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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTT12N150HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtt12n150hv_datasheet.pdf.pdf IXTT12N150HV SMD N channel transistors
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IXTT140N075L2HV IXYS IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors
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IXTT140N10P IXTT140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917396E4BA7E27&compId=IXTQ140N10P-DTE.pdf?ci_sign=d1fc712de0ef8b1c18e6bafe16c158a6fb6a90fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT140P10T IXYS IXTT140P10T SMD P channel transistors
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IXTT16N10D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704 IXTT16N10D2 SMD N channel transistors
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IXTT16N20D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704 IXTT16N20D2 SMD N channel transistors
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IXTT16N50D2 IXTT16N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.33 EUR
6+12.4 EUR
7+11.71 EUR
30+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXTT170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 IXTT170N10P SMD N channel transistors
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.16 EUR
7+10.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXTT1N250HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtt1n250hv-datasheet?assetguid=b97491fe-f9b5-41c0-b140-7e8b8600f646 IXTT1N250HV SMD N channel transistors
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IXTT1N300P3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTT1N300P3HV SMD N channel transistors
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IXTT1N450HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n450hv_datasheet.pdf.pdf IXTT1N450HV SMD N channel transistors
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IXTT20P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_20p50p_datasheet.pdf.pdf IXTT20P50P SMD P channel transistors
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IXTT24P20 IXYS IXTT24P20 SMD P channel transistors
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.06 EUR
7+10.62 EUR
8+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXTT26N50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26n50p-datasheet?assetguid=c3369cfd-a2aa-471a-8124-d6f2d10435ef IXTT26N50P SMD N channel transistors
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IXTT26N60P IXYS a IXTT26N60P SMD N channel transistors
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IXTT2N170D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f IXTT2N170D2 SMD N channel transistors
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IXTT2N300P3HV IXYS IXTT2N300P3HV SMD N channel transistors
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IXTT30N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_30n50l_datasheet.pdf.pdf IXTT30N50L SMD N channel transistors
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IXTT30N50L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891 IXTT30N50L2 SMD N channel transistors
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IXTT30N50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_30n50p_datasheet.pdf.pdf IXTT30N50P SMD N channel transistors
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IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Technology: Linear L2™
Gate charge: 335nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT30N60P IXTT30N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT34N65X2HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTT34N65X2HV SMD N channel transistors
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IXTT360N055T2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-360n055t2-datasheet?assetguid=44ece5af-dea5-4200-8f18-f79b3b405475 IXTT360N055T2 SMD N channel transistors
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IXTT36N50P IXYS a IXTT36N50P SMD N channel transistors
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IXTT3N200P3HV IXYS IXTT3N200P3HV SMD N channel transistors
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IXTT40N50L2 IXTT40N50L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT440N04T4HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0F61C3AB-47F3-4A3C-88DD-1B1C934123C7&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXTT440N04T4HV-Datasheet.PDF IXTT440N04T4HV SMD N channel transistors
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IXTT440N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTT440N055T2 SMD N channel transistors
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IXTT48P20P IXTT48P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT4N150HV IXTT4N150HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FFE04D7BF820&compId=IXTA(T)4N150HV.pdf?ci_sign=ec9174563c34e31231ef390b44e76d450e2c55dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO268HV; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO268HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT500N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTT500N04T2 SMD N channel transistors
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IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT52N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf IXTT52N30P SMD N channel transistors
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IXTT60N20L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n20_datasheet.pdf.pdf IXTT60N20L2 SMD N channel transistors
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IXTT64N25P IXTT64N25P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90CE00FFAAFE27&compId=IXTQ64N25P-DTE.pdf?ci_sign=8629d9d38dc4d997f8392b5cabb1618306ba9fab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 105nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT68P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf IXTT68P20T SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.34 EUR
4+18.59 EUR
5+17.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXTT6N120 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf IXTT6N120 SMD N channel transistors
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IXTT6N150 IXYS IXTT6N150 SMD N channel transistors
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IXTT74N20P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_74n20p_datasheet.pdf.pdf IXTT74N20P SMD N channel transistors
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IXTT75N10L2 IXTT75N10L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993960D1A4DD498BF&compId=IXT_75N10L2.pdf?ci_sign=14d46f1640fe8dff3fd9c2e86627011d0edde846 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: Linear L2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
10+13.84 EUR
30+13.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXTT80N20L IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n20l-datasheet?assetguid=336ee21c-0426-4737-a5c8-6c7350c8a845 IXTT80N20L SMD N channel transistors
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IXTT82N25P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf IXTT82N25P SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT88N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf IXTT88N30P SMD N channel transistors
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IXTT8P50 IXYS 94534.pdf IXTT8P50 SMD P channel transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.35 EUR
9+8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT90P10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p10p_datasheet.pdf.pdf IXTT90P10P SMD P channel transistors
