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IXYN75N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W Technology: GenX3™; XPT™ Case: SOT227B Power dissipation: 600W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 360A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYN80N90C3H1 | IXYS |
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IXYN82N120C3 | IXYS | IXYN82N120C3 IGBT modules |
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IXYN82N120C3H1 | IXYS |
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IXYP10N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed collector current: 54A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 128ns Gate charge: 18nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP10N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP Type of transistor: IGBT Power dissipation: 53W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 7A Pulsed collector current: 50A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 128ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYP15N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 36ns Turn-off time: 122ns Collector current: 15A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP15N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns Collector current: 15A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP15N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 57W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 36ns Turn-off time: 122ns Collector current: 9A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP20N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 278W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 53nC Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 96A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP20N65B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 29nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 108A Turn-on time: 39ns Turn-off time: 271ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP20N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 30nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 105A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYP20N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 50W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Gate charge: 30nC Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns Collector current: 9A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP30N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 500W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 145A Turn-on time: 71ns Turn-off time: 296ns Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXYP30N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 270W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 118A Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP50N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP8N90C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 48A Collector current: 8A Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Turn-on time: 39ns Gate-emitter voltage: ±20V Turn-off time: 238ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP8N90C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 48A Collector current: 8A Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Turn-on time: 39ns Gate-emitter voltage: ±20V Turn-off time: 238ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYR100N120C3 | IXYS |
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IXYR50N120C3D1 | IXYS |
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IXYT20N120C3D1HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 17A Power dissipation: 230W Case: TO268HV Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 88A Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 0.22µs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYT25N250CHV | IXYS | IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors |
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IXYT30N450HV | IXYS |
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IXYT30N65C3H1HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 270W Case: TO268HV Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 118A Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYT80N90C3 | IXYS |
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IXYX100N120B3 | IXYS |
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IXYX100N120C3 | IXYS |
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IXYX100N65B3D1 | IXYS |
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IXYX120N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 120A Power dissipation: 1.5kW Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Mounting: THT Gate charge: 400nC Kind of package: tube Turn-on time: 84ns Turn-off time: 826ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYX120N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 120A Power dissipation: 1.5kW Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 700A Mounting: THT Gate charge: 412nC Kind of package: tube Turn-on time: 105ns Turn-off time: 346ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYX140N90C3 | IXYS |
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IXYX200N65B3 | IXYS |
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IXYX25N250CV1 | IXYS |
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IXYX25N250CV1HV | IXYS |
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IXYX30N170CV1 | IXYS | IXYX30N170CV1 THT IGBT transistors |
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IXYX40N250CHV | IXYS | IXYX40N250CHV THT IGBT transistors |
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IXYX40N450HV | IXYS | IXYX40N450HV THT IGBT transistors |
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IXYX50N170C | IXYS |
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IXYY8N90C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO252 Mounting: SMD Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 48A Collector current: 8A Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Turn-on time: 39ns Gate-emitter voltage: ±20V Turn-off time: 238ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 308 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LAA100 | IXYS |
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auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LAA100L | IXYS |
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auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LAA100LS | IXYS |
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auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LAA100LSTR | IXYS |
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LAA100P | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Case: DIP8 On-state resistance: 25Ω Mounting: SMT Turn-on time: 5ms Turn-off time: 5ms Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Insulation voltage: 3.75kV Contacts configuration: SPST-NO x2 Max. operating current: 120mA Type of relay: solid state Relay variant: 1-phase; current source Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Control current max.: 50mA Manufacturer series: OptoMOS Operating temperature: -40...85°C Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LAA100PL | IXYS |
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LAA100PLTR | IXYS |
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LAA100PTR | IXYS |
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LAA100S | IXYS |
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auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LAA100STR | IXYS |
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LAA108 | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS Case: DIP8 On-state resistance: 8Ω Kind of output: MOSFET Insulation voltage: 3.75kV Contacts configuration: SPST-NO x2 Max. operating current: 300mA Type of relay: solid state Relay variant: 1-phase; current source Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC Control current max.: 50mA Manufacturer series: OptoMOS Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LAA108P | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS Case: DIP8 On-state resistance: 8Ω Kind of output: MOSFET Insulation voltage: 3.75kV Contacts configuration: SPST-NO x2 Max. operating current: 300mA Type of relay: solid state Relay variant: 1-phase; current source Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC Control current max.: 50mA Manufacturer series: OptoMOS Mounting: SMT Operating temperature: -40...85°C Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LAA108PTR | IXYS |
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LAA108S | IXYS |
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LAA108STR | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 300mA Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 8Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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LAA110 | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: THT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LAA110L | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: THT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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LAA110LS | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
LAA110LSTR | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
LAA110P | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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LAA110PL | IXYS |
![]() Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO x2 Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC Manufacturer series: OptoMOS Relay variant: 1-phase; current source On-state resistance: 35Ω Mounting: SMT Case: DIP8 Operating temperature: -40...85°C Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm Insulation voltage: 3.75kV Turn-on time: 3ms Turn-off time: 3ms Kind of output: MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYN75N65C3D1 |
