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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SQJB04ELP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB04ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB04ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.55 EUR
112+2.08 EUR
169+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB04ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.75 EUR
6000+0.7 EUR
9000+0.68 EUR
15000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB04ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.55 EUR
100+1.08 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB40EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB40EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
12+1.76 EUR
100+1.37 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB40EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.89 EUR
6000+0.84 EUR
9000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB40EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 8634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
3000+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB40EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.99 EUR
9000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB40EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB40EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
78+3 EUR
121+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB40EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
50+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB40EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB40EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6300 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6300µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6300µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
121+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB42EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB42EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0079 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0079ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0079ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 19795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
103+2.25 EUR
132+1.63 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB42EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB42EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB42EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 7900 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 18990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
91+2.57 EUR
134+1.61 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.21 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB42EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Channel 40V PowerPAK
auf Bestellung 31160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.95 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.92 EUR
6000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB42EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
11+1.94 EUR
100+1.51 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB44EP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 2045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.58 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1 EUR
24000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB44EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB44EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
126+1.7 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB44EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB44EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB44EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 30 A, 4100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4100µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
85+2.74 EUR
126+1.7 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB44EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 11385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.43 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.18 EUR
6000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46ELP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46ELP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB46ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 39861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.87 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1 EUR
3000+0.92 EUR
6000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB46ELP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 34W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB46EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 3007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB46EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB46EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
12+1.8 EUR
100+1.4 EUR
500+1.19 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB48EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB48EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+2.43 EUR
100+1.88 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
3000+1.26 EUR
6000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB48EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
10+2.34 EUR
100+1.82 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB48EP-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.58 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.18 EUR
3000+1 EUR
24000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EPVishay SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.45 EUR
50+1.84 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB60EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
100+2.32 EUR
133+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB60EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.32 EUR
133+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 13969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2.12 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.99 EUR
6000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EP-T1_GE3 Transistor
Produktcode: 199743
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB60EP-T2_GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSF
auf Bestellung 7816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
3000+0.69 EUR
6000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.84 EUR
10+1.65 EUR
100+1.29 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.79 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 17068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
15+1.49 EUR
100+1.17 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0765ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
114+2.03 EUR
158+1.36 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.82 EUR
6000+0.75 EUR
12000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.75 EUR
6000+0.71 EUR
9000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.49 EUR
118+1.45 EUR
119+1.4 EUR
153+1.06 EUR
250+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.67 EUR
116+1.43 EUR
118+1.37 EUR
119+1.3 EUR
153+0.96 EUR
250+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB68EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB68EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0765 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0765ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0765ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
113+2.07 EUR
156+1.38 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.89 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB70EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
13+1.63 EUR
100+1.27 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB70EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB70EP-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 9W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Case: PowerPAK® SO8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB70EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 27783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.42 EUR
100+1.07 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.69 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
12+1.8 EUR
100+1.39 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.99 EUR
9000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
103+2.26 EUR
131+1.64 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 82591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.03 EUR
10+2.12 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.92 EUR
6000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
103+2.26 EUR
131+1.64 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 31480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.31 EUR
50+1.74 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB90EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB90EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB90EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB90EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 26289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+1.82 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.25 EUR
9000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB90EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB90EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ100E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.25 EUR
10+4.77 EUR
100+3.36 EUR
500+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ100E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 13785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.75 EUR
10+3.94 EUR
100+3.58 EUR
500+3.01 EUR
2000+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ100E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ100E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ100E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 900 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ100EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ100EL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ100EL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.91 EUR
10+5.19 EUR
100+3.88 EUR
500+3.25 EUR
1000+3.06 EUR
2000+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ112E-T1-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ112E-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 11154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+5.46 EUR
100+3.92 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.5 EUR
2000+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ112E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ112E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 296 A, 0.0021 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 296A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.07 EUR
35+6.71 EUR
100+4.52 EUR
500+4.2 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ112E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ112E-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.69 EUR
10+5.89 EUR
100+4.25 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ112E-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ112E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 296 A, 0.0021 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 296A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.52 EUR
500+4.2 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ112ER-T1-XVishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ112ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ112ER-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 4683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.26 EUR
10+6.14 EUR
100+4.38 EUR
500+3.83 EUR
2000+3.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ112ER-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 296A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.59 EUR
10+6.35 EUR
100+4.52 EUR
500+3.74 EUR
1000+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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