Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN3110SQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 2296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3112S | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3112S | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN3112S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268 pF @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3112S-7 | Diodes | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3112S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268 pF @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3112S-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch FET 30V 20A 57mOhm 10V VGS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3112SQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268 pF @ 5 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3112SQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3112SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3112SSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3115UDM | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN3115UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 900mW 30Vdss | auf Bestellung 624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3115UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3115UDMQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26 Case: SOT26 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.13Ω Power dissipation: 0.9W Drain current: 3.2A Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 12.8A Drain-source voltage: 30V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3115UDMQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3135LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K | auf Bestellung 17460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3135LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3135LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3135LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | auf Bestellung 35237 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3135LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3135LVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 25A; 0.84W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 0.84W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3135LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3135LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3135LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3135LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3135LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3135LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 840mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN313DLT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V | auf Bestellung 5604978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN313DLT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch Enh Mode 0.5nc | auf Bestellung 8182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN313DLT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36.3 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-523 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 10mA, 4V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 5574000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN313DLT-7 | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 36,3 @ 5, Qg, нКл = 0,5, Rds = 2 Ом, Ugs(th) = 1,5, Р, Вт = 0,28, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-523-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 2800 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3150L | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3150L | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN3150L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3150L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Drain current: 3.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 54mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3150L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V | auf Bestellung 17610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3150L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3150L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Channel | auf Bestellung 13630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3150L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 28V 3.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3150L-7 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 30V 3.8A 85mΩ 1.4W DMN3150L-7 Diodes TDMN3150l Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMN3150LW | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN3150LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 0.35W 28V 1.6A | auf Bestellung 20223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3150LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3150LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 1.6 A, 0.073 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3150LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 28612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3150LW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3150LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 1.6 A, 0.073 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 28 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 940 euEccn: NLR Verlustleistung: 350 Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3150LW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 28V; 1.2A; Idm: 6.4A; 350mW; SOT323 Mounting: SMD Pulsed drain current: 6.4A Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Drain current: 1.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 28V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT323 On-state resistance: 138mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3150LW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323 Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V | auf Bestellung 28200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3190LDW | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 320mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 310000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 9.6A; 400mW; SOT363 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss | auf Bestellung 36277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 320mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 311796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss | auf Bestellung 234732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | auf Bestellung 2496000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 2490000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 320mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 5734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 2127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 2127 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 320mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 5734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 320mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA | auf Bestellung 2499475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3190LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3190LDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3190LDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3190LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 320mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3190LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K | auf Bestellung 5969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3190LDWQ-7 | Diodes Zetex | Dual N Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN3190LDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3190LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung, p-Kanal: 320mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3190LDWQ-7 | Diodes Zetex | Dual N Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN31D4UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4 pF @ 15 V | auf Bestellung 1599389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D4UFZ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4 pF @ 15 V | auf Bestellung 1590000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D4UFZ-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0606-3 T&R 10K | auf Bestellung 20350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 44165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V | auf Bestellung 420000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V | auf Bestellung 420000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V | auf Bestellung 5316000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN31D5L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V | auf Bestellung 5320042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN31D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN31D5L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 4763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 8340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | auf Bestellung 7036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5UDAQ-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806-6 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN31D5UDAQ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A 6DFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 | auf Bestellung 640000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 | auf Bestellung 646679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 21632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN31D5UDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN31D5UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN31D5UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 330mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.4pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN31D5UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K | auf Bestellung 5116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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