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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXTK20N150 IXYS IXTK20N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
5+28.94 EUR
10+27.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100L IXTK22N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf IXTK240N075L2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P IXTK32P60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.98 EUR
10+19.48 EUR
25+19.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250L IXTK3N250L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2846DD8D0BF1820&compId=IXTK(X)3N250L.pdf?ci_sign=a0fc9370e55c233f3a0b05aae09485494edf2e16 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 3A
Power dissipation: 417W
Drain-source voltage: 2.5kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 370ns
On-state resistance: 10Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6 IXTK40P50P THT P channel transistors
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IXTK46N50L IXYS 38fac45f75894f078db00809a75465c2.pdf IXTK46N50L THT N channel transistors
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IXTK550N055T2 IXTK550N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B03B813A9820&compId=IXTK(X)550N055T2.pdf?ci_sign=f1ad32c02f9d29b7483f944fa5a5ab884958f33f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 550A; 1250W; TO264; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTK600N04T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_600n04t2_datasheet.pdf.pdf IXTK600N04T2 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n50_datasheet.pdf.pdf IXTK60N50L2 THT N channel transistors
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IXTK82N25P IXYS a IXTK82N25P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf IXTK8N150L THT N channel transistors
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IXTK90N25L2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Linear-IXT-90N25-Datasheet.PDF?assetguid=85B50793-C43C-4B40-A84C-3DCCA3D22A7B IXTK90N25L2 THT N channel transistors
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IXTK90P20P IXTK90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794AD067C676748&compId=IXTK90P20P.pdf?ci_sign=ed63f46a927f39a8d31abb3fd7ed4da28939b52c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.29 EUR
10+19.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IXTL2N450 IXYS DS100458BIXTL2N450.pdf IXTL2N450 THT N channel transistors
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IXTL2N470 IXYS IXTL2N470 THT N channel transistors
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IXTN102N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 IXTN102N65X2 Transistor modules MOSFET
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IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8D4C2C0D3B820&compId=IXTN110N20L2.pdf?ci_sign=22d1ef7a7256a11bcc8df888639ad4005a52d7b3 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 420ns
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
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IXTN170P10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn170p10p-datasheet?assetguid=a5324887-08b2-496a-afd1-beb2354decfc IXTN170P10P Transistor modules MOSFET
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IXTN17N120L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn17n120l_datasheet.pdf.pdf IXTN17N120L Transistor modules MOSFET
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IXTN200N10L2 IXYS DS100238IXTN200N10L2.pdf IXTN200N10L2 Transistor modules MOSFET
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
100+50.24 EUR
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IXTN200N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn200n10t-datasheet?assetguid=c78c43fa-9c23-4a31-a344-9f883b414062 IXTN200N10T Transistor modules MOSFET
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IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949FD586272748&compId=IXTN210P10T.pdf?ci_sign=c7eaa6ff621298b381d20e5aabc3375642501283 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -800A
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 830W
Electrical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Technology: TrenchP™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN22N100L IXTN22N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA743238E52B820&compId=IXTN22N100L.pdf?ci_sign=bd0f90a435af556a9c7a240091db1d3ed3d343fd Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 22A; SOT227B; screw; Idm: 50A; 700W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.6Ω
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 1µs
Technology: Linear™
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN240N075L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN30N100L IXTN30N100L IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA762DDC51FD820&compId=IXTN30N100L.pdf?ci_sign=1267cd27b10289fdcc054aa2d6c82d9805b1b00e Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 800W
Technology: Linear™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 1µs
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN32P60P IXYS DS99991(IXTN32P60P).pdf IXTN32P60P Transistor modules MOSFET
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IXTN40P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
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IXTN46N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn46n50l_datasheet.pdf.pdf IXTN46N50L Transistor modules MOSFET
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IXTN550N055T2 IXTN550N055T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C3A24CD3A38BF&compId=IXTN550N055T2.pdf?ci_sign=2324e5fc4b6c33e3b1310d090cd76dd431fc6848 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 55V; 550A; SOT227B; screw; Idm: 1.65kA
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 1.65kA
Power dissipation: 940W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN600N04T2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn600n04t2-datasheet?assetguid=ce9fe6c5-553e-48d1-b7ff-931b370a3ea5 IXTN600N04T2 Transistor modules MOSFET
