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IXTT30N60P IXTT30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT34N65X2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTT34N65X2HV SMD N channel transistors
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IXTT360N055T2 IXTT360N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF1C858E7B820&compId=IXTH(T)360N055T2.pdf?ci_sign=23fb805fbce6e75a57fc84bdd4dfce3194e210b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT36N50P IXYS a IXTT36N50P SMD N channel transistors
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IXTT3N200P3HV IXYS IXTT3N200P3HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT40N50L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40n50-datasheet?assetguid=3c13a1c7-ab77-4d0f-811a-1876fcfa2bcc IXTT40N50L2 SMD N channel transistors
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IXTT440N04T4HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0F61C3AB-47F3-4A3C-88DD-1B1C934123C7&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXTT440N04T4HV-Datasheet.PDF IXTT440N04T4HV SMD N channel transistors
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IXTT440N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTT440N055T2 SMD N channel transistors
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IXTT48P20P IXTT48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT4N150HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 IXTT4N150HV SMD N channel transistors
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IXTT500N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTT500N04T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.77 EUR
8+9.4 EUR
9+8.89 EUR
10+8.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf IXTT52N30P SMD N channel transistors
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IXTT60N20L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n20_datasheet.pdf.pdf IXTT60N20L2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT64N25P IXTT64N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90CE00FFAAFE27&compId=IXTQ64N25P-DTE.pdf?ci_sign=8629d9d38dc4d997f8392b5cabb1618306ba9fab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 105nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT68P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf IXTT68P20T SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.34 EUR
4+18.59 EUR
5+17.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT6N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf IXTT6N120 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT6N150 IXYS IXTT6N150 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT74N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_74n20p_datasheet.pdf.pdf IXTT74N20P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT75N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf IXTT75N10L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.59 EUR
5+15.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT80N20L IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n20l-datasheet?assetguid=336ee21c-0426-4737-a5c8-6c7350c8a845 IXTT80N20L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT82N25P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf IXTT82N25P SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXTT88N30P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT8P50 IXYS 94534.pdf IXTT8P50 SMD P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.35 EUR
9+8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT90P10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p10p_datasheet.pdf.pdf IXTT90P10P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT96N15P IXTT96N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90EC0ECEF9BE27&compId=IXTQ96N15P-DTE.pdf?ci_sign=9a803a13d2a5038b9b223d3543d625d7c814ed76 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 96A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU01N100 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_01n100_datasheet.pdf.pdf IXTU01N100 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTU4N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.33 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTU8N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.06 EUR
26+2.76 EUR
28+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX102N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTX102N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX110N20L2 IXTX110N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 200V; 110A; 960W; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 420ns
Technology: Linear L2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120N65X2 IXTX120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB29CD38EED8BF&compId=IXT_120N65X2.pdf?ci_sign=ba45e36110c138614c3f7686f328897e9b74d68c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 505ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.19 EUR
10+27.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX170P10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_170p10p_datasheet.pdf.pdf IXTX170P10P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX17N120L IXYS DS99615B(IXTK-TX17N120L).pdf IXTX17N120L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX1R4N450HV IXYS IXTX1R4N450HV THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX200N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_200n10_datasheet.pdf.pdf IXTX200N10L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX20N150 IXYS IXTX20N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10T IXTX210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03E7174C718BF&compId=IXTX210P10T.pdf?ci_sign=eb9be669937aaa10adc6b2be9042b5a5749257a3 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+30.44 EUR
30+30.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX22N100L IXTX22N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf IXTX240N075L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX24N100 IXYS IXTX24N100 THT N channel transistors
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IXTX32P60P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF IXTX32P60P THT P channel transistors
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IXTX3N250L IXYS IXTX3N250L THT N channel transistors
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IXTX40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTX40P50P THT P channel transistors
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IXTX46N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtk46n50l_datasheet.pdf.pdf IXTX46N50L THT N channel transistors
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IXTX4N300P3HV IXYS IXTX4N300P3HV THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTX550N055T2 THT N channel transistors
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IXTX600N04T2 IXTX600N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49FEAF5633820&compId=IXTK(X)600N04T2.pdf?ci_sign=31b642072eb49cef1a86e3e7413c5068bef4c432 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 590nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX60N50L2 IXYS DS100087AIXTKTX60N50L2.pdf IXTX60N50L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX6N200P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtx6n200p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTX6N200P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX8N150L IXTX8N150L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D38D3CED8BB820&compId=IXTK(X)8N150L.pdf?ci_sign=90c93573bfcdd21862ce04ca99385de8a4c56b66 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 1.7µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IXTX90N25L2 IXTX90N25L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D374EE5CD85820&compId=IXTK(X)90N25L2.pdf?ci_sign=80bf7e49eeeb244aa8728ba401ffec2fb39f8e28 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 640nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 266ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90P20P IXTX90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ECBA42874F8BF&compId=IXT_90P20P.pdf?ci_sign=51c0ccf646b8ee88bb3b4a442efcdd134c7b9d0f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTY01N100 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100-datasheet?assetguid=ca4a4953-c354-4601-9187-3763cc42151f IXTY01N100 SMD N channel transistors
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IXTY01N100D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=aa4e4d88-d3d3-49b5-a8c6-493f4f0a72a7 IXTY01N100D SMD N channel transistors
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IXTY02N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0 IXTY02N120P SMD N channel transistors
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IXTY02N50D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5 IXTY02N50D SMD N channel transistors
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IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
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16+4.75 EUR
20+3.68 EUR
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25+2.92 EUR
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IXTY08N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n100p_datasheet.pdf.pdf IXTY08N100P SMD N channel transistors
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IXTT30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTT30N60P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT34N65X2HV littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTT34N65X2HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT360N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF1C858E7B820&compId=IXTH(T)360N055T2.pdf?ci_sign=23fb805fbce6e75a57fc84bdd4dfce3194e210b5
IXTT360N055T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO268
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 78ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT36N50P a
Hersteller: IXYS
IXTT36N50P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT3N200P3HV
Hersteller: IXYS
IXTT3N200P3HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT40N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40n50-datasheet?assetguid=3c13a1c7-ab77-4d0f-811a-1876fcfa2bcc
Hersteller: IXYS
IXTT40N50L2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT440N04T4HV media?resourcetype=datasheets&itemid=0F61C3AB-47F3-4A3C-88DD-1B1C934123C7&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXTT440N04T4HV-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTT440N04T4HV SMD N channel transistors
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IXTT440N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT440N055T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e
IXTT48P20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT4N150HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859
Hersteller: IXYS
IXTT4N150HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT500N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT500N04T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT50P10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b
IXTT50P10
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
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Anzahl Preis
7+10.77 EUR
8+9.4 EUR
9+8.89 EUR
10+8.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT52N30P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT60N20L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n20_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT60N20L2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT64N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90CE00FFAAFE27&compId=IXTQ64N25P-DTE.pdf?ci_sign=8629d9d38dc4d997f8392b5cabb1618306ba9fab
IXTT64N25P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 105nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT68P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT68P20T SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.34 EUR
4+18.59 EUR
5+17.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT6N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT6N120 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT6N150
Hersteller: IXYS
IXTT6N150 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT74N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_74n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT74N20P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT75N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_75n10_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT75N10L2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.59 EUR
5+15.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT80N20L littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n20l-datasheet?assetguid=336ee21c-0426-4737-a5c8-6c7350c8a845
Hersteller: IXYS
IXTT80N20L SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT82N25P SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT88N30P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT8P50 94534.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT8P50 SMD P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.35 EUR
9+8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT90P10P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT90P10P SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT96N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90EC0ECEF9BE27&compId=IXTQ96N15P-DTE.pdf?ci_sign=9a803a13d2a5038b9b223d3543d625d7c814ed76
IXTT96N15P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 96A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU01N100 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_01n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTU01N100 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTU4N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.33 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTU8N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
26+2.76 EUR
28+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX102N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTX102N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX110N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b
IXTX110N20L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 200V; 110A; 960W; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 420ns
Technology: Linear L2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB29CD38EED8BF&compId=IXT_120N65X2.pdf?ci_sign=ba45e36110c138614c3f7686f328897e9b74d68c
IXTX120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 505ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120P20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25
IXTX120P20T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.19 EUR
10+27.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX170P10P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_170p10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX170P10P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX17N120L DS99615B(IXTK-TX17N120L).pdf
Hersteller: IXYS
IXTX17N120L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX1R4N450HV
Hersteller: IXYS
IXTX1R4N450HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX200N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_200n10_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX200N10L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX20N150
Hersteller: IXYS
IXTX20N150 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03E7174C718BF&compId=IXTX210P10T.pdf?ci_sign=eb9be669937aaa10adc6b2be9042b5a5749257a3
IXTX210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
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IXTX22N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8
IXTX22N100L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX240N075L2 THT N channel transistors
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IXTX24N100
Hersteller: IXYS
IXTX24N100 THT N channel transistors
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IXTX32P60P media?resourcetype=datasheets&itemid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTX32P60P THT P channel transistors
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IXTX3N250L
Hersteller: IXYS
IXTX3N250L THT N channel transistors
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IXTX40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_40p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX40P50P THT P channel transistors
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IXTX46N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtk46n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX46N50L THT N channel transistors
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IXTX4N300P3HV
Hersteller: IXYS
IXTX4N300P3HV THT N channel transistors
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IXTX550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX550N055T2 THT N channel transistors
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IXTX600N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49FEAF5633820&compId=IXTK(X)600N04T2.pdf?ci_sign=31b642072eb49cef1a86e3e7413c5068bef4c432
IXTX600N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 590nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTX60N50L2 DS100087AIXTKTX60N50L2.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX60N50L2 THT N channel transistors
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IXTX6N200P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtx6n200p3hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX6N200P3HV THT N channel transistors
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IXTX8N150L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D38D3CED8BB820&compId=IXTK(X)8N150L.pdf?ci_sign=90c93573bfcdd21862ce04ca99385de8a4c56b66
IXTX8N150L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 1.7µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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Anzahl Preis
2+42.53 EUR
30+41.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXTX90N25L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D374EE5CD85820&compId=IXTK(X)90N25L2.pdf?ci_sign=80bf7e49eeeb244aa8728ba401ffec2fb39f8e28
IXTX90N25L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 640nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 266ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTX90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ECBA42874F8BF&compId=IXT_90P20P.pdf?ci_sign=51c0ccf646b8ee88bb3b4a442efcdd134c7b9d0f
IXTX90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Gate charge: 205nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.12 EUR
30+17.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100-datasheet?assetguid=ca4a4953-c354-4601-9187-3763cc42151f
Hersteller: IXYS
IXTY01N100 SMD N channel transistors
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IXTY01N100D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=aa4e4d88-d3d3-49b5-a8c6-493f4f0a72a7
Hersteller: IXYS
IXTY01N100D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0
Hersteller: IXYS
IXTY02N120P SMD N channel transistors
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IXTY02N50D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5
Hersteller: IXYS
IXTY02N50D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTY08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.75 EUR
20+3.68 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
26+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY08N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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