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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF520NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NInfineonN-MOSFET 9.7A 100V 3.8W 0.20Ω IRF520N TIRF520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NL
auf Bestellung 2372 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
141+0.51 EUR
147+0.49 EUR
153+0.47 EUR
160+0.45 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFInternational RectifierMFET N-CH 100 V 9.7A 0.2 A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.49 EUR
309+0.47 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
4000+0.37 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF
Produktcode: 55824
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
736+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.71 EUR
50+1.28 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 27624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.73 EUR
152+0.95 EUR
167+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.56 EUR
4000+0.5 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.56 EUR
299+0.47 EUR
308+0.44 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
4000+0.33 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.55 EUR
4000+0.49 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC
auf Bestellung 5549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+1.9 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 96566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.55 EUR
4000+0.51 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NPBF/IRIR08+;
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSIR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 48W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC
auf Bestellung 9166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+2.45 EUR
100+1.92 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF520NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.59 EUR
102+1.42 EUR
125+1.13 EUR
200+1.04 EUR
1600+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSTRR
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.75 EUR
135+1.07 EUR
151+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.13 EUR
190+0.75 EUR
201+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.38 EUR
121+1.2 EUR
250+1 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBFТранзистор N-MOSFET, полевой, 10V, 6,5A, 60W, TO220AB Транзистори
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.05 EUR
155+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF520PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF520PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF520PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Pulsed drain current: 37A
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.12 EUR
79+0.91 EUR
87+0.83 EUR
100+0.73 EUR
250+0.62 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.77 EUR
201+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF
Produktcode: 216814
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 96 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+2.57 EUR
139+1.02 EUR
154+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF520PBF (TO-220AB, Siliconix)
Produktcode: 156292
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SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9,2 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/16
JHGF: THT
auf Bestellung 7 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF520
Produktcode: 23704
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VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 09.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 01.10.350
JHGF: THT
verfügbar: 6 St.
    1+0.48 EUR
    10+0.45 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
    auf Bestellung 3102 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+3.82 EUR
    50+1.86 EUR
    100+1.67 EUR
    500+1.34 EUR
    1000+1.23 EUR
    2000+1.14 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF520PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 9.2A, TO-220AB
    tariffCode: 85412900
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    rohsCompliant: YES
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    euEccn: NLR
    isCanonical: Y
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    directShipCharge: 25
    usEccn: EAR99
    auf Bestellung 188 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1000+0.67 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET
    auf Bestellung 1318 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+2.94 EUR
    10+1.43 EUR
    100+1.18 EUR
    500+0.96 EUR
    1000+0.86 EUR
    2000+0.78 EUR
    5000+0.69 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    1000+0.67 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520SVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 100V 9.2 Amp
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRF520SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
    auf Bestellung 5950 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    6+3.08 EUR
    50+1.47 EUR
    100+1.32 EUR
    500+1.04 EUR
    1000+0.96 EUR
    2000+0.88 EUR
    5000+0.8 EUR
    Mindestbestellmenge: 6 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 1990 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    68+2.16 EUR
    117+1.23 EUR
    129+1.09 EUR
    500+0.87 EUR
    1000+0.79 EUR
    Mindestbestellmenge: 68 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 100V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF520SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 60W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
    auf Bestellung 1000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    auf Bestellung 1990 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    68+2.16 EUR
    117+1.21 EUR
    129+1.05 EUR
    500+0.83 EUR
    1000+0.73 EUR
    Mindestbestellmenge: 68 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520VL
    auf Bestellung 6650 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF520VSIR07+ TO-263
    auf Bestellung 4000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF521HARRISIRF521
    auf Bestellung 939 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    413+1.33 EUR
    500+1.18 EUR
    Mindestbestellmenge: 413 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF521Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
    Vgs (Max): ±20V
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Part Status: Active
    Supplier Device Package: TO-220
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.6A, 10V
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
    FET Type: N-Channel
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Mounting Type: Through Hole
    Package / Case: TO-220-3
    Packaging: Bulk
    auf Bestellung 25969 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    330+1.38 EUR
    Mindestbestellmenge: 330 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF521HARRISIRF521
