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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTA24P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf IXTA24P085T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA260N055T2 IXTA260N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAF933DD53820&compId=IXTA(P)260N055T2.pdf?ci_sign=7d74893cde6dc5f8997d0fa7ff9adc13d7fa48f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA260N055T2-7 IXTA260N055T2-7 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC815820&compId=IXTA260N055T2-7.pdf?ci_sign=20af502dc1bd984d39825892a1d6786d67df0a27 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P10T IXTA26P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P IXTA26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.72 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA270N04T4 IXTA270N04T4 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAACCCA46F820&compId=IXTA270N04T4.pdf?ci_sign=5943278f7f5382b890ecedd75c0f652bcb39ba12 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA270N04T4-7 IXTA270N04T4-7 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAACCCA46F820&compId=IXTA270N04T4.pdf?ci_sign=5943278f7f5382b890ecedd75c0f652bcb39ba12 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263-7; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA28P065T IXYS DS99968B(IXTA-TP28P065T).pdf IXTA28P065T SMD P channel transistors
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.9 EUR
33+2.19 EUR
35+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA2N100P IXTA2N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
25+2.92 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
50+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA300N04T2 IXTA300N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC479D53541820&compId=IXTA(P)300N04T2.pdf?ci_sign=b651044253ab618ad040cfd9d99a038916dc36fa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 53ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf IXTA32N20T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf IXTA32P05T SMD P channel transistors
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.66 EUR
36+2 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32P20T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA IXTA32P20T SMD P channel transistors
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IXTA340N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
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IXTA340N04T4-7 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA34N65X2 IXTA34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC82B820&compId=IXTA34N65X2.pdf?ci_sign=0f26d130d1b2a8e9a14977ffb4f2cc94ed0afebc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36N30P IXTA36N30P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF906B09D5DD9E27&compId=IXTA36N30P-DTE.pdf?ci_sign=efd75c498f499d820170bf97b7322d8ea4c63184 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.88 EUR
18+4 EUR
20+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36P15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_36p15p_datasheet.pdf.pdf IXTA36P15P SMD P channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.19 EUR
13+5.65 EUR
14+5.35 EUR
50+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA380N036T4-7 IXTA380N036T4-7 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC841820&compId=IXTA380N036T4-7.pdf?ci_sign=b1eaa1695bce41b3486bfc29ca5480a7098c99c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1 IXTA3N100D2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100D2HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta3n100d2hv_datasheet.pdf.pdf IXTA3N100D2HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf IXTA3N100P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120 IXTA3N120 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120HV IXTA3N120HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC871820&compId=IXTA3N120HV.pdf?ci_sign=cc2fbe5c647ead4e5e76f0a4ba3c372cb9cc3e1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N150HV IXTA3N150HV IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B916E9820&compId=IXTA3N150HV.pdf?ci_sign=dad1621cba0475c0d32363ea748872e5286105f5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.62 EUR
8+9.45 EUR
10+9.17 EUR
50+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93 IXTA3N50D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50P IXTA3N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA42N25P IXYS 99157.pdf IXTA42N25P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTA44P15T SMD P channel transistors
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.68 EUR
14+5.21 EUR
15+4.92 EUR
1000+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA460P2 IXTA460P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0B0D5903E469&compId=IXTQ460P2.pdf?ci_sign=66ba757660ab9fc6f012f9df9c2561c23345b3f6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA48N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf IXTA48N20T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA48P05T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf IXTA48P05T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N150HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859 IXTA4N150HV SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N70X2 IXTA4N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.89 EUR
28+2.6 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N80P IXTA4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N20P IXTA50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N25T IXTA50N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA52P10P IXTA52P10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.25 EUR
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IXTA60N10T IXTA60N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49165695D1820&compId=IXTA(P)60N10T.pdf?ci_sign=92e4c232650cb3131af7dac4c451a83cc9058951 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA60N20T IXTA60N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
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IXTA62N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf IXTA62N15P SMD N channel transistors
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IXTA64N10L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_64n10_datasheet.pdf.pdf IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
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IXTA6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
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IXTA6N50D2 IXTA6N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.9 EUR
