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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTP32N65XM IXYS IXTP32N65XM THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P05T IXTP32P05T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0CA1113E4F8BF&compId=IXT_32P05T.pdf?ci_sign=db5aa0628442a2ab696c43214df8755287bd452e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 26ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
27+2.65 EUR
250+1.64 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P20T IXTP32P20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EF0A8A8C018BF&compId=IXT_32P20T.pdf?ci_sign=6bc8fc2e384d370d1b27158e2571e9d58c0bf6c0 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.45 EUR
10+7.31 EUR
50+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP340N04T4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_340n04t4_datasheet.pdf.pdf IXTP340N04T4 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99396442E3226F8BF&compId=IXT_34N65X2.pdf?ci_sign=0ea056e8008ffbda4aac0eaac650eb7fba1e7e65 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf.pdf IXTP36N30P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36P15P IXTP36P15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.68 EUR
14+5.32 EUR
15+5.02 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBD9B42C73B820&compId=IXTA(P)3N100D2.pdf?ci_sign=c245ce0cffe79380fadde6d25a375768a49f0754 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.06 EUR
26+2.76 EUR
28+2.62 EUR
2500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100P IXYS IXT%28A%2CH%2CP%293N100P.pdf IXTP3N100P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6 IXTP3N120 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2 IXTP3N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBCC5F1A4EB820&compId=IXTA(P)3N50D2.pdf?ci_sign=1433b6210e8ee4e73eac19dda6d08b4459ecca40 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.86 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10T IXTP44N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
36+1.99 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2 IXTP44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.46 EUR
15+5 EUR
16+4.73 EUR
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2 IXTP450P2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Power dissipation: 300W
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.86 EUR
23+3.17 EUR
24+3 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP460P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf IXTP460P2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf IXTP48N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.36 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84 IXTP48P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.38 EUR
22+3.3 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
43+1.67 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20P IXTP50N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.89 EUR
22+3.4 EUR
23+3.22 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PM IXTP50N20PM IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF907F47B5969E27&compId=IXTP50N20PM-DTE.pdf?ci_sign=3960f7e3d34464ae58cc23f154da7e0b579f8434 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N25T IXTP50N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.25 EUR
17+4.29 EUR
18+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP52P10P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF IXTP52P10P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP56N15T IXYS IXT(A,P)56N15T.pdf IXTP56N15T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49165695D1820&compId=IXTA(P)60N10T.pdf?ci_sign=92e4c232650cb3131af7dac4c451a83cc9058951 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.88 EUR
15+4.93 EUR
16+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP62N15P IXTP62N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90CB5157625E27&compId=IXTA62N15P-DTE.pdf?ci_sign=ce5c2df138c0e64408a93ae777b5bf73ab6a7919 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Power dissipation: 350W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.53 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N100D2 IXTP6N100D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45948322AD820&compId=IXTA(H%2CP)6N100D2.pdf?ci_sign=ae2f4eab8381be464d1f510c96b6fa260d11e708 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.21 EUR
9+8.28 EUR
10+7.84 EUR
50+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
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IXTP76N25T IXTP76N25T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4165ECB579820&compId=IXTA(H%2CI%2CP%2CQ)76N25T.pdf?ci_sign=5561f98ce5cfa59f8e5ad5e0fac5ca227be0863e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO220AB; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns
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IXTP76P10T IXTP76P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
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IXTP80N075L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880 IXTP80N075L2 THT N channel transistors
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IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
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IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