    auf Bestellung 23832 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    413+1.33 EUR
    500+1.18 EUR
    1000+1.06 EUR
    10000+0.93 EUR
    Mindestbestellmenge: 413 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF521HARRISIRF521
    auf Bestellung 847 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    413+1.33 EUR
    500+1.18 EUR
    Mindestbestellmenge: 413 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF521HARRISIRF521
    auf Bestellung 351 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    331+1.33 EUR
    Mindestbestellmenge: 331 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 350 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+2.63 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210
    Produktcode: 21990
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: TO-220
    Uds,V: 100
    Id,A: 40
    Rds(on),Om: 0.06
    /: THT
    Produkt ist nicht verfügbar
    1+1.28 EUR
    10+1.2 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 16 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+2.63 EUR
    Mindestbestellmenge: 16 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210JSMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
    Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
    auf Bestellung 90 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    20+2.39 EUR
    Mindestbestellmenge: 20 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210HRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab)
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4559 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A TO262
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210LPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
    verfügbar 11 Stücke:
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210LPBF
    Produktcode: 85148
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    		Verschiedene Bauteile > Other components 3
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A TO262
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210LPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-262AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: Y-EX
    Dauer-Drainstrom Id: 40A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 200W
    Anzahl der Pins: 3Pins
    productTraceability: No
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210LPBFInternational RectifierTO-262 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
    auf Bestellung 65449 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    78+1.89 EUR
    85+1.71 EUR
    100+1.49 EUR
    500+1.45 EUR
    1000+1.3 EUR
    2000+1.27 EUR
    5000+1.23 EUR
    Mindestbestellmenge: 78 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
    auf Bestellung 127 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    52+2.84 EUR
    54+2.69 EUR
    100+2.54 EUR
    Mindestbestellmenge: 52 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
    Type of transistor: P-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -100V
    Drain current: -40A
    Power dissipation: 200W
    Case: TO220AB
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Gate charge: 0.12µC
    On-state resistance: 60mΩ
    Gate-source voltage: ±20V
    auf Bestellung 3496 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    23+3.15 EUR
    35+2.1 EUR
    40+1.83 EUR
    50+1.67 EUR
    100+1.52 EUR
    500+1.27 EUR
    1000+1.19 EUR
    1250+1.16 EUR
    2000+1.1 EUR
    Mindestbestellmenge: 23 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
    auf Bestellung 11240 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+5.68 EUR
    10+3.71 EUR
    100+2.59 EUR
    500+2.18 EUR
    1000+2.01 EUR
    2000+1.9 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
    auf Bestellung 3412 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    39+3.8 EUR
    100+3.4 EUR
    500+2.72 EUR
    1000+2.48 EUR
    2000+2.28 EUR
    Mindestbestellmenge: 39 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 100V 40A TO-220 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
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    IRF5210PBF
    Produktcode: 113380
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    		IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: TO-220
    Uds,V: 100 V
    Id,A: 40 A
    Rds(on),Om: 0,06 Ohm
    Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
    /: THT
    auf Bestellung 194 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
    auf Bestellung 29000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    223+2.47 EUR
    500+2.2 EUR
    1000+1.97 EUR
    10000+1.72 EUR
    Mindestbestellmenge: 223 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
    Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
    auf Bestellung 7819 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3+7.5 EUR
    50+3.82 EUR
    100+3.46 EUR
    500+2.84 EUR
    1000+2.63 EUR
    2000+2.47 EUR
    5000+2.28 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
    auf Bestellung 65449 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    77+1.9 EUR
    84+1.69 EUR
    100+1.44 EUR
    500+1.38 EUR
    1000+1.21 EUR
    2000+1.15 EUR
    5000+1.08 EUR
    Mindestbestellmenge: 77 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 40A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 200W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: No
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
    auf Bestellung 3927 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210SMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: NO
    Dauer-Drainstrom Id: 38A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: NO
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 170W
    SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-263
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
    productTraceability: No
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
    auf Bestellung 1968 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210SMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: NO
    Dauer-Drainstrom Id: 38A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: NO
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 170W
    SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: TO-263
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
    productTraceability: No
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
    auf Bestellung 1968 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210SPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210SPBF
    Produktcode: 37137
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: D2Pak
    Uds,V: 100
    Id,A: 38
    Rds(on),Om: 0.06
    Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
    /: SMD
    Produkt ist nicht verfügbar
    1+1.31 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
    Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF5210SPBFInternational RectifierP-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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