9+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXTA70N075T2 IXTA70N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4403F7996D820&compId=IXTA(P)70N075T2.pdf?ci_sign=0656d3eaf9da3cd72c5ad6e6291c34f2e42cafa2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA75N10P IXTA75N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90D5A933743E27&compId=IXTA75N10P-DTE.pdf?ci_sign=29c5960ed4596421bc0557caba4ef533fa0ac975 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76N25T IXTA76N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4165ECB579820&compId=IXTA(H%2CI%2CP%2CQ)76N25T.pdf?ci_sign=5561f98ce5cfa59f8e5ad5e0fac5ca227be0863e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.41 EUR
10+7.49 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTA80N075L2 IXTA80N075L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp80n10t_datasheet.pdf.pdf IXTA80N10T SMD N channel transistors
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IXTA80N12T2 IXYS IXTA80N12T2 SMD N channel transistors
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IXTA86N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf IXTA86N20T SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.8 EUR
34+2.16 EUR
49+1.46 EUR
300+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTA8N70X2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA90N055T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_90n055t2_datasheet.pdf.pdf IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA90N20X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210 IXTA90N20X3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.41 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB30N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B916FF820&compId=IXTB30N100L.pdf?ci_sign=733db101b859fd094ce1250c8d84c21345092274 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB62N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf IXTB62N50L THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+89.23 EUR
2+63.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA24P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA24P085T SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA260N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAF933DD53820&compId=IXTA(P)260N055T2.pdf?ci_sign=7d74893cde6dc5f8997d0fa7ff9adc13d7fa48f1
IXTA260N055T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA260N055T2-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC815820&compId=IXTA260N055T2-7.pdf?ci_sign=20af502dc1bd984d39825892a1d6786d67df0a27
IXTA260N055T2-7
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA08E4B31BC18BF&compId=IXT_26P10T.pdf?ci_sign=c33656444a550e5f0b85a72d96ed77f965b03124
IXTA26P10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTA26P20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
On-state resistance: 0.17Ω
Technology: PolarP™
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.72 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA270N04T4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAACCCA46F820&compId=IXTA270N04T4.pdf?ci_sign=5943278f7f5382b890ecedd75c0f652bcb39ba12
IXTA270N04T4
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA270N04T4-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCAACCCA46F820&compId=IXTA270N04T4.pdf?ci_sign=5943278f7f5382b890ecedd75c0f652bcb39ba12
IXTA270N04T4-7
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263-7; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 182nC
Reverse recovery time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA28P065T DS99968B(IXTA-TP28P065T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTA28P065T SMD P channel transistors
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25+2.9 EUR
33+2.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA2N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CCA1618BD17820&compId=IXTA(P%2CY)2N100P.pdf?ci_sign=ed9b99ae18ad9cc7de5cc0535e18145ae9cd8895
IXTA2N100P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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22+3.32 EUR
25+2.92 EUR
28+2.63 EUR
29+2.49 EUR
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IXTA300N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC479D53541820&compId=IXTA(P)300N04T2.pdf?ci_sign=b651044253ab618ad040cfd9d99a038916dc36fa
IXTA300N04T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 53ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA32N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_32n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA32N20T SMD N channel transistors
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IXTA32P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA32P05T SMD P channel transistors
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27+2.66 EUR
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IXTA32P20T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA
Hersteller: IXYS
IXTA32P20T SMD P channel transistors
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IXTA340N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA340N04T4 SMD N channel transistors
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IXTA340N04T4-7 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixta340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA340N04T4-7 SMD N channel transistors
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IXTA34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC82B820&compId=IXTA34N65X2.pdf?ci_sign=0f26d130d1b2a8e9a14977ffb4f2cc94ed0afebc
IXTA34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36N30P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF906B09D5DD9E27&compId=IXTA36N30P-DTE.pdf?ci_sign=efd75c498f499d820170bf97b7322d8ea4c63184
IXTA36N30P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.88 EUR
18+4 EUR
20+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA36P15P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_36p15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA36P15P SMD P channel transistors
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.19 EUR
13+5.65 EUR
14+5.35 EUR
50+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA380N036T4-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC841820&compId=IXTA380N036T4-7.pdf?ci_sign=b1eaa1695bce41b3486bfc29ca5480a7098c99c0
IXTA380N036T4-7
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 54ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1
Hersteller: IXYS
IXTA3N100D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100D2HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixta3n100d2hv_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N100D2HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N100P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_3n100p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA3N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe
