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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFP102N15TIXYSMOSFET 102 Amps 0V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP102N15TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 455W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Gate charge: 32nC
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60PIXYSMOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+7.63 EUR
100+5.59 EUR
500+4.74 EUR
1000+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP10N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.74 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.79 EUR
50+8.01 EUR
100+7.35 EUR
500+6.21 EUR
1000+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80PIXYSMOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.97 EUR
10+8.1 EUR
100+7.2 EUR
500+6.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.84 EUR
50+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP110N15T2
Produktcode: 113183
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP110N15T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.92 EUR
10+8.35 EUR
50+7.88 EUR
100+6.62 EUR
250+5.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.5Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PIXYSMOSFETs HiPERFET Id12 BVdass500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.42 EUR
24+10.02 EUR
100+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PMIXYSMOSFET 6 Amps 500V 2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2
Produktcode: 173233
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IXYSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 12 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 310 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1134/18,5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class HiperFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.79 EUR
27+8.77 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
50+5.8 EUR
100+5.28 EUR
500+4.4 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2IXYSMOSFETs 650V/12A TO-220
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+6.83 EUR
100+5.18 EUR
500+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.57 EUR
19+4.52 EUR
30+3.92 EUR
50+3.69 EUR
100+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2AIXYSDescription: MOSFET N-CH TO220
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2MLittelfuseX2-Class Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2MIXYSMOSFETs 650V/12A OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.21 EUR
50+5.89 EUR
100+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 12A 650V X3 TO22
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X3LittelfuseMOSFETs TO220 650V 12A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N10T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N10T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
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IXFP13N60X3LittelfuseMOSFETs TO220 600V 13A N-CH X3CLASS
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IXFP13N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 13A 600V X3 TO22
Packaging: Tube
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IXFP14N55X2IXYSDescription: IXFP14N55X2
Packaging: Tube
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IXFP14N55X2IXYSMOSFETs TO220 550V 14A N-CH X2CLASS
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IXFP14N55X2MIXYSMOSFETs ULTRAX2 MOSFET
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IXFP14N55X2MIXYSDescription: IXFP14N55X2M
Packaging: Tube
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IXFP14N60PТранзистори
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IXFP14N60PIXYSMOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 182 Stücke:
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1+12.71 EUR
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IXFP14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
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IXFP14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXFP14N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP14N60P - MOSFET, N, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
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IXFP14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXFP14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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IXFP14N85XIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
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IXFP14N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
auf Bestellung 393 Stücke:
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2+13.48 EUR
50+7.29 EUR
100+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFP14N85XMLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
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IXFP14N85XMIXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
auf Bestellung 23 Stücke:
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2+13.48 EUR
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IXFP14N85XMIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 38W; TO220FP; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 30nC
Reverse recovery time: 116ns
Power dissipation: 38W
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.15 EUR
14+6.44 EUR
15+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IXFP14N85XMIXYSMOSFETs 850V/14A UlJun XCl
auf Bestellung 29 Stücke:
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1+12.46 EUR
10+8.29 EUR
500+7.71 EUR
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IXFP16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 200 Stücke:
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200+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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IXFP16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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IXFP16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.83 EUR
16+5.36 EUR
50+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IXFP16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFP16N50PIXYSMOSFETs 500V 16A
auf Bestellung 1690 Stücke:
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1+9.78 EUR
10+6.51 EUR
100+5.7 EUR
500+5.46 EUR
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IXFP16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.78 EUR
50+5.2 EUR
100+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IXFP16N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.94 EUR
50+5.4 EUR
100+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IXFP16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.78 EUR
50+5.09 EUR
100+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IXFP16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.79 EUR
50+6.82 EUR
100+6.24 EUR
500+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFP16N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.4 EUR
10+7.19 EUR
100+6.58 EUR
500+6.2 EUR
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IXFP16N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.66 EUR
50+7.32 EUR
100+6.7 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFP16N50P3
Produktcode: 202044
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.1 EUR
17+5.21 EUR
50+4.59 EUR
100+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N50P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.33 EUR
50+6.37 EUR
100+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.05 EUR
50+7.54 EUR
100+6.91 EUR
500+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFP16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.73 EUR
50+4.74 EUR
100+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.6 EUR
50+8.21 EUR
100+7.33 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IXFP16N60P3IXYSMOSFETs TO220 600V 16A N-CH POLAR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N85XIXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N85XIXYSDescription: IXFP16N85X
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N85XMIXYSDescription: IXFP16N85XM
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N85XMIXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.94 EUR
11+8.02 EUR
14+6.53 EUR
50+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.53 EUR
10+11.65 EUR
100+9.4 EUR
500+8.35 EUR
1000+7.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP180N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N60XIxys CorporationIXFP18N60X
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP18N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
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IXFP18N65X2IXYSMOSFETs 650V/18A TO-220
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IXFP18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
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IXFP18N65X2MIXYSMOSFETs 650V/18A OVERMOLDED TO-220
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IXFP18N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
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IXFP18N65X2MLittelfusePower MOSFET
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IXFP18N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
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IXFP18N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO22
Packaging: Tube
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IXFP18N65X3LittelfuseMOSFETs TO220 650V 18A N-CH X3CLASS
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