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IXTT96N15P IXTT96N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90EC0ECEF9BE27&compId=IXTQ96N15P-DTE.pdf?ci_sign=9a803a13d2a5038b9b223d3543d625d7c814ed76 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 96A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTU01N100 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_01n100_datasheet.pdf.pdf IXTU01N100 THT N channel transistors
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IXTU4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf IXTU4N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.33 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTU8N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.06 EUR
26+2.76 EUR
28+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IXTX102N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTX102N65X2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX110N20L2 IXTX110N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 200V; 110A; 960W; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 420ns
Technology: Linear L2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTX120N65X2 IXTX120N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB29CD38EED8BF&compId=IXT_120N65X2.pdf?ci_sign=ba45e36110c138614c3f7686f328897e9b74d68c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 505ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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3+27.94 EUR
10+26.87 EUR
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IXTX170P10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_170p10p_datasheet.pdf.pdf IXTX170P10P THT P channel transistors
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IXTX17N120L IXYS DS99615B(IXTK-TX17N120L).pdf IXTX17N120L THT N channel transistors
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IXTX1R4N450HV IXYS IXTX1R4N450HV THT N channel transistors
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IXTX200N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_200n10_datasheet.pdf.pdf IXTX200N10L2 THT N channel transistors
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IXTX20N150 IXYS IXTX20N150 THT N channel transistors
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IXTT12N150HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtt12n150hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT12N150HV SMD N channel transistors
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IXTT140N075L2HV
Hersteller: IXYS
IXTT140N075L2HV SMD N channel transistors
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IXTT140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917396E4BA7E27&compId=IXTQ140N10P-DTE.pdf?ci_sign=d1fc712de0ef8b1c18e6bafe16c158a6fb6a90fd
IXTT140N10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT140P10T
Hersteller: IXYS
IXTT140P10T SMD P channel transistors
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IXTT16N10D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704
Hersteller: IXYS
IXTT16N10D2 SMD N channel transistors
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IXTT16N20D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-16n10-datasheet?assetguid=f6744185-82d5-4569-a65f-4b44e1fa3704
Hersteller: IXYS
IXTT16N20D2 SMD N channel transistors
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IXTT16N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D5284A6D8B3820&compId=IXTH(T)16N50D2.pdf?ci_sign=3edd3d59cee7eb8d5cc1369911e3389d78c42005
IXTT16N50D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO268; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO268
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT16P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E619805AB38BF&compId=IXT_16P60P.pdf?ci_sign=0e81182102286b9c0016837af235ac11d15c7957
IXTT16P60P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO268
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -16A
Gate charge: 92nC
Reverse recovery time: 440ns
On-state resistance: 720mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 460W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 147 Stücke:
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Anzahl Preis
5+17.33 EUR
6+12.4 EUR
7+11.71 EUR
30+11.27 EUR
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IXTT170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Hersteller: IXYS
IXTT170N10P SMD N channel transistors
auf Bestellung 292 Stücke:
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Anzahl Preis
5+16.16 EUR
7+10.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXTT1N250HV littelfuse-discrete-mosfets-ixtt1n250hv-datasheet?assetguid=b97491fe-f9b5-41c0-b140-7e8b8600f646
Hersteller: IXYS
IXTT1N250HV SMD N channel transistors
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IXTT1N300P3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT1N300P3HV SMD N channel transistors
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IXTT1N450HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n450hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT1N450HV SMD N channel transistors
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IXTT20P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_20p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT20P50P SMD P channel transistors
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IXTT24P20
Hersteller: IXYS
IXTT24P20 SMD P channel transistors
auf Bestellung 183 Stücke:
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Anzahl Preis
6+14.06 EUR
7+10.62 EUR
8+10.04 EUR
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IXTT26N50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26n50p-datasheet?assetguid=c3369cfd-a2aa-471a-8124-d6f2d10435ef
Hersteller: IXYS
IXTT26N50P SMD N channel transistors
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IXTT26N60P a
Hersteller: IXYS
IXTT26N60P SMD N channel transistors
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IXTT2N170D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-2n170-datasheet?assetguid=f0179f45-82ec-4e65-a036-3827fbb8db1f
Hersteller: IXYS
IXTT2N170D2 SMD N channel transistors
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IXTT2N300P3HV
Hersteller: IXYS
IXTT2N300P3HV SMD N channel transistors
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IXTT30N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_30n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT30N50L SMD N channel transistors
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IXTT30N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-30n50-datasheet?assetguid=c09539a4-39f7-4fb5-940f-2103ab4fa891
Hersteller: IXYS
IXTT30N50L2 SMD N channel transistors
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IXTT30N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_30n50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT30N50P SMD N channel transistors
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IXTT30N60L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993961825E677F8BF&compId=IXT_30N60L2.pdf?ci_sign=a187da0396ffeb0ca9f228226b1261de24fac5f0
IXTT30N60L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Technology: Linear L2™
Gate charge: 335nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT30N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDC0F215143820&compId=IXTH(Q%2CT%2CV)30N60P_S.pdf?ci_sign=23cb872edd8c988b4691a847d6364d4ee8eca206
IXTT30N60P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO268
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 82nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT34N65X2HV littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTT34N65X2HV SMD N channel transistors
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IXTT360N055T2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-360n055t2-datasheet?assetguid=44ece5af-dea5-4200-8f18-f79b3b405475
