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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFN80N50IXYSMOSFET Modules 500V 80A
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+142.69 EUR
10+117.89 EUR
100+112.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N50 - MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 780W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+130.5 EUR
5+106.91 EUR
10+85.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.05 EUR
10+83.37 EUR
100+81.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50
Produktcode: 42690
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290090
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50PIXYSMOSFET Modules 500V 66A
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60 EUR
10+49.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 66A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
auf Bestellung 3657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.25 EUR
10+59.76 EUR
50+51.04 EUR
100+50.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50P
Produktcode: 23719
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IXYSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: miniBLOC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1270/195
Bemerkung: <200 ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN80N50P. - MOSFET, MODULE, N-CH, 500V, 66A
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 700W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 700W
Produktpalette: PolarHV HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+84.24 EUR
5+68.01 EUR
10+53.42 EUR
25+50.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 72A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q2N-CH 500V 80A SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 80 Amps 500V 0.06 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 72A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q2IXYS80A/500V/MOS/1U
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q3MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+109.38 EUR
10+93.64 EUR
100+90.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N50Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 63A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N60P3
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N60P3IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N60P3IXYSMOSFET Modules Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN80N60P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN80N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.077 ohm, SOT-227B, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 66
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 960
Bauform - Transistor: SOT-227B
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: Polar3 HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60P
Produktcode: 38016
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60PMOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60PIXYSMOSFET Modules DIODE Id82 BVdass600
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+77.64 EUR
10+64.4 EUR
100+58.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60Q3IXYSMOSFET Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.16 EUR
10+108.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 66A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+129.02 EUR
10+99.14 EUR
50+91.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN82N60Q3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N170SKIXYSMOSFET MSFT SILICON CARBIDE MINI
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+621.35 EUR
10+581.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N170SKIXYSDescription: SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 36mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 376 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7340 pF @ 1000 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+625.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N30IXYSDiscrete Semiconductor Modules 90 Amps 300V 0.033 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N30IXYS07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N30Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 300V 90A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+75.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N85XIXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 850V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 180A
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 90A
Power dissipation: 1.2kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 41mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 180A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 340nC
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N85XLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFN90N85X - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 90 A, 850 V, 0.041 ohm, 10 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2kW
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+94.44 EUR
5+78.92 EUR
10+71.39 EUR
50+69.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN90N85XIXYSDiscrete Semiconductor Modules 850V/90A Ultra Junction X-Class
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+102.58 EUR
10+93.26 EUR
20+90.14 EUR
50+87.05 EUR
100+85.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN94N50P2IXYSMOSFET Modules MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN94N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 68A 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN94N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 68A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFN94N50P2IXYSCategory: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 500V; 68A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 780W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 55mΩ
Gate charge: 0.22µC
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: HiPerFET™; Polar2™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP102N15TIXYSMOSFET 102 Amps 0V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+11.28 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP102N15TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 455W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP10N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.74 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.84 EUR
50+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.79 EUR
50+8.01 EUR
100+7.35 EUR
500+6.21 EUR
1000+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP10N80PIXYSMOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.97 EUR
10+8.1 EUR
100+7.44 EUR
500+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP110N15T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.92 EUR
10+8.35 EUR
50+7.88 EUR
100+6.62 EUR
250+5.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP110N15T2
Produktcode: 113183
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.42 EUR
24+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.5Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PIXYSMOSFETs HiPERFET Id12 BVdass500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N50PMIXYSMOSFET 6 Amps 500V 2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2IXYSMOSFETs 650V/12A TO-220
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+6.83 EUR
100+5.07 EUR
500+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2
Produktcode: 173233
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IXYSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 12 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 310 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1134/18,5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP12N65X2 - Leistungs-MOSFET, X2 Cls, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.31 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class HiperFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.52 EUR
25+9.56 EUR
100+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.57 EUR
19+4.52 EUR
30+3.92 EUR
50+3.69 EUR
100+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.02 EUR
10+7.34 EUR
50+5.78 EUR
100+5.27 EUR
500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2Ixys CorporationIXFP12N65X2
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.32 EUR
30+6.24 EUR
50+5.78 EUR
100+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2AIXYSDescription: MOSFET N-CH TO220
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.85 EUR
10+7.91 EUR
50+6.22 EUR
100+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2MLittelfuseX2-Class Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2MIXYSMOSFETs 650V/12A OVERMOLDED TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X3LittelfuseMOSFETs TO220 650V 12A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP12N65X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 12A 650V X3 TO22
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N10T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N10T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP130N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFP130N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
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IXFP130N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
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IXFP13N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 13A 600V X3 TO22
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IXFP13N60X3LittelfuseMOSFETs TO220 600V 13A N-CH X3CLASS
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IXFP14N55X2IXYSMOSFETs TO220 550V 14A N-CH X2CLASS
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IXFP14N55X2IXYSDescription: IXFP14N55X2
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IXFP14N55X2MIXYSDescription: IXFP14N55X2M
Packaging: Tube
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IXFP14N55X2MIXYSMOSFETs ULTRAX2 MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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