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH75N65C3 IXYH75N65C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9CC3DBEE55820&compId=IXYH75N65C3.pdf?ci_sign=83a14405d58a0734a9b50875b6ba75d0d3f838e7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9CEAAE3DBB820&compId=IXYH75N65C3H1.pdf?ci_sign=7d4926bc5c44362da56f14cd52c04f1d4cb3fc01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
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IXYH80N90C3 IXYS IXYH80N90C3 THT IGBT transistors
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IXYH82N120C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyh82n120c3-datasheet?assetguid=d0b3d648-a754-4e63-a7a2-de89dbf9c1f6 IXYH82N120C3 THT IGBT transistors
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IXYH85N120A4 IXYH85N120A4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA0CD382CD8D300C7&compId=IXYH85N120A4.pdf?ci_sign=61e5d136f2539dc00a0b2f5a7ad7b627ab9db0cb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 73ns
Gate charge: 200nC
Turn-off time: 990ns
Collector current: 85A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 520A
Power dissipation: 1.15kW
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
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IXYH8N250C IXYS DS100789A(IXYH8N250C)_.pdf IXYH8N250C THT IGBT transistors
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IXYH8N250CHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
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IXYH8N250CV1HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh8n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
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IXYJ20N120C3D1 IXYS IXYJ20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 90ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYK100N120C3 IXYS IXYK100N120C3 THT IGBT transistors
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IXYK120N120C3 IXYK120N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
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IXYK140N90C3 IXYS IXYK140N90C3 THT IGBT transistors
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IXYK200N65B3 IXYS IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
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IXYL40N250CV1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyl40n250cv1_datasheet.pdf.pdf IXYL40N250CV1 THT IGBT transistors
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IXYL60N450 IXYS IXYL60N450 THT IGBT transistors
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IXYN100N120B3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n120b3h1_datasheet.pdf.pdf IXYN100N120B3H1 IGBT modules
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IXYN100N120C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n120c3_datasheet.pdf.pdf IXYN100N120C3 IGBT modules
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IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3307AD85A7820&compId=IXYN100N120C3H1.pdf?ci_sign=431948e75f5382cc17397fa059ef249bc2666283 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; XPT™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 690W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2+56.07 EUR
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IXYN100N65A3 IXYS IXYN100N65A3 IGBT modules
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IXYN100N65B3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=58ffeeed-9b24-40ca-bcd4-ea5864ca8970&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n65b3d1_datasheet.pdf IXYN100N65B3D1 IGBT modules
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IXYN100N65C3H1 IXYS IXYN100N65C3H1 IGBT modules
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IXYN120N120C3 IXYN120N120C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F33CFF369FB820&compId=IXYN120N120C3.pdf?ci_sign=0cb637b49ca6754540e316b6ac2e3f1cf1f671e8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB8C89CC895820&compId=IXYN150N60B3.pdf?ci_sign=2b81f77306a9a614cab35e665551c8d81a0f0fd4 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH10N170CV1 media?resourcetype=datasheets&itemid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXYH10N170CV1 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH12N250C DS100791(IXYH12N250C)_.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH12N250C THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH12N250CV1HV media?resourcetype=datasheets&itemid=13066E92-8F65-4AAC-919D-EA0E27499314&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-12N250CV1HV-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXYH12N250CV1HV THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH16N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH16N170C THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH16N170CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n170cv1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH16N170CV1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH16N250C DS100793A(IXYH16N250C)_.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH16N250C THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH16N250CV1HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh16n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH16N250CV1HV THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH20N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DABCDC0A34F5820&compId=IXYH(P)20N120C3_HV.pdf?ci_sign=30885aa545e063da4e84233ac795b9469a3a4fce
IXYH20N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH20N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9991A201638BF&compId=IXYH20N120C3D1.pdf?ci_sign=e120799112c6baf937977feba949005fd83421df
IXYH20N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 0.22µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 60ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.72 EUR
8+10.14 EUR
30+10.02 EUR
120+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH20N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1601610FD9820&compId=IXYA(H)20N65C3.pdf?ci_sign=622839bec752ab1a386c7b6ee51037b152aed90c
IXYH20N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH24N170C IXYH24N170C.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH24N170C THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH24N170CV1 media?resourcetype=datasheets&itemid=50271284-6150-4065-87d9-fe039e795f51&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh24n170cv1_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH24N170CV1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH24N90C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA92C1B3741820&compId=IXYH24N90C3.pdf?ci_sign=a3210f329aa58bbd5bf982e341cb338473fca19c
IXYH24N90C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH24N90C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA97DAECAD7820&compId=IXYH24N90C3D1.pdf?ci_sign=ca29c942f115c50325f8dbffd194b5d9e5781706
IXYH24N90C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH25N250CHV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250chv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH25N250CHV THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C98A5CE08E38BF&compId=IXY_30N120C3.pdf?ci_sign=b4f4a8cdbbd63e273835ab59b6781e01c99521ae
IXYH30N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACAFCD3B665820&compId=IXYH30N120C3D1.pdf?ci_sign=bf46a6df4aae9941a3d72e05b9e26fc24022a6f1
IXYH30N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 133A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh30n170c_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH30N170C THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N450HV
Hersteller: IXYS
