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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTX24N100 IXYS IXTX24N100 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF IXTX32P60P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX3N250L IXYS IXTX3N250L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTX40P50P THT P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX46N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtk46n50l_datasheet.pdf.pdf IXTX46N50L THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX4N300P3HV IXYS IXTX4N300P3HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 3kV; 4A; 960W; 420ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 139nC
Technology: Polar3™
Kind of channel: enhancement
Case: TO247PLUS-HV
Reverse recovery time: 420ns
Drain-source voltage: 3kV
Drain current: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTX550N055T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX600N04T2 IXTX600N04T2 IXYS IXTK(X)600N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
On-state resistance: 1.5mΩ
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 590nC
Drain current: 600A
Reverse recovery time: 100ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX60N50L2 IXTX60N50L2 IXYS IXTK(X)60N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.1Ω
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 610nC
Drain current: 60A
Reverse recovery time: 980ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX6N200P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtx6n200p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTX6N200P3HV THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX8N150L IXTX8N150L IXYS IXTK(X)8N150L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 1.7µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+42.54 EUR
30+41.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90N25L2 IXTX90N25L2 IXYS IXTK(X)90N25L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 640nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 266ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90P20P IXTX90P20P IXYS IXT_90P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Gate charge: 205nC
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.12 EUR
30+17.93 EUR
120+17.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100-datasheet?assetguid=ca4a4953-c354-4601-9187-3763cc42151f IXTY01N100 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=aa4e4d88-d3d3-49b5-a8c6-493f4f0a72a7 IXTY01N100D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0 IXTY02N120P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N50D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5 IXTY02N50D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.30 EUR
19+3.88 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n100p_datasheet.pdf.pdf IXTY08N100P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N50D2 IXTY08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY10P15T IXYS DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf IXTY10P15T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2 IXYS IXTY14N60X2_DS_1.pdf IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.85 EUR
19+3.76 EUR
140+3.40 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY15P15T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_15p15t_datasheet.pdf.pdf IXTY15P15T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY18P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_18p10t_datasheet.pdf.pdf IXTY18P10T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N100P IXYS DS99234G(IXTA-TP-TY1N100P).pdf IXTY1N100P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N120P IXTY1N120P IXYS IXTY(A,P)1N120P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.49 EUR
23+3.13 EUR
28+2.62 EUR
29+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N80P IXYS DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf IXTY1N80P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf IXTY1R4N100P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N120P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf IXTY1R4N120P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N120PHV IXYS DS99871E(IXTY-TA-TP1R4N120P-HV).pdf IXTY1R4N120PHV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf IXTY1R6N100D2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.40 EUR
25+2.86 EUR
27+2.70 EUR
50+2.62 EUR
70+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10T IXTY26P10T IXYS IXT_26P10T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
16+4.46 EUR
140+2.79 EUR
560+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N100P IXTY2N100P IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
70+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N65X2 IXTY2N65X2 IXYS IXTP(Y)2N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2P50PA IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b70aee1e-47d9-44bf-9501-675ee6ddec21&filename=power_semiconductor_discrete_mosfet_ixty2p50pa_datasheet.pdf IXTY2P50PA SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY32P05T IXYS DS99967C(IXTY-TA-TP32P05T).pdf IXTY32P05T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N50P IXYS 99200.pdf IXTY3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.80 EUR
91+0.79 EUR
96+0.75 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10T IXTY44N10T IXYS IXTP(Y)44N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
40+1.80 EUR
43+1.70 EUR
70+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf IXTY48P05T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.20 EUR
26+2.75 EUR
560+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.66 EUR
35+2.06 EUR
47+1.52 EUR
140+1.22 EUR
560+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N70X2 IXTY8N70X2 IXYS IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO252; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTZ550N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtz550n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTZ550N055T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA50N60B3 IXXA50N60B3 IXYS IXXA(p,h)50N60B3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3 IXXH100N60B3 IXYS IXXH100N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 143nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60C3 IXXH100N60C3 IXYS IXXH100N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 95s
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.49 EUR
7+10.50 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65B4 IXXH140N65B4 IXYS IXXH140N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65C4 IXXH140N65C4 IXYS IXXH140N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.18 EUR
9+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.75 EUR
11+6.98 EUR
13+5.56 EUR
14+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.32 EUR
10+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS IXXH30N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n65b4_datasheet.pdf.pdf IXXH30N65B4 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4D1 IXYS IXXH30N65B4D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65C4D1 IXYS IXXH30N65C4D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 IXYS IXXH40N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.28 EUR
11+6.55 EUR
14+5.22 EUR
15+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1 IXYS IXXH40N65B4D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4H1 IXXH40N65B4H1 IXYS IXXH40N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX24N100
Hersteller: IXYS
IXTX24N100 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX32P60P media?resourcetype=datasheets&itemid=4E3CC1EB-28DE-4BB7-B025-3DB667A4A4E2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P60P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTX32P60P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX3N250L
Hersteller: IXYS
IXTX3N250L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_40p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX40P50P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX46N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtk46n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX46N50L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX4N300P3HV IXTX4N300P3HV.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 3kV; 4A; 960W; 420ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 139nC
Technology: Polar3™
Kind of channel: enhancement
Case: TO247PLUS-HV
Reverse recovery time: 420ns
Drain-source voltage: 3kV
Drain current: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX550N055T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX600N04T2 IXTK(X)600N04T2.pdf