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Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYN80N90C3H1 |
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Hersteller: IXYS
IXYN80N90C3H1 IGBT modules
IXYN80N90C3H1 IGBT modules
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Hersteller: IXYS
IXYN82N120C3 IGBT modules
IXYN82N120C3 IGBT modules
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IXYN82N120C3H1 |
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Hersteller: IXYS
IXYN82N120C3H1 IGBT modules
IXYN82N120C3H1 IGBT modules
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IXYP10N65C3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Gate charge: 18nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYP10N65C3D1M |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
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31+ | 2.30 EUR |
IXYP15N65C3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
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IXYP15N65C3D1 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
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IXYP15N65C3D1M |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
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IXYP20N120C3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
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Turn-on time: 60ns
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Stück im Wert von UAH
IXYP20N65B3D1 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
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Stück im Wert von UAH
IXYP20N65C3D1 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
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IXYP20N65C3D1M |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Collector current: 9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
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Collector current: 9A
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Stück im Wert von UAH
IXYP30N120C3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
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Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP30N65C3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXYP50N65C3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP8N90C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP8N90C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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14+ | 5.36 EUR |
15+ | 4.82 EUR |
19+ | 3.85 EUR |
20+ | 3.63 EUR |
IXYR100N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYR100N120C3 THT IGBT transistors
IXYR100N120C3 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYR50N120C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYR50N120C3D1 THT IGBT transistors
IXYR50N120C3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYT20N120C3D1HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 17A
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 17A
Power dissipation: 230W
Case: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYT25N250CHV |
Hersteller: IXYS
IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors
IXYT25N250CHV SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYT30N450HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYT30N450HV SMD IGBT transistors
IXYT30N450HV SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYT30N65C3H1HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYT80N90C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
IXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYX100N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYX100N120B3 THT IGBT transistors
IXYX100N120B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYX100N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYX100N120C3 THT IGBT transistors
IXYX100N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYX100N65B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYX100N65B3D1 THT IGBT transistors
IXYX100N65B3D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYX120N120B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 33.55 EUR |
IXYX120N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 346ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 33.45 EUR |
IXYX140N90C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYX140N90C3 THT IGBT transistors
IXYX140N90C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYX200N65B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYX200N65B3 THT IGBT transistors
IXYX200N65B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYX25N250CV1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYX25N250CV1 THT IGBT transistors
IXYX25N250CV1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYX25N250CV1HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYX25N250CV1HV THT IGBT transistors
IXYX25N250CV1HV THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYX30N170CV1 |
Hersteller: IXYS
IXYX30N170CV1 THT IGBT transistors
IXYX30N170CV1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYX40N250CHV |
Hersteller: IXYS
IXYX40N250CHV THT IGBT transistors
IXYX40N250CHV THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYX40N450HV |
Hersteller: IXYS
IXYX40N450HV THT IGBT transistors
IXYX40N450HV THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYX50N170C |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYX50N170C THT IGBT transistors
IXYX50N170C THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYY8N90C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 48A
Collector current: 8A
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Turn-on time: 39ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-off time: 238ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.72 EUR |
30+ | 2.43 EUR |
32+ | 2.30 EUR |
140+ | 2.22 EUR |
LAA100 |
![]() |
Hersteller: IXYS
LAA100 One Phase Solid State Relays
LAA100 One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.78 EUR |
17+ | 4.45 EUR |
18+ | 4.20 EUR |
LAA100L |
![]() |
Hersteller: IXYS
LAA100L One Phase Solid State Relays
LAA100L One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.29 EUR |
16+ | 4.50 EUR |
17+ | 4.26 EUR |
LAA100LS |
![]() |
Hersteller: IXYS
LAA100LS One Phase Solid State Relays
LAA100LS One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.91 EUR |
16+ | 4.50 EUR |
17+ | 4.26 EUR |
LAA100LSTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
LAA100LSTR One Phase Solid State Relays
LAA100LSTR One Phase Solid State Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMT
Turn-on time: 5ms
Turn-off time: 5ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 120mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 11.91 EUR |
11+ | 6.51 EUR |
250+ | 4.12 EUR |
500+ | 4.05 EUR |
LAA100PL |
![]() |
Hersteller: IXYS
LAA100PL One Phase Solid State Relays
LAA100PL One Phase Solid State Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA100PLTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
LAA100PLTR One Phase Solid State Relays
LAA100PLTR One Phase Solid State Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA100PTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
LAA100PTR One Phase Solid State Relays
LAA100PTR One Phase Solid State Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA100S |
![]() |
Hersteller: IXYS
LAA100S One Phase Solid State Relays
LAA100S One Phase Solid State Relays
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.78 EUR |
17+ | 4.45 EUR |
18+ | 4.20 EUR |
LAA100STR |
![]() |
Hersteller: IXYS
LAA100STR One Phase Solid State Relays
LAA100STR One Phase Solid State Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA108 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 8Ω
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 8Ω
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.52 EUR |
24+ | 2.97 EUR |
1000+ | 2.16 EUR |
LAA108P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 8Ω
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Case: DIP8
On-state resistance: 8Ω
Kind of output: MOSFET
Insulation voltage: 3.75kV
Contacts configuration: SPST-NO x2
Max. operating current: 300mA
Type of relay: solid state
Relay variant: 1-phase; current source
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Control current max.: 50mA
Manufacturer series: OptoMOS
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.59 EUR |
31+ | 2.35 EUR |
33+ | 2.22 EUR |
400+ | 2.17 EUR |
500+ | 2.13 EUR |
LAA108PTR |
![]() |
Hersteller: IXYS
LAA108PTR One Phase Solid State Relays
LAA108PTR One Phase Solid State Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA108S |
![]() |
Hersteller: IXYS
LAA108S One Phase Solid State Relays
LAA108S One Phase Solid State Relays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA108STR |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 300mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 300mA
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA110 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.65x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.76 EUR |
18+ | 4.19 EUR |
19+ | 3.96 EUR |
LAA110L |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA110LS |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA110LSTR |
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Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x3.3mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA110P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
LAA110PL |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 350V AC; max. 350V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 9.66x6.35x2.16mm
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 3ms
Kind of output: MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.72 EUR |
17+ | 4.30 EUR |
18+ | 4.08 EUR |
400+ | 4.06 EUR |
500+ | 4.00 EUR |
1000+ | 3.92 EUR |