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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| STGF30H60DF | STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT | auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF30H65DFB2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-220FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 50 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF30H65DFB2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP pack | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF30H65DFB2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGF30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 50 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF30M65DF2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGF30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 38 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF30M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF30M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 38 W | auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF30M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss | auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF30NC60S | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 22A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 21.5ns/180ns Switching Energy: 300µJ (on), 1.28mJ (off) Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 96 nC Current - Collector (Ic) (Max): 22 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF30V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT BIPO 600V 30A TO-220 Part Status: Active Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF30V60DF | STMicroelectronics | IGBTs IGBT & Power Bipolar | auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF35HF60W | STMicroelectronics | IGBT Transistors 35A 600V Ultrafast IGBT over 100kHz OP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF35HF60W | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 19A 40W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns Switching Energy: 290µJ (on), 185µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF3NB60FD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 6A TO-220FP Power - Max: 25 W Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 16 nC Test Condition: 480V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 125µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 12.5ns/105ns Supplier Device Package: TO-220FP Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Input Type: Standard Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF3NB60FD | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| STGF3NB60KDFP | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| STGF3NC120HD | STM | IGBT 1200V 6A 25W TO220FP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF3NC120HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF3NC120HD Produktcode: 124794
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Lieblingsprodukt
| Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| STGF3NC120HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 3124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF3NC120HD | STMicroelectronics | IGBTs N-Ch 1200 Volt 3 Amp | auf Bestellung 5146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF3NC120HD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 3A; 25W; TO220FP Collector current: 3A Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 25W Gate charge: 24nC Type of transistor: IGBT | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF3NC120HD | STMicroelectronics | Description: IGBT 1200V 6A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off) Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 25 W | auf Bestellung 2029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF3NC120HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 3120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF4M65DF2 | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | auf Bestellung 2077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF4M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO220FP Power - Max: 23 W Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Part Status: Active Gate Charge: 15.2 nC Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-220FP Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Reverse Recovery Time (trr): 133 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF5H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 24mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF5H60DF | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGF5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 24 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 24W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF5H60DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed | auf Bestellung 2258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF5H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 43 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 24 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF6M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 24.2W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF6M65DF2 | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss | auf Bestellung 1599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF6M65DF2 | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Supplier Device Package: TO-220FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 21.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 24.2 W | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF6M65DF2 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 24.2W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF6NC60HD | STMicroelectronics | IGBTs PowerMESH" IGBT | auf Bestellung 1012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF6NC60HD Produktcode: 35359
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Lieblingsprodukt
| ST | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220FP Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 6 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 20 W | Produkt ist nicht verfügbar
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| STGF6NC60HD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 6A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 21 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 13.6 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 20 W | auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF6NC60HD | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGF6NC60HD - IGBT, 6 A, 2.5 V, 20 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: - Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF6NC60HD | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 25W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 3A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 21A Mounting: THT Gate charge: 13.6nC Kind of package: tube | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF6NC60HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF7H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 24W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF7H60DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed | auf Bestellung 1905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF7H60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-220FP Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A Reverse Recovery Time (trr): 136 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Power - Max: 24 W Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Part Status: Active Gate Charge: 46 nC Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF7H60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 24W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF7NB60HDFP | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| STGF7NB60SL | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 26460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF7NB60SL | STMicroelectronics | IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT | auf Bestellung 2972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF7NB60SL | STM | TO220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF7NB60SL | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 15A TO-220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4.5V, 7A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/5.2µs Switching Energy: 4.1mJ (off) Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 16 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A Power - Max: 25 W | auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF7NB60SL | ST | 15A; 600V; 25W; IGBT STGF7NB60SL STMicroelectronics TSTGF7NB60SL Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STGF7NB60SL | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 26460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF7NB60SL | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF7NB60SL | ST | 15A; 600V; 25W; IGBT STGF7NB60SL STMicroelectronics TSTGF7NB60SL Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STGF7NB60SL | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 7A; 25W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 7A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF7NC60HD | STM | IGBT N-CHAN 10A 600V TO220FP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF7NC60HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 36300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF7NC60HD | STMicroelectronics | IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF7NC60HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 36300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGF7NC60HD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 10A 25W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off) Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 35 nC Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 25 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF7NC60HD (TO-220FP) Produktcode: 57971
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Lieblingsprodukt
| ST | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 10 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 6 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 25 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18,5/72 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF8NC60KD | STMicroelectronics | IGBT Transistors N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET | auf Bestellung 1994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGF8NC60KD | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 7A TO-220FP Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Power - Max: 24 W Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Part Status: Active Gate Charge: 19 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Supplier Device Package: TO-220FP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGF8NC60KD | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| STGFL6NC60D | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 7A 22W TO220FP Gate Charge: 12 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns Supplier Device Package: TO-220FP Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Power - Max: 22 W Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFL6NC60DI | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 7A 22W TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220FP Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 12 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 22 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW20H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/139ns Switching Energy: 77µJ (on), 170µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 52 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW20H65FB | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed | auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW20V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW20V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW20V60DF | STMicroelectronics | IGBT Transistors PTD IGBT & IPM | auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW20V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 40A 52W TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15V Gate Charge: 116 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 52 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW20V60F | STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW20V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15V Gate Charge: 116 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 52 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW30H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT 650V 60A 58W TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3PF-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns Switching Energy: 151µJ (on), 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 58 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW30H65FB | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT | auf Bestellung 599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGFW30NC60V | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 36A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PF Td (on/off) @ 25°C: 31ns/100ns Switching Energy: 220µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 36 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 80 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW30V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 58 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW30V60DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGFW30V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 58 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW30V60F | STMicroelectronics | IGBT Transistors 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop | auf Bestellung 421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW35HF60W | STMicroelectronics | Description: IGBT 600V 36A 88W TO3PF Power - Max: 88 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 36 A Gate Charge: 140 nC Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 290µJ (on), 185µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 30ns/175ns Supplier Device Package: TO-3PF Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW40H65FB | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PF-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PF-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 62.5 W | auf Bestellung 273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGFW40H65FB | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGFW40V60DF | STMicroelectronics | IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW40V60DF Produktcode: 209107
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| STGFW40V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGFW40V60DF | STMicroelectronics | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 98.5W; TO3PF Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 98.5W Case: TO3PF Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 226nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW40V60DF | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3PF-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PF-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 62.5 W | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGFW40V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW40V60DF | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | auf Bestellung 871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGFW40V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 226 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 62.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW40V60F | STMicroelectronics | IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed | auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW40V60F | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGFW40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 62.5 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: - Verlustleistung: 62.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3PF Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGFW45HF60W | STMicroelectronics | STMicroelectronics 23 A, 600 V Ultrafast IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW80V60F | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 448 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 79 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STGFW80V60F | STMicroelectronics | IGBTs PTD IGBT & IPM | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGH30H65DFB-2AG | STMicroelectronics | Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: H2Pak-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 260 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1396 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGH30H65DFB-2AG | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGH30H65DFB-2AG | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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