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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SISA96DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISA96DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 8800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+1.3 EUR
276+0.84 EUR
379+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSA96DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
auf Bestellung 13112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.95 EUR
50+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiSA96DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 74432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1 EUR
10+0.7 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISB46DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 11.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISB46DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.72 EUR
142+1.63 EUR
160+1.34 EUR
500+1.05 EUR
1000+1.02 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISB46DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.8 EUR
9000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISB46DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.3A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 15.8mΩ
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 14.8W
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -16...20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISB46DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISB46DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 11.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISB46DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
142+1.63 EUR
160+1.34 EUR
500+1.05 EUR
1000+1.02 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISB46DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 17666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.9 EUR
50+1.43 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISC03N06DX1SA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISC03N06E10X1SA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISC06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISC06DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.68 EUR
100+1.31 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISC06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISC097N24DX1SA1Infineon TechnologiesSISC097N24DX1SA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 999999 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISC097N24DX1SA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISC140N60DX1SA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISC185N06LX1SA1Infineon TechnologiesDescription: TRANSISTOR P-CH BARE DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISC6,24P06Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD4112LDN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.49 EUR
100+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.01 EUR
6000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD4402DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD4604DN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD4604DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.31 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.06 EUR
3000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD4604DN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD4604LDN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
81+2.88 EUR
122+1.77 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD4604LDN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 52A
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.68 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
3000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD4604LDN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD4604LDN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
122+1.77 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD5110DN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 6050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.75 EUR
69+3.42 EUR
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD5110DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PWRPK 100V 55A
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.76 EUR
100+1.89 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD5110DN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5110DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 9500 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
auf Bestellung 6050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD5300DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+3.02 EUR
50+2.3 EUR
100+2.06 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD5300DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
109+1.96 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.39 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD5300DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD5300DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 62A
auf Bestellung 4383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD5300DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5300DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 198 A, 870 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
77+3.02 EUR
109+1.96 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.39 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD5806DN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-F
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
77+3.03 EUR
111+1.94 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.37 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISD5806DN-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SISD5806DN-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6900 µohm, PowerPAK 1212-F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
111+1.94 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.37 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF00DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
auf Bestellung 15149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.76 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.25 EUR
6000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF00DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 20600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.8 EUR
50+2.13 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF00DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.24 EUR
9000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF00DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44.4W
Gate charge: 53nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -16...20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF02DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4 EUR
99+2.37 EUR
140+1.54 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Part Status: Active
auf Bestellung 5849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.57 EUR
50+1.95 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF02DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.6mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 44.4W
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -12...16V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF02DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 2700 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
140+1.54 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF02DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET COMMON-DRAIN DUAL N-CH 25V
auf Bestellung 6795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+2.39 EUR
100+1.89 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.24 EUR
6000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF02DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF04DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 86A; Idm: 190A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
On-state resistance: 6mΩ
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 44.4W
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -12...16V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF04DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.07 EUR
3000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF04DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF04DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
91+2.57 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF06DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 30V(S1-S2)
auf Bestellung 25029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF06DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 3440 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3440µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3440µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.69 EUR
129+1.67 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF06DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 81A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6.95mΩ
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 44.4W
Gate charge: 45nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -16...20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF06DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
auf Bestellung 8004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF06DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF06DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 101 A, 101 A, 3440 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 101A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3440µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3440µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
87+2.69 EUR
129+1.67 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF12EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S
auf Bestellung 5959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.19 EUR
50+0.88 EUR
100+0.79 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF12EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF12EDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO
auf Bestellung 5855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+0.88 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.48 EUR
9000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF20DNVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF20DN-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF20DN-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R
auf Bestellung 4380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.7 EUR
347+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF20DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin PowerPAK 1212-SCD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF20DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF20DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD
auf Bestellung 3586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+3.08 EUR
100+2.15 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.77 EUR
3000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF20DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 41A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 41A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 18.5mΩ
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 44.4W
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF20DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF54DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 118A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
82+2.86 EUR
120+1.78 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.39 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF54DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISF54DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 118A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
120+1.78 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.39 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF54DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 118A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISF54DN-T1-GE3VishayMOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S2)MO
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.49 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
3000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISGM1040-284-LRTLantronix, Inc.Description: MANAGED HARDENED ETHERNET SWITCH
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12V ~ 48V
Type: Switch - Managed
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Number of Ports: 12
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Ports: 8
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 4
SFP/XFP Type: SFP
SFP/XFP Ports: 4
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1758.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISGM1040-284-LRTLantronixManaged Ethernet Switches Managed Hardened Switch, (8) 10/100/1000Base-T, (4) 100/1000 SFP
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1783.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH101DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH
auf Bestellung 48416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.29 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
3000+0.71 EUR
9000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH101DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH101DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 20318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
157+1.49 EUR
177+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH101DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
auf Bestellung 23264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
50+1.31 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH101DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 16.9A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH101DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH101DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
auf Bestellung 20658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
133+1.75 EUR
184+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH101DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.73 EUR
9000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH103DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
auf Bestellung 4692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
174+1.33 EUR
196+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH103DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.67 EUR
9000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH103DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
auf Bestellung 4692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
174+1.33 EUR
196+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH103DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 9284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.19 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.81 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH103DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
auf Bestellung 10479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.57 EUR
13+1.63 EUR
50+1.21 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH106DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 1212-8SH
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.78 EUR
100+1.92 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
3000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH106DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH106DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15.6A; Idm: 60A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH106DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 5606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+2.82 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH107DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 11766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.39 EUR
50+1.02 EUR
100+0.92 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH107DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.56 EUR
9000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH107DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8SH, 14 mohm a. 10V, 25.1 mohm a. 4.5V
auf Bestellung 11768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+1.27 EUR
100+0.87 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH108DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 5871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
41+0.52 EUR
100+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH108DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8SH
auf Bestellung 5175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.31 EUR
10+1.14 EUR
100+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
9000+0.58 EUR
24000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH108DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH