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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTH130N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH130N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH130N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.91 EUR
10+21.93 EUR
120+19.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH130N20TIXYSMOSFETs 130Amps 200V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.94 EUR
10+14.52 EUR
120+12.15 EUR
510+11.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH130N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH130N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH130N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH13N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH13N110IXYSMOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH13N80IXYSMOSFETs 13 Amps 800V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH13N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140N075L2IXYSMOSFETs TO247 N-CH 75V 140A
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.1 EUR
10+46.52 EUR
120+37.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Reverse recovery time: 53ns
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±15V
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.82 EUR
8+11.75 EUR
10+9.84 EUR
30+9.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.21 EUR
30+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.28 EUR
30+9.84 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.93 EUR
30+11.25 EUR
120+9.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05TIXYSMOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.94 EUR
10+18.79 EUR
30+12.51 EUR
120+11.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 140A TO247
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.77 EUR
10+36.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10TIXYSMOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.87 EUR
10+26.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+34.71 EUR
10+29.61 EUR
50+27.14 EUR
100+24.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH140P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 400nC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH14N100IXYSMOSFETs 14 Amps 1000V 0.82 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH14N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH14N80IXYSMOSFETs 14 Amps 800V 0.7 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH150N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.97 EUR
30+17.79 EUR
120+16.74 EUR
510+15.17 EUR
1020+13.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH150N15X4IXYSMOSFETs TO247 150V 150A N-CH HIPER
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.34 EUR
10+20.5 EUR
30+15.14 EUR
120+14.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH150N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.22 EUR
10+20.79 EUR
50+13.57 EUR
100+13.24 EUR
200+13.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.62 EUR
10+18.23 EUR
25+14.96 EUR
50+14.47 EUR
100+12.57 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2
Produktcode: 193930
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.65 EUR
11+16.6 EUR
100+14.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH160N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.02 EUR
10+9.2 EUR
120+8.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.34 EUR
30+9.5 EUR
120+8 EUR
510+7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH160N10T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH160N10T. - MOSFET, N-CH, 100V, 160A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.97 EUR
25+14.66 EUR
100+9.96 EUR
250+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH160N15TIXYSMOSFETs 160Amps 150V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH160N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH160N15TIXYSTO-247
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16N10D2 - MOSFET, N-CH, 100V, 16A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2
Produktcode: 79258
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2MOSFET N-CH 100V 16A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N10D2IXYSMOSFETs N-CH 100V 16A MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N20D2IXYSMOSFETs N-CH 200V 16A MOSFET
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.91 EUR
10+29.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N20D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N20D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO247
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.91 EUR
30+26.43 EUR
120+23.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N20D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16N20D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+48.96 EUR
7+37.06 EUR
10+26.45 EUR
50+26.22 EUR
100+26 EUR
250+25.76 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N50D2MOSFET 500В 16А TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N50D2IXYSMOSFETs N-CH 500V 16A MOSFET
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.03 EUR
10+24.34 EUR
120+23.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.68 EUR
10+26.8 EUR
30+24.79 EUR
120+23 EUR
270+22.23 EUR
510+21.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16N50D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 130ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P20IXYS10+ DO-214AA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P20IXYSMOSFET -16 Amps -200V 0.22 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P20IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P60PIXYSMOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.37 EUR
10+18.05 EUR
30+16.81 EUR
60+16.09 EUR
120+15.4 EUR
270+14.64 EUR
510+13.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.98 EUR
30+14.64 EUR
120+13.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH16P60P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16P60P. - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.21 EUR
10+24.76 EUR
11+20.67 EUR
25+18.44 EUR
100+16.26 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.42 EUR
30+9.58 EUR
120+8.08 EUR
510+6.99 EUR
1020+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.8 EUR
10+12.84 EUR
120+10.58 EUR
510+9.42 EUR
1020+9.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH182N055TIXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N100IXYSMOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N170DHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
auf Bestellung 1516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.64 EUR
30+27.06 EUR
120+23.66 EUR
510+23.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N170DHVIXYSMOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.16 EUR
10+28.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3IXYSMOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH1N200P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 40
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.54 EUR
12+18.21 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.35 EUR
30+10.86 EUR
120+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N200P3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247HV
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.7 EUR
25+15.7 EUR
50+14.74 EUR
100+13.91 EUR
250+13.27 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IXTH1N200P3HVIXYSMOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.72 EUR
10+13.04 EUR
120+11.06 EUR
510+10.25 EUR
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IXTH1N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.16 EUR
30+53.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N250MOSFET, N-CH, 2500V, 1.5A, TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N250IXYSMOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds
auf Bestellung 852 Stücke:
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IXTH1N250LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH1N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 1.5 A, 40 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+100.66 EUR
5+84.74 EUR
10+69.34 EUR
50+65.18 EUR
100+60.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+70.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N300P3HVIXYSMOSFETs TO247 3KV 1A N-CH POLAR
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.4 EUR
10+55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N300P3HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 1A; 195W; TO247HV; 1.8us
Case: TO247HV
Mounting: THT
On-state resistance: 50Ω
Power dissipation: 195W
Drain-source voltage: 3kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.8µs
Drain current: 1A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 25 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH1N450HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+63.12 EUR
5+55.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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