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IXTN60N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn60n50_datasheet.pdf.pdf IXTN60N50L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN62N50L IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn62n50l_datasheet.pdf.pdf IXTN62N50L Transistor modules MOSFET
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IXTN80N30L2 IXYS IXTN80N30L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN8N150L IXYS IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtn90n25-datasheet?assetguid=22138b57-480b-473e-a2e8-a7af15dabfda IXTN90N25L2 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20P IXTN90P20P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979492C3F64C2748&compId=IXTN90P20P.pdf?ci_sign=a8e50718a247f46e2906074292bba4b1736a5cc4 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -270A
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: PolarP™
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 890W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.52 EUR
12+6.19 EUR
13+5.86 EUR
50+5.65 EUR
100+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0 IXTP02N120P THT N channel transistors
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IXTP02N50D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5 IXTP02N50D THT N channel transistors
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IXTP05N100 IXTP05N100 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100M IXTP05N100M IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B495AF820&compId=IXTP05N100M.pdf?ci_sign=22dedd1505f2893fd7c4f30fd914ac61d85a74fc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100P IXTP05N100P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12CB820&compId=IXTP05N100P.pdf?ci_sign=d4781f4c3352d29dcd458ddadab27f78de1e370d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP06N120P IXYS IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf IXTP06N120P THT N channel transistors
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 325nC
On-state resistance: 21Ω
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: depletion
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.15 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 750ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
29+2.5 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.59 EUR
35+2.09 EUR
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100+1.92 EUR
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IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Reverse recovery time: 34ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.26 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IXTP102N15T IXYS DS99661B(IXTA-TH-TP-TQ102N15T).pdf IXTP102N15T THT N channel transistors
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IXTP10N60P IXTP10N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12F7820&compId=IXTP10N60P.pdf?ci_sign=c8a5cd7138ab74dee443f89a317f173a43bfad11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP10P15T IXTP10P15T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IXTP10P50P IXTP10P50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 414ns
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.94 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.93 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXTP110N055T2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-110n055t2-datasheet?assetguid=21c020da-ce9b-49ec-a4f7-c30b99262b3a IXTP110N055T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
37+1.94 EUR
40+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IXTP120N04T2 IXTP120N04T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA2CF46A37D820&compId=IXTA(P)120N04T2.pdf?ci_sign=9781234723d86244a767988de041b1dde0e2fcc1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO220AB; 35ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 35ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 6.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120N075T2 IXTP120N075T2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA3439A5B43820&compId=IXTA(P)120N075T2.pdf?ci_sign=a989206584ccedc296376c463764890b543910ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 50ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.01 EUR
15+5.02 EUR
16+4.73 EUR
50+4.69 EUR
100+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP12N50P IXTP12N50P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
21+3.46 EUR
26+2.76 EUR
28+2.62 EUR
250+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK20N150
Hersteller: IXYS
IXTK20N150 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B99F61BE8748&compId=IXTK210P10T.pdf?ci_sign=770cd11c3591d5f99ee9f471b3427981351a0ec8
IXTK210P10T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
5+28.94 EUR
10+27.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK22N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD1D9980B2F820&compId=IXTK(X)22N100L.pdf?ci_sign=0615493c1b1063422d61a154cca03734f6f66ba8
IXTK22N100L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK240N075L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK32P60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794B6EE82DC4748&compId=IXTK32P60P.pdf?ci_sign=6d1ae1f0adba3492c1b4312d0bc082adcccb9529
IXTK32P60P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
Gate charge: 196nC
Reverse recovery time: 480ns
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 890W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.98 EUR
10+19.48 EUR
25+19.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK3N250L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2846DD8D0BF1820&compId=IXTK(X)3N250L.pdf?ci_sign=a0fc9370e55c233f3a0b05aae09485494edf2e16
IXTK3N250L
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 3A
Power dissipation: 417W
Drain-source voltage: 2.5kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Reverse recovery time: 370ns
On-state resistance: 10Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK40P50P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-40p50p-datasheet?assetguid=e34ee140-6c7c-4026-98f4-4b32d9d0efc6
Hersteller: IXYS
IXTK40P50P THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK46N50L 38fac45f75894f078db00809a75465c2.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK46N50L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK550N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B03B813A9820&compId=IXTK(X)550N055T2.pdf?ci_sign=f1ad32c02f9d29b7483f944fa5a5ab884958f33f
