Suchergebnisse für "irf1" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ohne MwSt
IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Produktcode: 72223 		IR irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT
verfügbar: 51 Stück
5 Stück - stock Köln
46 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.68 EUR
10+ 0.64 EUR
IRF1010NPBF IRF1010NPBF
Produktcode: 26804 		IR irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
JHGF: THT
verfügbar: 13 Stück
12 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.76 EUR
10+ 0.72 EUR
IRF1018EPBF IRF1018EPBF
Produktcode: 98648 		IR irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 description Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
JHGF: THT
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF1310NPBF IRF1310NPBF
Produktcode: 34256 		IR irf1310npbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
verfügbar: 225 Stück
15 Stück - stock Köln
210 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.76 EUR
IRF1404PBF IRF1404PBF
Produktcode: 31360 		IR irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
auf Bestellung 233 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 23 Stück:
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF
Produktcode: 26520 		IR IRF1404ZPBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0037
JHGF: THT
auf Bestellung 116 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.28 EUR
10+ 1.2 EUR
IRF1405PBF IRF1405PBF
Produktcode: 27155 		IR IRF1405PBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
auf Bestellung 54 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.68 EUR
10+ 1.54 EUR
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF
Produktcode: 35347 		IR irf1405zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db17fa18c1 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
JHGF: THT
verfügbar: 5 Stück
1+1.36 EUR
10+ 1.2 EUR
IRF1407PBF IRF1407PBF
Produktcode: 24062 		IR IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
verfügbar: 2 Stück
erwartet: 100 Stück
100 Stück - erwartet 22.09.2024
1+1.16 EUR
10+ 1.04 EUR
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.25 EUR
31+ 2.33 EUR
33+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.25 EUR
31+ 2.33 EUR
33+ 2.2 EUR
2000+ 2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+ 4.96 EUR
25+ 4.88 EUR
100+ 3.52 EUR
500+ 2.92 EUR
1000+ 2.87 EUR
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.29 EUR
40+ 3.65 EUR
42+ 3.35 EUR
100+ 2.6 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.85 EUR
2000+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 36
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.3 EUR
40+ 3.66 EUR
42+ 3.36 EUR
100+ 2.61 EUR
500+ 2.15 EUR
1000+ 1.86 EUR
2000+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 36
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.94 EUR
32+ 4.65 EUR
50+ 3.86 EUR
100+ 3.22 EUR
500+ 2.58 EUR
1000+ 2.27 EUR
2000+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100B202.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.26 EUR
52+ 1.39 EUR
63+ 1.14 EUR
66+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100B202.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
52+ 1.39 EUR
63+ 1.14 EUR
66+ 1.09 EUR
2000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies Infineon_IRF100B202_DataSheet_v01_01_EN-3362964.pdf MOSFETs N
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.1 EUR
10+ 2.57 EUR
100+ 2.04 EUR
250+ 1.88 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.47 EUR
2000+ 1.4 EUR
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.3 EUR
127+ 1.15 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 117
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.62 EUR
117+ 1.26 EUR
127+ 1.11 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 94
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.47 EUR
104+ 1.36 EUR
200+ 1.28 EUR
1000+ 1.23 EUR
2000+ 1.17 EUR
3000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 103
IRF100P218 Infineon Technologies IRF100P218
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.24 EUR
25+ 11.26 EUR
50+ 10.41 EUR
100+ 9.65 EUR
250+ 8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF100P218_DataSheet_v02_01_EN-2324328.pdf MOSFETs N
auf Bestellung 3222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.66 EUR
10+ 10.42 EUR
100+ 7.73 EUR
400+ 7.32 EUR
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies infineon-irf100p218-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 105200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 400
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies infineon-irf100p218-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14 EUR
16+ 9.46 EUR
50+ 8.93 EUR
100+ 8.56 EUR
200+ 8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 INFINEON 3179316.pdf Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF100P219_DataSheet_v02_01_EN-2324341.pdf MOSFETs N
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.74 EUR
10+ 9.42 EUR
25+ 9.33 EUR
100+ 6.93 EUR
400+ 6.92 EUR
1200+ 6.74 EUR
2800+ 6.42 EUR
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+6.61 EUR
25+ 5.66 EUR
50+ 5.42 EUR
100+ 5.12 EUR
250+ 4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 23
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 INFINEON 3179317.pdf Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.0014 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 26