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IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13A7820&compId=IXTP8N65X2M.pdf?ci_sign=b4a625e99f92e8aa92ba736cfa192d6931540cee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
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IXTP8N70X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTP8N70X2 THT N channel transistors
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IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3811CE45AD820&compId=IXTA(I%2CP%2CY)90N055T2.pdf?ci_sign=83350302222346af53b5f252798d3bbf488768ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 37ns
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
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IXTP96P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf IXTP96P085T THT P channel transistors
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10+7.41 EUR
15+4.99 EUR
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IXTQ10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ10P50P THT P channel transistors
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IXTQ110N10P IXTQ110N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9100B78535BE27&compId=IXTQ110N10P-DTE.pdf?ci_sign=e6f683e1c5ed1f470d8dbb0f27a53c45ede76033 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTQ120N15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_120n15p_datasheet.pdf.pdf IXTQ120N15P THT N channel transistors
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8+8.94 EUR
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IXTQ120N20P IXTQ120N20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 180ns
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
30+9.65 EUR
120+9.3 EUR
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IXTQ130N20T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=cb7b2f23-2d75-435a-b920-9da65561e48c&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf IXTQ130N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.01 EUR
9+8.17 EUR
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10P IXTQ140N10P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917396E4BA7E27&compId=IXTQ140N10P-DTE.pdf?ci_sign=d1fc712de0ef8b1c18e6bafe16c158a6fb6a90fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTQ14N60P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-14n60p-datasheet?assetguid=3b19c3e9-2045-4609-909f-d45afea45cd6 IXTQ14N60P THT N channel transistors
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IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917F39DF4CDE27&compId=IXTK150N15P-DTE.pdf?ci_sign=c9c97c1328cecc3554885e3cfd29e98d52e29bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ16N50P IXTQ16N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf IXTQ170N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.44 EUR
8+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ18N60P IXTQ18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13D3820&compId=IXTQ18N60P.pdf?ci_sign=451a7a0d0279ef24fd00f72f013c8b54076ab464 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8557B5AE1820&compId=IXTH(Q)200N10T.pdf?ci_sign=fabd2ae31ac34d7d3d3b92bb0d92dc142a6b5f45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50P IXTQ22N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
16+4.52 EUR
17+4.26 EUR
1020+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTQ22N60P IXTQ22N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987DF99DA4B2358BF&compId=IXTQ22N60P.pdf?ci_sign=a9e8633f155efa548c5fb2c6d491c1d7e8a3fc27 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTQ26N50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26n50p-datasheet?assetguid=c3369cfd-a2aa-471a-8124-d6f2d10435ef IXTQ26N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.35 EUR
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXTQ26N60P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth26n60p_datasheet.pdf.pdf IXTQ26N60P THT N channel transistors
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IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP32N65XM
Hersteller: IXYS
IXTP32N65XM THT N channel transistors
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IXTP32P05T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0CA1113E4F8BF&compId=IXT_32P05T.pdf?ci_sign=db5aa0628442a2ab696c43214df8755287bd452e
IXTP32P05T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 26ns
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
27+2.65 EUR
250+1.64 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EF0A8A8C018BF&compId=IXT_32P20T.pdf?ci_sign=6bc8fc2e384d370d1b27158e2571e9d58c0bf6c0
IXTP32P20T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 190ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.45 EUR
10+7.31 EUR
50+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP340N04T4 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_340n04t4_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP340N04T4 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99396442E3226F8BF&compId=IXT_34N65X2.pdf?ci_sign=0ea056e8008ffbda4aac0eaac650eb7fba1e7e65
IXTP34N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP36N30P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36P15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2
IXTP36P15P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.68 EUR
14+5.32 EUR
