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IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	4.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUT300N08S5N011ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 410A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF

auf Bestellung 1870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	10.81 EUR
25+	10.2 EUR
50+	9.59 EUR
100+	9.07 EUR
250+	8.65 EUR
500+	8.29 EUR
1000+	7.9 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

Opti MOS-5 Power Transistor

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	3.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.75 EUR
50+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

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IAUT300N08S5N012ATMA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 178nC

auf Bestellung 1994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	5.97 EUR
17+	5.15 EUR
100+	4.56 EUR
500+	4.08 EUR
1000+	3.81 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 30632 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.97 EUR
500+	5.31 EUR
1000+	5.14 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

auf Bestellung 3091 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.72 EUR
10+	7.18 EUR
100+	5.15 EUR
500+	4.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 82775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

140+	4.68 EUR
500+	4.36 EUR
1000+	4.02 EUR
10000+	3.71 EUR

Mindestbestellmenge: 140 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	6.28 EUR
34+	4.76 EUR
100+	3.8 EUR
250+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4810 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.75 EUR
50+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 30632 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.67 EUR
50+	8.91 EUR
100+	5.97 EUR
500+	5.31 EUR
1000+	5.14 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive

auf Bestellung 3091 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUT300N08S5N012ATMA2

MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Транзистори

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 258725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

140+	4.68 EUR
500+	4.36 EUR
1000+	4.02 EUR
10000+	3.71 EUR

Mindestbestellmenge: 140 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	6.28 EUR
34+	4.94 EUR
100+	4.01 EUR
250+	3.8 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V,120V(

auf Bestellung 12999 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.5 EUR
10+	7.75 EUR
100+	5.7 EUR
500+	5.13 EUR
1000+	4.69 EUR
2000+	4.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014

Infineon Technologies

Infineon MOSFET_(75V 120V(

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IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

auf Bestellung 396 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	4.28 EUR

Mindestbestellmenge: 153 Stücke

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IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 3522 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.21 EUR
10+	6.14 EUR
100+	4.38 EUR
500+	4.19 EUR
2000+	3.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

auf Bestellung 53919 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	4.28 EUR
500+	3.99 EUR
1000+	3.69 EUR
10000+	3.4 EUR

Mindestbestellmenge: 153 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5706 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	5.03 EUR
500+	4.82 EUR
1000+	4.74 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3224 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.09 EUR
10+	6.71 EUR
100+	4.78 EUR
500+	4.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

auf Bestellung 1930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	8.09 EUR
50+	5.78 EUR
100+	5.4 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

auf Bestellung 1521 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	5.59 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 300W
Gate charge: 60nC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

auf Bestellung 104781 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	4.28 EUR
500+	3.99 EUR
1000+	3.69 EUR
10000+	3.4 EUR

Mindestbestellmenge: 153 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 5706 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	11.92 EUR
32+	7.31 EUR
100+	5.03 EUR
500+	4.82 EUR
1000+	4.74 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (DC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1938 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	14.04 EUR
25+	9.38 EUR
100+	6.26 EUR
500+	6.24 EUR
1000+	6.05 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	4.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUT300N10S5N014ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Pulsed drain current: 1315A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 216nC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUT300N10S5N014ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1938 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	6.26 EUR
500+	6.24 EUR
1000+	6.05 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 11893 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.9 EUR
10+	7.97 EUR
100+	5.75 EUR
500+	5.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUT300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 1886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.85 EUR
10+	7.79 EUR
100+	5.65 EUR
500+	5.18 EUR
2000+	4.88 EUR

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IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 894 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	5.15 EUR
500+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 127 Stücke

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 419 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	14.2 EUR
50+	8.54 EUR
100+	6.02 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	9.45 EUR
50+	6.74 EUR
100+	6.3 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 213528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	5.15 EUR
500+	4.8 EUR
1000+	4.44 EUR
10000+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 127 Stücke

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1821 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

127+	5.15 EUR
500+	4.8 EUR
1000+	4.44 EUR

Mindestbestellmenge: 127 Stücke

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 419 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	6.02 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16011 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 272 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.5 EUR
10+	7.68 EUR
100+	5.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 7294 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.21 EUR
10+	7.91 EUR
100+	6.24 EUR
500+	5.3 EUR
1000+	4.82 EUR
2000+	4.52 EUR
4000+	4.41 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N10S5N015ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Power dissipation: 375W
Gate charge: 68nC

