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IXYH40N120B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 577W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 84ns Turn-off time: 411ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH40N120B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 84ns Turn-off time: 411ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH40N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 577W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 175A Turn-on time: 95ns Turn-off time: 303ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH40N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 95ns Turn-off time: 303ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH40N65B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 195A Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Turn-on time: 57ns Turn-off time: 350ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH40N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Turn-on time: 64ns Turn-off time: 160ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH40N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH40N90C3 | IXYS |
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IXYH40N90C3D1 | IXYS | IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors |
auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYH50N120C3 | IXYS |
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IXYH50N120C3D1 | IXYS |
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auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYH50N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH50N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH50N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 142ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYH60N90C3 | IXYS |
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auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYH75N120B4 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1.15kW Kind of package: tube Gate charge: 157nC Technology: GenX4™; XPT™ Case: TO247; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 24ns Turn-off time: 235ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH75N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 360A Turn-on time: 90ns Turn-off time: 179ns Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXYH75N65C3H1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 750W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 360A Turn-on time: 90ns Turn-off time: 179ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH80N90C3 | IXYS | IXYH80N90C3 THT IGBT transistors |
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IXYH82N120C3 | IXYS |
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IXYH85N120A4 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 1.15kW Kind of package: tube Gate charge: 200nC Technology: GenX4™; Trench™; XPT™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 85A Pulsed collector current: 520A Turn-on time: 73ns Turn-off time: 990ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYH8N250C | IXYS |
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IXYH8N250CHV | IXYS |
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auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYH8N250CV1HV | IXYS |
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IXYJ20N120C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 105W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Turn-off time: 90ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 21A Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 20ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYK100N120C3 | IXYS | IXYK100N120C3 THT IGBT transistors |
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IXYK120N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 1.5kW Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 412nC Kind of package: tube Turn-off time: 346ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 700A Turn-on time: 105ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYK140N90C3 | IXYS | IXYK140N90C3 THT IGBT transistors |
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IXYK200N65B3 | IXYS | IXYK200N65B3 THT IGBT transistors |
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IXYL40N250CV1 | IXYS |
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IXYL60N450 | IXYS | IXYL60N450 THT IGBT transistors |
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IXYN100N120B3H1 | IXYS |
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IXYN100N120C3 | IXYS |
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IXYN100N120C3H1 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 62A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 440A Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw Power dissipation: 690W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYN100N65A3 | IXYS | IXYN100N65A3 IGBT modules |
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IXYN100N65B3D1 | IXYS |
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IXYN100N65C3H1 | IXYS | IXYN100N65C3H1 IGBT modules |
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IXYN120N120C3 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 1.2kW Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 700A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYN150N60B3 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 830W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 0.6kV Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 140A Pulsed collector current: 750A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYN30N170CV1 | IXYS | IXYN30N170CV1 IGBT modules |
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IXYN50N170CV1 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 485A Power dissipation: 880W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: XPT™ Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYN75N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W Technology: GenX3™; XPT™ Case: SOT227B Power dissipation: 600W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 360A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYN80N90C3H1 | IXYS |
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IXYN82N120C3 | IXYS | IXYN82N120C3 IGBT modules |
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IXYN82N120C3H1 | IXYS |
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IXYP10N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 18nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 54A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 128ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP10N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP Type of transistor: IGBT Power dissipation: 53W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 7A Pulsed collector current: 50A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 128ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYP15N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 36ns Turn-off time: 122ns Collector current: 15A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP15N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 36ns Turn-off time: 102ns Collector current: 15A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP15N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 57W Gate charge: 19nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 9A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 122ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP20N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 278W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 53nC Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 96A Turn-on time: 60ns Turn-off time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP20N65B3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 230W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 29nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Pulsed collector current: 108A Turn-on time: 39ns Turn-off time: 271ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP20N65C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 30nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 105A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYP20N65C3D1M | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 50W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 30nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 9A Pulsed collector current: 105A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP30N120C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 500W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 69nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Pulsed collector current: 145A Turn-on time: 71ns Turn-off time: 296ns Anzahl je Verpackung: 300 Stücke |
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IXYP30N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 270W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs Pulsed collector current: 118A Collector current: 30A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP50N65C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 600W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Turn-on time: 56ns Turn-off time: 145ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP8N90C3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3 Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 8A Pulsed collector current: 48A Turn-on time: 39ns Turn-off time: 238ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 13.3nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXYP8N90C3D1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3 Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 8A Pulsed collector current: 48A Turn-on time: 39ns Turn-off time: 238ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 13.3nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXYR100N120C3 | IXYS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IXYH40N120B3 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH40N120B3D1 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 411ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH40N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 175A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 577W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 577W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 175A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH40N120C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 303ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH40N65B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 195A
