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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFN44N80Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN48N45IXYS
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFN48N50IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFN48N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN48N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 48
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 520
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 520
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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IXFN48N50MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B Транзистори
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IXFN48N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.1 EUR
10+62.93 EUR
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IXFN48N50IXYSMOSFET Modules 500V 48A
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.68 EUR
10+63.19 EUR
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IXFN48N50(Transistor)
Produktcode: 46175
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
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IXFN48N50QТранзистори
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IXFN48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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IXFN48N50QIXYSMOSFET Modules 48 Amps 500V 0.1 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN48N50U2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
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IXFN48N50U2
Produktcode: 75682
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN48N50U2SOT-227B, N-Channel MOSFET, Id=48A, Vdss=500V Транзистори
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IXFN48N50U2IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN48N50U3SOT-227B, N-Channel MOSFET, Id=48A, Vdss=500V Транзистори
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IXFN48N50U3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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IXFN48N50U3
Produktcode: 75683
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXFN48N55IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
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IXFN48N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N60P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 40A, 600V, 0.14 Ohm, 10V, 5.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.84 EUR
10+36.2 EUR
50+34.94 EUR
100+33.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IXFN48N60PIXYSMOSFET Modules 600V 48A
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.78 EUR
10+50.37 EUR
100+47.12 EUR
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IXFN48N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN48N60PSOT-227B, N-Channel MOSFET, Id=40A, Vdss=600V Транзистори
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IXFN48N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+46.22 EUR
5+43.98 EUR
10+41.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFN48N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN48N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N120SICIXYSDescription: SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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IXFN50N120SICIXYSSiC MOSFETs SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N120SKIXYSMOSFET Modules SiC Power MOSFET
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+137.05 EUR
10+125.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N120SKIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 48A; SOT227B; screw; SiC; 115nC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+132.97 EUR
3+117.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N120SKIXYSDescription: SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N50IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N50IXYSDiscrete Semiconductor Modules 50 Amps 500V 0.1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N80Q2
Produktcode: 41446
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
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IXFN50N80Q2IXYSMOSFET Modules 50 Amps 800V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N80Q2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 50A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN50N80Q2Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2
Produktcode: 59603
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2IXYSMOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.38 EUR
10+56.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+54.64 EUR
50+53.32 EUR
100+46.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 480A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 545nC
Reverse recovery time: 150ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+46.29 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2N-CH 75V 480A SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+46.77 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.99 EUR
10+57.44 EUR
100+49.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 480A 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+54.64 EUR
50+52.17 EUR
100+44.89 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN520N075T2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN520N075T2. - MOSFET, N-CH, 75V, 480A, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Module
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 480A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 940W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+84.22 EUR
5+68.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN52N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.05 EUR
10+108.27 EUR
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IXFN52N100XIXYSMOSFET Modules 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET
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IXFN52N90PIXYSMOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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IXFN52N90PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 900V; 43A; SOT227B; screw; Idm: 104A
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
On-state resistance: 0.16Ω
Reverse recovery time: 300ns
Pulsed drain current: 104A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 308nC
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN52N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN53N50FIXYSMODULE
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IXFN55N120SKIXYSDescription: SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 12mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 1000 V
auf Bestellung 134 Stücke:
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IXFN55N120SKIXYSMOSFET Modules MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B
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IXFN55N50Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN55N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN55N50 - Leistungs-MOSFET, HiPerFET, n-Kanal, 500 V, 55 A, 0.08 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN55N50IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 500V; 55A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 625W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 80mΩ
Gate charge: 330nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN55N50IXYSMOSFET Modules 55 Amps 500V 0.08 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN55N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 55A 4-Pin SOT-227B
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10+70.54 EUR
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IXFN55N50IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
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IXFN55N50FIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXFN55N50F 500V 55A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
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IXFN55N50FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 55A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN55N50FIXYSMODULE
auf Bestellung 271 Stücke:
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IXFN55N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN56N90PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN56N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN56N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+128.78 EUR
10+99.04 EUR
100+93.32 EUR
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IXFN56N90PIXYSMOSFET Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
auf Bestellung 243 Stücke:
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IXFN56N90P
Produktcode: 101753
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
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IXFN56N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 56A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFN56N90PSOT-227B, N-Channel MOSFET, Id=56A, Vdss=900V Транзистори
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IXFN60GT60JRDXAPT
auf Bestellung 100 Stücke:
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IXFN60N50P3
Produktcode: 40769
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXFN60N60IXYSMODULE
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFN60N60IXYSMOSFET Modules 600V 60A
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IXFN60N60Транзистори
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IXFN60N60
Produktcode: 84688
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFN60N60Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 600V 60A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXFN60N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PSOT-227B, PolarHVTM HiPerFETPower MOSFET, 800V 53A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80P
Produktcode: 84689
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Gate charge: 250nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIXYSMOSFET Modules DIODE Id54 BVdass800
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN60N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 60 A, 0.14 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.04
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN61N50IXYS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN62N80Q3
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN62N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFN62N80Q3IXYSCategory: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 800V; 49A; SOT227B; screw; Idm: 180A
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 180A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 960W
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Drain current: 49A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN62N80Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+135.17 EUR
10+111.06 EUR
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