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	3.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 733 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	6.49 EUR
500+	6.27 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	4.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 2503 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.17 EUR
10+	8.19 EUR
100+	5.93 EUR
500+	5.53 EUR
1000+	5.24 EUR
2000+	5.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 22000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	5.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	7.18 EUR
28+	5.8 EUR
100+	4.63 EUR
250+	4.43 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 510A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	7.18 EUR
28+	6.02 EUR
100+	4.89 EUR
250+	4.8 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 650 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 733 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.15 EUR
24+	9.7 EUR
100+	6.49 EUR
500+	6.27 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.39 EUR
10+	7.52 EUR
100+	5.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 1599 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.32 EUR
10+	8.73 EUR
100+	6.95 EUR
500+	6.24 EUR
1000+	5.7 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	9.45 EUR
21+	8.02 EUR
25+	7.51 EUR
100+	6.31 EUR
250+	5.91 EUR
500+	5.27 EUR
1000+	4.59 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1032 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	6.47 EUR
500+	6.37 EUR
1000+	5.87 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.9 EUR
10+	6.72 EUR
100+	5.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 25200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	6.77 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 504 A, 640 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 504A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1032 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	10.95 EUR
30+	7.82 EUR
100+	6.47 EUR
500+	6.37 EUR
1000+	5.87 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 504A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.84 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.31 EUR
22+	10.77 EUR
100+	7.71 EUR
500+	7.09 EUR
1000+	6.43 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Ta), 350A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 275µA

auf Bestellung 2648 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.36 EUR
10+	9.72 EUR
100+	7.09 EUR
500+	6.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 2336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.52 EUR
10+	9.72 EUR
100+	7.52 EUR
500+	6.94 EUR
1000+	6.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

auf Bestellung 21600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1800+	8.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN06S5N008TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 503 A, 630 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 503A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 630µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.31 EUR
22+	10.77 EUR
100+	7.71 EUR
500+	7.09 EUR
1000+	6.43 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20280 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Ta), 350A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 275µA

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	5.59 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN06S5N008TATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 503A Automotive 16-Pin HDSOP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

auf Bestellung 2323 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.91 EUR
10+	8.02 EUR
100+	5.78 EUR
500+	5.38 EUR
1000+	5.19 EUR
2000+	5.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Tray
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN08S5N012LATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1981 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.86 EUR
10+	8.29 EUR
25+	7.65 EUR
100+	6.95 EUR
250+	6.62 EUR
500+	6.41 EUR
1000+	6.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN08S7N007ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 TOLL Automotive Power MOSFET, 80 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

auf Bestellung 9535 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.76 EUR
10+	9.2 EUR
100+	6.76 EUR
500+	6.26 EUR
1000+	5.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 358W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm

auf Bestellung 1792 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.42 EUR
23+	10.21 EUR
100+	6.91 EUR
500+	6.4 EUR
1000+	6 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N017ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 408 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.15 EUR
10+	8.9 EUR
100+	6.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N017ATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N017ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 314 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 314A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 358W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm

auf Bestellung 1792 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	16.42 EUR
23+	10.21 EUR
100+	6.91 EUR
500+	6.4 EUR
1000+	6 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N018GATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

auf Bestellung 1475 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.91 EUR
10+	9.72 EUR
100+	7.79 EUR
1000+	7.02 EUR
1800+	6.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N018GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.49 EUR
21+	11.33 EUR
100+	7.79 EUR
500+	7.24 EUR
1000+	7.09 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N018GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N018GATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	17.49 EUR
21+	11.33 EUR
100+	7.79 EUR
500+	7.24 EUR
1000+	7.09 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N018GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1276 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.8 EUR
10+	10.08 EUR
100+	7.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N018TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2799 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.57 EUR
10+	10.58 EUR
100+	7.76 EUR
500+	7.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N018TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 309A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1721 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.44 EUR
15+	15.48 EUR
18+	11.91 EUR
50+	11.41 EUR
100+	10.92 EUR
250+	10.31 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N018TATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	6.21 EUR

Mindestbestellmenge: 1800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N018TATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

auf Bestellung 758 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	16.02 EUR
10+	11.65 EUR
100+	9.72 EUR
500+	8.68 EUR
1000+	7.71 EUR
1800+	7.69 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IAUTN12S5N018TATMA1

Description: INFINEON - IAUTN12S5N018TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 309 A, 0.0015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 309A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1721 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	19.44 EUR
15+	15.48 EUR
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IAUTN15S6N025ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

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