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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN2300UFL4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135.2pF @ 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 530mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.21 EUR
21000+0.2 EUR
30000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1038+0.23 EUR
2337+0.092 EUR
2445+0.088 EUR
2565+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
auf Bestellung 8553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 4741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
20+0.17 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.057 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1038+0.23 EUR
2337+0.092 EUR
2445+0.088 EUR
2565+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
auf Bestellung 8553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
105+0.2 EUR
234+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
12+0.29 EUR
100+0.25 EUR
500+0.21 EUR
10000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.088 EUR
20000+0.081 EUR
30000+0.076 EUR
50000+0.071 EUR
70000+0.069 EUR
100000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin X2-DFN
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFD-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+1.21 EUR
394+0.6 EUR
614+0.35 EUR
715+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1212-3 T&R 3K
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.6 EUR
100+0.5 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+1.21 EUR
394+0.6 EUR
614+0.35 EUR
715+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
75000+0.094 EUR
150000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.174ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.74 EUR
710+0.32 EUR
1177+0.18 EUR
1429+0.15 EUR
1819+0.12 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.74 EUR
710+0.32 EUR
1177+0.18 EUR
1429+0.15 EUR
1819+0.12 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K
auf Bestellung 31231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
11+0.32 EUR
100+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
58+0.37 EUR
66+0.32 EUR
100+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UTQ-7
Produktcode: 209449
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q100
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.075 EUR
20000+0.068 EUR
30000+0.064 EUR
50000+0.061 EUR
70000+0.058 EUR
100000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-13Diodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.074 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.068 EUR
15000+0.063 EUR
21000+0.055 EUR
30000+0.052 EUR
75000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-7Diodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+0.36 EUR
1018+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
auf Bestellung 8289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
11+0.32 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.082 EUR
9000+0.069 EUR
24000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+0.36 EUR
1018+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
auf Bestellung 138572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
77+0.27 EUR
194+0.11 EUR
500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UW-7Diodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UWQ-13Diodes ZetexDMN2310UWQ-13
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2310UWQ-7Diodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2320UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF
auf Bestellung 7399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+0.84 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2320UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V
auf Bestellung 5812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.09 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.44 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2320UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.42 EUR
61+0.35 EUR
70+0.3 EUR
100+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.74 EUR
565+0.42 EUR
893+0.24 EUR
1207+0.18 EUR
1478+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
auf Bestellung 2899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.74 EUR
565+0.42 EUR
893+0.24 EUR
1207+0.18 EUR
1478+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K
auf Bestellung 13461 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
62+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.099 EUR
15000+0.092 EUR
21000+0.088 EUR
30000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
auf Bestellung 4893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFD-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd
auf Bestellung 1536 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFDQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V
auf Bestellung 353 Stücke:
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4+1.06 EUR
10+0.8 EUR
100+0.5 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UFDQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.09 EUR
6000+0.084 EUR
9000+0.076 EUR
30000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 1257000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
30000+0.092 EUR
75000+0.089 EUR
99000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 11769000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 1245000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.098 EUR
30000+0.087 EUR
75000+0.083 EUR
99000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 436 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
auf Bestellung 22988 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 20990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
34+0.62 EUR
41+0.52 EUR
50+0.45 EUR
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes2 N-Channel , 20V, SOT-563 Транзистори
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.74 EUR
391+0.43 EUR
436+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.09 EUR
6000+0.087 EUR
9000+0.079 EUR
30000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+0.73 EUR
432+0.38 EUR
1022+0.15 EUR
1173+0.13 EUR
3000+0.1 EUR
9000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2400UV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2400UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.33 A, 1.33 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.33A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.98 EUR
461+0.5 EUR
878+0.25 EUR
971+0.23 EUR
1092+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
auf Bestellung 59964 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
6+0.56 EUR
14+0.24 EUR
100+0.21 EUR
10000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
auf Bestellung 1038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
61+0.35 EUR
75+0.29 EUR
86+0.25 EUR
100+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
auf Bestellung 7448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
71+0.3 EUR
178+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4-7RDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
13+0.27 EUR
100+0.23 EUR
500+0.2 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.09 EUR
20000+0.082 EUR
30000+0.077 EUR
50000+0.073 EUR
70000+0.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4Q-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFB4Q-7RDiodes IncorporatedMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
auf Bestellung 5216747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
61+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 2740 Stücke:
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5+0.73 EUR
11+0.32 EUR
100+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
auf Bestellung 5214000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
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15000+0.09 EUR
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30000+0.082 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2450UFD-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2451UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
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4+0.98 EUR
10+0.46 EUR
100+0.33 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
10000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2451UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
auf Bestellung 560000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.088 EUR
20000+0.071 EUR
30000+0.069 EUR
50000+0.067 EUR
70000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2451UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
61+0.35 EUR
74+0.29 EUR
85+0.25 EUR
100+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2451UFB4Q-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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