IXTK550N055T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 550A; 1250W; TO264; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK600N04T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_600n04t2_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK600N04T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK60N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_60n50_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK60N50L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK82N25P a
Hersteller: IXYS
IXTK82N25P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK8N150L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_8n150l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTK8N150L THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90N25L2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Linear-IXT-90N25-Datasheet.PDF?assetguid=85B50793-C43C-4B40-A84C-3DCCA3D22A7B
Hersteller: IXYS
IXTK90N25L2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTK90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79794AD067C676748&compId=IXTK90P20P.pdf?ci_sign=ed63f46a927f39a8d31abb3fd7ed4da28939b52c
IXTK90P20P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 890W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.29 EUR
10+19.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N450 DS100458BIXTL2N450.pdf
Hersteller: IXYS
IXTL2N450 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTL2N470
Hersteller: IXYS
IXTL2N470 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN102N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Hersteller: IXYS
IXTN102N65X2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN110N20L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF8D4C2C0D3B820&compId=IXTN110N20L2.pdf?ci_sign=22d1ef7a7256a11bcc8df888639ad4005a52d7b3
IXTN110N20L2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 24mΩ
Gate charge: 500nC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 420ns
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn120p20t_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN120P20T Transistor modules MOSFET
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IXTN170P10P littelfuse-discrete-mosfets-ixtn170p10p-datasheet?assetguid=a5324887-08b2-496a-afd1-beb2354decfc
Hersteller: IXYS
IXTN170P10P Transistor modules MOSFET
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IXTN17N120L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn17n120l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN17N120L Transistor modules MOSFET
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IXTN200N10L2 DS100238IXTN200N10L2.pdf
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IXTN200N10L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN200N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixtn200n10t-datasheet?assetguid=c78c43fa-9c23-4a31-a344-9f883b414062
Hersteller: IXYS
IXTN200N10T Transistor modules MOSFET
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IXTN210P10T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797949FD586272748&compId=IXTN210P10T.pdf?ci_sign=c7eaa6ff621298b381d20e5aabc3375642501283
IXTN210P10T
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -100V; -210A; SOT227B; screw; Idm: -800A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -800A
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 830W
Electrical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Technology: TrenchP™
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN22N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA743238E52B820&compId=IXTN22N100L.pdf?ci_sign=bd0f90a435af556a9c7a240091db1d3ed3d343fd
IXTN22N100L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 22A; SOT227B; screw; Idm: 50A; 700W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 700W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.6Ω
Gate charge: 0.27µC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Reverse recovery time: 1µs
Technology: Linear™
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN240N075L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn240n075_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN240N075L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN30N100L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99FA762DDC51FD820&compId=IXTN30N100L.pdf?ci_sign=1267cd27b10289fdcc054aa2d6c82d9805b1b00e
IXTN30N100L
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 70A; 800W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 800W
Technology: Linear™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 1µs
Gate-source voltage: ±40V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTN32P60P DS99991(IXTN32P60P).pdf
Hersteller: IXYS
IXTN32P60P Transistor modules MOSFET
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IXTN40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
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IXTN46N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn46n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN46N50L Transistor modules MOSFET
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IXTN550N055T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8C3A24CD3A38BF&compId=IXTN550N055T2.pdf?ci_sign=2324e5fc4b6c33e3b1310d090cd76dd431fc6848
IXTN550N055T2
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 55V; 550A; SOT227B; screw; Idm: 1.65kA
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Pulsed drain current: 1.65kA
Power dissipation: 940W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate charge: 595nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN600N04T2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtn600n04t2-datasheet?assetguid=ce9fe6c5-553e-48d1-b7ff-931b370a3ea5
Hersteller: IXYS
IXTN600N04T2 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN60N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn60n50_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN60N50L2 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN62N50L littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixtn62n50l_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTN62N50L Transistor modules MOSFET