15+5.02 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBD9B42C73B820&compId=IXTA(P)3N100D2.pdf?ci_sign=c245ce0cffe79380fadde6d25a375768a49f0754
IXTP3N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.06 EUR
26+2.76 EUR
28+2.62 EUR
2500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100P IXT%28A%2CH%2CP%293N100P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP3N100P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120 littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6
Hersteller: IXYS
IXTP3N120 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CBCC5F1A4EB820&compId=IXTA(P)3N50D2.pdf?ci_sign=1433b6210e8ee4e73eac19dda6d08b4459ecca40
IXTP3N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.86 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
50+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D51AD1A84D5820&compId=IXTP(Y)44N10T.pdf?ci_sign=241a5f60ac60b85bce90b3648c8e3960e337142a
IXTP44N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
36+1.99 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-44p15t-datasheet?assetguid=7f3ca350-d79f-4e06-bce3-4b5b84d96ba2
Hersteller: IXYS
IXTP44P15T THT P channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.46 EUR
15+5 EUR
16+4.73 EUR
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6
IXTP450P2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Reverse recovery time: 400ns
Power dissipation: 300W
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.86 EUR
23+3.17 EUR
24+3 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP460P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_460p2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP460P2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP48N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.36 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84
Hersteller: IXYS
IXTP48P05T THT P channel transistors
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
22+3.3 EUR
23+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f
IXTP4N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Technology: X2-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
41+1.74 EUR
43+1.67 EUR
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4FAF0DE3BB820&compId=IXTA(P)4N80P.pdf?ci_sign=a56c5fce943e27469917e977e7f679ed743afc7d
IXTP4N80P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9077F895E69E27&compId=IXTA50N20P-DTE.pdf?ci_sign=612057febd20f9989f5be1c49cefc90efaebcd34
IXTP50N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.89 EUR
22+3.4 EUR
23+3.22 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF907F47B5969E27&compId=IXTP50N20PM-DTE.pdf?ci_sign=3960f7e3d34464ae58cc23f154da7e0b579f8434
IXTP50N20PM
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4E4FF92DFD820&compId=IXTA(H%2CP%2CQ)50N25T.pdf?ci_sign=7e809dd509feff8e274b784c3f608f03c09bb7c0
IXTP50N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.25 EUR
17+4.29 EUR
18+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP52P10P media?resourcetype=datasheets&itemid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IXTP52P10P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP56N15T IXT(A,P)56N15T.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP56N15T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D49165695D1820&compId=IXTA(P)60N10T.pdf?ci_sign=92e4c232650cb3131af7dac4c451a83cc9058951
IXTP60N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
40+1.8 EUR
43+1.7 EUR
100+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4862938A7D820&compId=IXTA(P%2CQ)60N20T.pdf?ci_sign=66a1292f8361c5aa10783640b65094bdcfe97631
IXTP60N20T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.88 EUR
15+4.93 EUR
16+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP62N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90CB5157625E27&compId=IXTA62N15P-DTE.pdf?ci_sign=ce5c2df138c0e64408a93ae777b5bf73ab6a7919
IXTP62N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Power dissipation: 350W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.53 EUR
21+3.53 EUR
22+3.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D45948322AD820&compId=IXTA(H%2CP)6N100D2.pdf?ci_sign=ae2f4eab8381be464d1f510c96b6fa260d11e708
IXTP6N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.21 EUR
9+8.28 EUR
10+7.84 EUR
50+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D44656080E1820&compId=IXTA(H%2CP)6N50D2.pdf?ci_sign=4402ac4ed2bcb4f9bf6d4b15eccc2d1eb120f187
IXTP6N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.62 EUR
12+6.31 EUR
13+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP70N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_70n075t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP70N075T2 THT N channel transistors
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IXTP75N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-75n10p-datasheet?assetguid=6da6cdac-0351-4899-85f4-6f0fd42262a3
Hersteller: IXYS
IXTP75N10P THT N channel transistors
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IXTP76N25T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4165ECB579820&compId=IXTA(H%2CI%2CP%2CQ)76N25T.pdf?ci_sign=5561f98ce5cfa59f8e5ad5e0fac5ca227be0863e
IXTP76N25T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO220AB; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO220AB