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 350ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH40N65C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH40N65C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 206ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH40N90C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYH40N90C3 THT IGBT transistors
IXYH40N90C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH40N90C3D1 |
Hersteller: IXYS
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
IXYH40N90C3D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.13 EUR |
8+ | 9.01 EUR |
9+ | 8.51 EUR |
IXYH50N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYH50N120C3 THT IGBT transistors
IXYH50N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH50N120C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
IXYH50N120C3D1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.02 EUR |
6+ | 12.23 EUR |
IXYH50N65C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH50N65C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH50N65C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.07 EUR |
8+ | 9.37 EUR |
9+ | 8.85 EUR |
IXYH60N90C3 |
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Hersteller: IXYS
IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
IXYH60N90C3 THT IGBT transistors
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10 EUR |
11+ | 6.81 EUR |
12+ | 6.44 EUR |
IXYH75N120B4 |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Technology: GenX4™; XPT™
Case: TO247; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 235ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 157nC
Technology: GenX4™; XPT™
Case: TO247; TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 235ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH75N65C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH75N65C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 179ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH80N90C3 |
Hersteller: IXYS
IXYH80N90C3 THT IGBT transistors
IXYH80N90C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH82N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYH82N120C3 THT IGBT transistors
IXYH82N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH85N120A4 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Pulsed collector current: 520A
Turn-on time: 73ns
Turn-off time: 990ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 1.15kW
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: GenX4™; Trench™; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Pulsed collector current: 520A
Turn-on time: 73ns
Turn-off time: 990ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH8N250C |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYH8N250C THT IGBT transistors
IXYH8N250C THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYH8N250CHV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
IXYH8N250CHV THT IGBT transistors
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 36.04 EUR |
3+ | 25.05 EUR |
4+ | 23.7 EUR |
IXYH8N250CV1HV |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
IXYH8N250CV1HV THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYJ20N120C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 90ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 90ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYK100N120C3 |
Hersteller: IXYS
IXYK100N120C3 THT IGBT transistors
IXYK100N120C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYK120N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.5kW
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 412nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 37.34 EUR |
3+ | 35.31 EUR |
IXYK140N90C3 |
Hersteller: IXYS
IXYK140N90C3 THT IGBT transistors
IXYK140N90C3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYK200N65B3 |
Hersteller: IXYS
IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
IXYK200N65B3 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYL40N250CV1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYL40N250CV1 THT IGBT transistors
IXYL40N250CV1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYL60N450 |
Hersteller: IXYS
IXYL60N450 THT IGBT transistors
IXYL60N450 THT IGBT transistors
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IXYN100N120B3H1 |
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Hersteller: IXYS
IXYN100N120B3H1 IGBT modules
IXYN100N120B3H1 IGBT modules
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IXYN100N120C3 |
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Hersteller: IXYS
IXYN100N120C3 IGBT modules
IXYN100N120C3 IGBT modules
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IXYN100N120C3H1 |
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Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 62A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 440A
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 690W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 62A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 440A
Technology: GenX3™; XPT™
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 690W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 56.07 EUR |
IXYN100N65A3 |
Hersteller: IXYS
IXYN100N65A3 IGBT modules
IXYN100N65A3 IGBT modules
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IXYN100N65B3D1 |
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Hersteller: IXYS
IXYN100N65B3D1 IGBT modules
IXYN100N65B3D1 IGBT modules
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IXYN100N65C3H1 |
Hersteller: IXYS
IXYN100N65C3H1 IGBT modules
IXYN100N65C3H1 IGBT modules
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IXYN120N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 700A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYN150N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 830W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.6kV
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 140A
Pulsed collector current: 750A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYN30N170CV1 |
Hersteller: IXYS
IXYN30N170CV1 IGBT modules
IXYN30N170CV1 IGBT modules
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IXYN50N170CV1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Power dissipation: 880W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Power dissipation: 880W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXYN75N65C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Technology: GenX3™; XPT™
Case: SOT227B
Power dissipation: 600W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 360A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYN80N90C3H1 |
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Hersteller: IXYS
IXYN80N90C3H1 IGBT modules
IXYN80N90C3H1 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
IXYN82N120C3 |
Hersteller: IXYS
IXYN82N120C3 IGBT modules
IXYN82N120C3 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
IXYN82N120C3H1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IXYN82N120C3H1 IGBT modules
IXYN82N120C3H1 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
IXYP10N65C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 18nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 54A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXYP10N65C3D1M |
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 7A
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.46 EUR |
IXYP15N65C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IXYP15N65C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
Collector current: 15A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP15N65C3D1M |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
Gate charge: 19nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP20N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 96A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP20N65B3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 108A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 271ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP20N65C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.22 EUR |
27+ | 2.7 EUR |
29+ | 2.55 EUR |
1000+ | 2.46 EUR |
IXYP20N65C3D1M |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP30N120C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 500W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 500W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 145A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 296ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP30N65C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Pulsed collector current: 118A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Pulsed collector current: 118A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP50N65C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP8N90C3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IXYP8N90C3D1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.52 EUR |
18+ | 4.06 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
22+ | 3.36 EUR |
50+ | 3.23 EUR |
IXYR100N120C3 |
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Hersteller: IXYS
IXYR100N120C3 THT IGBT transistors
IXYR100N120C3 THT IGBT transistors
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