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IXTH360N055T2 IXTH360N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF1C858E7B820&compId=IXTH(T)360N055T2.pdf?ci_sign=23fb805fbce6e75a57fc84bdd4dfce3194e210b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 78ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH36N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf IXTH36N50P THT N channel transistors
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IXTH36P10 IXYS 98908.pdf IXTH36P10 THT P channel transistors
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IXTH36P15P IXYS DS99791D(IXTA-P-H-Q36P15P).pdf IXTH36P15P THT P channel transistors
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IXTH38N30L2 IXYS IXTH38N30L2 THT N channel transistors
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IXTH3N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf IXTH3N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.91 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXTH3N120 IXTH3N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO247-3; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N150 IXTH3N150 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B494D3820&compId=IXTH3N150.pdf?ci_sign=9f26c436d8a2db1056604f21919c428f65c6491b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N200P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n200p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTH3N200P3HV THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH40N50L2 IXTH40N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH420N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth420n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTH420N04T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH440N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTH440N055T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTH44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.3 EUR
11+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH450P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_450p2_datasheet.pdf.pdf IXTH450P2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.45 EUR
8+9.21 EUR
9+8.69 EUR
10+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20P IXTH48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.33 EUR
7+10.42 EUR
8+9.85 EUR
30+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH4N100L IXYS IXTH4N100L THT N channel transistors
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IXTH4N150 IXYS IXTH4N150 THT N channel transistors
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IXTH500N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTH500N04T2 THT N channel transistors
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IXTH50N30L2 IXYS IXTH50N30L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.26 EUR
8+9.61 EUR
510+9.45 EUR
1020+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH52N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth52n65x_datasheet.pdf.pdf IXTH52N65X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH52P10P IXTH52P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.47 EUR
11+6.75 EUR
12+6.38 EUR
120+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20L2 IXTH60N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48B420A555820&compId=IXTH(T%2CQ)60N20L2.pdf?ci_sign=9511c8ae4df23ad4a63fbb7619d2375ceff89442 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTH62N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-64n10-datasheet?assetguid=a1e25d44-0822-4e78-891f-7558ffeb21d4 IXTH64N10L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth64n65x_datasheet.pdf.pdf IXTH64N65X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20T IXTH68P20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ED61D4D9A98BF&compId=IXT_68P20T.pdf?ci_sign=907d68fa4d342ed847599892ceb3c0cff81a2dc3 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; 245ns
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Gate charge: 380nC
Reverse recovery time: 245ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 568W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.1 EUR
5+14.71 EUR
30+14.34 EUR
510+14.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf IXTH6N100D2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf IXTH6N120 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n150_datasheet.pdf.pdf IXTH6N150 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2 IXTH6N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.72 EUR
11+6.84 EUR
12+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2 IXTH75N10L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993960D1A4DD498BF&compId=IXT_75N10L2.pdf?ci_sign=14d46f1640fe8dff3fd9c2e86627011d0edde846 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: Linear L2™
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf IXTH76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.56 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf IXTH76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.32 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2 IXTH80N075L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.25 EUR
9+7.99 EUR
10+7.56 EUR
120+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N20L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_80n20l_datasheet.pdf.pdf IXTH80N20L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2 IXTH80N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB1FA4137F58BF&compId=IXTH80N65X2.pdf?ci_sign=d8bfcad20b59804a9aa6f35033565e0055cc9678 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 465ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N15 IXYS 99034.pdf IXTH88N15 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N30P IXYS a IXTH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
10+11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50 IXYS 94534.pdf IXTH8P50 THT P channel transistors
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.17 EUR
9+8.27 EUR
10+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10P IXTH90P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.14 EUR
8+9.09 EUR
30+8.75 EUR
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IXTH96N25T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n25t-datasheet?assetguid=ad453b78-16de-424a-85cc-97fac6d8e2a9 IXTH96N25T THT N channel transistors
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IXTJ4N150 IXYS IXTJ4N150 THT N channel transistors
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IXTK100N25P IXTK100N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90F1896B593E27&compId=IXTK100N25P-DTE.pdf?ci_sign=ca4a750df92eea9f262967bae79b2712e1f8dcc2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 27mΩ
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IXTK102N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtk102n30p_datasheet.pdf.pdf IXTK102N30P THT N channel transistors
