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MMIP12W12F00830Amphenol PositronicPower to the Board
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MMIP31W6M00820Amphenol PositronicPower to the Board
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MMIP31W6M400A1/AAAmphenol PositronicPower to the Board
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MMIQ-0205HSM-2Marki MicrowaveRF Mixer The MMIQ-0205HSM is a miniaturized, surface-mount multi-octave 1.75-5.0 GHz IQ mixer. It features matched double balanced mixers connected with an integrated LO hybrid and RF power divider. It can be used for either upconversion or downconversion
auf Bestellung 14 Stücke:
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MMIQ-0218HSM-2Marki MicrowaveRF Mixer A broadband passive GaAs MMIC IQ mixer that operates across an unrivaled 2-18 GHz RF/LO band with an IF from DC to 3 GHz. Excellent phase and amplitude balance of the on-chip LO quadrature hybrid leads to typical image rejection of 35 dB.
auf Bestellung 23 Stücke:
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1+985.39 EUR
5+806.21 EUR
10+682.2 EUR
25+620.19 EUR
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MMIQ-0218LSM-2Marki MicrowaveRF Mixer The MMIQ-0218LSM is a broadband passive GaAs MMIC IQ mixer that operates across an unrivaled 2-18 GHz RF/LO band with an IF from DC to 3 GHz.
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MMIQ-0218LXPCMarki MicrowaveSignal Conditioning MMIQ-0218L is a low LO drive, passive GaAs MMIC IQ mixer that operates across a 9:1 bandwidth. This is an ultra-broadband mixer spanning 2 to 18GHz on the RF and LO ports with an IF from DC to 3 GHz.
auf Bestellung 3 Stücke:
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1+4213.93 EUR
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MMIQ-0520HSM-2Marki MicrowaveRF Mixer MMIQ-0520HSM is a high linearity, passive GaAs MMIC IQ mixer. This is an ultra-broadband mixer spanning 5 to 20GHz on the RF and LO ports with an IF from DC to 6 GHz.
auf Bestellung 25 Stücke:
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1+361.28 EUR
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MMIQ-0520LSMarki MicrowaveSignal Conditioning MMIQ-0520L is a low LO drive, passive GaAs MMIC IQ mixer that operates down to an unrivaled +3 dBm LO drive level. This is an ultra-broadband mixer spanning 5 to 20GHz on the RF and LO ports with an IF from DC to 6 GHz.
auf Bestellung 2 Stücke:
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MMIQ-0520LSM-2Marki MicrowaveRF Mixer The MMIQ-0520LSM is a low LO drive, passive GaAs MMIC IQ mixer that operates down to an unrivaled +5 dBm LO drive level. This is an ultra-broadband mixer spanning 5 to 20GHz on the RF and LO ports with an IF from DC to 6 GHz.
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MMIQ-1040LSMarki MicrowaveSignal Conditioning MMIQ-1040L is a low LO drive, passive GaAs MMIC IQ mixer that operates down to an unrivaled +3 dBm LO drive level. This is an ultra-broadband mixer spanning 10 to 40 GHz on the RF and LO ports with an IF from DC to 12 GHz.
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MMIQ-1040SSMarki MicrowaveSignal Conditioning MMIQ-1040S is a high linearity, passive GaAs MMIC IQ mixer. This is an ultra-broadband mixer spanning 10 to 40 GHz on the RF and LO ports with an IF from DC to 12 GHz.
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MMIQ-40100HMMarki MicrowaveSignal Conditioning The MMIQ-40100H is a high linearity, passive GaAs MMIC IQ mixer. This is an ultra-broadband mixer spanning 40 to 100 GHz on the RF and LO ports with an IF from DC to 20 GHz.
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MMIQ-40100LMMarki MicrowaveSignal Conditioning The MMIQ-40100L is a low LO drive, passive GaAs MMIC IQ mixer. This is an ultra-broadband mixer spanning 40 to 100 GHz on the RF and LO ports with an IF from DC to 20 GHz.
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MMIQA-0218HPSMMarki MicrowaveRF Mixer The MMIQA-0218HPSM is a versatile, robust, and broadband IQ mixer with an integrated broadband LO driver amplifier. The MMIQA-0218HPSM is ideal for IQ, single sideband, and image reject mixing applications with wide bandwidths.
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MMIQA-0626HPSMMarki MicrowaveRF Mixer The MMIQA-0626HPSM is a versatile, robust, and broadband IQ mixer with an integrated broadband LO driver amplifier. The MMIQA-0626HPSM is ideal for IQ, single sideband, and image reject mixing applications with wide bandwidths.
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MMIQA-1035SPSMMarki MicrowaveRF Mixer A versatile, robust, and broadband IQ mixer with an integrated broadband LO driver amplifier. The MMIQA-1035SPSM is ideal for IQ, single sideband, and image reject mixing applications with wide bandwidths and operation at mmWave frequencies.
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MMIQA-1040HPSMMarki MicrowaveRF Mixer A versatile, robust, and broadband IQ mixer with an integrated broadband LO driver amplifier. The MMIQA-1040HPSM is ideal for IQ, single sideband, and image reject mixing applications with wide bandwidths and operation at mmWave frequencies.
