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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PJMBZ15V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 25W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15V-AU_R1_000A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 113981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.45 EUR
100+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.094 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15V-AU_R2_000A1Panjit 12V ESD Protection UNI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15VD
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15VT/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15V_R1_00001Panjit 12V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 14.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 25W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15V_R1_10001Panjit 12V ESD Protection UNI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15V_R2_00001Panjit 12V ESD Protection UNI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ15V_R2_10001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V ESD Protection UNI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ18A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,14.5V,Uni,2CH
auf Bestellung 8995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ18A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,14.5V, SOT-23,UNI,2CH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 40W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ18A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: ESD,14.5V, SOT-23,UNI,2CH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 40W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ20A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ20A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ20A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,17V,Uni,2CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27A-AU_R1_007A1PanjitESD Suppressors / TVS Diodes ESD,22V,Uni,2CH
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 122-126 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.54 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V-AU_R1_000A1PanjitZener Diodes 22V ESD Protection UNI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
37+0.58 EUR
100+0.32 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V-AU_R2_000A1PanjitZener Diodes /US/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27VC
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V_R1_00001PanjitZener Diodes 22V ESD Protection UNI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 996000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V_R1_00001Panjit International Inc.Description: DUAL TVS ZENER FOR ESD/TRANSIENT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V_R1_10001PanjitZener Diodes US/TR/7"/RoHS/3K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V_R2_00001PanjitZener Diodes /US/TR/13"/HF/12K/SOT-23/TVS/ESD/SOT/TEA-02GL/TEA02GL-QI01/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ27V_R2_10001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 22V ESD Protection UNI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ33A-AU-R1-007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS DIODES ESD 26V UNI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,26V,Uni,2CH
auf Bestellung 11985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
10+0.37 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ33A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ33A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; ESD
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 26V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 50nA
Case: SOT23
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ33A-AU_R1_007A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ5V6
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,3V,Uni,2CH
auf Bestellung 8868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
10+0.5 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ6V2
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ6V8
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.46÷7.14V; 24W; double,common anode; ESD; SOT23
Type of diode: TVS array
Peak pulse power dissipation: 24W
Breakdown voltage: 6.46...7.14V
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 4.5V
Version: ESD
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,4.5V,Uni,2CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes ESD,6V,Uni,2CH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD190N65FR2_L2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
10+4.02 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD190N65FR2_L2_00601PanjitMOSFETs 650V/ 180m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD190N65FR2_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD190N65FR2_L2_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD280N60E1-L2PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD280N60E1_L2_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 280M / 13.8A/ EASY TO DRIV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252AA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD280N60E1_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD280N60E1_L2_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 280M / 13.8A/ EASY TO DRIV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252AA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD280N60E1_L2_00601PanjitMOSFETs 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC-L2PanjitMOSFETs TO252 600V 11A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 400 V
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD360N60EC_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD390N65EC-L2PanjitMOSFETs TO252 650V 10A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD390N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
11+1.9 EUR
100+1.27 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD390N65EC_L2_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.08 EUR
10+6.59 EUR
100+5.37 EUR
500+4.63 EUR
6000+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD390N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD580N60E1-L2PanjitMOSFETs TO252 600V 8A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD580N60E1_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD900N60EC-L2PanjitMOSFETs TO252 650V 5A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD900N60EC_L2_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.33 EUR
100+2.49 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.82 EUR
2500+1.65 EUR
6000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD900N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
auf Bestellung 5835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+3.19 EUR
100+2.55 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD900N60EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD990N65EC-L2PanjitMOSFETs TO252 650V 4.7A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD990N65EC_L2_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD990N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMD990N65EC_L2_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF060N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4614 pF @ 400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 343.4W (Tc)
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.82 EUR
50+6.82 EUR
100+6.25 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF060N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48.3A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48.3A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF060N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 60m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF080N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 75m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF080N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3507 pF @ 400 V
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.77 EUR
50+5.63 EUR
100+5.14 EUR
500+4.27 EUR
1000+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF080N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29.2A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29.2A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC-T0PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 400 V
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.25 EUR
50+3.7 EUR
100+3.36 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF099N60EC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+3.8 EUR
100+3.42 EUR
500+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF105N60FRC-T0PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF105N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 35A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF105N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.52 EUR
10+6.68 EUR
100+6.09 EUR
500+5.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF105N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 105M / 35A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF120N60EC-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 30A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF120N60EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.64 EUR
10+4.34 EUR
100+3.03 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF120N60EC_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF120N60EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.51 EUR
10+6.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF125N60FRC-T0PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF125N60FRC_T0_00601Panjit International Inc.Description: 600V/ 125M / 30A/ SJ MOSFET WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.14 EUR
50+5.32 EUR
100+4.86 EUR
500+4.03 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF125N60FRC_T0_00601PanjitMOSFETs 600V/ 125mohms / 30A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF125N60FRC_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; ITO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Gate-source voltage: 30V
Case: ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
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PJMF130N65EC_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.26 EUR
10+9.66 EUR
100+7.1 EUR
500+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PJMF130N65EC_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.23 EUR
10+9.65 EUR
100+7.12 EUR
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PJMF190N60E1-T0PanjitMOSFETs TO220 600V 20A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF190N60E1_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
50+2.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PJMF190N60E1_T0_00001PanjitMOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+2.76 EUR
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PJMF190N60E1_T0_00201PanjitMOSFETs 600V 190mohm Super Junction Easy versio
auf Bestellung 1937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.31 EUR
10+4.8 EUR
100+3.53 EUR
500+3.14 EUR
1000+2.84 EUR
2000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJMF190N65FR2_T0_00601PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.6A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.6A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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PJMF190N65FR2_T0_00601PanjitMOSFETs 650V/ 180m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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PJMF190N65FR2_T0_00601Panjit International Inc.Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.59 EUR
50+3.31 EUR
100+2.99 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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