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IXTK102N65X2 IXTK102N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A30509622B9820&compId=IXTK(X)102N65X2.pdf?ci_sign=179728ba4b6154ce0a3f464c48ebd958f7ec0bd6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK110N20L2 IXTK110N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK120N20P IXTK120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK120N25P IXTK120N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF910BFD6664FE27&compId=IXTK120N25P-DTE.pdf?ci_sign=9477a8a3509209b374b486a84ef243ec93f2a551 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: Polar™
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IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB29CD38EED8BF&compId=IXT_120N65X2.pdf?ci_sign=ba45e36110c138614c3f7686f328897e9b74d68c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 505ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e IXTK120P20T THT P channel transistors
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IXTK140N20P IXTK140N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF91769AF6A03E27&compId=IXTK140N20P-DTE.pdf?ci_sign=08600a905672f16d4200168350a2bb2948e0f97d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK140N30P IXYS a IXTK140N30P THT N channel transistors
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IXTK170N10P IXTK170N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 312 Stücke:
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7+10.4 EUR
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IXTK170P10P IXTK170P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794BF4713B18748&compId=IXTK170P10P.pdf?ci_sign=f70b69b80f9b410a7c33f367002501ddeb7e430b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 14mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK17N120L IXYS IXTK17N120L THT N channel transistors
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IXTH360N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBF1C858E7B820&compId=IXTH(T)360N055T2.pdf?ci_sign=23fb805fbce6e75a57fc84bdd4dfce3194e210b5
IXTH360N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO247-3; 78ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 360A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 78ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTH36N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH36N50P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH36P10 98908.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH36P10 THT P channel transistors
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IXTH36P15P DS99791D(IXTA-P-H-Q36P15P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTH36P15P THT P channel transistors
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IXTH38N30L2
Hersteller: IXYS
IXTH38N30L2 THT N channel transistors
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IXTH3N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH3N100P THT N channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
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Anzahl Preis
11+6.91 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
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IXTH3N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe
IXTH3N120
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO247-3; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N150 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B494D3820&compId=IXTH3N150.pdf?ci_sign=9f26c436d8a2db1056604f21919c428f65c6491b
IXTH3N150
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO247-3; 900ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH3N200P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n200p3hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH3N200P3HV THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH40N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2
IXTH40N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTH420N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth420n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH420N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH440N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH440N055T2 THT N channel transistors
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IXTH44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTH44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.3 EUR
11+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IXTH450P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_450p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH450P2 THT N channel transistors
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IXTH48N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675
IXTH48N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.45 EUR
8+9.21 EUR
9+8.69 EUR
10+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e
IXTH48P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
Gate charge: 103nC
Reverse recovery time: 260ns
On-state resistance: 85mΩ
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 462W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.33 EUR
7+10.42 EUR
8+9.85 EUR
30+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH4N100L
Hersteller: IXYS
IXTH4N100L THT N channel transistors
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IXTH4N150
Hersteller: IXYS
IXTH4N150 THT N channel transistors
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IXTH500N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH500N04T2 THT N channel transistors
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IXTH50N30L2
Hersteller: IXYS
IXTH50N30L2 THT N channel transistors
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IXTH50P10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b
IXTH50P10
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.26 EUR
8+9.61 EUR
510+9.45 EUR
1020+9.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTH52N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth52n65x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH52N65X THT N channel transistors
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IXTH52P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97
IXTH52P10P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.47 EUR
11+6.75 EUR
12+6.38 EUR
120+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH60N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D48B420A555820&compId=IXTH(T%2CQ)60N20L2.pdf?ci_sign=9511c8ae4df23ad4a63fbb7619d2375ceff89442
IXTH60N20L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 330ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH62N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTH62N65X2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N10L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-64n10-datasheet?assetguid=a1e25d44-0822-4e78-891f-7558ffeb21d4
Hersteller: IXYS