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MMIT-156FPANCONCategory: Crimping Tools for Terminals
Description: Tool: for crimping; connectors; CE156
Type of tool: for crimping
Crimp tool application: connectors
Related items: CE156
Application - series/manufacturer: CE156
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+145.28 EUR
3+135.62 EUR
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MMIT-156FPancon CorporationApplication Tools, Hand Crimping Tool for use with CE and CT Connectors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+387.62 EUR
3+376.35 EUR
5+362.63 EUR
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MMIX1F132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 63A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
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MMIX1F132N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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MMIX1F160N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 102A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
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MMIX1F160N30TIXYSMOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F180N25TIXYSMOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F180N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+103.82 EUR
10+96.85 EUR
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MMIX1F210N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 108A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F210N30P3IXYSMOSFET Modules SMPD 300V 108A N-CH POLAR3
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+97.56 EUR
10+81.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F230N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 168A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F230N20TIXYSMOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F230N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 200V; 156A; Idm: 630A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 630A
Power dissipation: 600W
Gate charge: 358nC
Polarisation: unipolar
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Drain current: 156A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SMPD
On-state resistance: 8.3mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F360N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 235A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F360N15T2IXYSMOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F40N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F40N110PIXYSMOSFET SMPD MOSFETs Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F420N10TIXYSMOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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MMIX1F420N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 334A; Idm: 1kA; 680W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 334A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 680W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 670nC
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
Reverse recovery time: 140ns
Produkt ist nicht verfügbar
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MMIX1F420N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 334A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.52 EUR
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MMIX1F44N100Q3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 30A; Idm: 110A; 694W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+77.73 EUR
3+68.62 EUR
10+61.67 EUR
20+57.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1F44N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A 24SMPD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 24-SMPD
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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MMIX1F44N100Q3IXYSMOSFETs HiperFET Pwr MOSFET Q3-Class
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MMIX1F520N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 500A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
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MMIX1F520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 75V 500A 21-Pin SMPD-X
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MMIX1F520N075T2IXYSMOSFET Modules 24SMPD N-CH 75V 500A
auf Bestellung 1120 Stücke:
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1+45.47 EUR
10+36.34 EUR
100+36.05 EUR
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MMIX1F520N075T2N-CH MOSFET транзистор 75 В 500 А 1.6 мОм корпус SMPD-X Транзистори
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MMIX1F520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 75V 500A 21-Pin SMPD-X
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MMIX1G120N120A3V1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 220A 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 700 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: 24-SMPD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns
Switching Energy: 10mJ (on), 33mJ (off)
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 400 W
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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MMIX1G120N120A3V1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 105A; 400W; SMPD
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 105A
Power dissipation: 400W
Case: SMPD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: SMD
Gate charge: 420nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 105ns
Turn-off time: 1365ns
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MMIX1G120N120A3V1IXYSIGBT Modules SMPD IGBTs Power Device
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MMIX1G320N60B3IGBT транзистор 600 В 400 А нас. 1.2 В корпус SMPD Транзистори
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MMIX1G320N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 400A 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 66 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: 24-SMPD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/250ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 480V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 585 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 1000 W
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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MMIX1G320N60B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD
Technology: BiMOSFET™; GenX3™; PT
Mounting: SMD
Case: SMPD
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Gate charge: 585nC
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 1kA
Power dissipation: 1kW
Type of transistor: IGBT
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MMIX1G320N60B3IXYSIGBTs Disc IGBT SMPD Pkg-Standard SMPD-B
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MMIX1H60N150V1IXYSSCRs SCR SMPD24 1.5KV THY
auf Bestellung 340 Stücke:
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1+105.79 EUR
10+90.96 EUR
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MMIX1H60N150V1LittelfuseSCR Diode 1500V 32000A 21-Pin SMPD
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1H60N150V1IXYSDescription: SCR 1.5KV 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 24-SMPD
Voltage - Off State: 1.5 kV
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+103.82 EUR
20+76.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1H60N150V1LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - MMIX1H60N150V1 - Thyristor, 1.5 kV, SMPD, 24 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: -
RMS-Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: -
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: SMPD
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+123.57 EUR
5+108.81 EUR
10+94.94 EUR
50+89.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 63A POLAR3
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 22 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: Polar3™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T132N50P3IXYSDiscrete Semiconductor Modules MSFT SMPD PKG-HIPERFET MSF
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MMIX1T500N20X4-TULittelfuse Inc.Description: 200V < 2M X4 N-CHANNEL MOSFET IN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41.5 nF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 535 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 24-SMPD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.99mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc)
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MMIX1T550N055T2IXYSMOSFETs SMPD MOSFETs Power Device
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A 24SMPD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 24-SMPD
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Packaging: Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T600N04T2N-CH MOSFET, 40V, 600A, SMPD-24 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T600N04T2IXYSMOSFETs 40V 600A
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.99 EUR
10+65.66 EUR
20+50.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T600N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W
Case: SMPD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 590nC
On-state resistance: 1.3mΩ
Drain current: 600A
Power dissipation: 830W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 2kA
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+53.16 EUR
3+47.02 EUR
10+42.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T660N04T4IXYSMOSFET Modules Disc MSFT SMPD Pkg-HiPerFETMSFT SMPD-B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1T660N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 24-SMPD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X100N60B3H1IXYSIGBTs SMPDB 600V 68A DIODE
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X100N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 145A 400W SMPD
Power - Max: 400 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 440 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Gate Charge: 143 nC
Test Condition: 360V, 70A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 1.9mJ (on), 2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/120ns
Supplier Device Package: 24-SMPD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X200N60B3IXYSIGBTs SMPD IGBTs Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X200N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 223A 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: 24-SMPD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 223 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 625 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X200N60B3H1IXYSIGBTs SMPD IGBTs Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X200N60B3H1IXYSDescription: IGBT 600V 175A 24-SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: 24-SMPD
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/160ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 360V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A
Power - Max: 520 W
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+82.84 EUR
20+58.16 EUR
100+57.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMIX1X340N65B4IXYSDescription: MOSFET N-CH
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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