IXYH30N450HV THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA8FA49F63C7820&compId=IXYH(P)30N65C3.pdf?ci_sign=b199e109e3ab7a2153ecd617407198b811892fd9
IXYH30N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate charge: 44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH30N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BB8173C8A8ADE0C4&compId=IXY_30N65C3H1_HV.pdf?ci_sign=fe90d70eb5a4baa936f0659d92f838d1ceb9cd3a
IXYH30N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Pulsed collector current: 118A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F15467A0893820&compId=IXYH40N120B3.pdf?ci_sign=eaed52837b02635a2925168fde86e30166533444
IXYH40N120B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F1507CF8D1F820&compId=IXYH40N120B3D1.pdf?ci_sign=d60e3ab08bf49be7d3dfc3b325aefe29f3f2b44d
IXYH40N120B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD0BA43A8E1820&compId=IXYH40N120C3.pdf?ci_sign=d79e6ffef17f7d8267b0b10291f7f554f8589b2f
IXYH40N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 175A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N120C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD0DE5CF7D5820&compId=IXYH40N120C3D1.pdf?ci_sign=883141e607d231e491ef121948348a81288777e2
IXYH40N120C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH40N65B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9778C68A6B820&compId=IXYH(Q)40N65B3D1.pdf?ci_sign=053909c58e9af5039abdcc2cb73495ff9e375d03
IXYH40N65B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH40N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE8E74566229820&compId=IXYH(Q)40N65C3D1.pdf?ci_sign=70b1e20af73ed62841d5a82150bbefa1c5b9aaac
IXYH40N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH40N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA983129FB89820&compId=IXYH40N65C3H1.pdf?ci_sign=cf3acc3425587367e01a2ddb8d46796446484611
IXYH40N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH40N90C3 littelfuse-discrete-igbts-ixyh40n90c3-datasheet?assetguid=fe48ad26-bbbf-4043-a308-25a997ad2b39
Hersteller: IXYS
IXYH40N90C3 THT IGBT transistors
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IXYH40N90C3D1
Hersteller: IXYS
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.13 EUR
8+9.01 EUR
9+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXYH50N120C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH50N120C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N120C3D1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n120c3d1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.02 EUR
6+12.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992C9C092733F78BF&compId=IXY_50N65C3.pdf?ci_sign=9e5ac7cc0270dee769cf17451458be3d02b0bb9a
IXYH50N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99A964DD41820&compId=IXYH50N65C3D1.pdf?ci_sign=db15a784f69e2c7f93edb1f3c8b2b0b8e36ac44c
IXYH50N65C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH50N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA99F6C3E755820&compId=IXYH50N65C3H1.pdf?ci_sign=d53f80509943cae4d1d9116fefa0a0b17aaabe3b
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.07 EUR
8+9.37 EUR
9+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH60N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+10 EUR
11+6.81 EUR
12+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N120B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 24ns
Gate charge: 157nC
Turn-off time: 235ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 1.15kW
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX4™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247; TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9CC3DBEE55820&compId=IXYH75N65C3.pdf?ci_sign=83a14405d58a0734a9b50875b6ba75d0d3f838e7
IXYH75N65C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH75N65C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9CEAAE3DBB820&compId=IXYH75N65C3H1.pdf?ci_sign=7d4926bc5c44362da56f14cd52c04f1d4cb3fc01
IXYH75N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH80N90C3
Hersteller: IXYS
IXYH80N90C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH82N120C3 littelfuse-discrete-igbts-ixyh82n120c3-datasheet?assetguid=d0b3d648-a754-4e63-a7a2-de89dbf9c1f6
Hersteller: IXYS
IXYH82N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH85N120A4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA0CD382CD8D300C7&compId=IXYH85N120A4.pdf?ci_sign=61e5d136f2539dc00a0b2f5a7ad7b627ab9db0cb
IXYH85N120A4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 73ns
Gate charge: 200nC
Turn-off time: 990ns
Collector current: 85A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 520A
Power dissipation: 1.15kW
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250C DS100789A(IXYH8N250C)_.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH8N250C THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CHV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n250chv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+36.04 EUR
3+25.05 EUR
4+23.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYH8N250CV1HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh8n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYJ20N120C3D1 IXYJ20N120C3D1.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 90ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK100N120C3
Hersteller: IXYS
IXYK100N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK120N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADF8429ADAB820&compId=IXYK(x)120N120C3.pdf?ci_sign=2816af6dfd2bdc776f9cb1060346c96b4d57c1e0
IXYK120N120C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK140N90C3
Hersteller: IXYS
IXYK140N90C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYK200N65B3
Hersteller: IXYS
IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYL40N250CV1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyl40n250cv1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYL40N250CV1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYL60N450
Hersteller: IXYS
IXYL60N450 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120B3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n120b3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYN100N120B3H1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n120c3_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXYN100N120C3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXYN100N120C3H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3307AD85A7820&compId=IXYN100N120C3H1.pdf?ci_sign=431948e75f5382cc17397fa059ef249bc2666283
IXYN100N120C3H1
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: GenX3™; XPT™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 440A
Power dissipation: 690W
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IXYN100N65A3
Hersteller: IXYS
IXYN100N65A3 IGBT modules
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IXYN100N65B3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=58ffeeed-9b24-40ca-bcd4-ea5864ca8970&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n65b3d1_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXYN100N65B3D1 IGBT modules
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IXYN100N65C3H1
Hersteller: IXYS
IXYN100N65C3H1 IGBT modules
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IXYN120N120C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F33CFF369FB820&compId=IXYN120N120C3.pdf?ci_sign=0cb637b49ca6754540e316b6ac2e3f1cf1f671e8
IXYN120N120C3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYN150N60B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB8C89CC895820&compId=IXYN150N60B3.pdf?ci_sign=2b81f77306a9a614cab35e665551c8d81a0f0fd4
IXYN150N60B3
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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