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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RGTV60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTV60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.21 EUR
10+8.57 EUR
100+6.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.94 EUR
10+9.81 EUR
25+9.27 EUR
120+8.03 EUR
360+7.62 EUR
600+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV60TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTV60TS65DGC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.9 EUR
22+10.58 EUR
100+7.9 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV60TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTV60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 194
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV60TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+4.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV60TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 64 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
30+3.05 EUR
120+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.29 EUR
10+6.81 EUR
100+5.51 EUR
600+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 30
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/105ns
Switching Energy: 570µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 194 W
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.68 EUR
10+7.78 EUR
25+7.37 EUR
120+6.38 EUR
360+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV60TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTV60TS65GC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.38 EUR
28+8.4 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.46 EUR
30+4.68 EUR
120+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TK65DGVC11 - IGBT, 39 A, 1.85 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 85W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.22 EUR
20+11.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.58 EUR
10+9.07 EUR
100+7.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.51 EUR
10+5.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 85 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Part Status: Active
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.43 EUR
30+4.36 EUR
120+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TK65GVC11 - IGBT, 39 A, 1.5 V, 85 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 39A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.43 EUR
10+8.33 EUR
100+7.02 EUR
450+5.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.06 EUR
30+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65DGC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.61 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.22 EUR
10+9.87 EUR
100+7.98 EUR
600+7.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.42 EUR
28+8.45 EUR
100+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.02 EUR
10+6.85 EUR
100+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 78A TO-247N
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Gate Charge: 81 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
30+3.2 EUR
120+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTV80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 234W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.04 EUR
34+6.87 EUR
100+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTV80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.86 EUR
10+7.6 EUR
100+6.15 EUR
600+5.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 60A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.18 EUR
10+13.72 EUR
30+13.09 EUR
120+11.35 EUR
510+9.89 EUR
1020+8.71 EUR
2520+8.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N
Packaging: Tube
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.1 EUR
30+9.45 EUR
120+7.98 EUR
510+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTVX2TS65DGC11 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 111A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.81 EUR
16+14.88 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 60A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.34 EUR
10+11.9 EUR
100+9.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247GE
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.15 EUR
10+11.04 EUR
120+8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX2TS65DGC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.72 EUR
14+17.42 EUR
16+13.55 EUR
50+12.42 EUR
100+11.29 EUR
250+11.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 60A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+5.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO-247N
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.87 EUR
30+3.76 EUR
120+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.11 EUR
10+9.81 EUR
100+7.91 EUR
600+7.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX2TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 111A TO247GE
Power - Max: 319 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 111 A
Gate Charge: 123 nC
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.08mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247GE
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.04 EUR
10+8.83 EUR
120+6.31 EUR
600+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RGTVX2TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX2TS65GC13 - IGBT, 111 A, 1.5 V, 319 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 111A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.45 EUR
20+12.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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RGTVX6TS65D
Produktcode: 190074
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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RGTVX6TS65DROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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RGTVX6TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 2s Short-Circuit Tolerance, 650V 80A, Built in FRD, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGTVX6TS65DGC11 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.24 EUR
16+15.24 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.06 EUR
25+9.48 EUR
50+8.92 EUR
100+8.44 EUR
250+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 171 nC
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.71 EUR
10+11.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.98 EUR
16+10.78 EUR
50+9.35 EUR
100+8.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX6TS65DGC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.02 EUR
14+17.36 EUR
17+13.17 EUR
50+12.13 EUR
100+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.77 EUR
25+11.1 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: 2S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A
Power - Max: 404 W
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.46 EUR
10+11.51 EUR
25+10.22 EUR
120+9.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 144A 404W 3-Pin(3+Tab) TO-247GE
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.79 EUR
14+12.51 EUR
25+11.53 EUR
50+10.6 EUR
100+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tol 650V 80A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.18 EUR
10+14.22 EUR
100+11.85 EUR
600+10.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Gate Charge: 171 nC
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.85 EUR
30+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.71 EUR
10+8.57 EUR
100+7.81 EUR
450+7.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65GC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 202W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 202W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 320A
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 298ns
Turn-on time: 83ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 80A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+11.44 EUR
25+10.36 EUR
100+9.53 EUR
250+8.96 EUR
600+8.4 EUR
1200+7.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGTVX6TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGTVX6TS65GC13 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 144A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.34 EUR
15+15.53 EUR
18+12.08 EUR
50+11.08 EUR
100+10.07 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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