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.02 EUR
10+ 4.82 EUR
25+ 4.56 EUR
100+ 3.47 EUR
800+ 2.8 EUR
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.08 EUR
36+ 4.09 EUR
37+ 3.87 EUR
100+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.08 EUR
36+ 4.09 EUR
37+ 3.87 EUR
100+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF100S201 IRF100S201 INFINEON INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1600+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1600
IRF100S201 IRF100S201 INFINEON INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.46 EUR
57+ 1.27 EUR
99+ 0.73 EUR
104+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
57+ 1.27 EUR
99+ 0.73 EUR
104+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+ 1.69 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 1.01 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.23 EUR
151+ 0.97 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.76 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 123
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.24 EUR
150+ 0.97 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.77 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 123
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF ROCHESTER ELECTRONICS irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1010EPBF - IRF1010E 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.63 EUR
100+ 1.5 EUR
250+ 1.39 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 93
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.01 EUR
172+ 0.85 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 150
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.01 EUR
172+ 0.85 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 150
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
217+0.7 EUR
218+ 0.67 EUR
219+ 0.64 EUR
500+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 217
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF
Produktcode: 72223		 description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT
verfügbar: 51 Stück
5 Stück - stock Köln
46 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.68 EUR
10+ 0.64 EUR
IRF1010NPBF
Produktcode: 26804		 description irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
IRF1010NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
JHGF: THT
verfügbar: 13 Stück
12 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.76 EUR
10+ 0.72 EUR
IRF1018EPBF
Produktcode: 98648		 description irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
IRF1018EPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
JHGF: THT
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF1310NPBF
Produktcode: 34256		 irf1310npbf-datasheet.pdf
IRF1310NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
verfügbar: 225 Stück
15 Stück - stock Köln
210 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.76 EUR
IRF1404PBF
Produktcode: 31360		 irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
auf Bestellung 233 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 23 Stück:
IRF1404ZPBF
Produktcode: 26520		 IRF1404ZPBF.pdf
IRF1404ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0037
JHGF: THT
auf Bestellung 116 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.28 EUR
10+ 1.2 EUR
IRF1405PBF
Produktcode: 27155		 IRF1405PBF.pdf
IRF1405PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
auf Bestellung 54 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.68 EUR
10+ 1.54 EUR
IRF1405ZPBF
Produktcode: 35347		 irf1405zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db17fa18c1
IRF1405ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
JHGF: THT
verfügbar: 5 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.36 EUR
10+ 1.2 EUR
IRF1407PBF
Produktcode: 24062		 description IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8
IRF1407PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
verfügbar: 2 Stück
erwartet: 100 Stück
100 Stück - erwartet 22.09.2024
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.16 EUR
10+ 1.04 EUR
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+4.25 EUR
31+ 2.33 EUR
33+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+4.25 EUR
31+ 2.33 EUR
33+ 2.2 EUR
2000+ 2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRF100B201 Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.81 EUR
10+ 4.96 EUR
25+ 4.88 EUR
100+ 3.52 EUR
500+ 2.92 EUR
1000+ 2.87 EUR
IRF100B201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
36+4.29 EUR
40+ 3.65 EUR
42+ 3.35 EUR
100+ 2.6 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.85 EUR
2000+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 36
IRF100B201 IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100B201
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100B201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
36+4.3 EUR
40+ 3.66 EUR
42+ 3.36 EUR
100+ 2.61 EUR
500+ 2.15 EUR
1000+ 1.86 EUR
2000+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 36
IRF100B201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+7.94 EUR
32+ 4.65 EUR
50+ 3.86 EUR
100+ 3.22 EUR
500+ 2.58 EUR
1000+ 2.27 EUR
2000+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF100B202 IRF100B202.pdf
IRF100B202
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+2.26 EUR
52+ 1.39 EUR
63+ 1.14 EUR
66+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRF100B202 IRF100B202.pdf
IRF100B202
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+2.26 EUR
52+ 1.39 EUR
63+ 1.14 EUR
66+ 1.09 EUR
2000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRF100B202 Infineon_IRF100B202_DataSheet_v01_01_EN-3362964.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
auf Bestellung 2208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.1 EUR
10+ 2.57 EUR
100+ 2.04 EUR
250+ 1.88 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.47 EUR
2000+ 1.4 EUR
IRF100B202 INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100B202
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100B202 infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
117+1.3 EUR
127+ 1.15 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 117
IRF100B202 infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
94+1.62 EUR
117+ 1.26 EUR
127+ 1.11 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 94
IRF100B202 infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
103+1.47 EUR
104+ 1.36 EUR
200+ 1.28 EUR
1000+ 1.23 EUR
2000+ 1.17 EUR
3000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 103
IRF100P218
Hersteller: Infineon Technologies
IRF100P218
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+12.24 EUR
25+ 11.26 EUR
50+ 10.41 EUR
100+ 9.65 EUR
250+ 8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF100P218AKMA1 Infineon_IRF100P218_DataSheet_v02_01_EN-2324328.pdf
IRF100P218AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
auf Bestellung 3222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+14.66 EUR
10+ 10.42 EUR
100+ 7.73 EUR
400+ 7.32 EUR
IRF100P218AKMA1 infineon-irf100p218-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF100P218AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 105200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
400+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 400
IRF100P218AKMA1 infineon-irf100p218-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF100P218AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+14 EUR
16+ 9.46 EUR
50+ 8.93 EUR
100+ 8.56 EUR
200+ 8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRF100P218AKMA1 3179316.pdf
IRF100P218AKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 0.0011 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100P219AKMA1 Infineon_IRF100P219_DataSheet_v02_01_EN-2324341.pdf
IRF100P219AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+12.74 EUR
10+ 9.42 EUR
25+ 9.33 EUR
100+ 6.93 EUR
400+ 6.92 EUR
1200+ 6.74 EUR
2800+ 6.42 EUR
IRF100P219AKMA1 infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF100P219AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+6.61 EUR
25+ 5.66 EUR
50+ 5.42 EUR
100+ 5.12 EUR
250+ 4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 23
IRF100P219AKMA1 3179317.pdf
IRF100P219AKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.0014 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100P219AKMA1 infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF100P219AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF100P219AKMA1 infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF100P219AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 26
IRF100S201 Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.02 EUR
10+ 4.82 EUR
25+ 4.56 EUR
100+ 3.47 EUR
800+ 2.8 EUR
IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+5.08 EUR
36+ 4.09 EUR
37+ 3.87 EUR
100+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+5.08 EUR
36+ 4.09 EUR
37+ 3.87 EUR
100+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 30
IRF100S201 INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100S201
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1600+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1600
IRF100S201 INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100S201
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010E
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.46 EUR
57+ 1.27 EUR
99+ 0.73 EUR
104+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.46 EUR
57+ 1.27 EUR
99+ 0.73 EUR
104+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF1010EPBF description Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.9 EUR
10+ 1.69 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 1.01 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
123+1.23 EUR
151+ 0.97 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.76 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 123
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
123+1.24 EUR
150+ 0.97 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.77 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 123
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1010EPBF - IRF1010E 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
93+1.63 EUR
100+ 1.5 EUR
250+ 1.39 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 93
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
150+1.01 EUR
172+ 0.85 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 150
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
150+1.01 EUR
172+ 0.85 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 150
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
217+0.7 EUR
218+ 0.67 EUR
219+ 0.64 EUR
500+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 217
IRF1010EPBF description IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1022 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]