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IXTN80N30L2
Hersteller: IXYS
IXTN80N30L2 Transistor modules MOSFET
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IXTN8N150L
Hersteller: IXYS
IXTN8N150L Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90N25L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtn90n25-datasheet?assetguid=22138b57-480b-473e-a2e8-a7af15dabfda
Hersteller: IXYS
IXTN90N25L2 Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTN90P20P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7979492C3F64C2748&compId=IXTN90P20P.pdf?ci_sign=a8e50718a247f46e2906074292bba4b1736a5cc4
IXTN90P20P
Hersteller: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -270A
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 205nC
Reverse recovery time: 315ns
On-state resistance: 44mΩ
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: PolarP™
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 890W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP01N100D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389C7B8E6A07820&compId=IXTP(Y)01N100D.pdf?ci_sign=15922f911bd95ebe5bb5b025278134f6086945cf
IXTP01N100D
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.52 EUR
12+6.19 EUR
13+5.86 EUR
50+5.65 EUR
100+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0
Hersteller: IXYS
IXTP02N120P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP02N50D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n50d-datasheet?assetguid=034fffd1-528e-4165-a830-650adaa583e5
Hersteller: IXYS
IXTP02N50D THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389CFC3007D5820&compId=IXTA(P)05N100_HV.pdf?ci_sign=7a5ec5e1cee1b6c6154e445efc3fb4608695a56f
IXTP05N100
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO220AB; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100M pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F971B495AF820&compId=IXTP05N100M.pdf?ci_sign=22dedd1505f2893fd7c4f30fd914ac61d85a74fc
IXTP05N100M
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP05N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12CB820&compId=IXTP05N100P.pdf?ci_sign=d4781f4c3352d29dcd458ddadab27f78de1e370d
IXTP05N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.5A; 50W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP06N120P IXTP06N120P%2CIXTA06N120P.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP06N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D5010345B820&compId=IXTA(P%2CY)08N100D2.pdf?ci_sign=ff8d8aff111d8414478644545169c45d10c4ed47
IXTP08N100D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 325nC
On-state resistance: 21Ω
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: depletion
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
100+1.96 EUR
250+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N100P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a
IXTP08N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 750ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
29+2.5 EUR
39+1.86 EUR
41+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N120P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n120p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
IXTP08N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP08N50D2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389DDEB1D445820&compId=IXTA(P%2CY)08N50D2.pdf?ci_sign=d92cfc0f9209a370f1a625c4b843304b6b0d742c
IXTP08N50D2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
100+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP100N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003
IXTP100N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Reverse recovery time: 34ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.26 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
500+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP102N15T DS99661B(IXTA-TH-TP-TQ102N15T).pdf
Hersteller: IXYS
IXTP102N15T THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9752F12F7820&compId=IXTP10N60P.pdf?ci_sign=c8a5cd7138ab74dee443f89a317f173a43bfad11
IXTP10N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 32nC
Reverse recovery time: 0.5µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P15T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af
IXTP10P15T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.97 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP10P50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e
IXTP10P50P
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 414ns
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 300W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.94 EUR
14+5.32 EUR
15+5.03 EUR
50+4.93 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP110N055T2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-110n055t2-datasheet?assetguid=21c020da-ce9b-49ec-a4f7-c30b99262b3a
Hersteller: IXYS
IXTP110N055T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
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IXTP120N04T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA2CF46A37D820&compId=IXTA(P)120N04T2.pdf?ci_sign=9781234723d86244a767988de041b1dde0e2fcc1
IXTP120N04T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO220AB; 35ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 35ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 6.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTP120N075T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BA3439A5B43820&compId=IXTA(P)120N075T2.pdf?ci_sign=a989206584ccedc296376c463764890b543910ce
IXTP120N075T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO220AB; 50ns
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 50ns
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTP120P065T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7
IXTP120P065T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 262 Stücke:
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IXTP12N50P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9064110E047E27&compId=IXTA12N50P-DTE.pdf?ci_sign=283ea5972ce70f5ced4481379f8bf7204f8751a8
IXTP12N50P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
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