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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SICW025N065H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H-BPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SICW025N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 86 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247AB
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.78 EUR
7+35.02 EUR
10+27.95 EUR
50+25.62 EUR
100+23.29 EUR
250+22.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.86 EUR
10+23.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H4-BPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SICW025N120H4-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 86 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+43.16 EUR
7+35.3 EUR
10+28.17 EUR
50+25.83 EUR
100+23.48 EUR
250+23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.07 EUR
10+23.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120Y-BPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SICW025N120Y-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247AB
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 365W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.71 EUR
7+36.78 EUR
10+28.66 EUR
50+26.29 EUR
100+23.88 EUR
250+23.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120Y-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 800 V
Packaging: Tube
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.58 EUR
10+22.35 EUR
360+15.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW025N120Y-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW028N120A4-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 1200 V 80A TO247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 16V, 20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.74 EUR
10+33.51 EUR
25+30.06 EUR
100+28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW028N120A4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.83 EUR
10+30.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW030N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFETS,TO-247AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW030N120H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC MOSFETS,TO-247AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW030N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFETS,TO-247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW030N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC MOSFETS,TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW040N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.34 EUR
10+16.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW040N120H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW040N120H-BPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SICW040N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, TO-247AB
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.89 EUR
10+23.6 EUR
12+17.93 EUR
50+16.45 EUR
100+14.95 EUR
250+14.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW040N120H4-BPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SICW040N120H4-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.14 EUR
10+23.81 EUR
12+18.1 EUR
50+16.6 EUR
100+15.08 EUR
250+14.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW040N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.5 EUR
10+16.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW040N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW04B08-C30Panduit CorpDescription: SNAP-IN-CLIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW04B08-C30PanduitCable Mounting & Accessories Snap-In-Clip
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW04B08-M30Panduit CorpDescription: SNAP-IN-CLIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW04B08-M30PanduitCable Mounting & Accessories Snap-In-Clip
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW04B08-VM30Panduit CorpDescription: SNAP-IN-CLIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW04B08-VM30PanduitCable Mounting & Accessories Snap-In-Clip
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW050N065H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW050N065H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW050N065H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW050N065H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW060N065H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFETS,TO-247AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW060N065H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC MOSFETS,TO-247AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW060N065H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFETS,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW060N065H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC MOSFETS,TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW060N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SICFET N-CH 1200V 44.5A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW060N120H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW060N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SICFET N-CH 1200V 44.5A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW060N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW06A10-C30Panduit CorpDescription: SNAP-IN-CLIP
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW06A10-C30PanduitCable Mounting & Accessories Snap-In-Clip
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW06A10-M30Panduit CorpDescription: SNAP-IN-CLIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW06A10-M30PanduitCable Mounting & Accessories Snap-In-Clip
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW080N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2644 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW080N120H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW080N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2644 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW080N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW080N120Y-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW080N120Y-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW080N120Y4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.32 EUR
10+20.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW080N120Y4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW1000N170A-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32Ohm @ 1.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.08 EUR
10+12.44 EUR
360+8.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW1000N170A-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW100N065H-BPMicro Commercial CoDescription: SIC MOSFET,TO-247AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW100N065H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW100N065H4-BPMicro Commercial CoDescription: SIC MOSFET,TO-247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW100N065H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW10120DG4J-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC SCHOTTKY DIODE,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW10120DG4J-BPMicro Commercial Components (MCC)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW120N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW120N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW120N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW20C065Diotec SemiconductorSiC Schottky Diodes
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.86 EUR
10+10.85 EUR
120+6.5 EUR
510+4.96 EUR
1020+4.84 EUR
2520+4.44 EUR
5010+4.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW20C065DIOTECDescription: DIOTEC - SICW20C065 - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW20C120Diotec SemiconductorDescription: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.64 EUR
10+23.48 EUR
100+20.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW20C120Diotec SemiconductorSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 20A
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.36 EUR
10+11.08 EUR
120+10.28 EUR
510+5.65 EUR
1020+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW20C120DIOTECDescription: DIOTEC - SICW20C120 - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 41 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+21.88 EUR
12+19.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW20C120DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+13.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW280N120A-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 1200V 10A TO247AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 16V, 20V
Vgs (Max): +22V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW280N120A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW30120DG4J-BPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SICW30120DG4J-BP - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 118 A, 118 nC, TO-247AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AB
Kapazitive Gesamtladung: 118nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 118A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.39 EUR
10+23.35 EUR
12+18.25 EUR
50+15.83 EUR
100+13.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW400N170A-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 1700V 6A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 16V, 20V
Vgs (Max): +25V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 1000 V
auf Bestellung 1758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.89 EUR
10+13.7 EUR
100+10.6 EUR
500+9.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW400N170A-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.49 EUR
10+14.43 EUR
100+11.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SICW40C120DIOTECDescription: DIOTEC - SICW40C120 - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 80 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 80nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+55.5 EUR
6+46.16 EUR
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SICW40C120Diotec SemiconductorSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 40A
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SICWT5065G5M-BPMicro Commercial Components (MCC)Schottky Diodes & Rectifiers
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SICWT5065G5M-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC SCHOTTKY DIODE,TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 93A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
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