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0666B5AC438BF&compId=IXT_76P10T_HV.pdf?ci_sign=885b69a53fc37e69ce9f6124910ae9a6856f96fd
IXTP76P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.21 EUR
15+5 EUR
16+4.73 EUR
500+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-80n075-datasheet?assetguid=09b664e9-c301-4232-b44a-1bb876c4d880
Hersteller: IXYS
IXTP80N075L2 THT N channel transistors
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.9 EUR
11+6.71 EUR
12+6.33 EUR
1000+6.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab
IXTP80N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.92 EUR
27+2.67 EUR
29+2.53 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_80n12t2_datasheet.pdf?assetguid=179b90c7-53dd-480f-a46b-1d7b2ae9347e
Hersteller: IXYS
IXTP80N12T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_86n20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP86N20T THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTP8N65X2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13A7820&compId=IXTP8N65X2M.pdf?ci_sign=b4a625e99f92e8aa92ba736cfa192d6931540cee
IXTP8N65X2M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTP8N70X2 THT N channel transistors
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.45 EUR
24+3.03 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N70X2M littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTP8N70X2M THT N channel transistors
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
7+10.21 EUR
20+3.58 EUR
50+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP90N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3811CE45AD820&compId=IXTA(I%2CP%2CY)90N055T2.pdf?ci_sign=83350302222346af53b5f252798d3bbf488768ce
IXTP90N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 37ns
On-state resistance: 8.4mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP96P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_96p085t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP96P085T THT P channel transistors
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.41 EUR
15+4.99 EUR
16+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ10P50P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ110N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9100B78535BE27&compId=IXTQ110N10P-DTE.pdf?ci_sign=e6f683e1c5ed1f470d8dbb0f27a53c45ede76033
IXTQ110N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_120n15p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ120N15P THT N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.93 EUR
8+8.94 EUR
30+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9109183E093E27&compId=IXTK120N20P-DTE.pdf?ci_sign=8d92652847182241575b90496cedc624b85642c3
IXTQ120N20P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Case: TO3P
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 180ns
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
30+9.65 EUR
120+9.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N20T media?resourcetype=datasheets&itemid=cb7b2f23-2d75-435a-b920-9da65561e48c&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_130n20t_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ130N20T THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
9+8.17 EUR
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917396E4BA7E27&compId=IXTQ140N10P-DTE.pdf?ci_sign=d1fc712de0ef8b1c18e6bafe16c158a6fb6a90fd
IXTQ140N10P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-14n60p-datasheet?assetguid=3b19c3e9-2045-4609-909f-d45afea45cd6
Hersteller: IXYS
IXTQ14N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917F39DF4CDE27&compId=IXTK150N15P-DTE.pdf?ci_sign=c9c97c1328cecc3554885e3cfd29e98d52e29bb2
IXTQ150N15P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO3P
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 714W
Drain current: 150A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ16N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1
IXTQ16N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ170N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.44 EUR
8+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F13D3820&compId=IXTQ18N60P.pdf?ci_sign=451a7a0d0279ef24fd00f72f013c8b54076ab464
IXTQ18N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8557B5AE1820&compId=IXTH(Q)200N10T.pdf?ci_sign=fabd2ae31ac34d7d3d3b92bb0d92dc142a6b5f45
IXTQ200N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 550W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDA40D50235820&compId=IXTH(Q%2CV)22N50P_S.pdf?ci_sign=ce2412085be3e0bce70371fe953f27e347b1e073
IXTQ22N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
16+4.52 EUR
17+4.26 EUR
1020+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE987DF99DA4B2358BF&compId=IXTQ22N60P.pdf?ci_sign=a9e8633f155efa548c5fb2c6d491c1d7e8a3fc27
IXTQ22N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-26n50p-datasheet?assetguid=c3369cfd-a2aa-471a-8124-d6f2d10435ef
Hersteller: IXYS
IXTQ26N50P THT N channel transistors
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.35 EUR
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixth26n60p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTQ26N60P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA00A2B034A38BF&compId=IXT_26P20P.pdf?ci_sign=27bd752ae6b58ce686eaff69bc47b3a02418da87
IXTQ26P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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