IXTH64N10L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH64N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth64n65x_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH64N65X THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH68P20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9ED61D4D9A98BF&compId=IXT_68P20T.pdf?ci_sign=907d68fa4d342ed847599892ceb3c0cff81a2dc3
IXTH68P20T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -68A; 568W; 245ns
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -68A
Gate charge: 380nC
Reverse recovery time: 245ns
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 568W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.1 EUR
5+14.71 EUR
30+14.34 EUR
510+14.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH6N100D2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH6N120 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N150 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n150_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH6N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH6N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187
IXTH6N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO247-3; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.72 EUR
11+6.84 EUR
12+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH75N10L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993960D1A4DD498BF&compId=IXT_75N10L2.pdf?ci_sign=14d46f1640fe8dff3fd9c2e86627011d0edde846
IXTH75N10L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: Linear L2™
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTH76N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.56 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH76P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH76P10T THT P channel transistors
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.32 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N075L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889
IXTH80N075L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.25 EUR
9+7.99 EUR
10+7.56 EUR
120+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N20L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_80n20l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH80N20L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH80N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB1FA4137F58BF&compId=IXTH80N65X2.pdf?ci_sign=d8bfcad20b59804a9aa6f35033565e0055cc9678
IXTH80N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 137nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 465ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N15 99034.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH88N15 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH88N30P a
Hersteller: IXYS
IXTH88N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
10+11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH8P50 94534.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH8P50 THT P channel transistors
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.17 EUR
9+8.27 EUR
10+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH90P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA05F2055B718BF&compId=IXT_90P10P.pdf?ci_sign=874a10be422ad2b256b9a661a7f0701651c5c108
IXTH90P10P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Case: TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Gate charge: 0.12µC
Reverse recovery time: 144ns
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 462W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.14 EUR
8+9.09 EUR
30+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N20P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n20p-datasheet?assetguid=f01cf09b-9474-4d8a-b705-45c8df47cc7e
Hersteller: IXYS
IXTH96N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96N25T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-96n25t-datasheet?assetguid=ad453b78-16de-424a-85cc-97fac6d8e2a9
Hersteller: IXYS
IXTH96N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
12+6.21 EUR
13+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTH96P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.65 EUR
11+6.65 EUR
510+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ4N150
Hersteller: IXYS
IXTJ4N150 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTJ6N150 DS100448A(IXTJ6N150).pdf
Hersteller: IXYS
IXTJ6N150 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK100N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90F1896B593E27&compId=IXTK100N25P-DTE.pdf?ci_sign=ca4a750df92eea9f262967bae79b2712e1f8dcc2
IXTK100N25P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO264
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 27mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtk102n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK102N30P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK102N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3A30509622B9820&compId=IXTK(X)102N65X2.pdf?ci_sign=179728ba4b6154ce0a3f464c48ebd958f7ec0bd6
IXTK102N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; TO264; 450ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 102A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 450ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK110N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b
IXTK110N20L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3
IXTK120N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 714W
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF910BFD6664FE27&compId=IXTK120N25P-DTE.pdf?ci_sign=9477a8a3509209b374b486a84ef243ec93f2a551
IXTK120N25P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.46 EUR
5+14.33 EUR
25+14.19 EUR
50+13.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB29CD38EED8BF&compId=IXT_120N65X2.pdf?ci_sign=ba45e36110c138614c3f7686f328897e9b74d68c
IXTK120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 505ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e
Hersteller: IXYS
IXTK120P20T THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF91769AF6A03E27&compId=IXTK140N20P-DTE.pdf?ci_sign=08600a905672f16d4200168350a2bb2948e0f97d
IXTK140N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK140N30P a
Hersteller: IXYS
IXTK140N30P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191
IXTK170N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.26 EUR
7+10.4 EUR
25+10.28 EUR
100+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK170P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794BF4713B18748&compId=IXTK170P10P.pdf?ci_sign=f70b69b80f9b410a7c33f367002501ddeb7e430b
IXTK170P10P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264
Technology: PolarP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -170A
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 176ns
On-state resistance: 14mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK17N120L
Hersteller: IXYS
IXTK17N120L THT N channel transistors
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