IXTA3N120
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N120HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9618AC871820&compId=IXTA3N120HV.pdf?ci_sign=cc2fbe5c647ead4e5e76f0a4ba3c372cb9cc3e1b
IXTA3N120HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N150HV pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B916E9820&compId=IXTA3N150HV.pdf?ci_sign=dad1621cba0475c0d32363ea748872e5286105f5
IXTA3N150HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38.6nC
Reverse recovery time: 900ns
Power dissipation: 250W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 1.5kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.62 EUR
8+9.45 EUR
10+9.17 EUR
50+9.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n50-datasheet?assetguid=7d9bbc87-6f24-48dc-8dcf-2bc5554e3a93
Hersteller: IXYS
IXTA3N50D2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA3N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4
IXTA3N50P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA42N25P 99157.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA42N25P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTA44P15T SMD P channel transistors
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.68 EUR
14+5.21 EUR
15+4.92 EUR
1000+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA460P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0B0D5903E469&compId=IXTQ460P2.pdf?ci_sign=66ba757660ab9fc6f012f9df9c2561c23345b3f6
IXTA460P2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA48N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA48N20T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA48P05T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_48p05t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA48P05T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N150HV littelfuse-discrete-mosfets-ixta4n150hv-datasheet?assetguid=ba849f96-97bf-4690-9a95-fae4b36fe859
Hersteller: IXYS
IXTA4N150HV SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTA4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n70x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA4N70X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
28+2.6 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
50+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTA4N80P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTA50N20P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA50N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0
IXTA50N25T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA52P10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA072DEB27DD8BF&compId=IXT_52P10P.pdf?ci_sign=951815fe794f76b7770a49bf89c6d151dc043a97
IXTA52P10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Technology: PolarP™
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.25 EUR
12+5.98 EUR
13+5.65 EUR
50+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA60N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49165695D1820&compId=IXTA(P)60N10T.pdf?ci_sign=92e4c232650cb3131af7dac4c451a83cc9058951
IXTA60N10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA60N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631
IXTA60N20T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Case: TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA62N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_62n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA62N15P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA64N10L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_64n10_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA64N10L2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA6N100D2 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA6N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187
IXTA6N50D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.9 EUR
9+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA70N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4403F7996D820&compId=IXTA(P)70N075T2.pdf?ci_sign=0656d3eaf9da3cd72c5ad6e6291c34f2e42cafa2
IXTA70N075T2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 48ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA75N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90D5A933743E27&compId=IXTA75N10P-DTE.pdf?ci_sign=29c5960ed4596421bc0557caba4ef533fa0ac975
IXTA75N10P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4165ECB579820&compId=IXTA(H%2CI%2CP%2CQ)76N25T.pdf?ci_sign=5561f98ce5cfa59f8e5ad5e0fac5ca227be0863e
IXTA76N25T
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA76P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd
IXTA76P10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.41 EUR
10+7.49 EUR
14+5.15 EUR
15+4.88 EUR
50+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N075L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D40C33743EF820&compId=IXTA(H%2CP)80N075L2.pdf?ci_sign=29f6107f9c0994d3b18d0f8e4dd316853db34889
IXTA80N075L2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N10T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp80n10t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA80N10T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA80N12T2
Hersteller: IXYS
IXTA80N12T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA86N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA86N20T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTA8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.8 EUR
34+2.16 EUR
49+1.46 EUR
300+1.36 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTA8N70X2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA90N055T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_90n055t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA90N055T2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA90N20X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixta90n20x3_datasheet.pdf?assetguid=0d436688-a336-4e6b-a404-a707c9c33210
Hersteller: IXYS
IXTA90N20X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTA96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTA96P085T SMD P channel transistors
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.41 EUR
14+5.15 EUR
15+4.86 EUR
1000+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB30N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F965B916FF820&compId=IXTB30N100L.pdf?ci_sign=733db101b859fd094ce1250c8d84c21345092274
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTB62N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtb62n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTB62N50L THT N channel transistors
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+89.23 EUR
2+63.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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