Hersteller: IXYS
IXTT360N055T2 SMD N channel transistors
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IXTT36N50P a
Hersteller: IXYS
IXTT36N50P SMD N channel transistors
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IXTT3N200P3HV
Hersteller: IXYS
IXTT3N200P3HV SMD N channel transistors
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IXTT40N50L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBC36E59269820&compId=IXTH(T%2CQ)40N50L2.pdf?ci_sign=fb22fbad598fb6bca1335d953b47c9e27b2aa9b2
IXTT40N50L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO268; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO268
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT440N04T4HV media?resourcetype=datasheets&itemid=0F61C3AB-47F3-4A3C-88DD-1B1C934123C7&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXTT440N04T4HV-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTT440N04T4HV SMD N channel transistors
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IXTT440N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_440n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT440N055T2 SMD N channel transistors
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IXTT48P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EE75E673818BF&compId=IXT_48P20P.pdf?ci_sign=fc96b5e643c79bc0d735ec6275c107be6971544e
IXTT48P20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -48A; 462W; TO268
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -48A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 462W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT4N150HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FFE04D7BF820&compId=IXTA(T)4N150HV.pdf?ci_sign=ec9174563c34e31231ef390b44e76d450e2c55dc
IXTT4N150HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO268HV; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 280W
Case: TO268HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT500N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_500n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT500N04T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT50P10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b
IXTT50P10
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT52N30P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT60N20L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n20_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT60N20L2 SMD N channel transistors
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IXTT64N25P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90CE00FFAAFE27&compId=IXTQ64N25P-DTE.pdf?ci_sign=8629d9d38dc4d997f8392b5cabb1618306ba9fab
IXTT64N25P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 105nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO268
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT68P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_68p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT68P20T SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.34 EUR
4+18.59 EUR
5+17.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXTT6N120 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_6n120_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT6N120 SMD N channel transistors
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IXTT6N150
Hersteller: IXYS
IXTT6N150 SMD N channel transistors
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IXTT74N20P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_74n20p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT74N20P SMD N channel transistors
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IXTT75N10L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993960D1A4DD498BF&compId=IXT_75N10L2.pdf?ci_sign=14d46f1640fe8dff3fd9c2e86627011d0edde846
IXTT75N10L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 400W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: Linear L2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT80N20L littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n20l-datasheet?assetguid=336ee21c-0426-4737-a5c8-6c7350c8a845
Hersteller: IXYS
IXTT80N20L SMD N channel transistors
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IXTT82N25P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_82n25p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT82N25P SMD N channel transistors
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IXTT88N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT88N30P SMD N channel transistors
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Hersteller: IXYS
IXTT8P50 SMD P channel transistors
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IXTT90P10P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTT90P10P SMD P channel transistors
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IXTT96N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90EC0ECEF9BE27&compId=IXTQ96N15P-DTE.pdf?ci_sign=9a803a13d2a5038b9b223d3543d625d7c814ed76
IXTT96N15P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 96A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTU01N100 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_01n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTU01N100 THT N channel transistors
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IXTU4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTU4N70X2 THT N channel transistors
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22+3.33 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IXTU8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTU8N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 66 Stücke:
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18+4.06 EUR
26+2.76 EUR
28+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IXTX102N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTX102N65X2 THT N channel transistors
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IXTX110N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939600E0EFF298BF&compId=IXT_110N20L2.pdf?ci_sign=2efcd7c71b9a3d0ca4fa8423b4cac407d61b052b
IXTX110N20L2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 200V; 110A; 960W; 420ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 110A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 420ns
Technology: Linear L2™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTX120N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB29CD38EED8BF&compId=IXT_120N65X2.pdf?ci_sign=ba45e36110c138614c3f7686f328897e9b74d68c
IXTX120N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 505ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 505ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX120P20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EA563468D18BF&compId=IXT_120P20T.pdf?ci_sign=b303308099e4550f537d8d87d7d46f104218dd25
IXTX120P20T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
3+27.94 EUR
10+26.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX170P10P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_170p10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX170P10P THT P channel transistors
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IXTX17N120L DS99615B(IXTK-TX17N120L).pdf
Hersteller: IXYS
IXTX17N120L THT N channel transistors
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IXTX1R4N450HV
Hersteller: IXYS
IXTX1R4N450HV THT N channel transistors
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IXTX200N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_200n10_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTX200N10L2 THT N channel transistors
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IXTX20N150
Hersteller: IXYS
IXTX20N150 THT N channel transistors
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