IXTX600N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
On-state resistance: 1.5mΩ
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 590nC
Drain current: 600A
Reverse recovery time: 100ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX60N50L2 IXTK(X)60N50L2.pdf
IXTX60N50L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; PLUS247™; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.1Ω
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 610nC
Drain current: 60A
Reverse recovery time: 980ns
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX6N200P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtx6n200p3hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX6N200P3HV THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX8N150L IXTK(X)8N150L.pdf
IXTX8N150L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1.7us
Case: PLUS247™
Reverse recovery time: 1.7µs
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 3.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+42.54 EUR
30+41.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90N25L2 IXTK(X)90N25L2.pdf
IXTX90N25L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Gate charge: 640nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 266ns
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX90P20P IXT_90P20P.pdf
IXTX90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Gate charge: 205nC
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.12 EUR
30+17.93 EUR
120+17.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100-datasheet?assetguid=ca4a4953-c354-4601-9187-3763cc42151f
Hersteller: IXYS
IXTY01N100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY01N100D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=aa4e4d88-d3d3-49b5-a8c6-493f4f0a72a7
Hersteller: IXYS
IXTY01N100D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0
Hersteller: IXYS
IXTY02N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY02N50D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5
Hersteller: IXYS
IXTY02N50D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTY08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.30 EUR
19+3.88 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY08N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTY08N50D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY10P15T DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTY10P15T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY14N60X2 IXTY14N60X2_DS_1.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY14N60X2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.85 EUR
19+3.76 EUR
140+3.40 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY15P15T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_15p15t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY15P15T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY18P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_18p10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY18P10T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N100P DS99234G(IXTA-TP-TY1N100P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N120P IXTY(A,P)1N120P.pdf
IXTY1N120P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.49 EUR
23+3.13 EUR
28+2.62 EUR
29+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1N80P DS100112(IXTA-TP-TU-TY1N80P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1N80P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1R4N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1R4N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R4N120PHV DS99871E(IXTY-TA-TP1R4N120P-HV).pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1R4N120PHV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY1R6N100D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY1R6N50D2 IXTA(P,Y)1R6N50D2.pdf
IXTY1R6N50D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.40 EUR
25+2.86 EUR
27+2.70 EUR
50+2.62 EUR
70+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY26P10T IXT_26P10T.pdf
IXTY26P10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
16+4.46 EUR
140+2.79 EUR
560+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N100P IXTA(P,Y)2N100P.pdf
IXTY2N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
70+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2N65X2 IXTP(Y)2N65X2.pdf
IXTY2N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY2P50PA media?resourcetype=datasheets&itemid=b70aee1e-47d9-44bf-9501-675ee6ddec21&filename=power_semiconductor_discrete_mosfet_ixty2p50pa_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY2P50PA SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY32P05T DS99967C(IXTY-TA-TP32P05T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTY32P05T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY3N50P 99200.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY3N50P SMD N channel transistors
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.80 EUR
91+0.79 EUR
96+0.75 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY44N10T IXTP(Y)44N10T.pdf
IXTY44N10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO252; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
40+1.80 EUR
43+1.70 EUR
70+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY48P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTY48P05T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.20 EUR
26+2.75 EUR
560+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.66 EUR
35+2.06 EUR
47+1.52 EUR
140+1.22 EUR
560+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTY8N70X2 IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf
IXTY8N70X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO252; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTZ550N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtz550n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTZ550N055T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXA50N60B3 IXXA(p,h)50N60B3.pdf
IXXA50N60B3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Power dissipation: 600W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60B3 IXXH100N60B3.pdf
IXXH100N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 143nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH100N60C3 IXXH100N60C3.pdf
IXXH100N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 95s
Turn-off time: 0.22µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 160ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 241 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.49 EUR
7+10.50 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65B4 IXXH140N65B4.pdf
IXXH140N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 840A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 128ns
Turn-off time: 340ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH140N65C4 IXXH140N65C4.pdf
IXXH140N65C4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 140A; 1.2kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 140A
Power dissipation: 1.2kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 730A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 114ns
Turn-off time: 273ns
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 230ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.18 EUR
9+8.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3 IXXH30N60B3-DTE.pdf
IXXH30N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.75 EUR
11+6.98 EUR
13+5.56 EUR
14+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 39nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 115A
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.32 EUR
10+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1.pdf
IXXH30N60C3D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 270W
Gate charge: 37nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 110A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 166ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n65b4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXXH30N65B4 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65B4D1
Hersteller: IXYS
IXXH30N65B4D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH30N65C4D1
Hersteller: IXYS
IXXH30N65C4D1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4.pdf
IXXH40N65B4
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.28 EUR
11+6.55 EUR
14+5.22 EUR
15+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4D1 IXXH40N65B4D1.pdf
IXXH40N65B4D1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH40N65B4H1 IXXH40N65B4H1.pdf
IXXH40N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 207ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 455W
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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