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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTP230N04T4MIXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 230A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.26 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.61 EUR
50+7.35 EUR
100+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP230N075T2IXYSMOSFETs 230 Amps 75V
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.02 EUR
10+6.95 EUR
100+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 24A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.77 EUR
10+10.01 EUR
50+7.97 EUR
100+7.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Power dissipation: 390W
Gate charge: 36nC
Technology: X2-Class
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.97 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MClareMOSFET X2-Class полевой 650V; 24A; 37W; TO220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.61 EUR
10+6.89 EUR
100+6.31 EUR
500+5.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.29 EUR
22+10.65 EUR
100+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.2 EUR
10+8.88 EUR
50+7.01 EUR
100+6.41 EUR
500+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Power dissipation: 37W
Gate charge: 36nC
Technology: X2-Class
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.89 EUR
50+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24N65X2MIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24P085TIXYSMOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+3.17 EUR
100+3.14 EUR
500+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V
auf Bestellung 1421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
50+3.37 EUR
100+3.05 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP24P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Power dissipation: 480W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.3mΩ
Reverse recovery time: 60ns
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.13 EUR
14+6.14 EUR
50+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.12 EUR
10+8.82 EUR
100+8.08 EUR
500+7.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP260N055T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.22 EUR
50+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10TIXYSMOSFETs MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.37 EUR
10+12.6 EUR
50+10.13 EUR
100+9.34 EUR
500+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.16 EUR
9+9.87 EUR
10+9.02 EUR
50+7.15 EUR
100+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20PMOSFET P-CH 200V 26A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP26P20PIXYSMOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
auf Bestellung 3069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.86 EUR
10+9.97 EUR
100+9.17 EUR
500+8.95 EUR
1000+8.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP270N04T4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 48ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.78 EUR
20+4.31 EUR
23+3.81 EUR
50+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP270N04T4IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP270N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 270A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9140 pF @ 25 V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.33 EUR
50+4.66 EUR
100+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP27N20TIXYSMOSFETs 27 Amps 200V 100 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP27N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28P065TIXYSMOSFETs 28 Amps 65V 0.045 Rds
auf Bestellung 1083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+5.21 EUR
100+4.57 EUR
500+4.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.63 EUR
51+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP28P065T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP28P065T. - MOSFET, P-CH, 65V, 28A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.4 EUR
27+8.91 EUR
33+6.64 EUR
50+5.06 EUR
100+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100IXYSMOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.84 EUR
300+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
auf Bestellung 1983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.21 EUR
10+10.06 EUR
100+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N100PIXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.58 EUR
10+6.94 EUR
100+5.15 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N60PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N60PIXYSMOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N60PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 2A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3.09 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 2A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.32 EUR
50+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Gate charge: 4.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N80IXYSMOSFETs 2 Amps 800V 6.2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N80PIXYSMOSFET 2 Amps 800V 6 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.5Ω
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.64 EUR
11+8.08 EUR
50+6.68 EUR
100+5.9 EUR
250+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N120PIXYSMOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.54 EUR
10+10.77 EUR
50+9.73 EUR
100+8.96 EUR
250+8.57 EUR
500+8.07 EUR
1000+7.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+11.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP2R4N50PIXYSMOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP300N04T2IXYSMOSFETs 300 Amps 40V
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.12 EUR
10+8.82 EUR
100+8.04 EUR
500+7.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP300N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.4 EUR
10+11.17 EUR
50+8.94 EUR
100+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP300N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO220AB; 53ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 53ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP30N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 30A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP30N25L2IXYSMOSFETs TO220 250V 30A N-CH LINEAR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N20TIXYSMOSFETs 32 Amps 200V 78 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N20TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N65XIXYSMOSFET 650V/9A Power MOSFET
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N65XMIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2206 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32N65XMIXYSMOSFET 650V/9A Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P05TIXYSMOSFETs 32 Amps 50V 0.036 Rds
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+3.77 EUR
100+3.17 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P05TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
On-state resistance: 39mΩ
Reverse recovery time: 26ns
Mounting: THT
Power dissipation: 83W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
10+4.94 EUR
50+3.82 EUR
100+3.46 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.73 EUR
66+2.58 EUR
100+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P05T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP32P05T. - MOSFET, P-CH, 50V, 32A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.47 EUR
35+6.64 EUR
43+4.99 EUR
57+3.81 EUR
100+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P20TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
On-state resistance: 0.13Ω
Reverse recovery time: 190ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+13.45 EUR
8+11.03 EUR
10+9.92 EUR
50+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.32 EUR
10+14.73 EUR
50+11.92 EUR
100+11.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P20TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.79 EUR
10+11.75 EUR
100+11.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP32P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.94 EUR
15+16.41 EUR
16+14.05 EUR
50+12.96 EUR
100+11.59 EUR
250+11.35 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP340N04T4IXYSMOSFETs 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.94 EUR
10+9.82 EUR
100+7.39 EUR
250+7.16 EUR
500+6.45 EUR
1000+5.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP340N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.42 EUR
10+11.9 EUR
50+9.54 EUR
100+8.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 540W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.15 EUR
17+14.17 EUR
100+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 54nC
Technology: X2-Class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.46 EUR
10+9.4 EUR
100+8.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N20TIXYSMOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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